Новосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографииfiledCriticalНовосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии
Priority to SU2580077/21ApriorityCriticalpatent/SU738425A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU738425A1publicationCriticalpatent/SU738425A1/ru
Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices
(AREA)
Abstract
1. Способ получения кристаллического материала, включающий напыление ионов материала на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры плавления материала и повышения диффузионной подвижности атомов, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эФ.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.
SU2580077/21A1978-02-011978-02-01Способ получения кристаллического материала
SU738425A1
(ru)