CN1708833A - 热处理装置和热处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明的热处理装置配备：保持多个基板的保持器；搬入所述保持器的反应容器；把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和在所述处理气体供给时，对所述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据储存在流量参数表数据存储部内。控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据，得到所述处理气体流量参数目标值数据，并遵从该目标数据，控制所述处理气体供给机构。所述流量参数目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。

Description

热处理装置和热处理方法

技术领域

本发明涉及对多枚半导体晶片等基板一并热处理的批量式热处理装置及热处理方法。

背景技术

众知，作为对多枚半导体晶片一并进行成膜处理、氧化处理等处理的批量式热处理装置有立式热处理装置。该装置，如图9所示，包含立式加热炉11和作为晶片保持机构的晶片保持架(晶片匣)12。晶片保持架12按照如下构成：以规定间距搁板状地保持多枚晶片W。在晶片保持架12上通过未图示的晶片转移机构转移晶片。其后通过保持架升降机13把晶片保持架12搬入加热炉11内，对晶片W进行规定的热处理。

在该热处理装置根据例如应成膜的薄膜种类、膜厚等，决定处理压力、处理温度、气体流量等处理条件(处理参数的目标值)。准备好写入这些处理条件的多个处方(recipe)。而且，操作者通过选择处方，根据与该处方对应而规定的处理条件，使热处理装置运转。这样的处方(处理条件)通过实际上在晶片保持架12满载晶片W进行热处理，找到最佳处理条件而作成。

可是，在最近，与其按照DRAM生产那样的小品种大量生产，不如增加按照系统LSI生产那样的多品种少量生产的方式。

立式热处理装置，在小品种大量生产的情况下，接受同一处理的晶片积累到规定枚数的时刻，进行一并处理(满批量处理)，可以提高作为整体的生产率，然而在多品种少量生产的情况下，接受同一处理的晶片积累到规定枚数的时间长，难以获得所谓基于成批处理的高生产率的优点。

另一方面，如果对不同晶片枚数，用同一处理参数进行热处理，则膜特性不同，并与晶片枚数有关。例如，对少量晶片使用与多量晶片相同参数进行处理的情况下，成膜速度、面内均匀性等发生变化。作为回避它的方法存在有，在制品晶片以外，准备好称为模拟(dummy)晶片的晶片，只以不足的枚数使用模拟晶片，使晶片保持架作成满载状态，在晶片满载时的通常条件下进行热处理的方法。

然而，模拟晶片成本高。此外，模拟晶片每经多次处理、洗净，重复使用，然而，对使用次数有限制，即有必要在一定使用次数后更换新的模拟晶片。因此，大幅增加运行成本。尤其是在晶片为大口径的情况下，例如300mm尺寸的晶片与200mm尺寸晶片比较，价格非常高，300mm尺寸的模拟晶片的成本也同样地高。在制品晶片枚数较少的情况下，转移模拟晶片需要的时间增加，即使在生产率这一点而言，也有问题。

发明内容

本发明基于这样的事例而完成的，其目的提供在对基板批量地进行热处理时，不论一批处理的基板枚数多少，薄膜的膜质在各批之间一致的热处理装置及热处理方法。

本发明的热处理装置包含：保持多枚基板的保持器；搬入前述保持器的反应容器；把处理气体供给前述反应容器的处理气体供应机构，在供给前述处理气体时对前述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热单元；存储在一批量处理中使预定处理的基板枚数数据和前述处理气体流量参数的目标值数据对应的流量参数表数据的流量参数表数据存储部；和根据在一批量处理中预定处理的基板的实际枚数，基于在前述流量参数表数据存储部内储存的流量参数表数据得到前述处理气体流量参数的目标值数据，并遵循该目标值数据，控制前述处理气体供给机构的控制机构，其特征为，前述流量参数的目标值数据按照在预定处理的基板枚数相互不同的批量处理间使成膜速度一致的方式决定。

根据本发明，在对基板批量式进行热处理时，不常常在保持器上满载基板的状态下进行热处理，而遵循与在一批要处理的基板枚数对应的处理气体流量参数的目标值进行热处理，因此即使在一批中处理的基板枚数比与满载状态对应的枚数少，也可不用模拟晶片使保持器作成满载状态而进行热处理。即，不要使基板作成满载状态的模拟基板，可谋求低成本化。而且，因为流量参数的目标值按照如下方式决定：在打算处理的基板枚数相互各异的批量处理间，使成膜速度一致，所以不论一批量处理的基板枚数如何，薄膜的膜质在各批量之间一致。

优选对各批量处理在基板上成膜的薄膜平均厚度除以处理时间之值的最小值和最大值之差为0.05nm/分。

假设例如处理气体只是1种，则所谓流量参数便是该处理气体的流量。在处理气体包含与成膜直接有关的成膜气体和载气的情况下，例如是使两者的流量比一定的状态下的总计流量，或者两者的流量比，或者总计流量及流量比。所谓成膜气体不限于进行CVD时的成膜气体，例如在使硅晶片表面氧化形成氧化膜的情况下，与氧化气体相当。此外，作为处理气体，如后述的实施方式所示，用多种成膜气体时，它是使这些成膜气体流量比为一定的状态下的总计流量，或者这些成膜气体的流量比，或者总计流量及流量比。

例如，前述流量参数表数据可根据表示在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和前述处理气体流量参数的目标值数据之间关系的实验数据作成。这种情况下，优选前述流量参数表数据可通过对表示在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和前述处理气体的流量参数的目标值数据之间关系的实验数据进行插值作成。

优选，前述加热单元具有与反应容器内多个区域对应的多个加热单元，设置储存使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和各区域的温度目标值对应的温度表数据的温度表数据存储部，前述控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在前述温度表数据存储部内储存的温度表数据，得到各区域温度的目标值数据，并遵循该目标值数据控制前述加热单元。

优选，设置储存使在一批量处理中预定处理的基板的枚数数据和前述保持器上的基板配置布局数据对应的配置布局表数据的配置布局表数据存储部，前述控制机构根据在一批量处理中预定处理的基板的实际枚数，基于在前述配置布局表数据存储部内储存的配置布局表数据，得到配置布局数据，并遵从该配置布局数据，将前述基板保持在保持器上。

优选，在前述成膜速度处于规定允许范围以外时，基于该成膜速度和预先求出的处理气体每单位流量的成膜速度的变化部分，设置调整处理气体流量的机构。

本发明是使用热处理装置的热处理方法，该热处理装置具有：保持多个基板的保持器；搬入前述保持器的反应容器；把处理气体供给前述反应容器的处理气体供给机构；和在供给前述处理气体时对前述反应容器加热，对基板施以成膜处理的加热机构，本发明的热处理方法的特征为，具有以下工序，即：基于使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和前述处理气体流量参数目标值数据对应的流量参数表数据，根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，得到前述处理气体流量参数的目标值数据的工序；和遵循前述处理气体的流量参数目标值数据，控制前述处理气体供给机构的工序，前述流量参数目标值数据按照如下方式决定：在预定处理的基板的枚数相互各异的批量处理间，使成膜速度一致。

根据本发明，在对基板进行批量式热处理时，不常在保持器上满载基板的状态下进行热处理，而遵循与在一批量中打算处理的基板枚数对应的处理气体的流量参数的目标值进行热处理。因而，即使在一批量中处理的基板枚数比满载状态对应的枚数还少，不用模拟晶片使保持器为满载状态下而进行热处理。即，不要用于使基板作成满载状态的模拟基板，可谋求低成本化。而且，因为流量参数的目标值按照如下方式决定：打算处理的基板枚数在相互各异的批量处理间，使成膜速度一致，所以不论在一批量中处理的基板枚数如何，薄膜的膜质在各批量之间一致。

优选，对各批量处理将在基板上成膜的薄膜平均厚度除以处理时间之值的最小值和最大值之差为0.05nm/分。

优选，前述加热机构具有与反应容器内的多个区域对应的多个加热单元，前述热处理方法还包含基于使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和各区域的温度目标值数据对应的温度表数据，根据在在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，得到各区域温度的目标值数据的工序；和遵循前述各区域的温度目标值数据，控制前述加热单元的工序。

附图说明

图1是表示本发明一实施方式的热处理装置整体概略构造的立体图。

图2是表示图1的热处理的加热炉周边的纵截面图。

图3是表示图1的热处理的控制系统的说明图。

图4是在表示批量大小和气体流量目标值之间关系的数据上加上成膜速度而表示的曲线图。

图5是表示使批量大小和各区域温度目标值对应的数据的说明图。

图6是表示晶片保持架上的晶片配置布局的一例的说明图。

图7是用于说明本实施方式作用的工序图。

图8是表示本发明其它实施方式控制系统的说明图。

图9是表示现有技术热处理装置的概略立体图。

具体实施方式

以下，作为本发明热处理装置一实施方式，对进行成膜处理的立式热处理装置加以说明。首先，边参照图1，边对立式热处理装置的整体构成加以简单说明。图1中，20是构成装置外装部的框体，21是载体搬入搬出部，22是载体传送机构，23是载体贮藏柜，24是交接载物台。如果收容作为基板的半导体晶片(在图1，省略)的载体C搬入到载体搬入搬出部21，则通过载体传送机构22，载体C例如传送到载体贮藏柜23内暂时保管。其后，载体C适时地传送到交接载物台24。在晶片负载室25内设置的晶片转移机构3按照如下构成：从交接载物台24上载体C内取出晶片W，转移到作为在保持架升降器26上设置的保持器的晶片保持架27。晶片保持架27通过保持架升降机26上升，搬入到加热炉4内。

在这里，用图2对加热炉4周边部位加以详细地说明。如图2所示，加热炉4配备由例如两端开口的内管41a及上端闭塞的外管41b构成的例如石英制双层管构造的反应管41。作为加热单元设置例如由电阻加热体构成的加热器5，包围该反应管41的周围。反应管41内的热处理环境气体在上下方向分成多个区域。加热器5按照各个区域(5a-5e)分割设置，以便可以对各个区域单独地进行加热控制。这些区域加热器5a～5e分别构成，以便通过从温度控制器51(51a～51e)来的控制信号对温度加以控制。

内管41a及外管41b的下部侧上通过筒状歧管(manifold)42支撑。多条气体供给管6与该歧管42连接，以便在内管41a的内侧的下部领域上使供给口开口。在图2，为了方便，表示2条气体供给管6(61、62)。这些气体管61、62上分别经阀VA1、VA2，例如由质量流量控制器构成的流量调整部63、64以及阀VB1、VB2连接气体供给源65、66。在本例，气体供给源65、66分别是作为处理气体的二氯硅烷气体(dichlorosilane)及氨气的供给源。

一端侧与未图示的真空泵连接的排气管43与歧管42连接，以便从内管41a和外管41b之间对气体进行排气。在本例上通过内管41a、外管41b以及歧管42构成反应容器。歧管42下端开口部通过在保持架升降器26的上端部上设置的盖体44堵塞。在该盖体44和晶片保持架27之间介入设置有例如通过未图示的驱动部旋转自如地构成的旋转台45和被该旋转台45支撑的保温单元46。

该立式热处理装置配备控制部7。该控制部7这样构成，把与作为控制信号的温度目标值相当的信号传送到温度控制器51(51a～51e)，并把与作为控制信号的流量目标值相当的信号传送到流量调整部63、64。参照图3，更加详细地说明控制部7的构成。在图3，70是总线，71是CPU(中央处理部)，72是程序存储部，73是处方(recipe)收容部，74是输入部。在程序储存部72内储存用于从后述的存储部读出数据以及用于进行演算等的程序。在本例，CPU71及程序储存部72构成用于读出后述的数据、作成控制信号的处理机构(控制机构)。处方储存部73内例如对应成膜的薄膜种类等的每一种类储存了记载有加热器5的温度调整、气体供给管6的阀VA1等的通·断调整、压力调整等的处理顺序的处方。输入部74具有由操作者操作的操作屏以及键盘等。经输入部74进行处方选择。

在图3中，75是储存批量大小一流量关系数据的第一存储部。所谓批量大小意味着一批量热处理时在晶片保持架上保持的制品晶片枚数。在这里所谓的流量是流量参数的一例，是作为处理气体的二氯硅烷气体及氨气的总计流量。而且，批量大小一流量关系的数据是对每一批量大小，记载适合于该批量大小的气体流量的表数据。例如，在制品晶片的枚数为25枚时成为满载状态的情况下，记载了适合于从1枚到25枚的各枚数的气体流量。该数据基于例如图4的曲线(a)作成。

在该曲线(a)上批量大小设定如3枚，6枚，10枚，13枚，17枚，22枚，25枚7种，在各批量大小，在二氯硅烷及氨气的流量比一定的方案下调整总计流量，测量通过热处理成膜的氮化硅膜膜厚，用热处理时间除该膜厚求出成膜速度，对各批量大小下的成膜速度一致的总计流量作图。在图4，对各批量大小的成膜速度作成曲线(b)来记载。据此，通过如曲线(a)那样地设定，看到在各批量间成膜速度一致。例如在批量大小10，即10枚处理时，设流量为120sccm，可达到目标的成膜速度。

在这里，各批量大小的膜厚值是对要配置制品晶片的领域上配置的1枚试验用晶片求出的例如平均膜厚。所谓各批量大小的成膜速度一致的总计流量是例如各批量的成膜速度最小值和最大值之差成为0.05nm/分以内的总计流量。本发明者认为如果成膜速度偏差纳入该范围内，则在各批量成膜的薄膜质是均匀的，即，批量间的薄膜膜质是均匀的。实际上通过SEM(扫描电子显微镜)确认膜质时，如果各批量的成膜速度的最小值和最大差之差0.05nm/分以内，则膜质是相同的。

在图4，虽然只有7点数据，但是对于储存在上述第一存储部75内的批量大小一流量的关系数据，通过对图4的曲线(b)进行插值，求出各批量大小的数据而得以输入。前述曲线(b)也可以存储在第一存储部75内，对该曲线进行插值，输出。

图4的曲线实际上对各种热处理温度作成。基于它，对各种热处理温度的每一温度作成批量大小—气体流量关系数据，储存在前述第一存储部75内。

在本发明，如前所述，通过在对每批量大小设定的流量下进行热处理，可使各批量间的成膜速度一致。可是，在成膜速度残留若干偏差(波动)时，优选通过批量大小，对区域1～5的温度目标值作微妙变化。因此，在本例，在控制部7设置储存批量大小—温度关系数据的第二存储部76。所谓批量大小—温度关系数据是使批量大小和反应器内各区域1～5的温度目标值对应的数据。例如，如图5所示，是记载每批量大小下的各区域1～5温度目标值的数据表。「L」表示批量大小即一批量的制品晶片枚数。为了方便，记载了对制品晶片枚数为3枚(L＝3)，13枚(L＝13)，25枚(L＝25)的情况下的具体的温度目标值。然而，在实际上记载了对于1枚～25枚的各种情况下的数值。所谓区域1～5是分别通过各自的区域加热器5a～5e进行加热控制的领域。在本例，即使在任一批量大小，中央区域3的温度目标值也作成相同值。例如在设定晶片W的热处理温度(工艺过程温度)时，对位于制品晶片组并列的中央的制品晶片温度加以控制，以便成为其热处理温度。使相互各异的批量大小之间的成膜速度一致的本实施例，制品晶片组中央的温度目标值不移动，对上下区域的温度目标值作微妙地变更，可以说是对温度梯度作微妙地调整。

可是，表示各批量大小的成膜速度的图4曲线(b)是基于批量大小—流量关系数据和前述的批量大小—温度关系数据，得到的加热控制结果。可是，如果本发明是通过在各批量大小之间调整流量可确保成膜速度均匀性的，则即使在批量大小间不调整各区域1～5的温度目标值，即也可以不用批量大小—温度关系数据。此外，批量大小—温度关系数据也可以不对全部的批量大小作成。例如，只对特定的批量大小，例如，已述的7个批量大小，可记载各区域1～5的温度目标值。在这种情况下，对于其它批量的各区域1～5的温度目标可以对这些数据进行插值求得。

此外，控制部7包含晶片配置布局决定部77。该晶片配置布局决定部77是记载在各批量大小如何决定制品基板配置布局的算法(algorithm)的存储部。例如通过25枚制品晶片满载的情况下，晶片保持架27通常具有29层保持槽(槽缝slot)。根据前述算法，如果令最上层作为第一层，以第15层作为中心，配置制品晶片PW，在制品晶片PW的上下配置监视晶片MW，此外，在其上下配置模拟晶片DW。在图6表示批量大小3(L＝3)及25(L＝25)情况下的晶片配置布局。图6中的<  >表示晶片保持架27的层数。图6的例的制品枚数为奇数的情况。在制品枚数为偶数的情况下，例如以第15层作为基准，按照下侧的枚数比上侧多来决定晶片的配置布局。为了容易进行制品晶片PW的配置领域的温度控制，配置模拟晶片DW。为了评价通过该批量处理在制品晶片PW上成膜的薄膜，配置监控晶片MW。

如果返回到图3，在控制部7上连接计数器(counter)81、图1记载的晶片W的转移机构3、温度控制器51(51a～51e)及流量调整部65、66。计数器81例如根据从由载体搬入搬出部21上设置的反射型光传感器等构成的未图示的映射(mapping)传感器来的信号对载体搬入搬出部21上的载体C内的制品晶片枚数进行计数。控制部7针对各载体C，掌握在载体存储柜23内的哪个位置，在哪个时刻进行热处理。因此，如果搬入到载体搬入搬出部21的时刻对各载体C内制品晶片的枚数进行计数，则可以掌握在各批量处理下进行热处理的制品晶片枚数。但是在实际上，因为从前工序的控制部或上位计算机把所谓装入多少枚制品晶片的载体C搬入的信息传送到立式热处理装置，即使不通过映射传感器进行晶片计数，也可以掌握各载体C内的晶片枚数。不过，使用晶片计数和传递的信息双方的方案的可靠性高。操作者也可以经输入部74输入批量大小。

其次，边参照图7所示的工序图，边对本实施方式的作用加以说明。首先，从外部把载体C搬入到载体搬入搬出部21(步骤S1)。其次，根据处理类别，经输入部74，从处方选择部73中选择对应的处方(步骤S2)。而且，例如如前所述进行，载体C内制品晶片PW的枚数通过计数器78进行计数，该枚数信息输入到控制部7内。根据该数据信息，掌握从此开始进行的热处理的批量大小(步骤S3)。CPU71遵从程序存储部72内的程序，参照第一存储部75内的批量大小—流量关系数据，求出与该批量大小对应的处理气体流量，并参照第二存储部76内的批量大小—温度关系的数据，求出与该批量大小对应的温度梯度(各区域1～5的温度目标值)(步骤S4)。

此外，晶片配置决定部77决定与该批量大小对应的制品晶片、模拟晶片及监控晶片的配置布局(步骤S5)。CPU71遵从程序存储部72内的程序把控制信号输出到未图示的控制器，控制转移机构3以便成为决定的配置布局。据此，晶片W转移到晶片保持架27上(步骤S6)。其后，晶片保持架27通过保持架升降器26搬入到反应容器内。而且在规定的压力及温度下从处理气体供给管6(61、62)分别把二氯硅烷及氨气供给反应容器内，对晶片W进行热处理，进行氮化硅膜成膜(步骤S7)。即，基于所选择的处方内记载的步骤及参数值进行热处理。因此，对于处理气体的流量，把控制信号输出到流量调整部65、66，调整流量，以便成为对应批量大小的流量，此外，在本例，对于各区域1～5的温度目标值，也把控制信号输出到温度控制器51(51a～51e)，控制加热器5(5a～5e)的温度，以便成为对应批量大小的温度。而且在进行规定时间的热处理之后，从反应容器内搬出晶片保持架27(步骤S8)。

根据上述实施方式，常常不在晶片保持架27上满载晶片W的状态下进行热处理，而且根据与在一批量中打算处理的制品晶片的枚数对应的处理气体流量参数(本例，总计流量的目标值)进行热处理。因此，不要用于满载状态的模拟基板，可以谋求低成本化。此外也抑制了生产率下降。

而且，因为流量参数目标值按照如下方式决定：在于一批中要处理的制品晶片枚数相互各异的批量处理之间成膜速度一致，所以不论在一批中处理中的制品基板枚数如何，薄膜的膜质在各批量间一致。即，担心因流量变更而膜质变化，然而认为在保持成膜速度下通过变更流量，也可以保持膜质。如果更详细地说，成膜速度由晶片温度和晶片附近的气体环境决定。因此，所谓即使变更流量在相同温度下成膜速度也是相同的，指的是晶片附近的气体环境是相同的。而且认为如果晶片温度和气体环境相同，则成膜的薄膜的膜质也保持一定。因此，即使对器件的电路图形进行微细化、薄膜化，也可抑制器件特性波动。

预先求出前述总计流量的每单位流量的膜厚，即灵敏度系数(nm/sccm)，测量对热处理后的监控晶片的膜厚，该膜厚与允许的膜厚不一致时，将膜厚差用灵敏度系数除求出相当的流量增减部分，也可以只以该增减部分调整流量。这种情况与预先求出前述总计流量的每单位流量的成膜速度(灵敏度系数)，在对得到的薄膜的成膜速度与允许的成膜速度不一致时，根据其差和灵敏度系数修正流量，在实质上是相同的。

图8表示用于实施这样手法的控制部7的构成一例。在图7，流量参数修正部79是基于前述灵敏度系数和输入的膜厚测量值与允许膜厚值之差而修正流量的部位。在流量修正后，在该修正后的流量下进行热处理。此外，如图8所示，优选来自膜厚测量部8的膜厚测量值在线实时输入到控制部7。这种情况下求出膜厚测量值和规定的允许膜厚值之差的工序，根据灵敏度系数求出流量修正部分的工序，修正流量的工序可各自分别自动地进行。认为监控晶片是与制品晶片同等的薄膜成膜。因此，所谓基于监控晶片的膜厚测量值进行修正流量是与基于制品晶片的膜厚测量值修正流量是同等的。也可以基于制品晶片的膜厚取代监控晶片修正流量。

在以上，所谓流量参数，不限于例如在使用2种成膜气体的情况下使这些气体的流量比一定的总计流量。例如，流量参数是使总计流量一定的流量比、或是流量比及总计流量双方。此外，在使用载体气体时，流量参数也可以是载体气体和成膜气体之间的流量比，也可以是使载体气体流量一定时多种成膜气体的流量比。

本发明不限于通过CVD等形成薄膜的处理，也可以在例如对硅膜进行氧化形成氧化膜的情况下使用。

Claims (12)

1、一种热处理装置，其特征为，包括：

保持多个基板的保持器；

搬入前述保持器的反应容器；

把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；

在供给所述处理气体时，对所述反应容器加热，在基板上施以成膜处理的加热机构；

储存使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体流量参数的目标值数据对应的流量参数表数据的流量参数表数据存储部；和

根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，基于在所述流量参数表数据存储部储存的流量参数表数据，得到所述处理气体的流量参数的目标值数据，并遵从该目标值数据控制所述处理气体供给机构的控制机构，

所述流量参数的目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。

2、根据权利要求1所述的热处理装置，其特征为，

在各批量处理，对于基板上成膜的薄膜将其平均膜厚除以处理时间得到的值的最小值和最大值之差为0.05nm/分。

3、根据权利要求1或2所述的加热处理装置，其特征为，

所述流量参数是所述处理气体的流量。

4、根据权利要求1或2所述的加热处理装置，其特征为，

所述处理气体供给机构把多种处理气体供给到所述反应容器，

所述流量参数是多种处理气体的总计流量及流量比至少一方。

5、根据权利要求1～4的任一项所述的加热处理装置，其特征为，

所述流量参数表数据是基于表示在一批量处理中预定处理的基板枚数数据和所述处理气体流量参数的目标值数据之间关系的实验数据而作成的。

6、根据权利要求5所述的热处理装置，其特征为，

所述流量参数表数据是通过对表示在一批量处理中预定处理的基板的枚数数据和所述处理气体的流量参数的目标值数据之间关系的实验数据进行插值而作成的。

7、根据权利要求1～6的任一项所述的热处理装置，其特征为，

所述加热机构具有与反应容器内的多个区域对应的多个加热单元，

设置储存使在一批量处理中预定处理的基板枚数据与各区域的温度目标值数据对应的温度表数据的温度表数据存储部，

所述控制机构根据在一批量处理中预定处理基板实际枚数，基于在所述温度表数据存储部内储存的温度表数据，得到各区域的温度目标值数据，并遵循该目标值数据，控制所述加热单元。

8、根据权利要求1～7的任一项所述的热处理装置，其特征为，

设置储存使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述保持器的基板配置布局数据对应的配置布局表数据的配置布局表数据存储部，

所述控制机构根据在一批量处理中预定处理基板的实际枚数，基于在所述配置布局表数据存储部内储存的配置布局表数据，得到配置布局数据，并遵从该配置布局数据，在保持器上保持所述基板。

9、根据权利要求1～8的任一项所述的热处理装置，其特征为，

设置有在所述成膜速度落在规定的允许范围之外时，基于该成膜速度和预先求出的处理气体每单位流量的成膜速度的变化部分而调整处理气体流量的机构。

10、一种热处理方法，使用如下结构的热处理装置，该热处理装置包括：

保持多个基板的保持器；

搬入所述保持器的反应容器；

把处理气体供给所述反应容器的处理气体供给机构；和

在供给所述处理气体时，对所述反应容器加热，在基板上施以成膜处理的加热机构，

该热处理方法包括：

基于使在一批量处理中预定处理的基板枚数数据与所述处理气体的流量参数目标值数据对应的流量参数表数据，根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，得到所述处理气体的流量参数目标值数据的工序；和

遵从所述处理气体的流量参数目标值数据，控制所述处理气体供给机构的工序，

所述流量参数的目标值数据按照如下方式决定：使在预定处理的基板枚数相互各异的批量处理间成膜速度一致。

11、根据权利要求10所述的热处理方法，其特征为，

在各批量处理，对于在基板成膜的薄膜将其平均膜厚除以处理时间得到的值的最小值和最大值的差为0.05nm/分。

12、根据权利要求10或11所述的热处理方法，其特征为，

所述加热机构具有与反应容器内的多个区域对应的多个加热单元，还包含以下工序：

基于使在一批量处理中预定处理的基板的枚数数据与各区域的温度目标值数据对应的温度表数据，根据在一批量处理中预定处理的基板实际枚数，得到各区域的温度目标值数据的工序；和

遵从所述各区域的温度目标值数据而控制所述加热单元的工序。

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