SU1552356A1 - Мультивибратов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Цель - повышение надежности в работе мультивибратора (МВ) за счет повышени  стабильности частоты выходных импульсов при изменении напр жени  питани  и температуры, а также расширение его функциональных возможностей за счет расширени  диапазона генерируемых частот. Дл  ее достижени  в МВ введены инвертор 6, источник 14 опорного напр жени , ключевые транзисторы 7, 8, транзисторы 9 - 11, шина 15 управлени . МВ содержит также RS-триггер 1, врем задающий конденсатор 2 и инверторы 3 - 5. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

и 13 и соответственно с затворами ключевых транзисторов 8 и 7. Стоки ключевых транзисторов 7 и 8 присоединены к шине источника 14 опорного напр жени , а их истоки - соответственно к первой и второй обкладкам конденсатора 2, к входам инверторов 3, 4 и стокам транзисторов 9, 10 токового Зеркала. Затворы транзисторов 9-11 соединены между собой и со стоком транзистора 11 и присоединены к тине

15управлени , а их истоки соединены с общей шиной. Токоэадаютий резистор

16подключен между шиной источника 14 опорного напр жени  и шиной 15 управ- лен и .

Схема токового зеркала (фиг.2) с двум  шинами управлени  содержит первый 9, второй 10, третий 11, четвертый 17 транзисторы и первую 15 и вторую 18 шины управлени , при этом тина 18 управлени  соединена со стоком четвертого транзистора 17, его затво0

5

потенциал, а следовательно, на шине 12 - О, а на шине 13 - Г1, то на затвор транзистора 7 поступает напр жение , открывающее его, тогда потен - циал на одной обкладке конденсатора 2 равен ЕОП. Так как конденсатор был разр жен, то и на другой его обкладке устанавливаетс  такой же потенциал. При выборе соответствующих соотношений размеров транзисторов 7-10 ток разр да, протекающий через транзистор , лишь незначительно уменьшает потенциал обкладки конденсатора 2.

В интервале

с, потенциал на

входе -инвертора 3 линейно падает от величины Ер до „„. , так как ток разр да транзистора 9 посто нный (генератор тока) (Фиг.2а).

В момент Lr закрываетс  инвертор 3, высокий потенциал на входе S RS- триггера 1 перебрасывает его в другое устойчивое состо ние. При этом транзистор 7 закрываетс , транзистор 8

открываетс  и потенциал на входе вертора 3 становитс  равным Еоп, входе инвертора 4 (Ъиг.2б) равным

Ео - %

2Ео интервале конденсатора атор тока на

t2-t}

% 2 процесс переза- 2 происходит через транзисторе 10.

В момент tj инвертор 4 закрываетс , RS-триггер I перебрасываетс  в другое состо ние. Далее процесс повтор етс . При этом размах автоколебаний пилообразной Формы на входах инверторов 3 и 4 достигает величины (фиг.2а, 26)

2Е - U - U,

2(Е0 и„ор 0

пор пор При равенстве размеров транзисторов 9-П токового зеркала и их пороговых напр жений мультивибратор генерирует импульсы симметричной формы на выходах 12 и 13 (фиг.2в, г), при этом

Ј 2С

Т (§.(4)

Ti)

период генерируемых импульсов;

2(Ев - U

по

С - емкость конденсатора 2;

) размах пилоо&разного напр  1жени  на обкладках конденсатора 2; 1у - ток управлени  токового

зеркала.

Следовательно, частота выходных импульсов не зависит от напр жени  питани  и обеспечиваетс  посто нна  скважность колебаний, равна  2.

Из формулы (2) также следует, что частота автоколебаний мультивибратора пр мо пропорциональна I,. и может быть изменена в широких пределах что обеспечивает расг ирение Лункнио- нальных возможностей мультивибратора

При включении токозадающего резистора 16 между тиной 15 управлени  и шиной 14 источника опорного напр жени  величина тока управлени  в первом приближении определ етс  выражением

где

vnp % Е - Ujjoj

(5)

сопротивление резистора 16. (2) принимаВ этом случае формула ет вид

202 (Ео - ,

4RoC.

(6)

Следовательно, частота автоколебаний в первом приближении не зависит от технологических разбросов парамет - ров транзисторов, от изменени  тем- пературы и от величины опорного напр жени  .

Таким образом, технико-экономический эфАект заключаетс  в повышении стабильности частоты при изменении питающего напр жени  и температуры и расширени  диапазона генерируемых

и скважностей выходных импульчастот сов.

5

0

Claims (3)

1. 0 Формула изобре,тени 

   I . fyльтивибpaтop, содержащий RS- триггер, врем задаютцин конденсатор, включенный между входами первого и второго инверторов, выходы которых соединены соответственно с пр мым и инверсным входами RS-триггера, третий инвертор, вход которого соединен с инверсньм выходом RS-триггера, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности работы за счет повышени  стабильности частоты выходных импульсов при изменении напр жени  питани , а также расширени  5 функциональных возможностей за счет расширени  диапазона генерируемых частот, в него введены четвертый инвертор , вход которого соединен с пр мым выходом RS-триггера, источник опорного напр жени , первый и второй ключевые транзисторы, стоки которых соединены с шиной источника опорного напр жени , затворы - соответственно с выходами третьего и четвертого инверторов и с выходными тинами, а истоки - с первой и второй обкладками конденсатора, схема токового зеркала, содержаща  первый, второй и третий транзисторы и шину управлени , стоки первого и второго транзисторов соединены соответственно с второй и первой обкладками конденсатора, затворы - с затвором и стоком третьего транзистора и с шиной управлени , а истоки транзисторов соединены г общей тиной .
2. 2. Мультивибратор по п., о т - лич ающийс   тем, что, с ие- лью повышени  стабильности частоты

   0

   5

   0

   5

   выходных импульсов при изменении температуры , в него введен токозадающий резистор, включенный между шиной управлени  и шиной источника опорного напр жени .
3. 3. Мультивибратор по п.1, отличающийс  тем, что, с целью расширени  функциональных возможностей за счет расширени  диапазона скважностей выходных импульсов, в

   схему токового зеркала введены четвертый транзистор и втора  шина управлени , котора  соединена с затвором и стоком четвертого транзистора и затвором второго транзистора, затворы первого и третьего транзисторов соединены с первой шиной управлени  током, а исток четвертого транзистора соединен с истоком третьего транзистора .

   Фиг. г

   -1