SU1738104A3 - Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа - Google Patents
Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа Download PDFInfo
- Publication number
- SU1738104A3 SU1738104A3 SU884356188A SU4356188A SU1738104A3 SU 1738104 A3 SU1738104 A3 SU 1738104A3 SU 884356188 A SU884356188 A SU 884356188A SU 4356188 A SU4356188 A SU 4356188A SU 1738104 A3 SU1738104 A3 SU 1738104A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- superconductivity
- state
- silicon
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/742—Annealing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способу нанесени тонкослойных покрытий из сверхпровод щих материалов на подложку. Цель изобретени - упрощение способа путем исключени необходимости дополнительной обработки. Изобретение предусматривает простой способ нанесени сверхпровод щих окисных материалов в виде схемы, форма схемы определ етс до нанесени сверхпровод щего материала. В данном случае используетс вление, заключающеес в том, что небольшие нарушени свойства и/или структуры окисного материала могут быть вполне достаточными дл того, чтобы указанный материал не обладал бы свойством сверхпроводимости при данной температуре . 4 з.п. ф-лы. (Л С
Description
Изобретение относитс к способу нанесени тонкослойных покрытий из сверхпровод щих материалов на подложку.
Известен способ нанесени тонких слоев сверхпроводника (Lai-x Srx)2 Си04, где х т 0,03, на подложку из титаната стронци посредством магнетронного напылени .
Известен способ формировани сверхпровод щих пленок Y Ва-Си-0 на подложках из AlzOa с помощью сеткографии.
Электросопротивление, микроструктура пленок и их адгези к подложке сильно завис т от последующего обжига. При 950°С не обеспечиваетс приемлема адгези , а в результате обжига при температурах выше 1000°С происходит разделение на фазы (с образованием и ВаСиОа), кроме того, материал пленок реагирует с подложкой. Кроме того, данные материалы обладают свойствами недостаточной устойчивости по отношению к воздействию влаги, что затрудн ет их использование в полупроводниковых и .сенсорных устройствах, где необходимо наносить сверхпровод щие материалы в виде строго определенной схемы, детали которой должны быть по возможности более мелкими.
Обычный способ нанесени тонкослойных сложных схем, согласно которому вначале тонкий слой покрыти нанос т на всю поверхность издели , после чего этот слой формируют в виде определенной схемы посредством использовани маски или травлени , в этом случае вл етс не слишком подход щим.
Цель изобретени -упрощение способа изготовлени сверхпровод щих устройств пленарного типа путем исключени дополнительной обработки.
VI
GO 00
О 4
СО
Сущность изобретени заключаетс в том, что перед нанесением на подложку сверхпровод щего сло на нее по заданному рисунку нанос т тонкий слой из материала, обеспечивающего при рабочих температурах изменение состо ни сверхпроводимости в слое над ним, когда состо ние сверхпроводимости сло над подложкой неизменно, или сохранение этого состо ни , когда состо ние сверхпроводимости в слое над подложкой изменено . При этом возможны два варианта решени данной задачи.
В первом варианте в качестве подложки используют титанат стронци или серебро, или золото, а в качестве материала тонкого сло - кремний или окись алюмини .
Во втором варианте в качестве материала подложки используют кремний или окись алюмини , а. в качестве материала тонкого сло - титанат стронци или серебра , или золота.
Пример 1. На подложку из титаната стронци ЗгТЮз нанос т слой кремни . В слое кремни проделаны вырезы таким образом , что материал подложки в некоторых местах оставлен без покрыти . Это может быть осуществлено любым известным способом , например посредством нанесени на слой кремни сло фоторезистивного по- крыти гоблучени указанного фоторезистора светом через маску с последующим его про влением, вслед за чем провод т местное удаление сло кремни посредством травлени .
Затем нанос т слой окисного материала (композици УВа2СизОб,7), например посредством напылени в вакууме, выдержива подложку при 850°С. В области вырезов нанесенный слой вл етс .сверхпровод щим при температуре примерно 90 К, а в области нахождени сло кремни нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуре. При необходимости окисный сверхпровод щий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем дл сведени к минимуму воздействи окружающей среды.
Можно осуществить замену указанного сверхпровод щего материала. Так, например , иттрий можно заменить полностью или частично на ионы редкоземельных материалов , барий может быть заменен на стронций или кальций и кислород может оыть частично заменен фтором.
Вместо осаждени из паров окисный слой можно наносить, например, посредством напылени , использу печатную плату желаемой композиции. Подложку можно выдерживать при высокой температуре, например в пределах от 800 до 900°С, однако
в альтернативном варианте представл етс возможным осуществл ть осаждение при более низкой температуре. В этом случае требуетс последующа обработка дл получени сверхпровод щих свойств.
Пример 2. На подложку из кремни нанос т слой серебра. Вместо серебра можно использовать слой золота или титаната стронци . В слое серебра сделаны вырезы, причем
0 таким образом, что остаетс схема в виде серебр ных проводников. Обработка производитс изложенным в примере 1 способом. После этого нанос т слой окисного материала , например, использу способ, ука5 занный в примере 1, с применением указанной в нем композиции. На тех местах, где имеютс серебр ные проводники, окисный материал обладает свойством сверхпроводимости , в тех местах, где окисный
0 материал нанесен непосредственно на кремниевый субстрат, он не обладает свойством сверхпроводимости.
Предлагаемое изобретение предусматривает простой способ нанесени сверх5 провод щих окисных материалов в виде схемы, форма схемы определ етс до того, как нанос т сверхпровод щий материал. В данном случае используетс вление, заключающеес в том, что небольшие наруше0 ни состава и/или структуры окисного материала могут быть вполне достаточными дл того, чтобы указанный материал не обладал свойством сверхпроводимости при данной температуре.
Claims (5)
1.Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа, включающий нанесение на подложку сло окисного сверхпровод щего материала YBaaCuaOv-tf
0 и высокотемпературный отжиг, отличающийс тем, что, с целью упрощени способа путем исключени необходимости дополнительной обработки, перед нанесением сло окисного сверхпровод щего ма5 териала на подложку нанос т по заданному рисунку тонкий слой из материала, обеспечивающего при рабочих температурах изменение состо ни сверхпроводимости в слое над ним, когда состо ние сверхпроводимо0 сти сло над подложкой неизменно, или сохранение этого состо ни , когда состо ние сверхпроводимости в слое над подложкой изменено.
2.Способно п. 1,отличающийс тем, 5 что в качестве материала подложки используют титанат стронци , серебро или золото.
3.Способ по пп. 1 и 2, о т л и ч а ю щ и й- с тем, что в качестве материала тонкого сло используют кремний или окись алюмини .
517381046
4. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й-
5. Способ по пп. 1 и 4. о т л и ч а ю щ и йс тем, что в качестве материала под-с тем, что в качестве материала тонкого
ложки.используют кремний или окисьсло используют титанэт стронци или сеалюмини .ребра, или золота.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8701718A NL8701718A (nl) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1738104A3 true SU1738104A3 (ru) | 1992-05-30 |
Family
ID=19850351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884356188A SU1738104A3 (ru) | 1987-07-21 | 1988-07-18 | Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4900709A (ru) |
EP (1) | EP0300567B1 (ru) |
JP (1) | JPS6441282A (ru) |
KR (1) | KR970005156B1 (ru) |
AT (1) | ATE98401T1 (ru) |
DE (1) | DE3886115T2 (ru) |
NL (1) | NL8701718A (ru) |
SU (1) | SU1738104A3 (ru) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0301689B1 (en) * | 1987-07-27 | 1993-09-29 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | Method of stabilizing high tc superconducting material and the material so stabilized |
JPS6457438A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Recording medium |
JPH01171247A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体配線の構造 |
GB2215548B (en) * | 1988-02-26 | 1991-10-23 | Gen Electric Co Plc | A method of fabricating superconducting electronic devices |
JPH0244784A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Canon Inc | 超伝導パターンの形成方法 |
US5246916A (en) * | 1989-03-22 | 1993-09-21 | Sri International | Method of forming shaped superconductor materials by electrophoretic deposition of superconductor particulate coated with fusible binder |
US5229360A (en) * | 1989-07-24 | 1993-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for forming a multilayer superconducting circuit |
US5135908A (en) * | 1989-08-07 | 1992-08-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of patterning superconducting films |
EP0450394A3 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-23 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for forming superconductor layer |
CA2054796C (en) * | 1990-11-01 | 1999-01-19 | Hiroshi Inada | Superconducting wiring lines and process for fabricating the same |
JPH0697522A (ja) * | 1990-11-30 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導材料の薄膜の製造方法 |
US5252551A (en) * | 1991-12-27 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Superconducting composite with multilayer patterns and multiple buffer layers |
US5593918A (en) * | 1994-04-22 | 1997-01-14 | Lsi Logic Corporation | Techniques for forming superconductive lines |
JP3076503B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2000-08-14 | 株式会社日立製作所 | 超電導素子およびその製造方法 |
DE102006030787B4 (de) * | 2006-06-30 | 2008-11-27 | Zenergy Power Gmbh | Negativstrukturierung von Dünnschicht Hochtemperatur-Supraleitern |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4316785A (en) * | 1979-11-05 | 1982-02-23 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Oxide superconductor Josephson junction and fabrication method therefor |
US4255474A (en) * | 1980-01-04 | 1981-03-10 | Rockwell International Corporation | Composite having transparent conductor pattern |
US4290843A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Epitaxial growth of magnetic memory film on implanted substrate |
KR950010206B1 (ko) * | 1987-03-09 | 1995-09-11 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 | 전자 장치 및 그 제조 방법 |
US4960751A (en) * | 1987-04-01 | 1990-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit having superconducting multilayered structure and manufacturing method for same |
JPS63291485A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Fujikura Ltd | 酸化物超電導回路の製造方法 |
CN1017110B (zh) * | 1987-08-13 | 1992-06-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种超导器件 |
-
1987
- 1987-07-21 NL NL8701718A patent/NL8701718A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-07-14 EP EP88201513A patent/EP0300567B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-14 AT AT88201513T patent/ATE98401T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-07-14 DE DE3886115T patent/DE3886115T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-15 US US07/219,519 patent/US4900709A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-18 KR KR1019880008925A patent/KR970005156B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-07-18 SU SU884356188A patent/SU1738104A3/ru active
- 1988-07-21 JP JP63180451A patent/JPS6441282A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-03 US US07/292,676 patent/US4957899A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Japanese Journal of Appl. Phys. 26(4), с. 524-525, 1987. R.C.Tzeng Sing-Mo H., Appl. Phys. Lett. 1987, 51, Ms 16. 1277-1279. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3886115T2 (de) | 1994-06-09 |
KR890003053A (ko) | 1989-04-12 |
EP0300567B1 (en) | 1993-12-08 |
US4957899A (en) | 1990-09-18 |
EP0300567A3 (en) | 1989-05-10 |
ATE98401T1 (de) | 1993-12-15 |
NL8701718A (nl) | 1989-02-16 |
US4900709A (en) | 1990-02-13 |
KR970005156B1 (ko) | 1997-04-12 |
JPS6441282A (en) | 1989-02-13 |
DE3886115D1 (de) | 1994-01-20 |
EP0300567A2 (en) | 1989-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1738104A3 (ru) | Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа | |
US5825057A (en) | Process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same | |
US5736422A (en) | Method for depositing a platinum layer on a silicon wafer | |
EP0665981B1 (en) | Process for fabricating layered superlattice materials and electronic devices including same | |
KR100938073B1 (ko) | 커패시터용 동시소성 전극을 갖는 박막 유전체 및 그의제조 방법 | |
US4956335A (en) | Conductive articles and processes for their preparation | |
US5943580A (en) | Method of forming a capacitor or an inductor on a substrate | |
US4959346A (en) | Composite with Y-BA-CU-O superconductive film | |
US5041420A (en) | Method for making superconductor films from organometallic precursors | |
US4980338A (en) | Method of producing superconducting ceramic patterns by etching | |
CA2065625A1 (en) | Process for patterning layered thin films including a superconductor layer | |
JPH01132008A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
JPH01215702A (ja) | 超電導薄膜の製造法 | |
EP0384521A1 (en) | Method of manufacturing a Josephson junction | |
JPH0657411A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法および装置 | |
JPH0244784A (ja) | 超伝導パターンの形成方法 | |
JPH01302752A (ja) | 集積回路パッケージ | |
JPS6443922A (en) | Formation of superconductive thin film | |
JPH01198474A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
JPH01224205A (ja) | 超伝導薄膜 | |
KR100244600B1 (ko) | Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 | |
JPH01226183A (ja) | セラミック超電導体の作製方法 | |
JPH01169981A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
JPH01212215A (ja) | 高温酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
JPH01246132A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |