200414316 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種總括熱處理多數枚的半導體體晶圓 等的基板的分批式熱處理裝置及熱處理方法。 【先前技術】 作爲對於多數枚半導體晶圓總括進行成膜處理、氧化 處理等的熱處理的分批式熱處理裝置,眾知有縱型熱處理 裝置。如第9圖所示地,該裝置是具備縱型加熱壚n、及 晶圓保f寸具的晶圓晶舟1 2。晶圓晶舟1 2是構成以所定節距 棚架狀地保持著多數枚晶圓W。在晶圓晶舟1 2利用未圖示 的晶圓移載機構移載有晶圓W。之後,利用晶舟昇降機, 晶圓晶舟1 2是被搬進加熱爐1 1內,而進行對於晶圓w的所 定熱處理。 在該熱處理裝置中,按照如須成膜的薄膜種類,膜厚 等來決定處理壓力、處理溫度、氣體流量等的處理條件( 處理參數的目標値。準備寫入這些各處理條件的複數處理 方法。利用操作人員選擇處理方法,對應於該處理方法並 依據事先決定的處理條件進行熱處理裝置運轉。些些處理 方法(處理條件)是實際上在晶圓晶舟1 2滿載晶圓而進行 熱處理,利用發現最適當的處理條件所製作。 然而,在最近,如系統L S I生產的多品種少量生產者 比如DRAM生產的小品種大量生產者增加。 縱型熱處理裝置是在小品種大量生產時,在接受同一 -5- (2) (2)200414316 處理的晶圓齊備成所定枚數時進行總括處理而可提高作爲 整體的生產量,惟多品種少量生產時,接受同一處理的晶 圓要齊備成所定枚數的時間較久,不容易得到依分批處理 的高生產量的優點。 另一方面,若對於不相同的晶圓枚數使用同一處理參 數進行熱處理,則膜特性依存於晶圓枚數有所不同。例如 ,在對於少數晶圓使用與多數枚時相同參數進行處理時’ 則成膜速度,面內均勻性等都會變化。作爲避免該變化的 方法,有在成品晶圓以外還準備稱爲虛擬晶圓者’僅不足 枚數使用虛擬晶圓而將晶圓晶舟1 2作爲滿載狀態,以滿載 晶圓時的通常處理條件進行熱處理的方法。 然而,虛擬晶圓是成本較高。又,虛擬晶圓是每當複 數次處理被洗淨而重複被使用,惟在使用次數有限制’亦 即,在使用一定次數後必須更換新的晶圓。因此運轉費用 昂貴。尤其,晶圓爲大口徑時,例如300 mm尺寸的晶圓 是與200 mm尺寸的晶圓相比較價格極高,而3 0 0 mm尺寸 的虛擬晶圓的成本也同樣地昂貴。又,成品晶圓的枚數更 少時,則增加複載虛擬晶圓所需時間,而在產量上也有缺 點問題。 【發明內容】 本發明是依據此些事項而創作者’其目的是在於提供 一種對於基板當以分批式進行熱處理’不管以一分批所處 理的基板枚數,薄膜膜質在各分批間一致的熱處理裝置及 -6 - (3) (3)200414316 熱處理方法。 本發明是一種熱處理裝置,其特徵爲具備:保持複數 基板的保持具,及搬入有上述保持具的反應容器,及在上 述反應容器供給處理氣體的處理氣體供給機構,及在供給 上述處理氣體時加熱上述反應容器而在基板施以成膜處理 的加熱機構’及記憶對應在一分批處理所預定處理的基板 的枚數資料與上述處理氣體的流量參數的目標値資料的流 量參數表資料的流量參數表資料記憶部,及按照在一分批 處理所預定處理的基板的實際枚數,依據被記憶在上述流 量參數表資料記憶部的流量參數表,得到上述處理氣體的 流量參數的目標値資料,而且依照該目標値資料控制上述 處理氣體供給機構的控制手段;上述流量參數的目標値資 料,是所預定處理的基板枚數互相不相同的分批處理間決 定成膜速度成爲一致。 依照本發明,當對於基板以分批式進行熱處理時,並 不是經常在將基板滿載於保持具的狀態下進行熱處理,而 依據按照以一分批欲處理的基板枚數的處理氣體的流量參 數的目標値可進行熱處理之故,因而即使以一分批所處理 的基板枚數少於對應於滿載的枚數,並不是利用虛擬晶圓 將保持具作成滿載狀態也可進行熱處理。亦即,成爲不需 要用以將基板作成滿載狀態的虛擬基板,而可得到低成本 化。又,流量參數的目標値是欲處理的基板枚數互相不相 同的分批處理間決定成膜速度成爲一致之故,因而不管在 一分批所處理的基板的枚數,使得薄膜的膜質在各分批間 (4) (4)200414316 一致。 較理想爲,以處理時間除算在各分批處理被成膜於基 板的薄膜的平均膜厚的數値的最小値與最大値的相差是 0.5 n m / 分 c 所謂流量參數是指如處理氣體僅爲一種類,則可爲該 處理氣體的流量。處理氣體爲包含直接有關於成膜的成膜 氣體與傳輸氣體時,爲如將兩者的流量比作成一定的狀態 的合計流量,或是兩者的流量比,或是合計流量及流量比 。又,成膜氣體是並不限定於進行CVD時的成膜氣體,例 如氧化矽晶圓表面而形成氧化膜時爲相當於氧化氣體。又 ,作爲處理氣體如.下述的實施形態地使用複數種類的成膜 氣體時,爲將此些成膜氣體的流量比作成一定的狀態的合 計流量,或是此些成膜氣體的流量比,或是合計流量及流 量比。 例如,上述流量參差表資料,是依據表示在一分批處 理所預定處理的基板的枚數資料與上述處理氣體的流量參 數的目標値資料的關係的實驗資料所製作。這時候,較理 想爲,上述流量參數表資料,是藉由內插表示在一分批處 理的預定處理的基板的枚數資料與上述處理氣體的流量參 數的目標値資料的關係的實驗資料所製作。 又,較理想爲,上述加熱機構是具有對應於反應容器 內的複數區間的複數加熱手段,設有記憶對應於一分批處 理所預定處理的基板的枚數資料與各區間的溫度的目標値 資料的溫度表資料的溫度表資料記憶部;上述控制手段, -8- (5) (5)200414316 是按照在一分批處理所預定處理的基板的實驗枚數’而依 據被記憶在上述溫度表資料記憶部的溫度表資料,得到各 區間的溫度目標値資料,而且依照該目標値資料能控制上 述加熱手段。 又,較理想爲,設有記憶對應在一分批處理所預定處 理的基板的枚數資料與上述保持具的基板的配置安裝設計 資料的配置安裝設計表資料的配置安裝設計表資料記憶部 上述控制手段,是按照在一分批處理所預定處理的基 板的實際枚數,向依據被記憶在上述配置安裝設計表資料 記憶部的配置安裝設計表資料,得到配置安裝設計資料, 而且依照該配置安裝設計資料能將上述基板保持在保持具 〇 又,較理想爲,設有在上述成膜速度由所定容許範圍 偏離時,依據該成膜速度與事先所求得的處理氣體的每一 單位流量的成膜速度的變化分量調整處理氣體的流量的調 整手段。 又,本發明的熱處理方法,針對於使用具備:保持複 數基板的保持具,及搬入有上述保持具的反應容器,及在 上述反應容器供給處理氣體的處理氣體供給機構,及在供 給上述處理氣體時加熱上述反應容器而在基板施以成膜處 理的加熱機構的熱處理裝置的熱處理方法,其特徵爲具備 :依據對應在一分批處理所預定處理的基板的枚數資料與 上述處理氣體的流量參數的目標値資料的流量參數各區間 -9- (6) (6)200414316 的溫度的目標値資料的溫度表資料,按照在一分批處理所 預定處理的基板的實際枚數,得到上述處理氣體的流量參 數的目標値資料的工程,及依照上述處理氣體的流量參數 的目標値資料控制上述處理氣體供給機構的工程;上述流 量參數的目標値資料,是在所預定處理的基板枚數互相不 相同的分批處理間使得成膜速度決定成一致。 依照本發明’當對於基板以分批式進行熱處理時,並 不是經常在將基板滿載於保持具的狀態下進行熱處理,而 依據按照以一分批欲處理的基板枚數的處理氣體的流量參 數的目標値可進行熱處理。因此即使以一分批所處理的基 板枚數少於對應於滿載的枚數,並不是利用虛擬晶圓將保 持具作成滿載狀態也可進行熱處理。亦即,成爲不需要用 以將基板作成滿載狀態的虛擬基板,而可得到低成本化。 又,流量參數的目標値是欲處理的基板枚數互相不相同的 分批處理間決定成膜速度成爲一致之故,因而不管在一分 批所處理的基板的枚數,使得薄膜的膜質在各分批間一致 〇 較理想爲,以處理時間除算在各分批處理被成膜於基 板的薄膜的平均膜厚的數値的最小値與最大値的相差是 0.5 n m / 分。 又,較理想爲,上述加熱機構是具有對應於反應容器 內的複數區間的複數加熱手段;上述熱處理方法是又具備 :依據對應在一分批處理所預定處理的基板的枚數資料與 各區間的溫度的目標値資料的溫度表資料,按照在一分批 -10- (7) (7)200414316 處理所預定處理的基板的實際枚數,得到各區間的溫度的 目標値資料的工程,及依照上述各區間的溫度的目標値資 料控制上述加熱手段的工程。 【實施方式] 以下,作爲本發明的熱處理裝置的一實施形態。說明 進行成膜處理的縱型熱處理裝置。首先,一面參照第1圖 一面簡單地說明縱型熱處理裝置的整體構成。第1圖中, 2 〇是形成裝置的外裝部的框體;2 1是托架搬入出部;2 2是 托架搬運機構;23是托架堆料機;以是交接合。當收納基 板的半導體晶圓(在第1圖中省略)的托架C被搬入在托架 搬入出部2 1,則利用托架搬運機構2 2,托架C是例如被搬 運至托架堆料機2 3後一旦被保管。之後,托架C是成爲在 適當時機被搬運至交接台2 4。又,設在晶圓裝載室2 5內的 晶圓移載手段3是構成從交接台2 4上的托架C內取出晶圓W ,並移載至設在晶舟昇降機6上的保持具的晶圓晶舟2 7。 又,晶圓晶舟27是成爲利用晶舟昇降機26上昇,而能被搬 進加熱爐4內。 使用第2圖詳細加熱爐4的周邊部位。如第2圖所示地 ,加熱爐4是具備如兩端開口的內管4 1 a及上端封閉的外管 4 1 b所構成的如透明石英製雙重管構造的反應管4 1。能圍 繞該反應管4 1的周圍地,作爲加熱手段,設有如電阻加熱 體所構成的加熱器5。反應管4 1內的熱處理環境,是朝上 方方向被分割成複數區間。加熱器5是每一各區間另外地 -11 - (8) (8)200414316 可進行加熱控制地,分割地設在每一各區間(5 a〜5 e ) ^ 此些區間加熱器5 a〜5 e是分別構成利用來自溫度控制器5 1 (5 1 a〜5 1 e )的控制信號能控制溫度。 又,內管4 1 a及外管4 ] b的下部側,是藉由筒狀歧管4 2 所支持。在該歧管4 2,供給口開口在內管4 1 a內側的下部 領域地連接有複數氣體供給管6。在第2圖中,爲了方便, 表示有兩支氣體供給管6 ( 6 1、6 2 )。在此些氣體供給管 6 1、6 2分別經由閥v A 1、V A 2,例如流量控制器所構成的 流量調整部63、64,及閥VB1、VB2,連接有氣體供給源 6 5、6 6。在此例,氣體供給源6 5、6 6是分別爲處理氣體的 二氯矽烷氣體及氨氣體的供給源。 又,在歧管4 2能從內管4 1 a與外管4 1 b之間排出氣體般 連接有在未圖示的真空泵有一端側被連接的排氣管4 3。 在此例利用內管41a、外管41b及歧管42構成反應器。歧管 42的下端開口部是藉由設在晶舟昇降器26的上端部的蓋體 4 4成爲被堵住的狀態。在該蓋體4 4與晶圓晶舟2 7之間,介 設有利用如未圖不的驅動部能旋轉自如地所構成的旋轉台 4 5、及被支持在該旋轉台4 5的保溫單元4 6。 該縱型熱處理裝置是具備控制部7。該控制部7是構成 將相當於控制信號的溫度目標値的信號傳送至溫度控制器 5 1 ( 5 1 a〜5 1 e ),而且將相當於控制信號的流量目標値的 信號傳送至流量調整部6 3、6 4。參照第3圖更詳述控制部7 的構成。在第3圖中,70是匯流排;71是CPU (中央處理 部);7 2是程式容納部;7 3是處理條件容納部;7 4是輸入 •12- 200414316 Ο) 部。在程式容納部7 2內,容納有從下述的記憶部讀出資料 所用及進行運算等所用的程式。在此例,C P U 7 1及程式容 納部72構成讀出下述的資料而製作控制所用的處理手段( 控制手段)。在處理條件容納部7 3內,例如在須成膜的薄 膜種類等的每一種別,容納有記載著加熱器5的溫度調整 ,氣體供給管6的閥V A 1等的開閉調整,壓力調整等的處 理順序的處理條件。輸入部7 4是具有利用操作人員所操作 的操作面板及鍵盤等。選擇處理條件等,經由輸入部7 4所 進行。 _ 在第3圖中,75是記憶分批尺寸一流量的關係資料的 第一記憶部。所謂分批尺寸,是意味著在一分批的熱處理 時保持在晶圓晶舟的成品晶圓的枚數。在此所謂流量是流 量參數的一例,爲處理氣體的二氯矽烷氣體及氨氣體的合 計流量。又,所謂分批尺寸-流量的關係資料,是在每一 分批尺寸記載有適用於其分批尺寸的氣體流量的表資料。 例如,在成品晶圓的枚數爲2 5枚時成爲滿載狀態時’記載 著適用於1枚至2 5枚的各枚數的氣體流量。該資訊是依據 β 例如第4圖的圖表(a )所製作。 在該圖表(a)中,分批尺寸設定在3枚、6枚、10枚 、13枚、17枚、22枚、25枚的七種類,在各分批尺寸中’ 二氯矽烷氣體及氨氣體的流量比成爲一定的一方’合計流 量被調整,藉由熱處理所成膜的氮化矽膜的膜厚被測定’ 以熱處理時間除算其膜厚求出成膜速度’標繪各分批尺寸 的成膜速度成爲一致的合計流量。在第4圖’各分批尺寸 -13- (10) (10)200414316 的成膜速度記載作爲圖表(b )。由此,藉由如圖表(a ) 地設定,可理解成膜速度在各分批間成爲一致。例如分批 尺寸爲1 0亦即在處理1 0枚時,將流量作成1 2 0 s c c m,就可 達成目標的成膜速度。 在此,各分批尺寸的膜厚値,是對於配置於成品晶_ 須配置的領域的一枚測試用的晶圓所求得的例如平均膜厚 。又,所謂各分批尺寸的成膜速度成爲一致的合計流量, 是例如各分批的成膜速度的最小値與最大値的相差成;^ 0 · 0 5 n m /分以內的合計流量。本發明人認爲若成膜速度 的偏差程度控制在該範圍內,則在各分批尺寸所成膜的薄 膜膜質爲均勻,亦即,分批間的薄膜膜厚爲均勻。實際上 ,利用SEM (電子掃描顯微鏡)確認膜質時,若各分批的 成膜速度的最小値與最大値的相差爲〇 · 〇 5 nm /分以內, 則膜質是同等。 在第4圖,雖只有七點資料,惟在被記憶在上述第一 記憶部7 5內的分批尺寸-流量的關係資料,利用內插第4 圖的圖表(b ),求得各分批尺寸的資料而被輸入。又, 上述圖表(b )被儲存在第一記憶部7 5內,該圖表被內插 而被輸出也可以。 又,第4圖的圖表,是實際在各種每一熱處理溫度地 被製作。依據該圖表,各種每一熱處理溫度地製作分批尺 寸-氣體流量的關係資料,而被記憶在上述第一記憶部7 5 內。 如既述地,在本發明,藉由以每一分批尺寸地設定的 -14- (11) 200414316 流量進行熱處理,使各分批間的成膜速度成爲一致 ,在成膜速度留下若干偏差時,依分批尺寸,微妙 各區間1〜5的溫度目標値較理想。如此在此例,在 7設有記憶分批尺寸一溫度的關係資料的第二記憶 所謂分批尺寸-溫度的關係資料,是對應分批尺寸 谷益內的各區間1〜5的溫度的目標値的資料。例衣 所示地,每一各分批尺寸地記載著各區間1〜5的溫 値的表資料。「L」是表示分批尺寸,亦即表示分 品晶圓的枚數。方便上,記憶著成品晶圓的枚數爲 =3) 、13 枚(L=13) 、25 枚(L=25枚)的情形 性溫度目標値,惟實際上,記載著1枚至2 5枚的各 的數値。所S胃區間1〜5,爲分別藉由區間加熱益5 2 加熱控制的領域。在該例子中,中央區間3的溫度 是在任一分批尺寸均作爲相同値。例如當晶圓W的 溫度(處理溫度)被設定時,任於成品晶圓群排列 的成品晶圓的溫度被控制成爲其熱處理溫度。在互 同的分批尺寸間將成膜速度作成一致的本實施例, 動成品晶圓群的中央的溫度目標値,微妙地變更上 的溫度目標値,可說微妙地調整溫度斜度。 表示各分批尺寸的成膜速度的第4圖的圖表(b 得到依據分批尺寸-流量的關係資料與上述分批尺 度的關係資料得到加熱控制的結果者。但是,本發 各分批尺寸之間利用調整流量者能確保成膜速度的 ,則不必在分批尺寸之間調整各區間1〜5的溫度目 。但是 地變更 控制部 部76。 Mi ^ fffi ]第5圖 度目標 批的成 3枚(L 是具體 該情形 〜5 e所 目標値 熱處理 的中央 相不相 爲不變 下區間 ),是 寸一溫 明是在 均勻性 標値, -15- (12) (12)200414316 亦即不使用分批尺寸-溫度的關係資料也可以。又,分批 尺寸-溫度的關係資料,是並不一定對於所有分批尺寸加 以製作也可以。例如,僅對於例如既述的七種分批尺寸的 特定分批尺寸可記載各區間1〜5的溫度目標値。這時候’ 對於其他分批尺寸的各區間1〜5的溫度目標値,由此些的 資料經內插可求出。 又,控制部7是具備晶圓配置安裝設計決定部7 7。該 晶圓配置安裝設計決定部7 7是記載著在各分批尺寸中如何 地決定成品基板的配置安裝設計的運算的記憶部。例如’ 利用25枚成品晶圓就成爲滿載的情形’晶圓晶舟27是一般 具有2 9段的保持溝(溝)。依照上述運算,若將最上段作 爲第一段,則將第I 5段作爲中心配置有成品晶圓P w ’在 成品晶圓P W的上下配置有監測晶圓M W,而在此些的上下 又配置有虛擬晶圓DW。在第6圖表示分批尺寸爲3 (L=3 )及2 5 ( L二2 5 )時的晶圓的配置安裝設計。第6圖中的 < >是表示晶圓晶舟2 7的段數。第6圖的例子是成品枚 數爲奇數的情形。在成品枚數爲偶數時,例如以第1 5段作 爲基準而使下側枚數較上側多地決定晶圓配置安裝設計。 虛擬晶圓DW是配置成爲了容易進行成品晶圓PW的配置領 域的溫度控制。監測晶圓M W是配置成爲了評價藉由分批 處理被成膜在成品晶圓P w的薄膜。 回到第3圖,在控制部7連接有計數器8 1,被記載於第 1圖的晶圓W的移載手段3、溫度控制器5 1 ( 5 1 a〜5 1 e )及 流量調整部65、66。計數器8 1是例如依據來自設在托架搬 -16- (13) (13)200414316 入出部2 1的反射型光感測器等所構成的未圖示的面掃描感 測器的信號,計數托架搬入出部2 1上的托架C內的成品晶 圓的枚數。控制部7是對於各托架C,把握放在托架堆料機 2 3內的那一位置,或以那一虛擬進行熱處理。因此’若計 數著被搬入在托架搬入出部2 1的時刻的各托架C內的成品 晶圓的枚數,則可把握在各分批處理被熱處理的成品晶圓 的枚數。但實際上,由事先工程的控制部或上位電腦有放 進幾枚的成品晶圓的托架C被搬入的資訊被傳送至縱型熱 處理裝置之故,因而即使未進行依面掃描感測器的晶圓計 | 數,也可把握各托架C內的晶圓枚數。尤其是使用晶圓的 計數與被傳送的資訊的雙方者確實性較高。又,操作人員 也可經由輸入部7 4輸入分批尺寸。 又,一面參照表示於第7圖的工程圖,一面說明本實 施形態的作用。首先,托架C從外部被搬入至托架搬入出 部2 1 (步驟S 1 )。之後,按照處理種別,經由輸入部74從 處理條件選擇部7 3中選擇所對應的處理條件(步驟s 2 )。 又’如既述地’藉由s十數益7 8計數托架C內的成品晶圓P W 鲁 的枚數’並使得該枚數資訊被取進控制部7內。依據該枚 數資訊’把握由此欲進行的熱處理的分批尺寸(步驟s 3 ) 。CPU 71是依據程式收納部72內的程式,參照第一記憶 部7 5內的分批尺寸一流量的關係資料而求得對應於該分 批尺寸的處理氣體的流量,而且參照第二記憶部7 6內的分 批尺寸-溫度的關係資料而求得對應於該分批尺寸的溫度 斜度(各區間1〜5的溫度目標値)。(步驟s4) - 17- (14) (14)200414316 又,晶圓配置安裝設計決定部77是決定對應於該分批 尺寸的成品晶圓、虛擬晶圓及監測晶圓的配定安裝設計( 步驟S 5 ) 。C P U 7 1是依照程式收納部7 2內的程式,能成 爲所決定的配置安裝設計般地在未圖示的控制器輸出控制 信號而控制移載手段3。由此,晶圓W被移載至晶圓晶舟 27 (步驟S6)。然後,晶圓晶舟27是錯由晶舟昇降機26被 搬進反應容器內。之後,在所定壓力及溫度下二氯矽烷 及氨氣體分別從處理氣體供給管6 ( 6 1、62 )供給於反應 容器內’對於晶圓W進行熱處理而使矽氮化膜被成膜(步 麵 驟S 7 )。亦即,熱處理是依據記載於所選擇的處理方法的 步驟及參數値所進行。因此,對於處理氣體的流量,控制 信號被輸出至流量調整部6 5、6 6而調整流量成爲按照分批 尺寸的流量,或是在此例中,對於各區間1〜5的溫度目標 値,也有控制信號被輸出至溫度控制器5 1 ( 5 1 a〜5 1 e )而 控制加熱器5 ( 5 a〜5 e )的溫度成爲按照分批尺寸的溫度 。之後’進行所定時間的熱處理之後,從反應容器內搬出 晶圓晶舟2 7 (步驟S 8 ) 。 ♦ 依照上述實施形態,並不是經常將晶圓W滿載於晶圓 晶舟2 7的狀態下進行熱處理,而是依照按照在一分批欲處 理的成品晶圓的枚數的處理氣體的流量參數(在此例爲合 計流量的目標値)進行熱處理。因此,成爲不需要用以成 爲滿載狀態的虛擬基板,可得到低成本化,又也可抑制降 低產量。 又’流量參數的目標値是決定成在一分批欲處理的成 -18- (15) (15)200414316 品晶圓的枚數互相不相同的分批處理的期間使得成膜速度 成爲一致之故,因而不管在一分批所處理的成品基板枚數 ,使得薄膜膜質在各分批間成爲一致。亦即,因流量變更 而有顧慮膜質變化,惟可能爲因保存成膜速度還變更流量 ,而能保存膜質。更詳述,成膜速度是以晶圓的溫度與晶 圓近旁的氣體環境。因此,即使變更流量,在相同溫度下 成膜速度也相同,爲也可說晶圓近旁的氣體環境也相同。 又,若晶圓溫度與氣體環境相同,則所成膜的薄膜膜質也 爲一定。所以,即使元件的電路圖案作成微細化而更薄膜 化,也可抑制元件特性的偏差程度。 又,事先求得上述合計流量的每一單位流量的膜厚, 亦即事先求得感度常數(n m / s c c m ),測定熱處理後對 於監測晶圓的膜厚,若該膜厚從容許的膜厚偏離時,則以 感度係數除算膜厚差求出相當的流量的增減分量,而流量 僅調整其增減分量的流量。此乃爲事先求出上述合計流量 的每一單位流量的成膜速度(感度常數),而對於所得到 的薄膜的成膜速度若從容許成膜速度偏離時,與依據該相 差與感度常數來修正流量實質上相同。 第8圖是表示用以實施此種方法的控制部7的構成的一 例。在第7圖中,流量參數修正部79是依據上述感度常數 ,及所輸入的膜厚測定値與容許膜厚値的相差分量來修正 流量的部位。流量被修正之後,以該修正後的流量進行熱 處理。又如第8圖所示地,來自膜厚測定部8的膜厚測定値 即時被輸入至控制部7較理想。這時候,分別地可自動地 -19- (16) (16)200414316 進行求得膜厚測定値與事先決定的容許膜厚値的相差的工 程,依據感度常數而求出流量修正分量的工程,修正流量 的工程。監測晶圓是可成膜與成品晶圓同等的薄膜。因此 ,所謂依據監測晶圓的膜厚測定値來修正流量,爲與成品 晶圓的膜厚測定値來修正流量同等。又,代替監測晶圓, 依據成品晶圓的膜厚來修正流量也可以。 在以上中,所謂流量參數,爲如使用兩種類的成膜氣 體時,並不被限定於將此些氣體的流量比作成一定的合計 流量者。例如流量參數是可爲將合計流量作成一定的流量 比,或是流量比及合計流量的雙方者。又,使用傳輸氣體 時,流量參數是傳輸氣體與成膜氣體的流量比也可以,或 是將傳輸氣體的流量作成一定時的複數種類的成膜氣體的 流量比等也可以。 又,本發明是並不被限定於藉由CVD等形成薄膜的處 理,例如也可以適用於氧化矽膜而形成氧化膜的情形。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的一實施形態的熱處理裝置的整 體槪略構造的立體圖。 第2圖是表示第1圖的熱處理裝置的加熱爐周邊的縱剖 視圖。 第3圖是表示第1圖的熱處理裝置的控制系統的說明圖 〇 第4圖是將成膜速度重複顯示分批尺寸與氣體流量的 •20- (17) (17)200414316 目標値的關係的圖表。 第5圖是表示對應分批尺寸與各區間的溫度目標値的 資料的說明圖。 第6圖是表示晶圓晶舟上的晶圓的配置安裝設計的一 例的說明圖。 第7圖是表示說明本實施形態的作用所用的工程圖。 第8圖是表示本發明的其他實施形態的控制系統的說 明圖。 第9圖是表示習知的熱處理裝置的槪略立體圖。 ® 〔主要元件對照表〕 11 縱 型 加 埶 爐 12、2 7 晶 圓 晶 舟 1 3、26 晶 舟 昇 降 機 2 1 托 架 搬 入 出 部 2 2 托 架 搬 送 機 構 23 托 架 堆 料 機 24 交 接 台 25 晶 圓 裝 載 室 4 加 執 爐 5 加 熱 器 6、6 1、 62 氣 體 供 給 7 控 制 部 8 移 載 手 段 -21 - (18)200414316 4 1 反應管 42 歧管 5 1 溫度控制器 63、 64 流量調整部 65、 66 氣體供給源 43 排氣管 44 蓋體 45 旋轉台 46 保溫單元 70 匯流排 7 1 CPU 72 程式收納部 73 處理條件收納部 74 輸入部 75 第1記憶部 76 第2記憶部 77 晶圓配置安裝設計決定部 79 流量參數修正部 8 1 計數器 C 托架 W 晶圓 VB 1 、VB2 閥
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