KR100244600B1 - Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 - Google Patents
Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0884—Treatment of superconductor layers by irradiation, e.g. ion-beam, electron-beam, laser beam or X-rays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
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Abstract
본 발명은 Y2BaCuO5기판을 이용하여 고온초전도 죠셉슨 접합을 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 Y2BaCuO5기판(1)상에 BaO 및 CuO 박막 (2및 3)을 당량비로 3 : 5가 되도록 증착시킨 후에, 패터닝하고 850∼1000℃의 온도에서 열처리하여 죠셉슨 접합을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 마이크로브릿지 형태의 고온 초전도 죠셉슨 접합은 초전도 박막을 직접 에칭하지 않으므로 공정상 화학약품에 의한 특성저하를 피할 수 있으며 SrTiO3, MgO등과 같은 고가의 단결정 기판을 사용하지 않으므로 매우 경제성이 있다. 또한 미세 패턴이 가능하며 다양한 패턴을 제작할 수 있으며 특성의 재현성이 우수한 장점이 있다.
Description
제1도는 Y2BaCuO5기판위에 BaO/CuO막을 증착한 박막의 단면도이고,
제2도는 제1도의 BaO/CuO막을 마이크로브릿지 형태로 패터닝한 박막의 단면도이며,
제3도는 초전도막이 생성된 박막의 단면도이고,
제4도는 본 발명에 의한 마이크로브릿지 형태의 죠셉슨 접합도이며,
제5도는 본 발명의 고온초전도 죠셉슨 접합의 온도-저항 특성을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : Bao막
3 : CuO막 4 : 초전도막
본 발명은 Y2BaCuO5기판을 이용하여 고온초전도 죠셉슨 접합을 제조하는 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 Y2BaCuO5기판(1)상에 BaO 및 CuO 박막(2 및 3)을 당량비로 3 : 5가 되도록 증착시킨 후에, 패터닝하고, 850∼1000℃의 온도에서 열처리하여 죠셉슨 접합을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 죠셉슨 접합은 초전도체를 미세전자공학(microelectronics)분야에 응용하는데 가장 기초가 되는 소자로서, 이는 기존 반도체 소자보다 초고속, 고집적, 저소비전력등의 장점을 갖는 슈퍼컴퓨터(Supercomputer), SQUID, IR 센서, 공명장치 (Resonator)등에 이용되므로 보다 간편하고 재현성이 있는 죠셉슨 접합의 제조방법을 찾기위한 노력이 계속되고 있다. 고온초전도 박막으로 죠셉슨 접합을 제조하는 방법으로는, 초전도 박막을 반도체 공정에서 사용하는 사진식각법(photolithography)을 거쳐 마이크로브릿지(microbridge)모양으로 만드는 방법과 초전도체와 초전도체 사이에 절연층을 형성하는 방법이 있다.
첫번째 상기 사진식각법 공정을 거쳐 마이크로브릿지 모양으로 만드는 방법은 고온 초전도체 박막을 단결정으로 제작하기가 어려울 뿐만 아니라 대부분 큰 입자들로 이루어진 다결정 상태로 제작되기 때문에 마이크로브릿지의 특성을 제어하기가 어렵다. 또한, 패터닝(patterning)공정에서의 해상도가 떨어질뿐만 아니라 고온 초전도 박막자체가 식각에 사용되는 화학약품에 매우 약하기 때문에 패터닝후에 막의 특성이 급격히 저하되는 문제점이 있다. 한편 두번째의 초전도체-절연층-초전도체 형성방법은 고온 초전도체의 코헤런스 렌스(coherence length)가 약 10Å로 매우 짧기 때문에 이러한 두께로 초전도체 사이에 절연층을 형성하는 것이 매우 어렵고 또한 원하는 특성을 얻기가 힘들다. 또한, 양질의 고온 초전도 박막을 제조하기 위해서는 고가의 단결정 기판을 사용하여야 하므로 경제적 측면에서도 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 초전도체를 직접 에칭하지 않으므로 공정상 화학약품에 의한 특성저하를 피하고, 고가의 단결정 기판을 사용하지 않아도 특성의 재현성이 우수한 고온초전도 죠셉슨 접합의 제조방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 Y2BaCuO5기판상에 BaO 및 CuO 박막을 증착시킨 후에, 사진식각법로 패터닝하고 열처리하여 마이크로브릿지 형태의 죠셉슨 접합을 제조하였다.
상기에서 BaO 및 CuO 박막은 당량비로 3 : 5가 되도록 하였으며 열처리 온도는 850∼1000℃로 하였다.
본 발명을 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
우선 고온 초전도 박막을 마이크로브릿지 형태로 만들기 위해 99.9%이상의 순도를 갖는 Y2O3, BaCO3및 CuO분말을 칭량하여 대기중에서 하소한 후 1mm 두께의 펠렛(pellet)을 만들어 Y2BaCuO5기판(1)을 제작한다. 상기 박막의 접착력을 좋게 하기 위하여 Y2BaCuO5기판의 표면을 잘 연마한 후 전자빔(Electron beam) 증착법을 이용하여 BaO : CuO = 3 : 5의 당량비가 되는 두께 비율로 각각의 박막(2 및 3)을 순차적으로 증착한다.(제1도) 증착속도는 2Å/sec 이하가 되도록 석영-결정 오실레이터(quartz-crystal oscillator)를 사용하여 제어하였다. 이때 상기 당량비를 벗어나면 열처리 후에도 초전도상 이외의 미반응된 다른 상들이 잔류하게 되는 문제점이 발생한다.
증착중 기판의 온도는 400℃로 하였으며 챔버(chamber) 압력은 10-7∼10-8torr가 되도록 한다.
증착을 완료한 시편은 감광성 폴리머인 포토레지스터를 코팅하여 미세패턴을 형성한다.(제2도) 선폭 2㎛의 마이크로브릿지 패턴으로 제작된 광마스크(Photomask)를 이용하였으며 BaO/CuO막의 에칭은 질산(HNO3)으로 한다. 마이크로브릿지 패턴이 형성된 시편을 튜브 노에 넣어 산소분위기 850∼1000℃서 1시간 열처리 한다. 상기 열처리 온도가 850℃미만이면 초전도상이 형성되지 않으며, 1000℃를 초과하면 일부 성분들이 용융되어 조성이 틀려지게 되는 문제점이 발생한다.
상기 패터닝된 BaO/CuO 박막 (2 및 3)의 패터닝이 바로 고온초전도 박막(4)의 패터닝이 되는 것이다.(제3도) 상기에서 YBaCuO5기판위에 증착된 BaO/CuO 박막은 열처리를 통하여 다음과 같은 반응으로 초전도상을 형성하게 된다.
3BaO ＋ 5CuO3BaCuO2＋ 2CuO
3BaCuO2＋ 2CuO ＋ Y2BaCuO5 2Y2Ba2Cu3Oy
여기에서 Y2BaCuO5기판은 고온초전도 물질성분으로 구성되어 있고 계면에서의 반응에 의해 초전도상이 형성되므로 접착이 매우 강하고 불순물 확산으로 인한 초전도 특성 저하의 우려도 없으며 BaO/CuO 박막은 사진식각법으로 쉽게 패터닝할 수 있으며 매우 미세한 패턴도 가능하므로 고온 초전도 박막의 패터닝보다 훨씬 수월하다.
하기 실시예는 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하는 것이지 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
99.9%이상의 순도를 갖는 Y2O3, BaCO3및 CuO분말을 칭량하여 대기중에서 900℃, 12시간 하소한 후 프레스를 이용하여 두께 1mm의 펠릿을 만들어 930℃의 온도에서 소결하여 Y2BaCuO5기판(1)을 제작하였다. 상기 박막의 접착력을 좋게 하기위하여 Y2BaCuO5기판의 표면을 잘 연마한 후 전자빔 증착법을 이용하여 BaO : CuO = 3 : 5의 당량비가 되는 두께비율로 각각의 박막(2 및 3)을 순차적으로 증착하였다. 증착속도는 2Å/sec이하가 되도록 석영-결정 오실레이터를 사용하여 제어하였다. 증착중 기판의 온도는 400℃로 하였으며 챔버 압력은 10-7∼10-8torr가 되도록 하였다.
증착을 완료한 시편은 감광성 폴리머인 포토레지스터(AZ1512)을 코팅하여 미세패턴을 형성하였다. 선폭 2㎛의 마이크로브릿지 패턴으로 제작된 광마스크를 이용하였으며 BaO/CuO막의 에칭은 질산(HNO3)으로 하였다.
상기 마이크로브릿지 패턴이 형성된 시편을 튜브로에 넣어 930℃에서 1시간 열처리 하였다. 930℃까지는 180℃/ h로 승온하였으며 550℃까지 120℃/h로 냉각하여 6h 유지한 후 실온까지 냉각하였다.
결과적인 임계전이온도는 4단자법을 사용해서 측정하여 저항에 관한 변화치를 제5도에 도시하였으며, 박막의 결정배향 및 미세패턴관찰은 각각 X-레이 회절계(X-ray diffractometer, XRD)와 스캐닝 전자 현미경(Scanning electron microscopy, SEM)으로 분석하였다.
본 발명에 의한 마이크로브릿지 형태의 고온 초전도 죠셉슨 접합은 초전도 박막을 직접 에칭하지 않으므로 공정상 화학약품에 의한 특성저하를 피할 수 있으며 SrTiO3, MgO등과 같은 고가의 단결정 기판을 사용하지 않으므로 매우 경제성이 있다. 또한 미세 패턴이 가능하며 다양한 패턴 을 제작할 수 있으며 특성의 재현성이 우수한 장점이 있다.
Claims (1)
- Y2BaCuO5기판을 이용하여 고온초전도 조셉슨 접합을 제조하는 방법에 있어서,Y2BaCuO5기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 BaO 및 CuO의 당량비가 3:5가 되도록 하여 각각의 박막을 증착하는 단계;상기 박막을 패터닝하는 단계 및;상기 패터닝 된 박막 및 그 아래 기판을 포함한 전체를 850℃∼1000℃ 사이에서 열처리하여 고온초전도체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온초전도 조셉슨 접합의 제조방법
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019772A KR100244600B1 (ko) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920019772A KR100244600B1 (ko) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010407A KR940010407A (ko) | 1994-05-26 |
| KR100244600B1 true KR100244600B1 (ko) | 2000-02-15 |
Family
ID=19341790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920019772A KR100244600B1 (ko) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Y2bacuo5 기판을 이용한 고온초전도 죠셉슨접합의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100244600B1 (ko) |
-
1992
- 1992-10-26 KR KR1019920019772A patent/KR100244600B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Title |
|---|
| "고온초전도 세라믹스의 개발현황과 전망", 산업연구원, (1988), * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940010407A (ko) | 1994-05-26 |
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