TW200420912A - Diffractive optical device and method for producing same - Google Patents

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TW200420912A
TW200420912A TW092123578A TW92123578A TW200420912A TW 200420912 A TW200420912 A TW 200420912A TW 092123578 A TW092123578 A TW 092123578A TW 92123578 A TW92123578 A TW 92123578A TW 200420912 A TW200420912 A TW 200420912A
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Toshihiko Ushiro
Soichiro Okubo
Takashi Matsuura
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Sumitomo Electric Industries
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Description

200420912 玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種繞射光學元件及其形成方法,更具體 的疋關於一種具有波長合分歧、功率合分歧、偏光合分歧 、波長板、或光頻隔離器的功能之繞射光學元件及其形成 方法。 【先前技術】 如公知,產生光的繞射之繞射光學元件,可以利用於種 種之用途。例如在光通信領域使用之波長合分波器、光偶 合裔、光頻隔離器等,係可以利用繞射光學元件來製作。 、一般,繞奸光學元件,係藉在透光基板上形成繞射光柵 層來製作。依據其繞射光柵層的構造的不同,繞射光學元 件大致分為折射率調制型與立體型。
圖19係以圖案的剖面圖顯示折射率調 的-例。該折射率調制型繞射光學元件,係包含二 = 透:性基板U上之繞射光栅層12a,在該繞射光柵層i2a形 «折射率調制構造。也就是,在繞射光柵層12a中,週期 的叉替形成具有相對較小之折射率〜之局部區_,與具有 相對較大之折射率n2之局部區域。而且,#因於在通過低 折射率〜之區域之光與通過高折射率h之區域之光之間產 生足相位至,可以產生繞射現象。 具有折射率調制構造之繞射光栅層m,係可以藉⑸ 如能源束照射’使用折射率增大之材料而形成。公知; 如漆上Ge之石英坡璃,其折⑽㈣料線照射增大:
87401.DOC 200420912 另外’公知者係在石英玻璃藉照射乂光線增大其折射率。 =就是,在透光性基板U上’堆積折射率…之石英系玻璃 曰’在其玻瑪層以週期的圖案照射能源束,藉局部的將折 射率提高至n2,可以形成如圖19所顯示之繞射光柵層⑵。 圖20係以圖案的剖面圖顯示立體型繞射光學元件的一例 。該立體型繞射光學元件,係包含有形成於透光性基㈣ 上之繞射光柵層12b。在該繞射光柵層m形成著立 。、也就是,在繞射光柵層12b中,週期的交替形成具有相對 較大的厚度之局部的區域,與具有相對較小的厚度之局部 的區域。而且’起因於在通職大厚度之區域之光與通過 較小厚度之區-域之光之間產生之相位差,可以產 r °
具有立體構造之繞射光栅層12b,例如在透光性基板U 上堆積石英系玻璃層,利用光蝕與蝕刻,藉加工其玻璃可 以形成。 ^ 圖21係以圖案的剖面圖顯示折射率調制型繞射光學元件 之又-例。圖21之折射率調制型繞射光學元件雖類似於圖 19者,不過在圖21中之繞射光柵層⑺内,週期的排列著具 有相互不同之3位準的折射率〜、n2、n3之局部的區域。如 此,在繞射光栅層12c内具有3位準之折射率ni、n2、w之局 部區域,係例如在基板丨丨上堆積折射率^之石英系玻璃層 ’可以對其玻璃層藉照射2條不同之能源位準之能源束而形 成。 〆 若依據包含多(多重)位準之折射率之局部區域之繞射
87401.DOC 200420912 光柵,與包含單純之2(二元)位準之折射率的區域之繞射光 栅的情形相比,可以提昇繞射效率。另外,由於包含多位 準之折射率變化之繞射光柵,比較於包含二元之折射略變 化之繞射光柵具有較高之繞射效率,所以如推測,替代階 段的折射率變化,包含連續的折射率變化之繞射光柵也可 以比較於包含二元位準之折射變化之繞射光柵,具有較高 之繞射效率。在此,所謂繞射效率,係意味著對入射光的 - 能源之繞射光能源的總合之比率。也就是,由利用繞射光 的觀點來看,以繞射效率較大方面較佳。 · 圖22係以圖案的剖面圖顯示立體型繞射光學元件之又工 例。圖22之立'體型繞射光學元件雖類似於圖2〇者,不過在 圖22中之繞射光柵層12d内,週期的排列著具有相互不同之 3位準的厚度之局部的區域。如此’在繞射光柵層⑶内具 有3位準的厚度之局部的區域,係例如在基㈣上堆積石英 系玻璃層,對其玻璃層依據純與㈣,藉2次重複加工可 以形成。如此即使依據包含具有多位準的厚度之局部的區 域之繞射光柵,比較於包含單純之2位準的厚度之繞射光拇φ 的情形,亦可以提昇繞射效率。 上述之折射率調制型繞射光學元件,原理上雖可以製作· 不k要㈣3用〈折射率調制型繞射光學元件有其困難. 因為例如在石英系姑癌益 皮^猎肤射能源束得到之折射康變化 量頂多為0.002程度,所以西f b丄 ’ 、 要形成有效果的繞射光柵層有其 困難。 、 k而’現在例如如詳述於專利文獻工之特開昭仏2138〇2
87401.DOC 200420912 5虎公報與非專利文獻1之AP_d 0ptics,趾41,膽 PP.3558-3566,一般利用立體型作為繞射光學元件,但是 ’立體型繞射光學元件的製作所需要之光蝕與蝕刻,加工 步驟相當繁雜,需要相當的時間與功夫。另外,不容易# 制其敍刻深度之精度。進—步,在立體型繞射光學元件中 二由於在其表面形成著微細的凹凸,所以也存在著容易附 著塵埃與污染之問題。 【發明内容】 馨於如以上之領先技術之狀況,本發明係以提供一種有 效率低成本之實用之繞射光學元件為目的。 (專利文獻1) ' ''特開昭61-213802號公報。 (非專利文獻1)
Applied 〇Ptics, V〇1.41,2〇〇25pp 3558.3566 若依據本發明,繞射光輋分杜 7尤予疋件係包含形成於透光性基板 上 < 透光性DLC(金鋼石同形碳:鑽石形狀碳)膜,該Da 膜係包含有包含相對高折射率之局部區域與相對低折射率 的局邵區域之繞射光柵。 又彼等之咼折射率區域血你^ A14低折射率區域之境界面,即使 垂直或傾斜於DLC膜的表而十1 ^ 耶可’其境界面的兩側之折射 率即使連續變化亦可。 如此之繞射光學元件且古 、 子兀忏具有可以將包含多數波長之 的光束依存波長分割成多數之 数又先束,且使具有不同波長之 多數之光束合體為單一之亦击士 4 p 义先束又波長合分歧之功能。
87401.DOC 200420912 另外,如此之繞射光學元件,具有可以將單一波長之光 束分割成多數之光束,且使單一波長之多數之光束合體為 單一之光束之功率合分歧之功能。 進一步,如此之繞射光學元件,具有可以使包含於單一 波長之光束之TE波與TM波分離且合體之偏光合分歧之功 能。 進一步,如此之繞射光學元件,對於包含於單一波長之 光束之TE波或TM波具有波長板的功能。 進一步,亦可以得到組合包含具有上述之偏光合分歧的 功能之繞射光柵之DLC膜,與包含具有波長板的功能之繞 射光栅之DLC鵰之光頻隔離器。 v進一步,如此之繞射光學元件,係包括對包含0.8 μιη〜 2.0 μηι的範圍内之波長之光作用而得之前述繞射光柵。 依據如上述之本發明,在用以形成繞射光學元件之方法 中,在DLC膜,以一定之圖案照射能源束,藉提高折射率 ,可以形成包含於前述繞射光柵之高折射率區域。其能源 束係可以選自X線、電子線、及離子束。進一步,DLC膜 係藉電漿CVD法堆積於基板上而得。進一步,在使高折射 率區域與低折射率區域之境界面對DLC膜的表面傾斜的情 形,對DLC膜的表面若使能源束傾斜照射即可。 【實施方式】 (實施形態1) 由圖1至圖3係依據本發明實施形態1圖解製作折射率調 制型繞射光學元件之過程之模式剖面圖。又,在本案之圖 87401.DOC -10- 200420912 μ中如長度與厚度之尺寸關係,係為了圖面的明瞭化與 "化作了適度的變更’並未反映實際的尺寸關係。 、如圖1所顯7F,在具有折射率J 44且具有5 mm χ 5麵的 王面4SK32基板i上,DLC膜2藉電聚CVD堆積成2 _的厚 度。又,折射率調制型繞射光學元件之DLC膜之厚度並沒 有特力ij限制,可以設定於任何的厚度。但是,若膜的 ^度^過厚’則因其膜之光吸收效果過大因而較不佳。另 、""乙匸膜太薄,則因為具有很難得到充分的繞射效果 之傾向所以不佳。在現在可以利用之則膜中以G5〜i〇 _的厚度範圍内之DLC膜利料折射率調制型繞射光旋 >件者較佳。俜疋’若可以得到具有更小光吸收係數之dlc 膜’則更厚之DLC膜亦可以利用’若折射率的變化率可以 更大’則更薄之DLC膜亦可以利用。 圖2中,在DLC膜2上,藉升降法形成金罩3。在該金罩] 中,以寬0.5 μηι長度5 mm之金條紋隔著〇 5 μιη的間隔重複 排列著。也就是,該金罩3具有線和空間之圖案。其後,介 金罩3的開口部,在8〇〇 keV之加速電恩之下,⑥離子束4 以5Xl〇i7/cm2之劑量注入垂直於〇1^膜2之方向。 其結果,DLC膜2中未注AHe離子之區域,雖具有】μ 之折射率,不過注入He離子之區域2&之折射率 2.05。在如此之DLC之折射率變化,係遠比在石英手: 中得到之折射率變化來得大,可以充分的形成繞射效率較 大繞射光柵層。 圖3中’金罩3藉敍刻去除’得到實施形態工之折射率調
87401.DOC -11 - 200420912 制型繞射光學元件。又,在該繞射光學元件之繞射光柵層2 ,係包含著折射率1.55與2.05之2種類之區域,所謂雙位準 的繞射光拇層。 圖4係以圖案的剖面圖,圖解使用在實施形態丨所得之折 射率調制型繞射光學元件作為波長合分歧器的情形之波長 分歧作用。在該剖面圖中,黑色剖面區域係表示相對較高 折射率之區域,白色剖面區域係表示相對較低折射率之區 域。如圖4所表示,例如若使包含多數之波長μ、、、μ、 λ*之單一之光束入射於繞射光學元件,則通過其繞射光學 元件之光的繞射角係依存於波長且相互不同。其結果,包 含多數波長之'單一入射光束,係在各波長分離不同進行方 向'之多數之繞射光束而得到者。 不用說,若顚倒圖4中箭頭符號所示之入射光束與繞射 光束的方向,則很明顯的圖4之繞射光學元件可以利用作為 :波為。又,繞射光學元件作為波長分歧器使用的情形, 光2 一般對繞射光學元件的表面之法線,係以〇〜7〇度程度 〈Ιβ圍内〈適當的角度入射。但是,該入射角度範圍,係 依存於南折射率區域與低折射率區域之境界形成dlc膜的 j面之角度,例如離子束對DLC膜面藉照射於傾斜方向, 南折射率區域傾斜於则膜面而形成的情形,考慮其傾斜 角碉整光束的入射角。 、圖5係依據貫施形態丨的繞射光學元件,圖案的顯示波長 分歧結果的一例之圖表。該圖表的橫軸係表示繞射光的波 長(nm),縱㈣以任意單位表示繞射光的強度。在該情形
87401.DOC -12- 200420912 ,具有1.5〜1 · 6 的波長範圍與3 5 〇 μηι的光束之光,利用 光纖與光軸儀,入射於實施形態1的繞射光學元件。其結果 ,如圖5所顯示,可以得到具有在由15|11111至16(11111之間以 20 nm間隔分布之波長之5條之繞射光束,彼等5條之繞射光 束具有約略相等之強度。而且,此時之繞射效率約為 ,可以得到充分優良之波長分歧特性。 又’在實施形態1,由於使用了線狀之1次元的繞射光柵 圖案,所以繞射光束沿著包含入射光束之丨個之平面而存在 。但是,如其次所述之實施形態2,藉使用2次元的繞射光 柵圖案,不用說可以使繞射光束分布成2次元。 (實施形態2)- 圖6係依據實施形態2,以圖案的平面圖表示繞射光學元 件之2次元的繞射光柵圖案。實施形態2之繞射光學元件, 也可以與實施形態丨的情形相同之工序製作。也就是,在圖 6中,黑色之區域係表示在DLC膜中照射離子束提高折射率 之區域,白色之區域係表示未照射He離子束之區域。黑色 的圖業,係以4 μηι X 4 μηι之最小元件的組合而形成,具有 132 μηι的週期性。也就是,在圖6之繞射光柵圖案中,最 小線寬為4 μπι。 圖7係以圖案的剖面圖,圖解在實施形態2得到之折射率 調制型繞射光學元件作為光偶合器(功率分裝置)使用的情 形之功率分歧作用。也就是,若將單一波長之光束入射於 繞射光學元件,則通過其繞射光學元件之光的繞射角依存 於繞射次數並相互不同。其結果,單一波長的入射光束係
87401.DOC -13- 200420912 分離成多數之光繞射光束而得到者。 圖8係依據圖6之光偶合器,顯示如圖7在垂直於功率分 歧之繞射光束之面内之光束分布之平面圖。也就是,具有 功率入射光束,係分歧成分別具有P/16之功率之丨6條之 繞射光束而得。實際上,在使具有1.55 μπι的波長之光束徑 350 μιη的光,垂直入射於實施形態2之繞射光學元件的表 面時’可以得到分布成4次對稱之16分歧之繞射光束。 又,貫現如圖8所顯示之繞射光束的分布圖案而得之圖6 之繞射光栅圖案,係如公知可以利用傅力葉變換求得。 (實施形態3) 在貝施形怨3 ’製作具有偏光合分歧器的功能之繞射光學 元件。即使在該實施形態3之繞射光學元件,亦可以以與實 施形態1的情形相同之工序,形成具有線和空間之圖案之 DLC的繞射光栅層。但是,在實施形態3中,以寬〇·4 μιη長 度5 mm的南折射率區域隔著〇 · 4 μχη的間隔重複排列。 圖9係以圖案的剖面圖圖解在實施形態3所得之折射率調 制型繞射光學元件作為偏光合分歧器使用的情形之偏光分 歧作用。也就是,若使包含ΤΕ成分與ΤΜ成分之ΤΕΜ波入 射於實施形態3之繞射光學元件,則ΤΕ波與ΤΜ波依存於其 偏光的不同,以相互不同之繞射角繞射。例如,如圖9所顯 示,可以得到作為0次繞射光之ΤΕ波,可以得到作為一1次 繞射光之ΤΜ波。如此,可以分歧ΤΕ波與ΤΜ波。實際上, 在使具有1.55 μπι的波長之光束徑1〇〇 μπι之光入射於實施 形態3之繞射光學元件時,可以分歧ΤΕ波與ΤΜ波。 87401.DOC -14- 200420912 (實施形態4) 在貫施形態4,製作具有波長板的功能之繞射光學元件。 即使在該實施形態4之繞射光學元件,亦可以以與實施形態 1的情形相同之工序,形成具有線和空間之圖案之DLC的繞 射光柵層。但是,在實施形態4中,以寬〇·2 μιη長度5 mm 的咼折射率區域隔著〇·2 μηι的間隔重複排列。 圖10係以圖案的透視圖圖解在實施形態4所得之折射率 调制型繞射光學元件作為波長板使用的情形之偏光變換作 用。在該圖中,沿著光的進行方向,排列著直線偏光濾光 益21與在實施形態4作為1/4波長板作用之繞射光學元件。 偏光濾光器21,係在具有1·55 μχη的波長與350 μηι的頗面徑 乏入射光束23之中,僅使垂直直線偏光24通過。包含於繞 射光學元件22之向折射率區域之線和空間的方向,係對直 線偏光24的偏光方向作45度旋轉。在如此之狀態中,通過 繞射光學7L件22<光25,係向進行方向形成旋轉於逆時針 方向之圓偏光。 圖11係圖解顯示於圖10之偏光過濾器21與1/4波長板22 作為光頻隔離器作用之狀態。也就是,當圖1〇之圓偏光乃 反射到某種物體折回時,其圓偏光的旋轉方向,藉反射形 成逆旋轉之回光26。而且,其回光26,係藉反方向通過ι/4 波長板22,變換成水平直線偏光27。而且,由於偏光濾光 器21僅通過垂直直線偏光,所以水平直線偏光的回光 係藉偏光濾、光器21阻止,無法回到光人射側。如此得以發 揮作為光滤光咨的作用。 87401.DOC -15- 200420912 (實施形態5) 在實施形態5中,如圖12之圖案的透視圖所顯示,製作具 有光頻隔離器的功能之繞射光學元件。在該繞射光學元件 中’在石英玻璃基板的第1主面形成第丨DLC膜31,在第2 王面上形成第2 DLC膜33。而且,在第1 DLC膜32,形成與 貫施形態3相同之繞射光栅,在第2 DLC膜33形成與實施形 態4相同之繞射光柵。 在以波長1.55將剖面徑350 μηι的光束34入射於圖12之繞 射光學元件時,通過作為偏光分歧器作用之第1之繞射光柵 層32與作為1/4波長板作用之第2之繞射光學層33之光35, 即使反射到某,物體折回,亦無法通過作為光頻隔離器協 動乏1/4波長板33與偏光分歧板32折回。此時,可以得到作 為對於通過第1之繞射光栅層3 2之回光的強度之入射光的 強度的比率之消光比為4〇 dB以上之值。 (實施形態6) 顯示於圖13之實施形態6之波長合分歧器光柵層,雖然類 似於圖4所顯示者,不過在高折射率區域與低折射率區域之 界面對DLC膜的表面傾斜之點則不同。在圖13之折射率調 制型繞射光學層之製作中,類似於實施形態丨的情形,在具 有折射率1·44且具有5 mmx5 mm的主面之以〇2基板上, DLC膜藉電漿CVD堆積成5 μηι的厚度。 在其DLC膜上,形成以寬〇·5 μιη長度5 mm之金條紋以1 μηι週期重複排列著具有線和空間之圖案之金罩。其後,介 金罩的開口邵,在800 keV之加速電壓之下,He離子束4以
87401.DOC -16- 200420912 10 /cm 對DLC膜的表面以4G度之傾斜角且注入 垂直万、王‘ '、又的長度方向之方向。其結果,DLC膜中未注 入He離子之區域’雖具有⑸之折射率,不過注人取離子 <區域&折射率則提高至2.05。 類似於圖4之圖13 ’係以圖案的剖面圖圖解在實施形態6 所得之折射率調制魏射光學層,作為波長合分歧器使用 的情形之波長分歧作用’如圖13所表示,例如若使包含多 數之波長、、λ2、λ3、、之單-之光束入射於繞射光學元 件’則通過其繞射光學元件之光的繞射角係依存於波長且 相互不同。其結果,包含多數波長之單—人射光束,係在 各波長分離不'同進行方向之多數之繞射光束而得到者。 在該實施形態6的情形,具有L5〜l6 _的波長範園盘 350 μΠ1的光束之光,利用光纖與光軸儀,入射於垂直於眚 «態U的繞射光學元件的表面之方向。其結果,即使在 本具她U中’與貫施形態i的情形同樣,可以得到具有 在由1.5 _之間以2〇nm間隔分布之波長之5停之 繞射光束,彼等5條之繞射光束具有約格相等之強度。而且 ’此時之繞射效率約為99%,可以得到充分優良 歧特性。 长刀 = 在本實施形態6若可以導入入射光至垂直於繞射光 子層的表面之方向,則可以更促進包含如此之繞射光學展
之光學零件的小型化與低成本化,得以簡略化作為光零: 之包裝時之調芯工序。 T (實施形態7)
87401.DOC -17. 200420912 顯示於圖14之實施形態7之功率分歧光栅層,雖類似於圖 7所頰7F者,不過向折射率區域與低折射率區域的界面,對 DLC膜的表面例如以45度傾斜之點則不同。另外,圖7之功 率分歧光柵層,雖具有如圖6所顯示之2次元的繞射光樹圖 案,不過在圖14之功率分歧光柵層,在DLC膜的表面之例 如90 μιη覓之同折射率區域,則是以丨8〇 的週期性以線 和空間的圖案形成。 也就是,在使高折射率區域與低折射率區域的界面對 DLC膜的表面頃斜的情形,如圖8所顯示,雖無法將入射功 率分歧成2次元的,不過在包含垂直於DLC膜的表面之入射 光束且垂直於-高折射率區域與低折射率區域的界面之面内 ’、可以將其入射光束功率分歧成多數之光束。 (實施形態8) 顯示於圖15之貫施形態8之偏光分離光柵層,雖類似於圖 9所顯示者,不過高折射率區域與低折射率區域的界面對 DLC膜的表面傾斜之點則不同。在該實施形態8,類似於實 施形態6的情形’在Si〇2基板上,DLC膜藉電漿CVD堆積成 4 μηι的厚度。在其DLC膜上,形成具有以寬〇·4 μιη長度5 mm 之金條紋以週期1 μιη重複排列之線和空間之圖案之金罩 。其後,在對DLC膜的表面以40度的頃斜角且垂直於金條 紋的長度方向之方向注入He離子。 若使包含TE成分與TM成分之TEM波的光束入射於垂直 於圖1 5的繞射光學層的表面之方向,則TE波與TM波依存 於其偏光的不同,以相互不同之繞射角繞射。實際上,在 87401.DOC -18- 200420912 使具有1·55 μιη的波長之光束徑loo μπι之光入射於實施形 態8之繞射光學元件時,可以分歧τε波與ΤΜ波。 (實施形態9) 顯示於圖16之圖案的剖面圖之實施形態9之光頻隔離器 ’雖是類似於圖12者,不過在包含彼等之第1之DLC膜32a 中’开> 成與實施形態8相同之繞射光柵之點不同。 在以波長1.55將剖面徑350 μηι的光束34a垂直入射於圖 16(繞射光學元件的表面時,通過作為偏光分歧器作用之 第1之繞射光柵層32a與作為1/4波長板作用之第2之繞射光 學層33之光35a’即使反射於某種物體作為反射光3 5b返回 ,亦無法通過作為光頻隔離器協動之1/4波長板33與偏光分 政器3 2 a返回。 (實施形態10) 實施形態10係顯示依據本發明之繞射光學元件的形成法 之其他例。在圖17的圖案的剖面圖中,在£^(::膜2上形成多 數<線狀之金罩3a。該線狀之金罩3a,在垂直於其長度方 向之剖面中,具有半圓狀的上面。在由如此之罩圖案的上 万,照射He離子4於垂直於1)1^(::膜2的上面之方向。而且, 在DLC膜2内形成高折射率區域2b。 此時,由於各線狀罩具有半圓狀的上面,所以在各罩的 :面近旁部之He離子可以透過其罩,其透過之㈣子 仔以侵入DLC膜2内。從而,在圖17之則膜2中,在高折 :率區域與低折射率區域之界面近旁,折射率形成連續的 k化。而且,纟包含如此之連續的折射率變化之折射率調
87401.DOC -19- 200420912 制型光學元件,如前述,可以得到比包含雙位準的折射率 ’交化之繞射光學元件改善之繞射效率。 另一方面’在圖18之圖案的剖面圖中,在Dlc膜2上形成 多數線狀之金罩3b。該線狀之金罩3b,係垂直於其長度方 向之d面之矩形狀,具有相當的厚度。由如此之罩圖案的 傾、斜上方’照射He離子4於傾斜於DLC膜2的上面之方向。 而且’在DLC膜2内形成高折射率區域2c。 此時在各線狀罩之矩形狀剖面之角近旁,一部之He離 子可以透過其罩,其透過之He離子得以侵入Dlc膜2内。 攸而,在圖18之DLC膜2中,高折射率區域與低折射率區域 <界面,對其〜膜面得以傾斜,並且在其界面近旁,折射率 开少成連續的變化。 又,在以上之實施形態,雖已針對為了提高咖膜的折 射率利用He離子照射之例加以說明,不過為了提高DM膜 的折射2亦可以利用X線照射與電子線照射等。另外,在 上,之實施形態’雖已說明了關於由15卿到“障之波 長範圍内之人射光,不過在本發明,對於在⑽信領域且 有利用可能性之0.8陶〜2.〇 _的範圍内之任何波長之: ,亦可以使用作為製作繞射光學元件。 進一步,不用說在DLC財村㈣成#重位準之繞射 光柵。在該情形,若將例如能源位準或/及劑量不 ^ 束照射於DLC膜亦可。 目匕你 產業上利用的可能性 如以上,若依據本發明 可以提供一 種有效率低成本之
87401.DOC -20- 200420912 只用〜射光學凡件。另外,在藉利用咖膜可以實現之 :射率‘周制型繞射光學元件中,由於如立體型繞射光學元 I表面不存在微細之凹凸’所以其表面很難受污染且即 ^受污染亦容易的淨化。進—步,由於DLC具有較高耐磨 所以本發明之繞射光學元件,由其表面很難破損之 硯點來看較佳。 、 【圖式簡單說明】 圖1為依據本發明圖解製作繞射光學元件之過程之圖安 的剖面圖。 M木 圖2為依據本發明圖解製作繞射光學元件之過 的剖面圖。、 口术 的:為:據本發明圖解製作繞射光學元件之過程之圏案 圖=為剖依=本發明圖解波長合分歧8之波長分歧作用之 分Γ:關:據之本:明藉波長分歧器分歧之光的波長與強度 π 7關係艾一例之圖表。 一^^本+發;:顯示光功率分歧器之繞射光搞圖案之 圖=為=據_本發明輯光功率分歧器之㈣分歧作用之 光= 為面藉:、6之光功率分歧器,在垂直於功率分歧之繞射 ”、内之光束分布之平面圖。 圖9為依據本發明圖解偏光分歧器之偏向分歧作用之圖
87401.DOC -21- 200420912 案的剖面圖。 圖案的 圖10為依據本發明圖解波長板之偏光變換作 立體圖。 之光頻隔離器的作用之圖 圖11為圖解作為圖1 0之光學系 案的立體圖。 圖12為依據本發明圖解作為光頻隔離器作用得到 光學元件之圖案的立體圖。 圖13為依據本發明圖解波長合分歧器之波長分歧作用之 其他例之圖案的剖面圖。 圖14為依據本發明圖解光功率分歧器之功率分歧作用之 其他例之圖案'的剖面圖。 、圖15為依據本發明圖解偏光分歧器之減分歧作用之其 他例之圖案的剖面圖。 a 圖16為圖解在本發明作為光頻隔離器作用得到之繞射光 學元件之其他例之圖案的剖面圖。 圖17為依據本發明圖解製作繞射光學元件之方法之其他 例之圖案的剖面圖。 圖18為依據本發明圖解製作繞射光學元件之方法之進一 步其他例之圖案的剖面圖。 圖19為先前之折射率調制型繞射光學元件之一例之圖案 的剖面圖。 圖20為先前之立體型繞射光學元件的一例之圖案的剖面 圖。 圖21為先前之折射率調制型繞射光學元件之又一例之圖
87401.DOC -22- 200420912 案的剖面圖。 圖22為先前之立體型繞射光學元件的又一例之圖案的剖 面圖。 【圖式代表符號說明】 1、 11…透光性基板 2、 "DLC 膜 2a…局邵區域 3、 3a···金罩 4".He離子束 12a、12b、12c、12d···繞射光糖層 21…偏光滤光'器 2 2…繞射光學元件 23…入射光束 24…直線偏光 25…圓偏光 26…圓光 2 7…水平直線偏光 32、32a···第 1 DLC膜 33···第 2 DLC膜 34、 34a···光束 35、 35a···光 m…低折射率 n2…高折射率 87401.DOC -23-

Claims (1)

  1. 200420912 拾、申請專利範圚·· .件1包㈣成於透級練上之透光 ⑽,视㈣係包含有包含相對高折射率之局部 品v與相對低折射率的局部區域之繞射光拇。 2.如申請專利範圍第i項之繞射光學元件,其中於前述高折 射率f域與前述低折射率區域之境界面,係垂直於前述 DLC艇的表面。 3 ·如申凊專利範園第2項之结』 _ 礼罔币^貝 < 繞射先學凡件,其中於前述境界 面的兩側之折射率係連續地變化。 4·如:請專利範圍第i項之繞射光學元件,其中前述高折射 、率區域與前述低折射率區域之境界面,係對前述〇Lc膜 的表面傾斜。 5.如申請專利範圍第4項之繞射光學元件,其中於前述境界 面的兩側之折射率係連續地變化。 6·如申請專利範圍第丨至5項中任一項之繞射光學元件,其 中前述繞射光學元件,具有可以將包含多數波長之丨個光 束依存於波長而分割成多數之光束,且使具有不同波長 之夕數之光束合體為單一之光束之波長合分歧之功能。 7.如申請專利範圍第1至5項中任一項之繞射光學元件,其 中前述繞射光學元件,具有可以將單一波長之光束分割 成多數之光束,且使單一波長之多數之光束合體為單一 之光束之功率合分歧之功能。 8·如申請專利範圍第1至5項中任一項之繞射光學元件,其 中前述繞射光學元件,具有可以使包含於單一波長之光 87401.DOC 200420912 9. 10 11. 12. 13. 14. 束之TE波與TM波分離且合體之偏光合分歧之功能。 如申响專利範圍第1至3項中任一項之繞射光學元件,其 中前述繞射光學元件,對於包含於單一波長之光束之te 波或ΤΜ波具有波長板的功能。 一種繞射光學元件,係包括分別形成於透光性基板之第i 與第2主面上之第丨與第2透光性DLC膜;前述dlc膜之各 個係包含有包含相對高折射率之局部區域與相對低折射 率的局邵的區域之繞射光柵;其特徵在於: 前述第1 DLC膜,具有可以偏光分離包含於單一波長 之光束之TE波與TM波之偏光分歧之功能; 前述第2、DLC膜,對於包含於單一波長之光束之瓜皮 或TM波具有波長板的功能; 珂述第1與第2 DLC膜合作而具有光隔離器的功能。 如申請專利範圍第10項之繞射光學元件,其中前述第i DLC膜之前述高折射率區域與前述低折射率區域之境界 面,係對其DLC膜的表面傾斜著,前述第2 DLC膜之前 述高折射率區域與前述低折射率區域之境界面,係垂直 於其D L C膜的表面。 如申請專利範圍第u項之繞射光學元件,其中於前述境 界面的兩側之折射率係連續地變化。 如申請專利範圍第⑴及· 12項中任_項之繞射光學 元件,其中前述繞射光學元件,係包括對包含μ μιη〜 2.0 μτη的範圍内之波長之光可發生作用之前述繞射光柵。 -種繞射光學元件的形成方法,係用以形成如申請專利 87401.DOC -2- 200420912 範圍第1至13項中任一項之繞射光學元件之方法,其特徵 在於:在前述DLC膜,以一定之圖案照射能源束,藉提 馬折射率’形成包含於前述繞射光柵之前述高折射率區 域。 15. 16. 17. 如申請專利範圍第14項之繞射光學元件之形成方法,其 中觔述此源束係選自X線、電子線、及離子束。 如申請專利範圍第14或15項之繞射光學元件之形成方法 ,其中在前述基板上,前述DLC膜係藉電漿CVD法堆積。 如申請專利範圍第14或15項中任一項之繞射光學元件之 形成万法,其中包含前述能源束對前述DLC膜的表面傾 斜照射之工序。 87401.DOC
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