CN104730623A - 一种聚合物波导光栅的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种聚合物波导光栅的制作方法，包括：根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量；根据待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定待形成光栅处所需的电子束曝光剂量；根据电子束的曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数；将表面形成有聚合物波导的基片放入电子束曝光系统中，并所述光栅周期和光栅周期数，设定电子束曝光系统的曝光路径；利用所述电子束曝光系统对聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。本发明实施例所提供的制作方法，大大提高了聚合物波导光栅制作方法的简便性和通用性。

Description

一种聚合物波导光栅的制作方法

技术领域

本发明涉及制造聚合物波导光栅技术领域，尤其涉及一种聚合物波导光栅的制作方法。

背景技术

随着高速信息化技术的发展，集成光学器件正逐步取代传统的微光学器件，成为未来光通信、光计算和光传感器等领域的核心结构单元。在这些集成光学器件中，光波导作为传输光信号的载体，是其基本的组成部分。

与无机材料（如硅和二氧化硅等）制备的光波导相比，有机聚合物材料制备的光波导由于具有易于掺杂和功能化、折射率可控、易与光纤匹配、制备过程简单、柔韧性好和成本低等优点，成为集成光学器件中光波导材料的另一种有效选择，尤其是在柔性光芯片和光互连应用领域，具有更加凸显的优势。因此，有机聚合物光波导有着广泛的应用前景。

波导中的光栅可以实现对导波光的反射、滤波和耦合等功能，在滤波器、波分复用/解复用器、激光器和光学传感器等各类光学器件中起着非常重要的作用，是光芯片或光互连中必不可少的功能单元。因此，研制一种简便、通用的在聚合物波导中制备光栅的方法，对柔性光芯片和光互连应用领域的发展具有十分重要的意义。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种简便、通用的聚合物波导光栅的制作方法。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

第一方面，提出了一种聚合物波导光栅的制作方法，包括：

根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量；

根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量；

根据所述电子束的曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数；

将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径；

曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量包括：

根据待制作聚合物波导光栅的反射波长和光栅阶数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期；

根据所述待制作聚合物波导光栅的反射率，确定所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率改变量和光栅周期数。

结合所述第一方面的第一种可能实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述待制作聚合物波导光栅的反射波长、光栅阶数与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期之间的关系为：

Λ=lλ/2n_eff；

其中，Λ为所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期；l为所述待制作聚合物波导光栅的光栅阶数；λ为所述待制作聚合物波导光栅的反射波长,n_eff为聚合物波导的有效折射率。

结合所述第一方面的第一种可能实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述待制作聚合物波导光栅的反射率与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数、光栅处的折射率该变量之间的关系为：

$R={\tanh }^2\left(\frac{\mathrm{n\Δ}{n}_{\max }\mathrm{\ω}{\mathrm{\ϵ}}_0\mathrm{\λN}}{2\mathrm{\π}{n}_{\mathrm{eff}}}{\∫}_{-\∞}^{+\∞}{\left[E_y\left(x\right)\right]}^2\mathrm{dx}\right);$

其中，R为所述待制作聚合物波导光栅的反射率；n为聚合物波导的折射率,Δn_max为所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率变化量；N为光栅周期数；为所述待制作聚合物波导光栅传输的光强。

结合第一方面或上述第一方面的任一可能的实现方式，在第四种可能实现方式中，所述电子束曝光系统的参数包括：加速电压和曝光时间。

结合第一方面的第四种可能实现方式，在第五种可能实现方式中，所述电子束曝光剂量的范围为100μC/cm²-500mC/cm²，包括端点值；所述加速电压的范围为1kV-300kV，包括端点值。

在第一方面的第六种可能实现方式中，所述待制作聚合物波导光栅的类型包括：布拉格光栅、长周期光栅和啁啾光栅。

在第一方面的第七种可能实现方式中，所述聚合物波导为矩形波导、脊型波导或圆形波导。

结合第一方面的第七种可能实现方式，在第八种可能实现方式中，所述聚合物波导为矩形波导或脊型波导时，所述矩形波导或脊型波导的宽度范围为200nm–50μm，包括端点值，所述矩形波导或脊型波导的高度范围为200nm–50μm，包括端点值；所述聚合物波导为圆形波导时，所述圆形波导的直径范围为200nm–50μm，包括端点值。

结合第一方面或上述第一方面的任一可能的实现方式，在第九种可能实现方式中，所述聚合物波导的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的技术方案，包括：首先，根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量；其次，根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定电子束的曝光剂量；再次，根据所述电子束的曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数；然后，将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径；最后，曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。

由此可见，本发明实施例所提供的制作方法，是采用电子束曝光系统对聚合物波导进行曝光，从而通过改变所述聚合物波导内部材料的折射率形成光栅，因此，本发明实施例所提供的制作方法既不会在聚合物波导表面形成周期性的起伏结构，也不会对所述聚合物波导的材料有特殊限制，而且在制作不同结构参数的波导光栅时，只需改变所述电子束曝光系统的设置参数即可，而无需替换与之相应的光栅模板或相位掩膜版，或者重新调节光路系统，从而大大提高了所述聚合物波导光栅制作方法的简便性和通用性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的聚合物波导光栅制作方法的流程图；

图2为本发明一个实施例所提供的聚合物波导光栅制作方法中，曝光路线示意图；

图3为本发明另一个实施例所提供的聚合物波导光栅制作方法中，曝光路线示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，研制一种简便、通用的在聚合物波导中制备光栅的方法，对柔性光芯片和光互连应用领域的发展具有十分重要的意义。

发明人研究发现，现有技术中在聚合物波导中制备光栅的方法主要有以下两种：

一种是采用软刻蚀的方法，利用表面带光栅结构的模板压在聚合物波导上，然后采用紫外固化或加热等方式，使模板上的周期性结构转移到聚合物波导上，从而在聚合物波导上形成周期性的结构，即光栅。虽然采用这种软刻蚀方法，可以大面积的制备具有相同结构参数要求的聚合物波导光栅，耗时短且成本低。

但是，利用这种方法在聚合物波导上制作的光栅，会在聚合物波导表面形成周期性的起伏结构，从而使得光在所述聚合物波导内传输时，会在光栅处发生散射，增加所述聚合物波导的传输损耗，进而增加其相应器件的插入损耗。而且，在利用紫外线或加热的方式，使聚合物波导上的周期性结构定型时，通常是对整个芯片一起加热或进行紫外线曝光，因其作用范围较大，会对波导周围器件的性能造成影响。

此外，由于模板上光栅的各参数值为固定值，因此，采用这种方法制作的光栅的各项参数也为单一的固定值，如果想要获得不同结构参数的波导光栅，则需要重新设计与之相应的光栅模板，导致这种方法通用性较差。

二是采用紫外曝光的方法，利用双光束干涉法或者相位掩膜版，使紫外激光在聚合物波导侧面形成明暗相间的周期性干涉条纹，其中，明条纹处具有光敏特性的聚合物波导材料发生光化学反应，使得其相应的波导内部的折射率增加，而暗条纹处的聚合物波导材料不发生光化学反应，其相应的波导内部的折射率不发生变化，从而形成波导光栅。这种方法不但解决了方法一中由于波导表面具有周期性起伏结构而引起的传输损耗增加的问题，而且，不仅可以通过控制干涉条纹的周期来控制波导光栅的周期，还可以通过控制曝光强度来控制波导的折射率变化量，可控性好。

但是，这种方法要求波导本身的材料具有光敏特性，即在紫外光照射下，其折射率会发生变化，使得波导材料的选择范围较小，导致这种方法的通用性也较差。而且，这种方法制作的波导光栅的分辨率受紫外光的衍射极限的限制，在制作短周期的波导光栅时具有一定的难度。

此外，这种方法在制作不同结构参数的波导光栅时，需要调节对应光路的参数或者替换相应的相位掩膜版，较为繁琐，进一步降低了该方法的通用性。

基于上述研究的基础上，本发明实施例提供了聚合物波导光栅的制作方法，包括：

根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量；

根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量；

根据所述电子束的曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数；

将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径；

曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。

本发明实施例所提供的制作方法，是采用电子束曝光系统对聚合物波导进行曝光，从而通过改变所述聚合物波导内部材料的折射率形成光栅，因此，本发明实施例所提供的制作方法既不会在聚合物波导表面形成周期性的起伏结构，也不会对所述聚合物波导的材料有特殊限制，而且在制作不同结构参数的波导光栅时，只需改变所述电子束曝光系统的设置参数即可，而无需替换与之相应的光栅模板或相位掩膜版，或者重新调节光路系统，从而大大提高所述聚合物波导光栅制作方法的简便性和通用性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

本发明实施例提供了一种聚合物波导光栅的制作方法，如图1所示，包括：

步骤S101：根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量。

需要说明的是，在本发明的一个实施例中，所述聚合物波导光栅可以为布拉格光栅，在本发明的另一个实施例中，所述聚合物波导光栅可以为长周期光栅，在本发明的又一个实施例中，所述聚合物波导光栅可以为啁啾光栅，本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述聚合物波导光栅还还可以为其他类型的光栅结构，具体视制作需求而定。而所述聚合物波导光栅的性能参数包括：反射波长和反射率等，本发明对此也不做限定。

在本发明的一个实施例中，可以利用理论计算的方法，根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，获得所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量。

在该实施例的一个具体实施例中，步骤S1包括：

步骤S1011：根据待制作聚合物波导光栅的反射波长和光栅阶数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期。具体的，利用所述待制作聚合物波导光栅的反射波长、光栅阶数与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期之间的关系：

Λ=lλ/2n_eff；

计算所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期。其中，Λ为所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期；l为所述待制作聚合物波导光栅的光栅阶数；λ为所述待制作聚合物波导光栅的反射波长,n_eff为聚合物波导的有效折射率。

步骤S1012：根据所述待制作聚合物波导光栅的反射率，确定所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率改变量和光栅周期数。具体的，利用所述待制作聚合物波导光栅的反射率与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数、光栅处的折射率该变量之间的关系：

$R={\tanh }^2\left(\frac{\mathrm{n\Δ}{n}_{\max }\mathrm{\ω}{\mathrm{\ϵ}}_0\mathrm{\λN}}{2\mathrm{\π}{n}_{\mathrm{eff}}}{\∫}_{-\∞}^{+\∞}{\left[E_y\left(x\right)\right]}^2\mathrm{dx}\right);$

计算所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数及其光栅处的折射率该变量。其中，R为所述待制作聚合物波导光栅的反射率；n为聚合物波导的折射率,Δn_max为所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率变化量；N为光栅周期数；为所述待制作聚合物波导光栅传输的光强。

由上式可知，在相同反射率的条件下，所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率变化量与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数的乘积为定值，所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率改变量越大，所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数越小，而所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数越小，所述待制作聚合物波导光栅的尺寸越小。

在本发明的另一个实施例中，也可以利用模拟方法，根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，获得所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量。在本实施例的一个具体实施例中，所述模拟方法可以为光束传播法，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

步骤S102：根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量。

发明人研究发现，利用电子束曝光聚合物材料，可以引起聚合物分子结构的改变，从而增加电子束曝光区域聚合物材料的折射率，且所述电子束的曝光剂量越大，所述聚合物曝光区域的折射率增加量越大。因此，可以根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量和电子束曝光剂量之间的关系，通过控制电子束的曝光剂量来控制所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率改变量。

在本发明的一个具体实施例中，所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量和电子束曝光剂量之间的关系可以通过以下方法获得：首先，根据待制作聚合物波导光栅的聚合物材料，利用不同的电子束曝光剂量曝光同一聚合物薄膜材料；其次，利用折射率测量仪器（如椭偏仪）测得所述聚合物薄膜材料曝光区域在曝光前后的折射率改变量，建立以折射率改变量和电子束曝光剂量之间的一一对应关系；然后，以折射率改变量和电子束曝光剂量之间的一一对应关系为基础，获得以所述电子束曝光剂量为自变量，折射率改变量为应变量的函数关系。

获得以所述电子束曝光剂量为自变量，折射率改变量为应变量的函数关系后，即可根据所述待制作聚合物波导光栅中光栅处所需的折射率改变量，利用该函数关系，获得所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量。

步骤S103：获得所述电子束曝光剂量后，根据所述电子束曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数。

由于所述电子束曝光剂量为电子束束流与电子束曝光时间的乘积，因此，可以通过设置电子束曝光系统的电子束束流和电子束曝光时间来获得所需的电子束曝光剂量。

在本发明的一个优选实施例中，可以通过固定电子束束流，控制所述电子束的曝光时间来控制电子束的曝光剂量。由于所述电子束曝光系统的电子束束流与所述电子束曝光系统中电子束的加速电压有关，因此，在本发明的一个具体实施中，所述电子束曝光系统的参数包括加速电压和曝光时间，从而可以通过设置所述电子束曝光系统的电子束加速电压和曝光时间来获得所需的电子束曝光剂量。

在本发明的一个具体实施例中，所述电子束曝光剂量的范围优选为100μC/cm²-500mC/cm²，包括端点值；所述电子束的加速电压的范围为1kV-300kV，包括端点值。但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述电子束的曝光剂量与所述电子束的加速电压也可以为其他值，具体视情况而定。

在本发明的另一个实施例中，还可以通过固定所述电子束曝光系统的曝光时间，通过控制所述电子束束流来控制所述电子束的曝光剂量，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

一般情况下，紫外曝光方式引起的聚合物折射率改变量一般在10^-4-10^-2之间，而电子束曝光引起的聚合物折射率改变量可达0.1，可见，电子束曝光引起的聚合物材料折射率改变量明显大于紫外曝光等方法引起的聚合物材料的折射率改变量。因此，利用本发明实施例所提供的制作方法，可以明显减少所制作的聚合物波导光栅的光栅周期数，从而显著降低所述聚合物波导光栅的尺寸，以便于提高其相应光学器件的集成度。

步骤S104：将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径。

设定好所述电子束曝光系统的参数后，将表面形成有聚合物波导的基片放入电子束曝光系统中，并根据所述聚合物波导的位置及所述聚合物波导中待形成光栅处的起始位置，对所述基片的位置进行定位。定位好以后，根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期和光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径。

步骤S105：曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。

如图2所示，曝光路径设置好以后，打开所述电子束曝光系统，利用所述电子束曝光系统产生的电子束3对所述基片1上的聚合物波导2沿着曝光路径（图2中的黑色箭头方向）进行曝光，即可使所述聚合物波导曝光区域（对应图2中所示的区域4）的折射率发生调制，从而形成聚合物波导光栅4。优选的，所述电子束曝光系统可以为电子束光刻机或者扫描电子显微镜，但本发明对此并不做限定，只要为能产生电子束的装置即可。

需要说明的是，在本发明的一个实施例中，所述聚合物波导可以为矩形波导，也可以为脊型波导或圆形波导，在本发明的其他实施例中，所述聚合物波导还可以为其他形状，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。优选的，所述聚合物波导的横截面尺寸为200nm–50μm，包括端点值。

具体的，当所述聚合物波导为矩形波导或脊型波导时，所述聚合物波导的横截面尺寸包括所述聚合物波导的宽（即图2中垂直于纸面方向）和高（即图2中竖直方向），即所述矩形波导或脊型波导的宽度范围为200nm–50μm，包括端点值，所述矩形波导或脊型波导的高度范围为200nm–50μm，包括端点值；当所述聚合物波导为圆形波导时，所述聚合物波导的横截面尺寸为所述圆形的直径尺寸，即所述圆形波导的直径范围为200nm–50μm，包括端点值。

而且，在本发明的一个实施例中，所述聚合物波导的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚酰亚胺，但在本发明的其他实施例中，所述聚合物波导的材料还可以为其他聚合物材料，本发明对此也不做限定。

由于电子束曝光系统对电子束焦点的大小、聚焦位置和曝光路径均具有良好的控制性，因此，本发明实施例所提供的制作方法，可以方便的通过控制所述电子束曝光系统的曝光剂量和曝光路径，精确控制所述聚合物波导中曝光区域的位置及曝光区域的折射率改变量，从而精确控制待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数等加工参数，使得本发明实施例所提供的制作方法，可以精确控制聚合物波导光栅的各种加工参数，制作各种复杂的聚合物波导光栅。

又由于电子束的聚焦很小，一般在100nm以下，是一种局域性的加工方式，而本发明实施例所提供的制作方法，是利用电子束曝光系统产生的电子束直接在聚合物波导上进行曝光形成光栅，从而在制作聚合物波导光栅的过程中，不会对其周围的器件造成影响。而且，所述电子束曝光系统具有很高的分辨率，因此，本发明实施例所提供的制作方法还可以制作各种精细的光栅结构。

此外，本发明实施例所提供的制作方法，既不会在所述聚合物波导表面形成周期性的起伏结构，从而不会导致光在所述聚合物波导内传输时，在光栅处发生散射，进而增加所述聚合物波导的传输损耗，也不会要求所述聚合物波导的材料具有光敏特性，从而使得本发明实施例所提供的制作方法，相较于现有技术一，降低了所述聚合物波导的传输损耗，相较于现有技术二，提高了所述聚合物波导制作方法的通用性。

而且，本发明实施例所提供的制作方法，在制作不同结构参数的聚合物波导光栅时，只需更改所述电子束曝光系统的设置参数即可，而不需要更改与之相匹配的光栅模板或相位掩膜版，也省略了现有技术二中重新调节光路系统的繁琐步骤，从而使得本发明实施例所提供的制作方法不仅简便，而且通用性强。

除此之外，在高集成密度的光芯片上，通常存在弯曲波导结构以提高空间的利用率，从而提高器件的集成度，故通常需要用到在弯曲聚合物波导上制作光栅结构。利用现有技术中的软刻蚀方法或紫外曝光方式较难实现弯曲聚合物波导光栅的制备，而本发明实施例所提供的方法中，由于电子束曝光系统对电子束具有高精度的可控性，因此，可以通过设置电子束的曝光路径，如图3所示，使其沿着弯曲聚合物波导中需要制作光栅结构的方向曝光所述聚合物波导（即图3中黑色箭头方向），从而在弯曲聚合物波导上形成光栅结构。

下面以所述聚合物波导光栅为布拉格光栅，其聚合物材料为聚甲基丙烯酸甲酯为例对本发明实施例所提供的聚合物波导光栅的制作方法进行详细描述，但本发明所提供的制作方法同样适用于长周期光栅或啁啾光栅等光栅类型，所述聚合物波导的材料也可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚酰亚胺等聚合物材料，本发明对此并不做限定。

本发明实施例所提供的聚合物波导光栅的制作方法包括：

步骤201：在基片表面形成聚合物波导。在本发明的一个实施例中，步骤S201包括：首先，在SOI（silicon-on-insulator，绝缘衬底上的硅）基片上旋涂一层厚度约为2μm的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，然后，利用光刻或电子束曝光等方法，在所述基片上制备一宽度和高度均为2μm的矩形聚甲基丙烯酸甲酯波导。

步骤202：利用公式Λ=lλ/2n_eff，计算所述聚甲基丙烯酸甲酯波导布拉格光栅的光栅周期。其中，Λ为所述聚合物波导布拉格光栅的光栅周期；l为所述聚合物波导布拉格光栅的光栅阶数，根据制作需求人为设定；λ为所述聚合物波导布拉格光栅的反射波长,n_eff为聚合物波导的有效折射率。

步骤203：利用公式 $R={\tanh }^2\left(\frac{\mathrm{n\Δ}{n}_{\max }\mathrm{\ω}{\mathrm{\ϵ}}_0\mathrm{\λN}}{2\mathrm{\π}{n}_{\mathrm{eff}}}{\∫}_{-\∞}^{+\∞}{\left[E_y\left(x\right)\right]}^2\mathrm{dx}\right),$ 计算所述聚合物波导布拉格光栅的光栅周期数及其光栅处的折射率改变量。其中，R为所述聚合物波导布拉格光栅的反射率；n为聚合物波导的折射率,Δn_max为所述聚合物波导布拉格光栅中光栅处的折射率变化量；N为光栅周期数；为所述聚合物波导布拉格光栅传输的光强。

步骤S204：根据所述聚合物波导布拉格光栅的聚合物材料聚甲基丙烯酸甲酯的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量。

具体的，在本发明的一个具体实施例中，步骤S204包括：利用不同的电子束曝光剂量曝光同一聚甲基丙烯酸甲酯薄膜材料；其次，利用折射率测量仪器（如椭偏仪）测得所述聚甲基丙烯酸甲酯薄膜材料曝光区域在曝光前后的折射率改变量，建立以折射率改变量和电子束曝光剂量之间的一一对应关系；然后，以折射率改变量和电子束曝光剂量之间的一一对应关系为基础，获得聚甲基丙烯酸甲酯材料的以电子束曝光剂量为自变量，折射率改变量为应变量的函数关系。

获得聚甲基丙烯酸甲酯材料的以电子束曝光剂量为自变量，折射率改变量为应变量的函数关系后，即可根据所述待制作聚甲基丙烯酸甲酯波导光栅中光栅处所需的折射率改变量，利用该函数关系，获得所述待制作聚甲基丙烯酸甲酯波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量。

步骤205：获得所述电子束曝光剂量后，根据所述电子束曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数。

优选的，所述电子束曝光剂量的范围为100μC/cm²-500mC/cm²，包括端点值；所述电子束的加速电压的范围为1kV-300kV，包括端点值。

步骤S206：将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述聚合物波导布拉格光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径。

设定好所述电子束曝光系统的参数后，将表面形成有聚合物波导的基片放入电子束曝光系统中，并根据所述聚合物波导的位置及所述聚合物波导中待形成光栅处的起始位置，对所述基片的位置进行定位。定位好以后，根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期和光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径。

步骤207：曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导布拉格光栅。

综上所述，本发明实施例所提供的聚合物波导光栅的制作方法，采用电子束曝光系统对聚合物波导进行曝光，从而通过改变所述聚合物波导内部材料的折射率形成光栅，因此，本发明实施例所提供的制作方法既不会在聚合物波导表面形成周期性的起伏结构，也不会要求所述聚合物波导的材料具有光敏特性，而且在制作不同结构参数的波导光栅时，只需改变所述电子束曝光系统的设置参数即可，而无需替换与之相应的光栅模板或相位掩膜版，或者重新调节光路系统，从而大大提高所述聚合物波导光栅制作方法的简便性和通用性。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种聚合物波导光栅的制作方法，其特征在于，包括：

根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量；

根据所述待制作聚合物波导光栅的聚合物材料的折射率改变量与电子束曝光剂量之间的关系，确定所述待制作聚合物波导光栅中待形成光栅处所需的电子束曝光剂量；

根据所述电子束的曝光剂量，设定电子束曝光系统的参数；

将表面形成有聚合物波导的基片放入所述电子束曝光系统中，并根据所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期及光栅周期数，设定所述电子束曝光系统的曝光路径；

曝光路径设置好以后，利用所述电子束曝光系统对所述聚合物波导进行曝光，形成聚合物波导光栅。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，根据待制作聚合物波导光栅的类型和性能参数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期、光栅周期数及其光栅处的折射率改变量包括：

根据待制作聚合物波导光栅的反射波长和光栅阶数，确定所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期；

根据所述待制作聚合物波导光栅的反射率，确定所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率改变量和光栅周期数。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述待制作聚合物波导光栅的反射波长、光栅阶数与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期之间的关系为：

Λ=lλ/2n_eff；

其中，Λ为所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期；l为所述待制作聚合物波导光栅的光栅阶数；λ为所述待制作聚合物波导光栅的反射波长,n_eff为聚合物波导的有效折射率。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述待制作聚合物波导光栅的反射率与所述待制作聚合物波导光栅的光栅周期数、光栅处的折射率该变量之间的关系为：

$R={\tanh }^2\left(\frac{\mathrm{n\Δ}{n}_{\max }\mathrm{\ω}{\mathrm{\ϵ}}_0\mathrm{\λN}}{2\mathrm{\π}{n}_{\mathrm{eff}}}{\∫}_{-\∞}^{+\∞}{\left[E_y\left(x\right)\right]}^2\mathrm{dx}\right);$

其中，R为所述待制作聚合物波导光栅的反射率；n为聚合物波导的折射率,Δn_max为所述待制作聚合物波导光栅中光栅处的折射率变化量；N为光栅周期数；为所述待制作聚合物波导光栅传输的光强。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述电子束曝光系统的参数包括：加速电压和曝光时间。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述电子束曝光剂量的范围为100μC/cm²-500mC/cm²，包括端点值；所述加速电压的范围为1kV-300kV，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述待制作聚合物波导光栅的类型包括：布拉格光栅、长周期光栅和啁啾光栅。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述聚合物波导为矩形波导、脊型波导或圆形波导。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述聚合物波导为矩形波导或脊型波导时，所述矩形波导或脊型波导的宽度范围为200nm–50μm，包括端点值，所述矩形波导或脊型波导的高度范围为200nm–50μm，包括端点值；所述聚合物波导为圆形波导时，所述圆形波导的直径范围为200nm–50μm，包括端点值。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述聚合物波导的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。