JP2007507886A - 半導体製造プロセスを制御する第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 - Google Patents
半導体製造プロセスを制御する第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007507886A JP2007507886A JP2006533873A JP2006533873A JP2007507886A JP 2007507886 A JP2007507886 A JP 2007507886A JP 2006533873 A JP2006533873 A JP 2006533873A JP 2006533873 A JP2006533873 A JP 2006533873A JP 2007507886 A JP2007507886 A JP 2007507886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- simulation
- principle
- processing tool
- semiconductor processing
- principle simulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2111/00—Details relating to CAD techniques
- G06F2111/08—Probabilistic or stochastic CAD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御する方法、システム及びコンピュータ可能媒体は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第1の原理物理的モデルを入力することとを含む。そして、第1の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第1の原理シミュレーション結果が生成され、前記第1の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するのに用いられる。
【選択図】
Description
Claims (78)
- 半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御する方法であって、
前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、
前記半導体処理ツールに関連する第1の原理物理的モデルを入力することと、
第1の原理シミュレーション結果を生成するように前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて第1の原理シミュレーションを実行することと、
前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するように前記第1の原理シミュレーション結果を用いることとを具備する方法。 - 前記入力することは、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを、前記半導体処理ツールに物理的に設けられた物理的センサと、測定ツールとのうちの少なくとも一方から直接入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記入力することは、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを、手動入力デバイスと、データベースとのうちの少なくとも一方から間接的に入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記間接的に入力することは、前記半導体処理ツールによってこれまでに実行されたプロセスから記録されたデータを入力することを備えている請求項3の方法。
- 前記間接的に入力することは、シミュレーションオペレータによって設定されたデータを入力することを備えている請求項3の方法。
- 前記データを入力することは、前記半導体処理ツールおよび半導体ツール環境のの物理的特性のうちの少なくとも一方に関連するデータを入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記データを入力することは、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスの特性と、結果とのうちの少なくとも一方に関連するデータを入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理物理的モデルを入力することは、前記半導体処理ツールの構成の空間分解モデルを入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理物理的モデルを入力することは、所望のシミュレーション結果のための第1の原理シミュレーションを実行するのに必要な基本方程式を入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスと同時に、第1の原理シミュレーションを実行することを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスから独立して、第1の原理シミュレーションを実行することを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、前記第1の原理シミュレーションモデルの境界条件を設定するように前記入力データを用いることを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、前記第1の原理シミュレーションモデルの初期条件を設定するように前記入力データを用いることを備えている請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーション結果を使用することは、半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を検出することと、分類することとのうちの少なくとも一方を実行するように第1の原理シミュレーション結果を使用することを備えている請求項1の方法。
- 請求項1に記載された処理工程の少なくとも1つを実行するように相互接続された資源のネットワークを用いることをさらに具備する請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションの計算負荷を共有するように相互接続された計算資源の間でコード並列化を用いることをさらに具備する請求項15の方法。
- 前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するように、相互接続された資源の間のシミュレーション情報を共有することをさらに具備する請求項15の方法。
- 前記シミュレーション情報を共有することは、異なる資源による実質的に同様の第1の原理シミュレーションの冗長な実行を低減するように、前記相互接続された資源の間にシミュレーション結果を分散することを備えている請求項17の方法。
- 前記シミュレーション情報を共有することは、異なる資源による第1の原理シミュレーションの冗長な改良を低減するように、前記相互接続された資源の間にモデルチェンジを分散することを備えている請求項17の方法。
- 前記半導体処理ツールによって実行される半導体プロセスを制御するように、広域網を介して遠隔資源を用いることをさらに具備する請求項15の方法。
- 前記遠隔資源を用いることは、前記半導体処理ツールによって実行される前記半導体プロセスを容易にするように、広域網を介して、リモート計算資源及び記憶資源のうちの少なくとも一方を用いることを備えている請求項21の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、ANSYSコンピュータコード、フルーエントコンピュータコード、CFRDC−ACEコンピュータコード、および直接相似モンテカルロコンピュータコードの少なくとも1つを利用する請求項1の方法。
- 前記第1の原理シミュレーション実行することは、ぴったり合う解を適用することにより、第1の原理シミュレーションのセルに対し初期条件を設定するように第1の原理シミュレーションに解を算出することを備えている請求項1の方法。
- 前記算出することは、解のライブラリから前記ぴったり合う解を選ぶことを備えている請求項23の方法。
- 前記選ぶことは、半導体処理ツールの収束を証明された解のライブラリから解を選ぶことを備えている請求項24の方法。
- 前記選ぶことは、前記半導体処理ツールに接続したコンピュータのネットワークに存在している解のライブラリから前記ぴったり合う解を選ぶことを備えている請求項23の方法。
- 前記第1の原理シミュレーションを実行することは、第1の原理シミュレーションに解のための粗いグリッドを選択することによって第1の原理シミュレーションに解を算出することを備えている請求項1の方法。
- 前記解を算出することは、微細なグリッドを使用してその後の第1の原理シミュレーションのセルのための初期条件を設定するように粗いグリッドの解を利用することを更に備えている請求項27の方法。
- 前記プロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を用いることは、半導体処理ツールに対する前記第1の原理シミュレーション結果の空間コンポーネントと、少なくとも1つの制御変数のセットとの間の関係を決定する原理コンポーネント解析を実行することを備え、
前記関係は、前記空間コンポーネントの大きさの縮小に影響を及ぼすために、前記少なくとも1つの制御変数のセットの修正を決定するように、利用される請求項1の方法。 - 前記制御するように第1の原理シミュレーション結果を用いることは、材料処理システム、エッチングシステム、フォトレジストスピンコートシステム、リソグラフィシステム、誘電コーティングシステム、堆積システム、熱アニーリングのための高速熱処理システム、およびバッチ拡散炉の少なくとも1つを制御することを備えている請求項1の方法。
- 前記制御するように第1の原理シミュレーション結果を用いることは、化学気相成長システムおよび物理蒸着システムの少なくとも一方を制御することを備えている請求項30の方法。
- 前記ツールデータを入力することは、エッチング速度、堆積速度、エッチング選択性、エッチング限界寸法、エッチング形態異方性、膜特性、プラズマ密度、イオンエネルギー、化学的種の濃度、フォトレジストマスク膜厚さ、およびフォトレジストパターンディメンションの少なくとも1つを入力することを備えている請求項21の方法。
- 前記データを入力することは、材料処理システム、エッチングシステム、フォトレジストスピンコートシステム、リソグラフィシステム、誘電コーティングシステム、堆積システム、熱アニーリングのための高速熱処理システム、およびバッチ拡散炉の少なくとも1つの物理的な幾何学的なパラメータを入力することを備えている請求項1の方法。
- 前記制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用することは、半導体処理ツールによって実行される前記プロセスを調整するように、モデル出力を用いて半導体処理ツールを制御することを備えている請求項1の方法。
- 前記制御することは、プロセス制御のための制御モデルを導き出すように、非線形最適法および多変量解析の少なくとも一方を利用することを備えている請求項34の方法。
- モデルソルバーパラメータ、第1の原理シミュレーションに対する解状態、第1の原理シミュレーションに対するモデル解、および前記モデル解に対する解収束履歴の少なくとも1つを含む複数のコンピューティング/記憶装置の間で情報を交換することを更に具備する請求項1の方法。
- プロセス結果を検査することと、
較正目的のために第1の原理シミュレーションへの入力を提供することとを更に具備する請求項1の方法。 - プロセスを実行するように構成された半導体処理ツールと、
この半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関するデータを入力するように構成された入力デバイスと、
前記半導体処理ツールに関する第1の原理物理的モデルを入力し、入力データおよび第1の原理シミュレーション結果を提供する物理的モデルを使用して第1の原理シミュレーションを実行するように構成された第1の原理シミュレーションプロセッサとを具備し、
前記第1の原理シミュレーション結果は、半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するように使用されるシステム。 - 前記入力デバイスは、半導体処理ツール上に物理的にマウントされた物理的センサおよび測定ツールの少なくとも1つを備えている請求項38のシステム。
- 前記入力デバイスは、手動の入力デバイスおよびデータベースのうちの少なくとも一方を備えている請求項38のシステム。
- 前記入力デバイスは、以前半導体処理ツールによって実行されたプロセスから記録されたデータを入力するように構成されている請求項40のシステム。
- 前記入力デバイスは、シミュレーションオペレータによってデータセットを入力するように構成されている請求項40のシステム。
- 前記入力デバイスは、半導体処理ツールおよび半導体ツール環境の物理学的性質の少なくとも一方に関するデータを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記入力デバイスは、半導体処理ツールによって実行されるプロセスの特性および結果の少なくとも1つに関するデータを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールのジオメトリの空間分解モデルを有する第1の原理物理的モデルを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、所望のシミュレーション結果のための第1の原理シミュレーションを実行するのに必要な基本方程式を有する第1の原理物理的モデルを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールによって実行されるプロセスと同時に、前記第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールによって実行されるプロセスと同時でなく、前記第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、第1の原理シミュレーションモデルの境界条件を設定するように入力データを少なくとも使用することにより、前記第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、第1の原理シミュレーションモデルの初期条件を設定するように入力データを少なくとも使用することにより、前記第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールによって実行されるプロセスの不良を検出すること、および分類することの少なくとも一方を実行するように第1の原理シミュレーション結果を使用するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサに接続され、第1の原理シミュレーションモデルを入力することと、第1の原理シミュレーションを実行することとの少なくとも1つを前記プロセッサが実行するのをアシストするように構成された、相互接続された資源のネットワークを更に具備する請求項38のシステム。
- 前記相互接続された資源のネットワークは、第1の原理シミュレーションの計算ロードを共有するように前記プロセッサとコード並行化を使用するように構成されている請求項52のシステム。
- 前記相互接続された資源のネットワークは、半導体処理ツールによって実行される前記プロセスを容易にするようにシミュレーション情報を前記プロセッサと共有するように構成されている請求項52のシステム。
- 前記相互接続された資源のネットワークは、実質的に同様の第1の原理シミュレーションの冗長な実行を低下させるように前記プロセッサにシミュレーション結果を分散するように構成されている請求項54のシステム。
- 前記相互接続された資源のネットワークは、第1の原理シミュレーションの冗長な改善を低下させるように前記プロセッサにモデルチェンジを分散するように構成されている請求項54のシステム。
- 広域ネットワークを介して前記プロセッサに接続され、半導体処理ツールによって実行される半導体プロセスを容易にするように構成されている遠隔資源を更に具備する請求項52のシステム。
- 前記遠隔資源は、計算資源および記憶資源の少なくとも一方を備えている請求項57のシステム。
- 前記プロセッサは、ANSYSコンピュータコード、フルーエントコンピュータコード、CFRDC−ACEコンピュータコード、および直接相似モンテカルロコンピュータコードの少なくとも1つを利用する第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、ぴったり合う解を適用することにより、第1の原理シミュレーションのセルに対し初期条件を設定するように第1の原理シミュレーションに解を少なくとも算出することによって、第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、解のライブラリから前記ぴったり合う解を少なくとも選ぶことによって前記算出することを実行するように構成されている請求項60のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツール上の収束を証明された解のライブラリから解を少なくとも選ぶことによって前記選ぶことを実行するように構成されている請求項61のシステム。
- 前記プロセッサは、前記半導体処理ツールに接続されたコンピュータのネットワークに存在している解のライブラリから前記ぴったり合う解を少なくとも選ぶことによって前記選らぶことを実行するように構成されている請求項60のシステム。
- 前記プロセッサは、第1の原理シミュレーションに解のための粗いグリッドを選択することによって第1の原理シミュレーションに解を少なくとも算出することによって第1の原理シミュレーションを実行するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、微細なグリッドを使用してその後の第1の原理シミュレーションのセルのための初期条件を設定するように粗いグリッドの解を少なくとも利用することによって解を算出することを実行するように構成されている請求項64のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールに対する前記第1の原理シミュレーション結果の空間コンポーネントと、少なくとも1つの制御変数のセットとの間の関係を決定するように原理コンポーネント解析を少なくとも実行することによってプロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用するように構成されており、
前記関係は、前記空間コンポーネントの大きさの縮小に影響を及ぼすために、前記少なくとも1つの制御変数のセットの修正を決定するように、利用される請求項38のシステム。 - 前記プロセッサは、材料処理システム、エッチングシステム、フォトレジストスピンコートシステム、リソグラフィシステム、誘電コーティングシステム、堆積システム、熱アニーリングのための高速熱処理システム、およびバッチ拡散炉の少なくとも1つを少なくとも制御することによってプロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、化学気相成長システムおよび物理的蒸着システムの少なくとも一方を制御することによってプロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用するように構成されている請求項67のシステム。
- 前記入力デバイスは、エッチング速度、堆積速度、エッチング選択性、エッチング限界寸法、エッチング形態異方性、膜特性、プラズマ密度、イオンエネルギー、化学的種の濃度、フォトレジストマスク膜厚さ、およびフォトレジストパターンディメンションの少なくとも1つを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記入力デバイスは、材料処理システム、エッチングシステム、フォトレジストスピンコートシステム、リソグラフィシステム、誘電コーティングシステム、堆積システム、熱アニーリングのための高速熱処理システム、およびバッチ拡散炉の少なくとも1つの物理的な幾何学的なパラメータを入力するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、半導体処理ツールによって実行される前記プロセスを調整するようにモデル出力を用いることによって、半導体処理ツールを少なくとも制御することによってプロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用するように構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、プロセス制御のための制御モデルを導き出すように非線形最適法および多変量解析の少なくとも1つを利用することによって前記制御することを実行するように構成されている請求項71のシステム。
- 前記プロセッサは、モデルソルバーパラメータ、第1の原理シミュレーションに対する解状態、第1の原理シミュレーションに対するモデル解、および前記モデル解のための解収束履歴の少なくとも1つを含む複数のコンピューティング/記憶装置の間で情報を交換するように更に構成されている請求項38のシステム。
- 前記プロセッサは、プロセス結果を検査し、較正目的のための第1の原理シミュレーションへの入力を提供するように更に構成されている請求項38のシステム。
- 半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするシステムであって、
半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関するデータを入力する手段と、
この半導体処理ツールに関する第1の原理物理的モデルを入力する手段と、
入力データおよび第1の原理シミュレーション結果を提供する物理的モデルを使用して第1の原理シミュレーションを実行する手段と、
半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するように、第1の原理シミュレーション結果を使用する手段と具備するシステム。 - 第1の原理シミュレーションの計算ロードを共有する手段を更に具備する請求項75のシステム。
- 半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするように、シミュレーション情報を相互接続された資源の間で共有する手段を更に備えている請求項75のシステム。
- プロセッサ上の実行のためのプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、
コンピュータシステムによって実行されるときに、
半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関するデータを入力する工程と、
半導体処理ツールに関する第1の原理物理的モデルを入力する工程と、
入力データおよび第1の原理シミュレーション結果を提供する物理的モデルを使用して、第1の原理シミュレーションを実行する工程と、
半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するように第1の原理シミュレーション結果を使用する工程とをプロセッサに実行させるコンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/673,507 | 2003-09-30 | ||
US10/673,507 US8073667B2 (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process |
PCT/US2004/028801 WO2005034180A2 (en) | 2003-09-30 | 2004-09-20 | System and method for on-tool semiconductor simulation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007507886A true JP2007507886A (ja) | 2007-03-29 |
JP4795957B2 JP4795957B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=34376623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006533873A Expired - Fee Related JP4795957B2 (ja) | 2003-09-30 | 2004-09-20 | 半導体製造プロセスを制御する第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8073667B2 (ja) |
EP (1) | EP1668501A2 (ja) |
JP (1) | JP4795957B2 (ja) |
KR (1) | KR20060116192A (ja) |
CN (1) | CN1867896A (ja) |
TW (1) | TWI304527B (ja) |
WO (1) | WO2005034180A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110108323A (ko) * | 2010-03-26 | 2011-10-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 마이크로 브리징 및 러프니스 분석 |
JP2015039021A (ja) * | 2009-01-08 | 2015-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
US10998174B2 (en) | 2007-12-19 | 2021-05-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Dry etching equipment and method for producing semiconductor device |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8073667B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process |
US8014991B2 (en) * | 2003-09-30 | 2011-09-06 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to characterize a semiconductor manufacturing process |
US8032348B2 (en) * | 2003-09-30 | 2011-10-04 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process |
US8036869B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model |
US8296687B2 (en) * | 2003-09-30 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool |
DE10352815B4 (de) * | 2003-11-12 | 2009-06-25 | Siemens Ag | Simulationsverfahren für eine Bearbeitung eines Werkstücks durch eine Werkzeugmaschine und korrespondierender Rechner |
US8676538B2 (en) * | 2004-11-02 | 2014-03-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Adjusting weighting of a parameter relating to fault detection based on a detected fault |
DE102005047543A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Siemens Ag | Verfahren zur Simulation eines Steuerungs- und/oder Maschinenverhaltens einer Werkzeugmaschine oder einer Produktionsmaschine |
US20070239305A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Haoren Zhuang | Process control systems and methods |
US8544064B2 (en) * | 2007-02-09 | 2013-09-24 | Sony Corporation | Techniques for automatic registration of appliances |
KR101286240B1 (ko) | 2007-10-23 | 2013-07-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 구조물의 형상을 예정하는 공정 파라 메타의 예측시스템, 상기 공정 파라 메타의 예측 시스템을 가지는반도체 제조 장비 및 그 장비의 사용방법 |
TWI485642B (zh) * | 2008-02-26 | 2015-05-21 | Epistar Corp | 光電元件之客製化製造方法 |
JP2009224374A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | Peb装置及びその制御方法 |
JP5465954B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法 |
US8473089B2 (en) * | 2009-06-30 | 2013-06-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers |
SG10201403275UA (en) * | 2009-06-30 | 2014-09-26 | Lam Res Corp | Automatic fault detection and classification in a plasma processing system and methods thereof |
US8538572B2 (en) * | 2009-06-30 | 2013-09-17 | Lam Research Corporation | Methods for constructing an optimal endpoint algorithm |
US8983631B2 (en) * | 2009-06-30 | 2015-03-17 | Lam Research Corporation | Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof |
US8618807B2 (en) * | 2009-06-30 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof |
US8756039B2 (en) * | 2010-03-02 | 2014-06-17 | Fisher-Rosemount Systems, Inc. | Rapid process model identification and generation |
CN101964788B (zh) * | 2010-09-26 | 2013-06-12 | 清华大学 | 面向半导体制造装备功能仿真的通信协议模式配置方法 |
US8290969B2 (en) * | 2011-02-28 | 2012-10-16 | Red Hat, Inc. | Systems and methods for validating interpolation results using monte carlo simulations on interpolated data inputs |
US9002498B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool function to improve fab process in semiconductor manufacturing |
JP2013176828A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Ebara Corp | 研磨終点検出装置の遠隔監視システム |
US9106136B2 (en) * | 2013-02-11 | 2015-08-11 | Microchip Technology Incorporated | Pulse width modulation load share bus |
US9946165B2 (en) | 2013-10-02 | 2018-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process |
TWI506702B (zh) | 2014-07-28 | 2015-11-01 | Powerchip Technology Corp | 爐管製程的派工控制方法 |
TWI566064B (zh) * | 2015-06-08 | 2017-01-11 | 力晶科技股份有限公司 | 一種爐管製程的派工控制方法 |
US10643858B2 (en) | 2017-10-11 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of etching substrate |
TWI828676B (zh) * | 2018-04-16 | 2024-01-11 | 以色列商普騰泰克斯有限公司 | 用於積體電路剖析及異常檢測之方法和相關的電腦程式產品 |
CN111523160B (zh) * | 2020-05-06 | 2024-02-02 | 全芯智造技术有限公司 | 用于仿真集成电路的方法和设备以及计算机可读介质 |
US11586794B2 (en) | 2020-07-30 | 2023-02-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing tools with improved performance by use of hybrid learning models |
CN111881611B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-07-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 电机物理场的仿真处理方法及装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176906A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 電子部品の製造方法、製造システム、設計方法、及び記録媒体 |
JP2000195766A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | シミュレ―ション装置、シミュレ―ション方法、シミュレ―ションプログラムを格納した記録媒体および固体電子装置の製造方法 |
JP2000517473A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-12-26 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 単一ステップフィードバックによる統計的シミュレーションを用いて製造プロセスを監視かつ分析するためのシステム |
WO2002065511A2 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling etch selectivity |
WO2002069063A2 (en) * | 2001-02-21 | 2002-09-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling a tool using a baseline control script |
WO2002077589A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
JP2002367875A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プロセス工程管理システムおよびプロセス工程管理方法 |
JP2003017471A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP2003502771A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス製作に使用するラントゥーラン制御器 |
WO2003009345A2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of fault detection with run-to-run control |
WO2003058699A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-17 | Tokyo Electron Limited | Method of fault detection for material process system |
WO2003060779A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Agent-based control architecture |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5377116A (en) * | 1991-07-01 | 1994-12-27 | Valenite Inc. | Method and system for designing a cutting tool |
JP3001351B2 (ja) * | 1993-06-24 | 2000-01-24 | 日本電気株式会社 | シミュレーション方法 |
US5526293A (en) * | 1993-12-17 | 1996-06-11 | Texas Instruments Inc. | System and method for controlling semiconductor wafer processing |
US5555474A (en) | 1994-12-21 | 1996-09-10 | Integrated Process Equipment Corp. | Automatic rejection of diffraction effects in thin film metrology |
US5583780A (en) * | 1994-12-30 | 1996-12-10 | Kee; Robert J. | Method and device for predicting wavelength dependent radiation influences in thermal systems |
US6185472B1 (en) | 1995-12-28 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method, manufacturing apparatus, simulation method and simulator |
US6628809B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-09-30 | Lumidigm, Inc. | Apparatus and method for identification of individuals by near-infrared spectrum |
US7107571B2 (en) * | 1997-09-17 | 2006-09-12 | Synopsys, Inc. | Visual analysis and verification system using advanced tools |
US6757645B2 (en) * | 1997-09-17 | 2004-06-29 | Numerical Technologies, Inc. | Visual inspection and verification system |
US5866437A (en) * | 1997-12-05 | 1999-02-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic process window control using simulated wet data from current and previous layer data |
US6161051A (en) | 1998-05-08 | 2000-12-12 | Rockwell Technologies, Llc | System, method and article of manufacture for utilizing external models for enterprise wide control |
JP3660137B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | シミュレーション方法、シミュレータ、シミュレーションプログラムを記録した記録媒体および半導体装置の製造方法 |
US6198980B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-06 | John Costanza Institute Of Technology | System and method for designing a mixed-model manufacturing process |
US6360133B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-03-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for automatic routing for reentrant process |
US6560503B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-05-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring controller performance using statistical process control |
US6643616B1 (en) * | 1999-12-07 | 2003-11-04 | Yuri Granik | Integrated device structure prediction based on model curvature |
AU2001263849B2 (en) * | 2000-04-12 | 2006-10-19 | Janssen Pharmaceutica N.V. | Method and apparatus for detecting outliers in biological/pharmaceutical screening experiments |
JP2001297955A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | シミュレーション方法、シミュレータ及びシミュレーションプログラムを記録した記録媒体 |
JP2002023823A (ja) | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 生産管理システム |
US6410351B1 (en) | 2000-07-13 | 2002-06-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for modeling thickness profiles and controlling subsequent etch process |
CN1154045C (zh) | 2000-07-25 | 2004-06-16 | 华为技术有限公司 | 一种跨平台的联合仿真系统 |
US6937967B2 (en) * | 2001-02-28 | 2005-08-30 | Tdk Corporation | Method and system for finite element modeling and simulation of enhanced magnetoresistance in thin film semiconductors with metallic inclusions |
US6812045B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
US6625497B2 (en) * | 2000-11-20 | 2003-09-23 | Applied Materials Inc. | Semiconductor processing module with integrated feedback/feed forward metrology |
US6819963B2 (en) * | 2000-12-06 | 2004-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run-to-run control method for proportional-integral-derivative (PID) controller tuning for rapid thermal processing (RTP) |
US6571371B1 (en) * | 2000-12-27 | 2003-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for using latency time as a run-to-run control parameter |
JP3993396B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6802045B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for incorporating control simulation environment |
US6763277B1 (en) * | 2001-07-16 | 2004-07-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for proactive dispatch system to improve line balancing |
US6728591B1 (en) * | 2001-08-01 | 2004-04-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for run-to-run control of trench profiles |
US20030101251A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-05-29 | Varros Telecom | Customizable element management system and method using element modeling and protocol adapters |
AU2002359577A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-06-17 | Ravi Shankar | Method of concurrent visualization of process module outputs |
US6774998B1 (en) * | 2001-12-27 | 2004-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for identifying misregistration in a complimentary phase shift mask process |
US7055112B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-05-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for automatically defining a part model for semiconductor components |
US6678581B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Method of calibrating a wafer edge gripping end effector |
US6905895B1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-06-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Predicting process excursions based upon tool state variables |
JP2004094738A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Toshiba Corp | 分散型シミュレーションシステム |
US7184850B1 (en) * | 2002-09-06 | 2007-02-27 | National Semiconductor Corporation | System and method for allocating multi-function resources for a wetdeck process in semiconductor wafer fabrication |
US6810296B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Correlating an inline parameter to a device operation parameter |
US7752099B2 (en) * | 2002-10-17 | 2010-07-06 | Itg Software Solutions, Inc. | Factor risk model based system, method, and computer program product for generating risk forecasts |
US7457736B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Synopsys, Inc. | Automated creation of metrology recipes |
US7047095B2 (en) | 2002-12-06 | 2006-05-16 | Tokyo Electron Limited | Process control system and process control method |
US7333871B2 (en) * | 2003-01-21 | 2008-02-19 | Applied Materials, Inc. | Automated design and execution of experiments with integrated model creation for semiconductor manufacturing tools |
US20050010319A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Sukesh Patel | System and method for validating and visualizing APC assisted semiconductor manufacturing processes |
US8073667B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process |
US8014991B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-09-06 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to characterize a semiconductor manufacturing process |
US8032348B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-10-04 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process |
US8036869B2 (en) | 2003-09-30 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model |
US8296687B2 (en) | 2003-09-30 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool |
JP3828104B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2006-10-04 | 株式会社東芝 | 模擬回路パターン評価方法、半導体集積回路の製造方法、テスト基板、及びテスト基板群 |
US7356377B2 (en) * | 2004-01-29 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | System, method, and medium for monitoring performance of an advanced process control system |
JP2007053166A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Toshiba Corp | 出来栄え予測装置、出来栄え予測方法及び半導体装置の製造方法 |
AR052000A1 (es) * | 2005-11-07 | 2007-02-28 | Metalurgicas Pescar Industrias | Generador eolico integrado de potencia |
JP2009021378A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路の生産方法、設計方法及び設計システム |
US7622308B2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-11-24 | Mks Instruments, Inc. | Process control using process data and yield data |
US8117568B2 (en) * | 2008-09-25 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design |
-
2003
- 2003-09-30 US US10/673,507 patent/US8073667B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-20 KR KR1020067006628A patent/KR20060116192A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-20 WO PCT/US2004/028801 patent/WO2005034180A2/en active Application Filing
- 2004-09-20 JP JP2006533873A patent/JP4795957B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-20 CN CNA2004800285176A patent/CN1867896A/zh active Pending
- 2004-09-20 EP EP04788575A patent/EP1668501A2/en not_active Withdrawn
- 2004-09-29 TW TW093129403A patent/TWI304527B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000517473A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-12-26 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 単一ステップフィードバックによる統計的シミュレーションを用いて製造プロセスを監視かつ分析するためのシステム |
JPH11176906A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 電子部品の製造方法、製造システム、設計方法、及び記録媒体 |
JP2000195766A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | シミュレ―ション装置、シミュレ―ション方法、シミュレ―ションプログラムを格納した記録媒体および固体電子装置の製造方法 |
JP2003502771A (ja) * | 1999-06-22 | 2003-01-21 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス製作に使用するラントゥーラン制御器 |
JP2004524685A (ja) * | 2001-02-14 | 2004-08-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | エッチング選択度を制御するための方法と装置 |
WO2002065511A2 (en) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling etch selectivity |
JP2004531878A (ja) * | 2001-02-21 | 2004-10-14 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | ベースライン制御スクリプトを用いてツールを制御するための方法および装置 |
WO2002069063A2 (en) * | 2001-02-21 | 2002-09-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling a tool using a baseline control script |
JP2004527117A (ja) * | 2001-03-23 | 2004-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 部分最小自乗を使用したエンドポイント検知方法と装置 |
WO2002077589A2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for endpoint detection using partial least squares |
JP2002367875A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プロセス工程管理システムおよびプロセス工程管理方法 |
JP2003017471A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
WO2003009345A2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of fault detection with run-to-run control |
JP2005522018A (ja) * | 2001-07-16 | 2005-07-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 故障検出とラン間制御の統合 |
WO2003058699A1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-17 | Tokyo Electron Limited | Method of fault detection for material process system |
JP2005514790A (ja) * | 2001-12-31 | 2005-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 材料処理システムに対する欠陥検出の方法 |
WO2003060779A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Agent-based control architecture |
JP2005515623A (ja) * | 2002-01-10 | 2005-05-26 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 自動生産システム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6010028890, Moshe Sarfaty et.al., "Advance Process Control Solutions for Semiconductor Manufacturing", Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 20020430, pp.101−106, US * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10998174B2 (en) | 2007-12-19 | 2021-05-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Dry etching equipment and method for producing semiconductor device |
JP2015039021A (ja) * | 2009-01-08 | 2015-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 光散乱計測ターゲット設計の最適化 |
KR20110108323A (ko) * | 2010-03-26 | 2011-10-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 마이크로 브리징 및 러프니스 분석 |
KR101723688B1 (ko) | 2010-03-26 | 2017-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 마이크로 브리징 및 러프니스 분석 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI304527B (en) | 2008-12-21 |
US20050071038A1 (en) | 2005-03-31 |
JP4795957B2 (ja) | 2011-10-19 |
WO2005034180A2 (en) | 2005-04-14 |
CN1867896A (zh) | 2006-11-22 |
KR20060116192A (ko) | 2006-11-14 |
US8073667B2 (en) | 2011-12-06 |
WO2005034180A3 (en) | 2006-03-30 |
EP1668501A2 (en) | 2006-06-14 |
TW200523701A (en) | 2005-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5032118B2 (ja) | 半導体製造プロセスにおいて第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 | |
JP5095999B2 (ja) | 半導体処理ツールによって実行されるプロセスを分析する第1の原理シミュレーションを使用するシステム及び方法。 | |
JP4955393B2 (ja) | 半導体製造プロセスを制御するために第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 | |
JP4795957B2 (ja) | 半導体製造プロセスを制御する第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法。 | |
JP4740142B2 (ja) | 半導体製造プロセスを容易にする第1の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法 | |
US7580767B2 (en) | Methods of and apparatuses for maintenance, diagnosis, and optimization of processes | |
JP7137943B2 (ja) | 探索装置、探索方法及びプラズマ処理装置 | |
US20200111689A1 (en) | Adaptive control of wafer-to-wafer variability in device performance in advanced semiconductor processes | |
Pan et al. | A virtual metrology system for predicting end-of-line electrical properties using a MANCOVA model with tools clustering | |
TW202038030A (zh) | 高階半導體製程優化及製造期間適應性控制 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101130 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |