TW200523641A - Liquid crystal display apparatus and fabrication method of the same - Google Patents

Description

200523641 九、發明說明： 一、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置及其製造方法。 二、【先前技術】

一種具有一光源和一液晶顯示面板之液晶顯示裝置，該液晶 面板具有二透明基板，及一置於二透明基板之間之液晶層。當一 電壓施加於該液晶面板之液晶層，該光源照射該顯示面板，以控 制光之透射比，藉此顯示影像。操作時，液晶面板之一透明基板 上，復設有一將電壓施加於液晶層之像素電路，而另一透明基板 上則設有多片彩色濾光片。該像素電路，具有數個配置為一矩陣 之薄膜電晶體（TFTs，Thin Film Transistors)。在下列敘述中， 具有像素電路之基板被稱作「陣列基板」，具有彩色濾光片之基板 則被稱作「彩色濾光片基板」。 圖1係顯不習見之液晶面板之橫剖面圖。如圖1所示，一習 見之液晶面板101設有一相互平行之彩色濾光片基板1〇2和一 陣列基板103。另有一液晶層104，被密封在彩色濾光片基板 102和陣列基板1〇3之間。 彩色濾光片基板102上設有一玻璃基板1〇5。在面對陣列j 板103之玻璃基板1〇5表面上，復設有一由鉻(Cr)形成之黑爸 矩陣106。在前述彩色濾光片基板ι〇2表面上之黑色矩陣忉 之上、下兩面，另設有彩色濾、光片1Q7a、麵，此二彩色渡光少 之邊緣，係用來固定在黑色矩陣⑽兩面之邊緣上。彩色^光力 107a、107b分別為紅色和綠色濾光片。 <v" 設有—玻璃基板108。在面對彩色㈣ ί土 = ϋ玻，基板08表面，設置二個由鉻組成之閘極马 ίι〇用以舜H光Λ基板102之表面，又設置一閘極絕緣港 段差部在對蘭極連線⑽上祕域之部糾^=上; 5 200523641 成。在閘極連線109之間區域上之部分閘極絕緣膜11〇,復設有 一由鉻所組成之沒極連線ill。 另設有一鈍化膜（PA-film) 112,係用來覆蓋汲極連線 111。鈍化膜112上復設置一以導電性透光膜（IT〇—film)組成之 像素電極113。從與玻璃基板108之表面垂直的方向（以下茲以 「平面視圖」稱之）看來，像素電極113係設置於介於閘極連線 109之間而非上面之區域，而且像素電極113之邊緣與閘極連線 109之邊緣相互重疊。一段差部受到閘極連線1〇9和汲極連線

Hi形成效應之影響，在包含像素電極113之邊緣和鈍化膜112 之曝光區之區域形成。 ' 曰科1ft體在陣列基板103之表面形成。該薄膜電 ^體，具有-閘極連線1G9、-沒極連線⑴、—源極連線（未 標不於im及-導電層（未標示於财） 非 電路。”面視圖看來，沒極連線m U g 06部分區域重疊’而未受到彩色濾光片而a、丨^'|= 立置。液晶面板1G1之各像素，含有—置、 之彩色遽光片及-置於陣列基板lfn ^色絲片基板102 兹將說明液晶面板101各組件r、$晶體。_ 剖面圖中，黑色矩陣1〇6之寬声川、&寸。在圖1所示之橫 並未受到彩色縣片l〇7a、ΓίΤΠ^·^"1’部分黑色矩陣1〇6 液晶層104之區域，其寬度大約Α 覆盍。例如，直接接觸到 寬度為5·5 μιη，它們之間的間隔;声各個閘極連線1〇9之 寬度為5.0卿，而由平面視圖之兩卿。汲極連線m之 閘極連線109之間的距離為1 5 A ，汲極連線111和各 另外，由平面視圖看來，像音: 間各個重疊區的寬度為⑽，閘和閘極連線109之 之厚度各為140 nm，像素電極丨」建胃練109和汲極連線111 晶層104曝光之黑色矩陣之厚度為40 nm。從受到液 分表面，到受到液晶層104 200523641 曝光之鈍+化膜112之部分表面的距離，大約為.5.3 接著，將說明習見液晶面板之製造方法。圖2係顯示之 列基Ϊ之製造方法_程圖；圖3a〜3d、及圖4A〜4D 步驟之先後順序所顯示之製造方法的橫剖面圖。液晶 2板之陣列基板—般係經㈣五微影製程( 的微影製程）而製成。 也就疋進订五人 璃芙之Λ^11、中，首先，一厚度為140 之鉻膜在玻 t 上形成，作為閘極連線膜。接著，如圖3A和步驟S12 = 欠微影製程實行，而閘極連線層受到圖案化而形成閘 诂斑装4 。接著，如圖3β和步驟S13所示，閘極絕緣膜110在 來上形成，以便在以非晶石夕所組成之半導體層114 少後覆盍閘極連線109。接著，如圖3C和步驟S14所示，第 導體層114受到圖案化而形成-薄膜ί 斤而之+導體層圖案（未標示於圖中）。接著，如圖汕和步 髀js I«所示，一厚度為140 nm之鉻膜在閘極絕緣膜和半導 豆曰上幵^成，作為源極、汲極連線層115。 接著，如圖4A和步驟S16所示，第三次微影製程實行，而 極連線層115被圖案化而形成汲極連線層m和源極連 扃t標示於圖中）。接著，如圖4B和步驟S17所示，鈍化膜112 接H邑緣膜110上形成，以便覆蓋汲極連線111和源極連線。 σ步驟S18所示，第四次微影製程實行，用以在閘極絕緣 和+和鈍化膜丨12形成接觸孔（未標示於圖中）。接著，如圖 接著7 S19所示’導電性透光膜116在純化膜112上形成。 性透朵如圖4D和步驟S20所示，第五次微影製程實行，使得導電 、膜116圖案化而形成像素電極113。因此，形成陣列基板。 1()5另厂方面，如圖1所示，鉻膜之黑色矩陣106在玻璃基板 色形成，接著，彩色濾光片l〇7e、107b形成，以便覆蓋黑 列美★ 之邊緣，彩色滤光片基板102因此形成。其後，陣 土反103和彩色濾光片基板102經使用一密封（未標示於圖 7 200523641 S 合在一起。接著’液晶被密封在彩色濾、光片基板 103以及密封所封住的空間中，以致形成液晶層 104。液晶面板因此製成。 0 如此然y而’如上驗晶顯示裝置具有下綱題。由於像素電路等 =:ΐ;置ί面對液晶層之陣列基板之表面，彩色滤光片等Ϊ 又置在面對液晶層之彩色濾光片基板之表面，因此，向性錯 d^rder)之現象在段差部上發生，結果造成影 ^ 。尤其，液晶分子之方向無法沿著段差部正常的

i、i=且容易受到由汲極連線所產生之橫向電場效應之影響， 傾斜之發生。結果，向錯(disGlinaticin)之情況在 别述立發生，影像中亦出現明線。 特別是’為了降低成本和環境負荷，近來已經發展 由，脂而非金屬所形狀黑色矩陣（时層)之技術。因此，黑^ 之^度逐漸增加。例如，雖糾金屬組成、厚度為G·1卿之 矩陣可以獲得足夠之光阻性，續賴組成之黑色矩陣需要 之厚度才能獲得同樣之光阻性。由於這樣，彩色渡 在黑色轉之高度變得較大，因此彩色濾、光片基板之段差 邛咼度增加。 通常，當使用具有較大段差部之彩色濾光片基板時，會嗖置 一·塗佈層，用以覆蓋彩色濾光片和黑色矩陣，以將段差部密封。 而二由於塗佈層之設置導致液晶面板成本的增加，為了&本考 二’取好不使用塗佈層。另外，為了降低製造成本，近來已經發 t種將郷製程由五次減少為四奴技術。結果導致位於= ^線下方部分之半導體層脫離，以致_基板之段差部高度大幅 如上所述，為了降低製造成本和環境負荷，如果試著形成以 树脂所組成之黑色矩陣，省略塗佈層，並且將陣列基板之製程縮 減為、4次之微影製程，陣列基板和彩色濾光片基板之段差^高度 無可避免的將增加，以致液晶層之向性錯序更有可能發生。又 8 200523641 田開專利公報第Hei 09-_6號已經揭示-種肺 傾斜侧壁之黑色鱗線及切換7l件之邊緣形成，以形成一具有 ΐΐΞΐ&2_基板之段差部高度大大的增加。這卻導致更 多向性錯序的情況發生。再者，該技術的另導巧 像素電路 ，漏電流之;況。可能發 術，ΐ有】公報第μ昏刪6號中揭示之技 心ί，」:ϊ:,ΐ技術中’由於必須設置像素電路和黑色 三、【發明内容】 本發明之-目的在提供—種⑽ 法，該方法能促使液晶層向性錯序之情形不易發置及-k方 /根據本發明之液晶顯示裝置，包含—第—基板，—與第一美 基ϊ丄f 一密封於第一和第二基板之間“晶層： 於“-、t “广！—第—透明基板與—像素電極，該_設置 if 一ί；!基表面，並且將—電壓加諸於液晶層。所述第二 ^-第二透明絲，—蝴脂顺成並且設置於第二透 明基板上之黑色矩陣，及-將透射之光予以著色之彩色遽光片， 該爐^片設置於第二透明基板上。又，雙雙面對液晶層^二 第-土板之表面，其產生之段差部高度總和等於或大於G 。 所述液晶層之預傾角等於或大於4度。 在本發明中’即使第―和第二基板之段差部高度總和等於或 大於0. 8 μπί，向性錯序之發生财勤下财法避免之：像素電 路和黑色矩陣分別在不同之基板上軸，因此不同基板之段差部 分別形成，·而且液晶層之預傾角等於或大於4度。又，黑色矩陣 係以樹脂所組成，亦能夠減少液晶顯示裝置之成本。 當段差部高度之總和等於或大於h2jum，液晶層之預傾角最 9 200523641 好設定為5度或更大’藉此能触實聽向性錯序之發生。又， 液晶層之預傾角最好设定為1〇度或更小，藉此能夠獲得較穩定 之液晶層方向。 〜 根據本發明之液晶顯稀置之製造方法，包括τ列步驟：經 由在第-透明基板上形成-像素電路而形成第—基板；經由形成 -由樹脂所組成之黑色矩陣，和一將透射之光予以著色之彩色遽 光片而形成第二基板，及將第—和第二基板平行配置，並將一^ 晶層密封於二基板之間。所述第—基板之製造步驟包括：在第一 透明基板上形成-第-導電層；經由微影製程使第—導電層 以致形成—閘極連線；在第·'透縣板上依序形成-閘極i 緣膜#半導歸及帛二導電層，以便龍祕m由微影f =第二導電層和半導體層圖案化，以致形成―源極連 ί 體區；經由郷製程在酿_卿成一接觸 it膜上形成—咖導€層，以便覆蓋祕源極連線、 ίϊίϊϋ，區；及經由微影製程使透明導電層圖案化，以 由第一基板之綱路、第二基板之黑色矩陣 高度總和’等於或大於。.8,液 曰中’由於第一基板係經由四個微影步驟所製成，因 置之成本。即使第—和第二基板之段差部 _紐；紐晶狀麵肖奴為4度或更 ϋίίτ概顺成，亦能賊少液晶顯示裝置之成本 ¥ ^ ΆΈ :，由於黑色矩陣係以樹脂所組成，以降低之成本 罘一丞板，及液晶層之預傾角設定為4度 置能防止液晶層之向性錯序。又次更夕5亥液曰曰顯不裳 200523641 四、【實施方式】 兹將參照附加圖示說明本發明之具體實施例。圖5係顯示根 據本發明之具體實施例之液晶顯示裝置之液晶面版的橫剖面圖。 圖5顯示本具體實施例中液晶面板之各組件的尺寸，然而這些數 據並未侷限如圖5所述。根據本具體實施例之液晶顯示裝置中， e又有一光源（未標示於圖中）、一液晶面板及一罩住前述元件之框 體（未標示於圖中）。又，如圖5所示，液晶面板1具有一平行 配置之彩色濾光片基板2和一陣列基板3。另有一液晶層4， 密封在彩色濾光片基板2和陣列基板3之間。 _ 彩色濾光片基板2上設置一由玻璃所形成之基板，而在面對 前述陣列基板3之透明基板5表面，復設有一由樹脂組成之黑 色矩陣6。在彩色濾、光片基板2之表面，彩色濾光片7a、7b設 置在黑色矩陣6之兩邊。彩色濾光片7a、7b邊緣之形成，係用 以覆蓋在黑色矩陣6之邊緣，以致彩色濾光片7a、7b被罩住之 部分投射到其他部分。彩色濾光片7a、7b分別為紅色和綠色濾 光片。彩色濾光片基板2上，復設有一藍色（B)濾光片（未標g 於圖中）。 、陣列基板3上設置一由玻璃組成之透明基板8,而在面對彩 鲁色濾光片基板2之透明基板8表面，另設有多個閘極連線9。 在圖5中，只會見到兩個成對配置之閘極連線9。具有多層結構 之閘極連線9,含有一層由鋁所形成之下膜，和一層由鉬（M〇)所 形成之上膜。陣列基板3之表面，復設有一由氮化矽（SiNx)膜 形成之閘極絕緣膜1〇,用以覆蓋閘極連線9。反映閘極連線9之 ^的?差部，係形成於對應_連線9上方區域之部分閘極絕 緣膘10上。 之丰^卜「，，7部分問極絕緣膜1〇上，復設有一由非晶石夕所組成 區17，正好位於閘極連線9之間區域之上方，而半導 :區17，又設有一由鉻（〇)組成之汲極連線u。另声 氮化石夕（SiNx)膜所組成之純化膜（pA film) 12，係設置來^蓋 11 200523641 半導體區17和汲極連線U，而在鈍化膜12上 電=細⑽所形成之像素電極13 ^置取由^ 於閘極連線9之間區域之上方的—區，亦即，3 UiS之表面垂直的方向（或由平面視圖）看來，像I電極13 9:去邊緣重疊。由於受到閘極連線㈣極 細極13之邊緣和純化膜12之曝光區 在陣列基板3之表面，數個薄膜電晶體（去 ^=t⑽成―像素電路。該薄膜 視圖看來，汲極連線u係配置在—與=平面 =到=L7a、7b覆蓋之位置，、面板=辛而 ir3；^r^ 鉍將說明液晶面板1之各組件之示範尺 面圖中黑色矩陣6之寬度和厚度 f kj 看來，介於黑色矩陣6和各彩色滤光Γΐ1、.5Γ^ 7a、7t i μΐ°。部分未受到彩色據光片 復盍之…、色矩陣6，例如··直接與液晶層 向性1L(未標示於圖巾）與其相接，其寬度大_ 15 一 閘極連線9之寬度為5. 5 μιη，豆由鋁αΐ^> / * 9a ^^^200 μ, (Mo)%,.^^ nm，使传閘極連線9之總厚度為27()⑽ ^·ΐ 230 nm〇uTt^ 3中〇=因1 平:視圖看來’汲極連線11係設：於半導體區G ί 11 i邊❹& 面視圖看來，由半導體1117各邊緣到汲極連線 U各邊緣之兩邊的距離各為U μιη。由平面視 12 200523641 Ϊ: 9之間之間隔為L7 因此，由平面視圖 ίΐο，連、線9和置於二問極連線之間之區域的區 :2之ίΪίϋ μΐΠ’與黑色矩陣6設置於彩色遽光片基 13之厚产度相當。間極絕緣膜1〇、鈍化膜12及像素電極 ^之厚度分別為300 nm、150韻及40讀。 另外’從未與黑色矩陣6重疊之彩色濾光片^ 為’!未與閘，連線9重#之像素電極13之部分表_距離設 ί ϋΓΐ情況下，從純化膜12大部分受投射之部分（例 # i® 者陣列基板3之段差部高度為ο.、。因此， 板3之分液晶面板1巾，彩色滤光片基板2和陣列基 板3之段差部高度總和為G. 83 μπι。 m TwiStedNe^i〇 ^ 又例如度(例如：4 _ 1G度）之預傾角， ㈣述限定本發明之數據的原因如下。根據本發明，Μ 基板3之段差部高度總和等χ於或二於 傾角小於：1 或大於… 列.，以致方向性不能沿著垂直段差部正常的配 位置之向錯現象%致生。向性錯序又造成前述 Mm* 猶4衫像顯不瑕紅發生。 或等於1 2 ilm ,預^2和陣列基板3之段差部高度總和大於 層之預傾角最好是等? 具有大於1〇产之箱10度。其中一個原因在於要形成 果預傾角之角i超過10 ;j ^曰並八不容易一個原因是，如 向，導致不穩定之向性。日日刀子在彺會導向不希望之方

攸Hie方法的流程圖。圖7A〜7C及圖8A 13 200523641 〜8C係依序顯示製造方法之步驟的橫剖面圖。.在本具體實施例 中，、液晶面，」之陣列基板3，係經由第四微影製程（4PR)而 形成，也就是實施四次的微影製程。

首先’在圖6之步驟si中，一厚度為200 nm之鋁膜在透 ^基板8上形成，然後，一厚度為70 nm之鉬（Mo)膜形成。接 著’如圖7A和步驟处所示，第一微影製程實施，使得鋁膜和鉬 膜圖案化而形成閘極連線9。在此情況下，閘極連線9形成一雙 層膜之結構’具有一由鉬（M〇)所形成之上層膜此，堆疊在由鋁 (J\l)所組成之下層膜9a上。接著，如圖7β和步驟兕所示，以 氮化矽閘極所形成、厚度為nm之絕緣膜，在透明基板8 上幵y成，以便覆蓋閘極連線g。其後，以非晶石夕所組成之半導體 層14形成，其厚度為230 nm。接著，一由硌(Cr)組成之源極、 汲極連$層15形成，其厚度為3G0 nm。 接著，如圖7C和步驟S4所示，第二微影製程實施，使得源 極、沒極連線層ι5及半導體層14随化而形姐極連線η、 未標示於圖中）及半導體區17。前述之第二微影製程 將坪迷如下。 首先>1 一光阻膜（未標示於圖中）在源極、汲極連線層15 _ ΐη也該光阻膜由於使用一灰階光罩而曝光，並且顯影; f :光阻圖案。因此，形成一雙廣光阻圖案。其中，較厚之部, ^及極連線η和源極連線將職之區域職，較薄之部分 j在，極連線11和源極連線將不形成，而只有半導體區會; 成。經由使用前述之光阻圖案作為光罩，源極、if

幢?體£ 7。接者，貫行灰化製程以將光阻贿部分移除，I ，光=案較薄之部分移除，只有光阻圖案較厚之部=下1 Hii31用灰化後之光賴案作為光罩，卿姐極連線1 的1= 獅極、祕連線層15受到侧，並且鞠 14 200523641 接著，如圖8A和步驟、 nm之鈍化膜12在閘極絕緣膜|Q’由f 度為150 11和源極連線。接著，在步驟ςβ Λ上死:^，以便覆盍汲極連線 膜12和閘極絕緣膜1G被選擇=三微影製程實施，鈍化 (未標示於圖中）。 ^擇性的移除，因此形成數個接觸孔 接著，如圖8B和步驟S7所示，一導 膜12上形成，其厚产為4n 電丨透光膜16在鈍化 第四微影製程實施，導電性圖8C和步驟,S8所示， 極13。 光膜16圖案化而形成像素電 13上膜（未標示於圖中），在鈍化膜12和像素極 稍後製行摩擦。此雜製程係在 情況下進行。陣4於献於4度之預傾角的 矩陣=璃1=基^中，如圖5所示，由樹脂所組成之黑色 Γίΐΐΐίΐ上形成，接著彩色濾光片7a、7b形成，用 經^使用邊緣’彩色漉光片基板2因此形成。其後， =標示於圖中），將陣列基板3和彩色滤光片 2土、陣列ir起’接著，液晶被密封至由彩色濾、光片基板 下，、$曰^ /1岔愤圈住之空間’而形成液晶層4。在此情況 Ϊ人之預傾角變成等於或大於4度，例如介於4 - 10 源罩在一框體顯不裝置，係經由將液晶面板1和一光 l 體實施例中’由於黑色矩陣設置在彩色滤光片基板 处權ϋ轉所造成之漏電流並不會在像素電路中發生，因此 極佳效能之像素電路。另外，由樹脂所組成之黑色矩 ：=«：二ΐϊϊ之成本，而且由於沒有使用鉻，亦可減少環境負荷。 主佈層之彩色濾光片基板的成本亦可降低。再者，由於陣 歹1 土反形成時僅實施四次微影製程，因此可以減少製造成本。 15 200523641 爲實施例中，綜上所述，黑色矩陣係由樹脂所組成， 、布曰’而且陣列基板係經由實施四次之微影製程（4 PR) 目此’相較於習見之液晶面板’本發明之彩色濾光 反和二列基板之段气部€度變得較大，其總和大於或ί於“ 而二在本具體實施例中’由於像素電路和黑色矩陣6分別 ，例如在彩色濾光片基板2和陣列基板3， i佈在不同之基板，而且液晶層之預傾角設定為等於 “X二广’因此液晶層之向性錯序的現象（例如：反向傾斜） ^ 。，此，由於向性錯序所造成之顯示瑕疵不會發生， 使仟此液晶顯示裝置具有較好的顯示品質。 太ίϊ比?本發明和相對超出本發明範圍之案例，藉以詳細 貫施例的成效。如圖5所示之數個液晶顯示裝置， itn具體實補中液晶顯示裝置之製造方法（例如： ;^陳W其4圖7A〜7C所不之方法)而製成。在此，彩色濾光片基 曰ϊϋίΐ段差部高度的總和，及液晶層之預傾角，視各液 所不同。預傾角可經由調整摩擦的情況而加以控 t i Λ"ΐί總和從0·2至0如不等，預傾角之角度則 又不等。接著，將一影像顯示在這些液晶顯示裝置上， 〔欢驗是否發生向錯之現象。另外又實施電腦模擬:以檢驗具有 彩色Ur二述ί結果。絲1巾，「段差部高度之總和」表示 ίϋϋ ί陣列基板之段差部高度的所有數值。表1中的 稍·「〇」表示向錯之情況並未發生；「△」表示 但ΐ際應用時不會造成問題；「χ」表示向 、 、、’么生，以及―」表示尚未執行評估。在表1中， 數值係經由模擬所獲得，未以圓括弧標示之數 值係、、、生由貫際面板評估所獲得。 16 200523641 (表1)

- (X) (X) -- —一 _____ 、’ 、λ 遍ίί 1麻，即使段差㈣度之總和等於或大於G. 8 μιη，， — ίΐΐΐ鱗於狀於4度時，向錯之航科發生，因1 月以又侍好的顯示品質。如果段差部高度之總和等於或大於工 Γ質可經鱗賴肖設絲#域大於5度，喊得較佳之顯; 五、【圖式簡單說明】 圖1係顯示習見液晶面板之橫剖面圖。 圖2係顯示習見液晶面板之陣列基板製造方法的流程圖。 圖3A〜3D係顯示本發明製造方法之實施步驟的橫剖面圖。 圖。圖4A〜4D係顯示依據圖3D之製造方法之實施步驟的橫剖面 5係顯示本發明之一具體實施例中液晶顯示裝置之液晶面 板的k剖面圖。 曰叫 a 圖6係顯示本發明具體實施例中製造液晶面板之陣列基板 流程圖。 17 200523641 圖7A〜7C係顯示依據本發明製造方法之步驟流程圖。 圖8A〜8C係顯示依據圖7C之製造方法之步驟流程圖。 【主要元件符號說明】 101、 1 ·液晶面板 102、 2:彩色濾光片基板 103、 3 :陣列基板 104、 4 :液晶層 5、8:透明基板 9a :下層膜 9b :上層膜 17 :半導體區 105、 108 :玻璃基板 106、 6 ··黑色矩陣 107a、107b、7a、7b :彩色濾光片 109、 9 :閘極連線 110、 10 :閘極絕緣膜 111、 11 ··汲極連線 112、 12 :鈍化膜 113、 13 :像素電極 114、 14 :半導體層 115、 15 :汲極連線層 116、 16 :導電性透光膜 20 :區域 18 200523641 十、申請專利範圍： 1· 一種液晶顯示裝置，包含： 一第一基板，其中又包含； 一第一透明基板；及 一像素電路，設置於該第一透明基板之表面； 一第二基板，與第一基板平行，該第二基板又包含； '透明基板， 一黑色矩陣，由樹脂組成設置於第二透明基板上；及 一彩色濾光片，設置於該第二透明基板上，並將锈鉍 Φ 彩色濾光片之光予以著色；以及 一液晶層’夾設於該第一和第二基板之間，並且經由像素電路 加士一電壓；面對該液晶層之第一和第二基板表面所形成之段差 部咼度的總和，專於或大於〇· 8 ，而該液晶層之預傾角等於戋 大於4度。

3.如申請專利範圍第1或第2項之液晶顯示裝置 層之預傾角等於或小於度。 其中該液晶 4·二種液晶顯示装置之製造方法，包括以下步驟： 其中#又下形成—像素電路，而形成—第一基板， 在該第一透明基板上形成一第一導電層； 案化；藉由利用微影術形成一閘極連線，而將該第—導電層圖 片及-第透明基板上依序形成-閘極絕_、—半導體 層及第-導電層，肋覆蓋制極連線； 干守瓶 19

Claims (1)

1. 200523641 ’左由使用彳政影術形成一源極連線、一沒極連線及一半暮 體區，而將該第二導電層和半導體層圖案化； 經由使用微影術在該閘極絕緣膜上形成一接觸孔； ㈣、Λ該閘極絕緣膜上形成—透明導，抑覆蓋該_ 連線、汲極連線及半導體區；與 位 經由使用微影術形成一像素電極，而將該透明導電屑 案化； 9同 =由形成由樹脂組成之-黑色矩陣和將透射之光予以 -彩色濾光片，而在第二透明基板上形成一第二基板；及之 ^該第^二基板彼此平行配置，並歸—液晶層密封於該 ί 2 第—基板之像素電路和第二基板之彩色 μιη，該液晶層之預傾角等於或大於4度。 〆、〇·8 專严圍第4項之液晶顯示裝置之製造方法，1中外 ; U嚇或大於1. 2卿，該液晶層之預傾角等於或: 6.如申請專利範圍第4項之液晶顯 使用一灰階光罩讓光阻膜曝来， 旦 圖案於該源極連線和沒極連形，光阻圖案，該 非預定要軸該馳魏和傭、貞’成之^域相馳薄，但於 域相對較厚； 和雜趣㈣定·解導體區之區 晶層之預則等於或小於1G度。衮置之^方法’其中該液 ^法如申第6項中任—項之液晶顯示裝置之製造 在該第二導電層上形成-光阻膜； 20 200523641 導爾崎除卿： 以灰化後的該光阻圖案作為 述第二導電層，俾形成前述源極 選擇性的細 十一、圖式：