TW200303851A - Large-sized substrate and method of producing the same - Google Patents

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TW200303851A
TW200303851A TW092102004A TW92102004A TW200303851A TW 200303851 A TW200303851 A TW 200303851A TW 092102004 A TW092102004 A TW 092102004A TW 92102004 A TW92102004 A TW 92102004A TW 200303851 A TW200303851 A TW 200303851A
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Yukio Shibano
Satoru Miharada
Shuhei Ueda
Atsushi Watabe
Masaki Tabata
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Shinetsu Chemical Co
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Description

200303851 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光罩用合成石英玻璃基板，尤其有關作 爲用於TFT液晶面板等爲理想的大型基板及其製造方法 【先前技術】 TFT液晶面板，一般係採用封入液晶於組裝有TFT 元件於陣列側基板和安裝有濾色器的基板之間，而以TFT 來控制電壓來控制液晶之配向（取向）的主動方法。 於製造陣列側時，乃採用以光來曝光畫有稱呼爲大型 光罩之電路的原版，以對於無鹼等之母玻璃板印出很多層 的方法。另一方面，對於濾色器側也同樣地以使用稱呼爲 染料浸漬法的平版印刷法之方法來製造。而在製造陣列側 ，濾色器側之任一方時，均需要使用大型光罩，且爲了實 施良好精度的曝光，作爲該等大型光罩材料，主要乃使用 了線膨脹系數爲小之合成石英玻璃。 至今，液晶面板以從VGA到SVGA，XGA，SXGA， UXGA，QXGA已有進步爲高精緻化，而有要求需要從 lOOppi (pixel per inch，圖素 /英吋）級至 200ppi 的精緻 度，伴隨著該需要而對於TFT陣列側之曝光精度，尤其 對於疊合精度也成爲極嚴格。 又雖也有進行以所謂之低溫多晶矽技術來製造面板， 但在該狀態時，除了面板之圖素外，硏討著所謂印出驅動 -6 - (2) (2)200303851 電路等於玻璃外周部之情事，使得要求著更高精緻的曝光 〇 另一方面，有關大型光罩用基板，已了解其形狀會波 及影響於曝光精度。例如圖1，當以使用相異平坦度的兩 個大型光罩用基板來進行曝光時，會由光徑之差異而使圖 型成爲具有偏差。亦即，於圖1 (A) ， (B)，虛線係表 示光線在以直線行進時而光罩爲理想之平面時的路徑，但 實際上，光線會如圖示之實線會形成偏移。又在使用著會 聚焦之光學系的曝光機時，焦點位置會成爲從曝光面脫離 (偏移），以致具有所謂析像度變爲不好之現象。爲此， 爲了能更進一步之高精度曝光，要求著高平坦度的大型光 罩用基板。 又以一次的曝光就可獲得多面來增進面板的生產性爲 其目的，而也要求著所謂對角長度爲1 500mm之大尺寸的 光罩基板，使得以同時要求著大尺寸且高平坦度。 一般在製造大型光罩用基板時，乃採用所謂將板狀之 合成石英以使用懸浮氧化鋁等之自由磨粒於水之膏劑來硏 光，而在去除表面凹凸後，以使用懸浮氧鈽等之硏磨材料 於水之膏劑來拋光的方法。該時所使用之加工裝置乃使用 著兩面加工機或單面加工機。 然而，在該等之加工方法因利用對於壓住基板本身於 加工平板時所產生的彈性變形之彈回力來校正平坦度，因 而會在基板尺寸（大小）變爲大時，會使彈回力顯著地降 低，使得具有所謂用於去除基板表面之平穩坡度的凹凸用 -7- (3) (3)200303851 之能力會降低的缺點。圖2 (A)係顯示垂直保持基板1 時的形狀，（B)係顯示在以加工中之基板1形狀來加工 時，會形成追隨於平板，（C)係顯示對於該時之基板的 彈性變形的彈回力，因而會成爲較其他部分需要多加工該 力的份量（ΔΡ) ° 又一般也進行著所謂使用平面磨床來增進平坦度。 一般言，平面磨床乃採用予以通過被加物於被加工物 定置台和加工工具（刀具）之一定間隔，而以去除被加工 物之一定間隔以上的部分的方法。該時，倘若被加工物背 面未具有平坦度時，會由加工工具之硏磨阻力而壓住於被 加工物定置台，其結果，表面之平坦度會追隨於背面的平 坦度，以致平坦度並無法改善。 爲此，在於大型光罩用基板，雖容易抑制基板內厚度 之不均勻，但要獲得平坦度會成爲極爲困難之狀況，以習 知技術所能獲得的基板平坦度，雖會依據基板大小而有所 不同，但平坦度/基板對角長（度）最多也在於10χ 1(Γ 6 左右而已。 爲此，現在所供應TFT曝光用大型光罩用基板之平 坦度，在於330x 450mm大小之基板時爲4//m，平坦度/ 對角長度爲7.3χ 1(Γ 6爲其界限，以現狀言，在於更大基 板，並不具有7.3 X 1 (Γ 6以下者。 又在先前所進行之硏光加工時，如前述，因對於加工 中之基板的彈性變形之彈回力作成爲校正平坦度的原動， 因而對於不良平坦度者雖能在較爲短時間就可改善平坦度 -8- (4) (4)200303851 ，但伴隨著平坦度之變爲好而使彈性變形量也會變小，使 得彈回力也會變小，因而，平坦度會成極難以增進，以致 作爲現實問題，只能增加加工的去除份量而已，並無法獲 得高平坦度之基板。如此之情況，也會在平面硏磨時同樣 地產生。 本發明係鑑於上述情事而發明者，其目的係擬提供一 種至今未曾有之高平坦度的大型光罩用基板等之大型基板 及其製造方法者。 【發明內容】 [用以解決課題之手段] 本發明人等乃爲了達成上述目的而銳意檢討之結果， 而了解只要以部分性地加工去除僅有基板的凸部分，就能 穩定地獲得高平行度及高平坦度之大型光罩用基板等的大 型基板，而發明了本發明。 因此’本發明係要提供以下之大型基板及其製造裝置 〇 (I) 平坦度/對角長度爲6. Ox 10· 6的對角長度在於 5〇Omm以上之大型基板。 (II) (I)所記載之大型基板爲合成石英玻璃基板。 (ΠΙ) (I)或（II)所記載之大型基板，該大型基板爲 大型光罩用基板。 (IV) (I)或（II)所記載之大型基板，該大型基板爲 TFT液晶的陣列側基板 (5) (5)200303851 (V) 預先予以測定對角長度爲5 00mm以上之大型基 板的平坦度，並依據該資料（數據）且使用加工工具 （ 刀具）來部分性地去除基板凸部分，以增進上述大型基板 的平坦度爲其特徵之大型基板的製造方法。 (VI) —種大型基板的製造方法，其特徵爲：預先予 以測定對角長度爲5 00mm以上之大型基板的平坦度及平 行度，並依據該資料且由加工具來部分性地去除基板凸部 分及厚的部分，以增進上述大型基板的平坦度及平行度。 (VII) (V)或 （VI)所記載之大型基板的製造方法， 該大型基板爲合成石英玻璃基板。 (VIII) (V) 、 （VI)或（VII)所記載之大型基板的 製造方法，部分性去除方法係硏磨 （Grinding)、磨光 (Lapping)及拋光 （Polishing)之其中的任何一種以上之 方法。 (IX) (VIII)所記載之大型基板的製造方法，前述硏 磨，磨光及拋光的任何之一以上的方法係以定壓來進行。 (X) (V)、 （VI)或（VII) 所記載之大型基板的製 造方法，部分性去除方法係由噴砂所進行。 (XI) (V)至（X)之任一項所記載之大型基板的製造 方法，以移動基板及/或加工工具來去除基板表面的任意 位置。 以下’將更詳細地說明有關本發明。 本發明之大型基板，尤其理想爲合成石英玻璃基板， 其爲作爲光罩基板，TFT液晶的陣列基板等來使用者，對 -10- (6) (6)200303851 角長度爲500mm以上，理想爲具有500mm〜2000mm之尺 寸者。再者，該大型基板的形狀，可爲正方形，長方形， 圓形等，當爲圓形時，所謂對角長度係意味直徑。又該大 型基板之厚度雖未有所限制，但尤其在於5〜12mm者爲 其理想。 本發明之大型基板，其平坦度/基板對角長度爲6.Ox 1〇_ 6以下的高平坦度者，尤其理想爲在於4. Ox 10· 6以下 。再者，其下限雖未有所特別限制，但通常爲2.Οχ ΙΟ· 6 〇 又本發明之大型基板的平行度爲50//m以下，尤其 理想爲在於1 0 // m以下。再者，有關測定上述平坦度及 平行度，係依據平坦度測試器（日本國之黑田精工所製） 所測定者。 要獲得如此之大型基板，首先，予以進行大型基板的 板材平坦度之測定。而會成爲原料的板材，理想爲首先乃 由雙面磨光裝置來加工成板的平行度（基板內厚度的偏差 精度）。其理由係基板的平行度爲不良時，會由後（處理 )工程之雙面加工而使厚的部分會被去除較多，及會由雙 面加工而惡化平坦度，因而有需預先調整爲具有平行度。 因此，當基板之平行度不佳時，理想爲事先予以測定平坦 度及平行度（基板厚度之偏差），由而，可令用於調整基 板厚度之磨光過程和校正平坦度用的過程整理成爲一過程 ’使得可成爲簡單便利且具有經濟性。再者，測定平坦度 乃爲了去除板材的自重變形，將以保持成垂直來測定。 -11 - (7) (7)200303851 接著，將該測定資料作爲在基板內各點之高度來記億 於電腦。並依據該資料，帶動加工工具至凸部分且控制加 工工具之滯留時間來加工該高度能成爲與在基板內最凹陷 之處形成一玫。例如加工工具爲噴砂時，就能依據所測定 之資料在於凸（出）部分時，令噴砂噴嘴之移動速減爲慢 來加長滯留時間，另一方面在於低的部分則予以加快噴砂 噴嘴之移動速度，以縮短滯留時間，以如此地控制滯留時 間來進行加工。 再者，當基板之平行度不良時，就對於基板表背面各 別計算後，其次由前述滯留時間來計算加工後之平行度， 並由該計算値來計算能與基板之最薄部分的厚度成爲一致 之加工工具的滯留時間。由而該三個計算値來求出最終的 加工工具滯留時間來進行加工。例如加工工具爲噴砂時， 能以控制噴砂噴嘴之移動速度成爲快慢來控制滯留時間， 而進行加工。 又也能以控制成噴嘴移動速度及空氣壓力成爲一定， 而控制基板和噴砂噴嘴間之距離來加工。該情況乃利用了 所謂噴砂噴嘴和基板面之距離爲短時會加快加工速度，距 離爲遠時會減慢加工速度的加工特性者。 再者，甚至實施所謂噴嘴移動爲一定，而使來自噴砂 噴嘴之空氣噴出壓力在於凸部分增大，而在凹（陷）部分 減弱的壓力控制，也可達成其目的。 再者，當要令基板之表背面各個成爲平坦化時，將予 以測定會成爲原料之板材表背面各個的平坦度，而記憶高 -12- (8) (8)200303851 度資料於電腦，且予以加工去除表面凸部分能成爲與基板 表面之最凹陷處之高度成爲一致之同時，予以加工去除背 面凸部份能成爲與背面之最凹陷處之高度成爲一致，就可 實施基板表背面的平坦化。 而作爲校正平行度及校正平坦之方法，在於例如加工 工具爲噴砂噴嘴時，就可使用圖3的裝置來進行加工。在 此，圖中之1 0爲基板保持台，1 1爲噴砂噴嘴，1 2爲磨粒 之氣流。再者，1爲基板。 該加工工具係形成可朝X、Y方向任意移動的構造， 而有關移動，可由電腦來控制者。又以X- Θ機構也可實 施加工。空氣壓力係與所使用之磨粒或與加工工具和基板 間之距離有所關連，並無法以一意義來明確地加以決定， 可依據去除速度和加工之畸變深度來加以調整。 又在此一製造方法時，僅將基板之凸部分及厚的部分 予以選擇性地去除，因而，可確實地改善平坦度爲不良之 基板，不僅僅由加工工具的精密控制來獲得高平坦度基板 ，也可由槪略之控制來在短時間予以實現基板平坦度之改 善。 所使用之磨粒雖無特別的限制，但理想爲#600〜 #3 000者。倘若大於#600之粒徑時，會由加工而產生大的 歪曲，使會在後過程所要去除之份量增大，以致需要加厚 原來的板厚而會成爲需要較多的原材料，因而，有可能在 經濟性上有不利之情況。另一方，在於較#3000小的粒徑 時，因去除速度會減慢，使得有可能產生在噴砂加工時會 -13- (9) (9)200303851 花費時間之狀況。 另一方面，作爲平坦加工方法之加工工具，在於使用 硏磨、磨光、拋光的任一方法時，加工工具能由馬達來構 成爲可轉動，且對於加工工具之壓力負載，可由空氣等來 施力口。 加工工具係有面接觸型式和線或點接觸型式，雖可採 用任何之一，但在控制加工速度方面來說明時，理想爲面 接觸型式。在於面接觸型式之加工工具時，要與被加工物 (大型基板）所接觸之面積，最大爲60cm2以下，理想爲 40cm2以下。當走過60cm2時，因對於基板各點之去除量 ，並無法實施細緻的控制而具有困難於獲得高平坦度基板 之虞。 再者，由於加工工具之材質，大小，壓力負載（負荷 )及形狀而會使加工去除速度成爲不同，因而，需要預先 採用所要使用之加工工具來掌握加工特性來反映加工工具 的滯留時間。 加工工具之材質可爲GC磨石，WA磨石，鑽石磨石 ，鈽磨石，鈽小塊等，只要可加工去除被加工物者，種類 並未有所限定，但理想爲例如以硏磨或磨光加工用工具實 施加工後，由拋光用之加工工具來加工。 又由上述加工工具來實施精度（平坦度）校正，且在 剛完成精度校正後的後過程，要使用雙面（兩面）磨光裝 置或雙面拋光裝置時，有需要對基板兩面進行。倘若不實 施處理兩面時，會在後過程之兩面磨光或拋光，將令未處 -14 - (10) (10)200303851 理面的凹凸予以惡化平坦處理面的精度。例如在於未處理 面凸部之背面，會使加工壓力增高而增高拋光速度。相反 地，在凹部背面，則會使加工壓力降低而減慢拋光速度。 其結果，將使在平坦化處理成爲平坦化、校正精度的處理 面，會由其後之兩面磨光或拋光反而惡化處理面的平坦度 〇 再者，後過程爲單面加工時，以加工工具校正面作爲 基準面來對於未校正面進行單面加工，也可達成精度校正 。又隨著所需要，在最後以進行基板表面之完工用拋光， 也可獲得有關本發明的基板。 【實施方式】 以下，將顯示實施例和比較例來具體地說明本發明， 但本發明並非限制於下述之實施例而已者。 (實施例1) 將使用日本國不二見硏磨材（株）所製之GC#600， 且以會實施行星運動的兩面磨光裝置來進行加工大小爲 330x 450mm (對角長度：558mm)、厚度爲5.3mm之合成 石英基板，以準備原料基板。該時之原料基板精度係平行 度爲3 // m，平坦度爲22 // m (平坦度/對角長度：39x 10· 6) 且形成中央部分爲高的形狀。 再者，平行度及平坦度之測定，乃使用了日本國之黑 田精工所製之平坦度測試器（FTT· 1 5 00)。 •15- (11) 200303851 而安裝該板於圖3所示之裝置的基板保持台。該時， 裝置係使用了安裝加工工具於馬達來可轉動的構造及能以 空氣來加壓於加工工具之構造者。又加工具係形成能朝著 X、Y軸方向且對於基板保持台大致成平行移動的構造。 加工工具乃使用了 30.6cm2 (外徑 80mm必，內徑 50mm 0)之甜甜圏狀之接合樹脂鑽石磨石#800。
接著，將以加工工具之轉數爲2000rpm，加工壓力爲 3KPa來移動於被加工物上，而實施加工基板整面。該時 ，作爲冷卻劑使用了稀釋日本 KURE- NORTON公司製 KURECUT(商品名）於水成100倍。 加工方法係如圖4箭標記所示，採用了成連續地朝平 行於X軸移動加工工具，對於Y軸則以20mm節距移動的 方法。而以該條件下之加工速度係預先予以測定，乃爲 20 // m/min 〇 加工工具的移動速度係在基板形狀最低的基板外周部 作成爲30mm/Sec，而在基板各部分之移動速度係求出在 基板各部分的加工工具所需要滯留的時間，並由該等時間 計算移動速來移動加工工具，以實施兩面處理。該時之加 工時間係使用了 1〇〇分鐘。 而後，以兩面拋光裝置來對基板實施拋光50 // m後’ 測定平坦度的結果，測定値爲3.2 μ m (平坦度/對角長度： 5·7χ 1(Γ 6)。平坦度測定裝置係使用了日本國黑田精工 製之平坦度測試器。 -16- (12) 200303851 (實施例2)
以兩面拋光機來對於與實施例1同樣之合成石英基板 實施拋光50// m之前，使用對於外徑80mm，內徑50mm 的加工工具黏貼鈽小塊之加工工具，且澆懸浮丨〇重量％ 之氧化铈於水的膏劑下予以進行加工。該條件下的加工速 度爲2// m/min。而工具移動條件係設定成與鑽石磨石之 工具移動條件相同。而該時所實施之加工時間爲1 2 0分鐘 (合計220分鐘）。而後，以兩面拋光裝置拋光50 // m後 ，予以測定的結果，成爲1.9// m (平坦度/對角長度：3·4χ 10' 6) 0 (實施例3) 以不使用硏磨用加工工具，而作爲加工工具僅使用鈽 小塊實施加工之外，均與實施例1同樣地來實施加工。 (實施例4) # 加工工具作爲以5mm節距切割1mm之溝於材質FCD 450之磨光平板，而作爲磨光材料使用了 F〇# 1〇〇〇之外， 實施了與實施例1同樣之加工。 (實施例5) 作爲加工工具除了使用GC#320的磨石之外，實施了 與實施例1同樣之加工。 -17- (13) (13)200303851 (實施例6) 作爲加工工具除了使用 WA#1000的磨石之外，實施 了與實施例同樣之加工。 (實施例7) 基板尺寸作成大小爲520x 800mm (對角長度：954mm) ，厚度爲10.3mm之外，實施了與實施例同樣之加工。 (實施例8) 基板尺寸作爲與實施例7同樣之520x 800x 10.3mm之 外，實施了與實施例2同樣之加工。 (實施例9) 加工工具形狀作成爲3.9cm2 (外徑30mm 0 ，內徑 20mm 0)之外，實施了與實施例1同樣之加工。 • (實施例10) 加工工具形狀作成爲50cm2 (外徑100mm 0 ，內徑 60mm 0 )之外，實施了與實施例1同樣之加工。 (實施例11) 將與實施例1同樣之合成石英基板以與實施例成同樣 地保持於基板保持台，而噴砂噴嘴乃形成可朝X、Y軸方 向對於基板保持台大致成平行地移動的構造。磨粒係使用 -18- (14) (14)200303851 日本國之不二見硏磨材（株）所製的F0#800，空氣壓力 係設定成O.IMPa。 噴砂噴嘴係使用形狀爲lmmx 40mm之長方形的形狀 ，而噴砂噴嘴與基板面之間隔則作成40mm。 加工方法係如圖4所示，採用了令噴砂噴嘴成連續地 朝平行於X軸移動，而朝Y軸方向則以20mm節距移動的 方法。而以該條件下之加工速度係預先予以測定，乃爲 3 0 // m/min 0 噴砂噴嘴之移動速度係作成在基板形狀最低的基板外 周部爲50mm/SeC，而在基板各部分之移動速度係求出噴 砂噴嘴在基板各部分所需要滯留的時間，並由該等時間來 計算移動速度，且由移動台來移動加工位置，以實施兩面 處理。 而後，以兩面拋光裝置對於基板實施50 // m之拋光後 ，測定平坦度之結果，測定値爲3 · 2 // m (平坦度/對角長 度：5·7χ 1(Τ 6)。該時所使用的平坦度測定裝置爲日本國 黑田精工所製之平坦度測試器。 (實施例12) 磨粒採用日本國之不二見硏磨材（株）所製的 GC#800，而空氣壓力設定爲〇.〇8MPa之外，實施了與實施 例1 1同樣的加工。 (實施例1 3) -19- (15) (15)200303851 磨粒採用F〇#600，空氣壓力設定爲〇.〇5MPa之外， 實施了與實施例1 1同樣的加工。 (實施例14) 磨粒採用GC#3000，空氣壓力設定爲〇· 15MPa之外， 實施了與實施例11同樣的加工。 (實施例1 5) 磨粒採用FO#3000，空氣壓力設定爲0.1 5MPa之外， 實施了與實施例1 1同樣的加工。 (實施例16) 基板尺寸作成爲大小係 520x 800mm (對角長度： 954mm)，厚度爲1 0.4mm之外，實施了與實施例1 1同樣 之加工。 (實施例17) 將噴砂噴嘴和基板面之間隔作成可任意地來控制，並 X、Y台之各移動速度設定爲l〇mm/sec。 而與實施例1 1同樣，預先記憶基板表面形狀於電腦 ’且進行了所謂會在凸部分可令噴嘴和基板的距離靠近， 而在凹部分會分開（遠離）距離之控制。噴砂噴嘴和基板 面之距離作成會在3 0〜100mm之間產生變動。再者，磨 粒係使用F〇# 8 0 0。 -20- (16) (16)200303851 (實施例18) 準備了大小爲330x450mm (對角長度：558mm)，厚 度5.4mm之合成石英基板。該時之原料基板精度係形成平 行度爲70//m，平坦度爲40//m的形狀。 再者，平行度及平坦度之測定係使用了日本國之黑田 精工所製之平坦度測試器 （FTT- 1 500)。 而安裝該基板於圖3所示之裝置的基板保持台。該時 ，裝置乃使用安裝了加工工具於馬達成可旋轉的構造及能 以空氣來加壓加工工具之構造者。又加工工具係形成朝X 、Y方向對於基板保持台大致能平行移動的構造。 加工工具係使用了 30.6cm2 (外徑爲 80mm 0，內徑 50mm 0)之甜甜圈形狀之接合樹脂之鑽石磨石#800。 接著，將以加工工具之轉數爲 2000ι·ριη，加工壓力 3KPa來使加工具移動於被加工物上，而實施了加工基板 整面。該時作爲冷卻劑使用了日本國KURE- NORTON公 司所製的KURECUT稀釋於水成100倍。 而加工方法係如圖4之箭頭標記所示，採用了將加工 工具以成平行於X軸來連續地移動，而朝Y軸方向則以 2 0mm節距來移動之方法。而在該條件下之加工速度係預 先測定，而形成爲20 // m/min。 加工工具之移動速度係作成在基板形狀最低的基板外 周部爲3 0 m m / s e c，而在基板各部分之移動速度係求出加 工工具在基板各部分所需要滯留的時間，並該等時間來計 -21 - (17) (17)200303851 算移動速度來移動加工工具，以實施兩面處理’而後實施 測定平行度和平坦度。該時之加工時間係在兩面磨光之平 行校正後，所進行的平坦度校正時所合計時間之80%的 時間。 (實施例19) 加工工具作成爲以5mm節距來切割1mm之溝於材質 FCD 450的磨光平板，而作爲磨光材料除了使用F0#1000 以外，實施了與實施例1 8同樣之加工。 (實施例20) 基板尺寸作成爲大小520x 800mm (對角長度：954mm) ，厚度爲10.3mm之外，實施了與實施例18同樣的加工。 (實施例21) 將與實施例1 8同樣之合成石英基板以與實施例1 8成 同樣地來安裝於基板保持台。噴砂噴嘴係形成可朝X、Y 方向且對於基板保持台大致成平行移動的構造。磨粒係使 用日本國之不二見硏磨材（株）所製之FO#800，空氣壓 力則設定爲0. IMP a。 噴砂噴嘴係使用了 lmmx 40mm之長方形形狀者，而 噴砂噴嘴和基板面的間隔係設定爲40mm。 而加工方法係如圖4，採周了令噴砂噴嘴以成平行於 X軸來連續地移動，而朝Y軸方向則以2 Q m m節路來移動 -22- (18) (18)200303851 之方法。而在該條件下之加工速度係預先測定，而形成爲 300 // m/min 〇 噴砂噴嘴之移動速度係作成在基板形狀最快速g ^ # (最凹陷之部分）爲50mm/sec，而在基板各部分之移動速 度係從加工速度求出在基板各部分的噴砂噴嘴所胃g、滯胃 時間，並由該時間來計算移動時間，且由移動台來;移動j力口 工位置，而進行兩面處理。 (實施例22) 磨粒採用日本國之不二見硏磨材（株）所製的 GC#800，空氣壓力設定爲0.08MPa之外，實施了與實施例 2 1同樣的加工。 (實施例23) 磨粒採用GC#3 000，空氣壓力設定爲〇.l5MPa之外， 實施了與實施例2 1同樣的加工。 (實施例24) 基板尺寸採用大小520x 800mm (對角長度：954mm) ，厚度爲10.4mm之外，實施了與實施例21同樣的加工。 (實施例25) 基板尺寸採用大小700x ll〇〇mm (對角長度：1 304mm) ，厚度爲10.4mm之外，實施了與實施例21同樣的加工。 (19) (19)200303851 (比較例1) 將與實施例1同樣之合成基板未進行由部分性加工來 校正精度，而以兩面磨光裝置，兩面拋光裝置進行加工。 而在磨光時係使用日本國之不二見硏磨材（株）所製的 F〇#1 000以10重量％懸浮於水來作爲磨光膏劑。而在拋 光時，則使用氧化鈽以1 〇重量％懸浮於水來作爲拋光膏 劑。 (比較例2) 使用了基板尺寸爲大小 520x 800mm (對角長度： 9 54mm)，厚度爲10.3mm之合成石英基板之外，實施了 與比較例1同樣加工。 (比較例3) 作爲加工工具作成爲 63cm2 (外徑 120mm 0 ，內徑 80mm 0 )之外，實施了與實施例1同樣之加工。 將以上之結果，顯示於表1〜4。 -24- (20)200303851 [表1] 實 施 例 基板尺寸 (mm) 平坦度加工前之 精度 (平坦度臟長) 加工工具 工具面積 (cm2) 加工速度 (/im/min) 加工後之精度 (平坦度/對角長) 1 330x 450x 5.3 39x 10·6 接合樹脂鑽石磨 30.6 20 5.7χ ΙΟ'6 石#800 2 330x 450x 5.3 43x 10·6 接合樹脂鑽石磨 30.6 20 3.4χ ΙΟ'6 石 #800 +鈽小塊 30.6 2 3 330x 450x 5.3 36x 10·6 鈽小塊 30.6 2 4.3x 10_6 4 330x 450x 5.3 34x 10·6 FCD450製磨光 30.6 2 4.9x 10*6 平板 5 330x 450x 5.3 39x 10·6 GC#320磨石 30.6 30 5.4χ ΙΟ'6 6 330x 450x 5.3 36x 10·6 WA_0磨石 30.6 10 5·0χ 10·6 7 520 x 800 x 36x 10·6 接合樹脂鑽石磨 30.6 20 4.9χ 10'6 10.3 石#800 8 520 x 800 x 34x 10·6 接合樹脂鑽石磨 30.6 20 3.2χ ΙΟ'6 10.3 石 #800 +鈽小塊 30.6 2 9 330x 450x 5.3 43x 10*6 接合樹脂鑽石磨 3.9 8 4.8χ 10'6 石 #800 10 330x 450x 5.3 36x 10·6 接合樹脂鑽石磨 50 24 5.7χ 10·6 石翻0 -25- (21) 200303851 (21)
[表2] 實 施 例 基板尺寸 (mm) 平坦度加工前之 精度 (平坦度/對角長) 噴砂噴嘴 和基板表 面間距離 (mm) 空氣 壓力 (MPa) 磨粒 加工後之精度 (平坦度/對角長） 11 330x 450x 5.3 39χ ΙΟ-6 40 0.1 FO#800 5.7χ ΙΟ·6 12 330x 450x 5.3 36χ ΙΟ-6 40 0.08 GC#800 5.2χ ΙΟ-6 13 330x 450x 5.3 50χ ΙΟ-6 40 0.05 FO細0 5.6χ ΙΟ-6 14 330x 450x 5.3 43x 10'6 40 0.15 GC#3000 4.8χ ΙΟ-6 15 330x 450x 5.3 47x 10·6 40 0.15 F0#3000 5.2χ ΙΟ-6 16 520x 8 0Ox 10.3 38x 10-6 40 0.1 FO#800 5.3χ ισ6 17 330x 450x 5.3 39χ ΙΟ-6 30 〜100 0.1 FO#800 5.0χ ΙΟ-6
-26- (22)200303851
加工時間比 (%) § § ο ο jo § l〇 CO § 侧$ e S m a it a屮 CO l〇 00 C0 七 ο cd CD csi 卜 cd O) in 制石 m ^ S fi s Sl CN CO ο cd Csj ΙΟ ο cd 00 CO 00 c\i 00 cd CM CO 原料精度 平行度(// m) 〇 00 ΙΌ Ν- s s 04 120 原料精度 平坦度(// m) 〇 CD CO C0 ω 另 8 加工工具 接合樹脂鑽石磨石#800 FCD450製磨光平板 接合樹脂鑽石磨石#800 噴砂F0#800 ι 0.1 Mpa o § ω Si 涂〇· 噴砂F〇#600 0.05Mpa 噴砂F0#800 0.1 Mpa 噴砂F0#800 0.1 Mpa 基板尺寸 (mm) 330χ 450χ 5.4 330x 450x 5.4 520χ 8 0 0 x 1 5.4 330x 450x 5.4 330x 450x 5.4 330x 450x 5.4 520x 800x 10.4 700x llOOx 10.4 1¾辑匡 00 τ— σ> ^— t— CN CO <N uo CNJ -27- (23)200303851 fe( ^ 螌 狀 ^ 姻 H m| ------- : 22x 10· 6 25x 10· 6 8.2x 10. 6 u 3 Η ε α ^ W oo OO 工具面積 (cm2) ο cn o cn CO \〇 加工工具 蕕 《 § Φ μ? ^ 雄 m ^ fe( C a 擊諒 te( f；-m] ^ U j； s Si 、 fc 36x ΙΟ·6 39x 10*6 32χ ΙΟ·6 基板尺寸 (mm) 330x450x5.3 520x 800x 1 0.3 330x450x5.3 實施例 1 < CN m -28- (24) (24)200303851 [發明之效果] 由於使用本發明之大型基板於曝光，而可增進曝光精 度，尤其可增進疊合精度及析像度，使得可達成高精緻的 大型面板之曝光。又由於本發明之加工方法能以穩定地獲 得高平坦度的大型光罩用基板。由於增進了面板曝光時之 CD精度（尺寸精度）’使得可實施細微圖型的曝光而也 會成爲有關連於增進面板的良率（生產量）。再者，由本 發明之製造方法而可令用於整理（整頓）平行度的過程和 整理平坦度合爲一，以致製造所需要之合計（總計）時間 予以縮短，使得能獲得具有經濟性且高精度的大型基板。 又以應用本發明之加工方法時，也可創造形成在意形狀的 表面形狀。 【圖式簡單說明】 圖1係用於說明對於光罩用基板進行曝光時的光經用 之圖，（A)顯示上面爲凹狀的光徑，（B)顯示上面爲 凸狀的光徑。 圖2爲顯示以加工平板拋光基板時之形態，（A)係 顯示垂直保持基板時的形狀之正面圖，（B)係顯示在加 工時跟隨於平板的狀態之正面圖，（C)係顯示該時之在 下面平板的回彈力之說明圖。 圖3係顯示加工裝置之槪要的斜視（立體）圖。 圖4係顯示在加工工具之移動狀態的斜視圖。 •29- (25) 200303851 [符號之說明] 1：基板 1 0 :基板保持台 1 1 :噴砂噴嘴 -30-

Claims (1)

  1. (1) (1)200303851 拾、申請專利範圍 1· 一種大型基板，平坦度/對角長度爲6.Οχ 10· 6以 下而對角長度爲500mm以上。 2 ·如申請專利範圍第1項之大型基板，其中該大型基 板爲合成石英玻璃基板。 3.如申請專利範圍第1或2項之大型基板，其中大型 基板爲大型光罩用基板。 4·如申請專利範圍第1或2項之大型基板，其中大型 基板爲TFT液晶的陣列側基板。 5 · —種大型基板的製造方法，其特徵爲：預先測定 對角長度爲5 00mm以上之大型基板的平坦度，並依據該 數據資料，使用加工工具以部分性地去除基板凸出部分， 以增進上述大型基板的平坦度。 6 · —種大型基板的製造方法，其特徵爲：預先測定 對角長度爲5 00mm以上之大型基板的平坦度及平行度， 並依據該資料藉由加工工具以部分性地去除基板凸出部分 及較厚部分，以增進上述大型基板的平坦度及平行度。 7·如申請專利範圍第5或6項之大型基板的製造方法 ，其中大型基板爲合成石英玻璃基板。 8. 如申請專利範圍第5或6項之大型基板的製造方法 ，其中部分性去除方法爲硏磨、磨光及拋光中之任何一種 以上的方法。 9. 如申請專利範圍第8項之大型基板的製造方法，其 中前述硏磨，磨光及拋光中之任何一種以上之方法乃由定 -31 - (2) (2)200303851 壓來進行。 10. 如申請專利範圍第5或6項之大型基板的製造方 法，其中部分性去除方法係由噴砂所進行。 11. 如申請專利範圍第5或6項之大型基板的製造方 法，其中是讓基板及/或加工工具移動，來去除基板表面 的任意位置。
    -32-
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