SU1738104A3 - Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа - Google Patents

Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа Download PDF

Info

Publication number
SU1738104A3
SU1738104A3 SU884356188A SU4356188A SU1738104A3 SU 1738104 A3 SU1738104 A3 SU 1738104A3 SU 884356188 A SU884356188 A SU 884356188A SU 4356188 A SU4356188 A SU 4356188A SU 1738104 A3 SU1738104 A3 SU 1738104A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
layer
superconductivity
state
silicon
Prior art date
Application number
SU884356188A
Other languages
English (en)
Inventor
Герарда Жозефа Хейман Марица
Корнелис Залм Петер
Original Assignee
Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен (Фирма) filed Critical Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1738104A3 publication Critical patent/SU1738104A3/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/73Vacuum treating or coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/742Annealing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к способу нанесени  тонкослойных покрытий из сверхпровод щих материалов на подложку. Цель изобретени  - упрощение способа путем исключени  необходимости дополнительной обработки. Изобретение предусматривает простой способ нанесени  сверхпровод щих окисных материалов в виде схемы, форма схемы определ етс  до нанесени  сверхпровод щего материала. В данном случае используетс   вление, заключающеес  в том, что небольшие нарушени  свойства и/или структуры окисного материала могут быть вполне достаточными дл  того, чтобы указанный материал не обладал бы свойством сверхпроводимости при данной температуре . 4 з.п. ф-лы. (Л С

Description

Изобретение относитс  к способу нанесени  тонкослойных покрытий из сверхпровод щих материалов на подложку.
Известен способ нанесени  тонких слоев сверхпроводника (Lai-x Srx)2 Си04, где х т 0,03, на подложку из титаната стронци  посредством магнетронного напылени .
Известен способ формировани  сверхпровод щих пленок Y Ва-Си-0 на подложках из AlzOa с помощью сеткографии.
Электросопротивление, микроструктура пленок и их адгези  к подложке сильно завис т от последующего обжига. При 950°С не обеспечиваетс  приемлема  адгези , а в результате обжига при температурах выше 1000°С происходит разделение на фазы (с образованием и ВаСиОа), кроме того, материал пленок реагирует с подложкой. Кроме того, данные материалы обладают свойствами недостаточной устойчивости по отношению к воздействию влаги, что затрудн ет их использование в полупроводниковых и .сенсорных устройствах, где необходимо наносить сверхпровод щие материалы в виде строго определенной схемы, детали которой должны быть по возможности более мелкими.
Обычный способ нанесени  тонкослойных сложных схем, согласно которому вначале тонкий слой покрыти  нанос т на всю поверхность издели , после чего этот слой формируют в виде определенной схемы посредством использовани  маски или травлени , в этом случае  вл етс  не слишком подход щим.
Цель изобретени  -упрощение способа изготовлени  сверхпровод щих устройств пленарного типа путем исключени  дополнительной обработки.
VI
GO 00
О 4
СО
Сущность изобретени  заключаетс  в том, что перед нанесением на подложку сверхпровод щего сло  на нее по заданному рисунку нанос т тонкий слой из материала, обеспечивающего при рабочих температурах изменение состо ни  сверхпроводимости в слое над ним, когда состо ние сверхпроводимости сло  над подложкой неизменно, или сохранение этого состо ни , когда состо ние сверхпроводимости в слое над подложкой изменено . При этом возможны два варианта решени  данной задачи.
В первом варианте в качестве подложки используют титанат стронци  или серебро, или золото, а в качестве материала тонкого сло  - кремний или окись алюмини .
Во втором варианте в качестве материала подложки используют кремний или окись алюмини , а. в качестве материала тонкого сло  - титанат стронци  или серебра , или золота.
Пример 1. На подложку из титаната стронци  ЗгТЮз нанос т слой кремни . В слое кремни  проделаны вырезы таким образом , что материал подложки в некоторых местах оставлен без покрыти . Это может быть осуществлено любым известным способом , например посредством нанесени  на слой кремни  сло  фоторезистивного по- крыти гоблучени  указанного фоторезистора светом через маску с последующим его про влением, вслед за чем провод т местное удаление сло  кремни  посредством травлени .
Затем нанос т слой окисного материала (композици  УВа2СизОб,7), например посредством напылени  в вакууме, выдержива  подложку при 850°С. В области вырезов нанесенный слой  вл етс .сверхпровод щим при температуре примерно 90 К, а в области нахождени  сло  кремни  нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуре. При необходимости окисный сверхпровод щий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем дл  сведени  к минимуму воздействи  окружающей среды.
Можно осуществить замену указанного сверхпровод щего материала. Так, например , иттрий можно заменить полностью или частично на ионы редкоземельных материалов , барий может быть заменен на стронций или кальций и кислород может оыть частично заменен фтором.
Вместо осаждени  из паров окисный слой можно наносить, например, посредством напылени , использу  печатную плату желаемой композиции. Подложку можно выдерживать при высокой температуре, например в пределах от 800 до 900°С, однако
в альтернативном варианте представл етс  возможным осуществл ть осаждение при более низкой температуре. В этом случае требуетс  последующа  обработка дл  получени  сверхпровод щих свойств.
Пример 2. На подложку из кремни  нанос т слой серебра. Вместо серебра можно использовать слой золота или титаната стронци . В слое серебра сделаны вырезы, причем
0 таким образом, что остаетс  схема в виде серебр ных проводников. Обработка производитс  изложенным в примере 1 способом. После этого нанос т слой окисного материала , например, использу  способ, ука5 занный в примере 1, с применением указанной в нем композиции. На тех местах, где имеютс  серебр ные проводники, окисный материал обладает свойством сверхпроводимости , в тех местах, где окисный
0 материал нанесен непосредственно на кремниевый субстрат, он не обладает свойством сверхпроводимости.
Предлагаемое изобретение предусматривает простой способ нанесени  сверх5 провод щих окисных материалов в виде схемы, форма схемы определ етс  до того, как нанос т сверхпровод щий материал. В данном случае используетс   вление, заключающеес  в том, что небольшие наруше0 ни  состава и/или структуры окисного материала могут быть вполне достаточными дл  того, чтобы указанный материал не обладал свойством сверхпроводимости при данной температуре.

Claims (5)

1.Способ изготовлени  сверхпровод щего устройства планарного типа, включающий нанесение на подложку сло  окисного сверхпровод щего материала YBaaCuaOv-tf
0 и высокотемпературный отжиг, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  способа путем исключени  необходимости дополнительной обработки, перед нанесением сло  окисного сверхпровод щего ма5 териала на подложку нанос т по заданному рисунку тонкий слой из материала, обеспечивающего при рабочих температурах изменение состо ни  сверхпроводимости в слое над ним, когда состо ние сверхпроводимо0 сти сло  над подложкой неизменно, или сохранение этого состо ни , когда состо ние сверхпроводимости в слое над подложкой изменено.
2.Способно п. 1,отличающийс  тем, 5 что в качестве материала подложки используют титанат стронци , серебро или золото.
3.Способ по пп. 1 и 2, о т л и ч а ю щ и й- с   тем, что в качестве материала тонкого сло  используют кремний или окись алюмини .
517381046
4. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й-
5. Способ по пп. 1 и 4. о т л и ч а ю щ и йс   тем, что в качестве материала под-с   тем, что в качестве материала тонкого
ложки.используют кремний или окисьсло  используют титанэт стронци  или сеалюмини .ребра, или золота.
SU884356188A 1987-07-21 1988-07-18 Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа SU1738104A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8701718A NL8701718A (nl) 1987-07-21 1987-07-21 Werkwijze voor het aanbrengen van dunne lagen van oxidisch supergeleidend materiaal.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1738104A3 true SU1738104A3 (ru) 1992-05-30

Family

ID=19850351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884356188A SU1738104A3 (ru) 1987-07-21 1988-07-18 Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа

Country Status (8)

Country Link
US (2) US4900709A (ru)
EP (1) EP0300567B1 (ru)
JP (1) JPS6441282A (ru)
KR (1) KR970005156B1 (ru)
AT (1) ATE98401T1 (ru)
DE (1) DE3886115T2 (ru)
NL (1) NL8701718A (ru)
SU (1) SU1738104A3 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0301689B1 (en) * 1987-07-27 1993-09-29 Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. Method of stabilizing high tc superconducting material and the material so stabilized
JPS6457438A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Mitsubishi Electric Corp Recording medium
JPH01171247A (ja) * 1987-12-25 1989-07-06 Mitsubishi Metal Corp 超伝導体配線の構造
GB2215548B (en) * 1988-02-26 1991-10-23 Gen Electric Co Plc A method of fabricating superconducting electronic devices
JPH0244784A (ja) * 1988-08-05 1990-02-14 Canon Inc 超伝導パターンの形成方法
US5246916A (en) * 1989-03-22 1993-09-21 Sri International Method of forming shaped superconductor materials by electrophoretic deposition of superconductor particulate coated with fusible binder
US5229360A (en) * 1989-07-24 1993-07-20 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method for forming a multilayer superconducting circuit
US5135908A (en) * 1989-08-07 1992-08-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method of patterning superconducting films
EP0450394A3 (en) * 1990-03-20 1991-10-23 Fujitsu Limited Method and apparatus for forming superconductor layer
CA2054796C (en) * 1990-11-01 1999-01-19 Hiroshi Inada Superconducting wiring lines and process for fabricating the same
JPH0697522A (ja) * 1990-11-30 1994-04-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 超伝導材料の薄膜の製造方法
US5252551A (en) * 1991-12-27 1993-10-12 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Superconducting composite with multilayer patterns and multiple buffer layers
US5593918A (en) * 1994-04-22 1997-01-14 Lsi Logic Corporation Techniques for forming superconductive lines
JP3076503B2 (ja) * 1994-12-08 2000-08-14 株式会社日立製作所 超電導素子およびその製造方法
DE102006030787B4 (de) * 2006-06-30 2008-11-27 Zenergy Power Gmbh Negativstrukturierung von Dünnschicht Hochtemperatur-Supraleitern

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4316785A (en) * 1979-11-05 1982-02-23 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Oxide superconductor Josephson junction and fabrication method therefor
US4255474A (en) * 1980-01-04 1981-03-10 Rockwell International Corporation Composite having transparent conductor pattern
US4290843A (en) * 1980-02-19 1981-09-22 Texas Instruments Incorporated Epitaxial growth of magnetic memory film on implanted substrate
KR950010206B1 (ko) * 1987-03-09 1995-09-11 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 전자 장치 및 그 제조 방법
US4960751A (en) * 1987-04-01 1990-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric circuit having superconducting multilayered structure and manufacturing method for same
JPS63291485A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Fujikura Ltd 酸化物超電導回路の製造方法
CN1017110B (zh) * 1987-08-13 1992-06-17 株式会社半导体能源研究所 一种超导器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Japanese Journal of Appl. Phys. 26(4), с. 524-525, 1987. R.C.Tzeng Sing-Mo H., Appl. Phys. Lett. 1987, 51, Ms 16. 1277-1279. *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3886115T2 (de) 1994-06-09
KR890003053A (ko) 1989-04-12
EP0300567B1 (en) 1993-12-08
US4957899A (en) 1990-09-18
EP0300567A3 (en) 1989-05-10
ATE98401T1 (de) 1993-12-15
NL8701718A (nl) 1989-02-16
US4900709A (en) 1990-02-13
KR970005156B1 (ko) 1997-04-12
JPS6441282A (en) 1989-02-13
DE3886115D1 (de) 1994-01-20
EP0300567A2 (en) 1989-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1738104A3 (ru) Способ изготовлени сверхпровод щего устройства планарного типа
US5825057A (en) Process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same
US5736422A (en) Method for depositing a platinum layer on a silicon wafer
EP0665981B1 (en) Process for fabricating layered superlattice materials and electronic devices including same
KR100938073B1 (ko) 커패시터용 동시소성 전극을 갖는 박막 유전체 및 그의제조 방법
US4956335A (en) Conductive articles and processes for their preparation
US5943580A (en) Method of forming a capacitor or an inductor on a substrate
US4959346A (en) Composite with Y-BA-CU-O superconductive film
US5041420A (en) Method for making superconductor films from organometallic precursors
US4980338A (en) Method of producing superconducting ceramic patterns by etching
CA2065625A1 (en) Process for patterning layered thin films including a superconductor layer
JPH01132008A (ja) 超電導体およびその製造方法
JPH01215702A (ja) 超電導薄膜の製造法
EP0384521A1 (en) Method of manufacturing a Josephson junction
JPH0657411A (ja) 誘電体薄膜の製造方法および装置
JPH0244784A (ja) 超伝導パターンの形成方法
JPH01302752A (ja) 集積回路パッケージ
JPS6443922A (en) Formation of superconductive thin film
JPH01198474A (ja) 超伝導薄膜の製造方法
JPH01224205A (ja) 超伝導薄膜
KR100244600B1 (ko) Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법
JPH01226183A (ja) セラミック超電導体の作製方法
JPH01169981A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JPH01212215A (ja) 高温酸化物超電導体薄膜の製造方法
JPH01246132A (ja) 薄膜超電導体の製造方法