SU1447270A3 - Способ запуска установки непрерывной разливки металла - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к металлургии , конкретно, к способу запуска многоручьевой установки непрерывной разливки металла. Цель изобретени  - сокращение времени разливки. В многоручьевой установке дл  непрерывной разливки металла заданный уровень заполнени  в кристаллизаторах А, В, .С контролируетс  на измерительном участке 9 с помощью нижней и верхней сигнальных плоскостей 21 и 22, благодар  которым происходит управление и включение сливных затворов 4 промежуточного ковща 3 дл  кристаллизаторов А, В, Си выт жного привода дл  слитков, выт гивающихс  с одинаковой скоростью. При этом выравнй- ваютс  все фактические уровни 20 за- полнени  кристаллизаторов А, В, С при подъеме между двум  сигнальными плоскост ми 21 и 22. Путем использовани  новых технологических операций и установлени  кривых подъема между сигнальными плоскост ми 21 и 22 процесс разливки при упрощенных технологических операци х совершенствуетс . 3 ил. i СО

Description

см

Изобретение относитс  к металлургии , а именно к способу запуска многоручьевой установки непрерывной разливки , в частности дл  разливки рас- плава стали, из промежуточного ковша в несколько кристаллизаторов дл  непрерывной разливки с помощью регулируемых сливных затворов.

Цель изобретени  - сокращение времени разливки,

На фиг.1 показана схема дл  управлени  трехручьевой установкой дл  непрерывной разливки металла,на фиг.2 п 3 - возможные изменени  уровн  ме- тап.иа в кристаллизаторах в процессе .

Из разливочного ковша 1 через ре- гулируемьш сливной затвор 2 расплав стали подаетс  в промежуточный ковш 3, имеющий Три сливных затвора в форме шиберных затворов 4, регулирующих подвод расплава через трубы 5 дл  заливки в кристаллизаторы А, В, С дл  непрерывной разливки. Дл  этого каж- дый шиберный затвор механически соединен с исполнительным звеном 6, соответствующа  позици  которого при эксплуатации фиксируетс  датчиком 7 положени . Трубы 5 дл  заливки своими свободными концами вход т в кристаллизаторы А, В, С. Отрегулированньш дл  нормальной эксплуатации заданньй уровень 8 заполн етс  на измерительном участке 9 устройства дл  измере- НИЛ уровн  заполнени , состо щего из передатчика 10 и приемника 11 дл  каждого кристаллизатора А, В, С,

За кристаллизаторами А, В, С установлено охлаждающее устройство (не показано), а также дл  слитков выт жное устройство, имеющее вeдyш e ролики 12, привод 13, регул тор 14 привода и измеритель 15 скорости выт гивани . Последний передает свои измеренные значени  на регул тор 14 привода и к процессору 16, принимающему и перерабатывающему, кроме этих еще и измеренные значени  датчиков 7 положени , контролирующих степень открыти  шиберных затворов 4, и приемников 11 устройств дл  измерени  уровн  заполнени . Получаемые данные идут к интегрированной в процессоре 16 управл ющей вычислительной машине 17, вьщающей соответствующие управл ющие команды на исполнительные звень  6 шиберньк затворов 4 и на регул тор 14 выт  сного привода

дл  слитков, в качестве константы установлена скорость выт гивани , т.е. образующиес  в кристаллизаторах А, В, С слитки 18 выт гиваютс  с помощью общего выт жного устройства с одинаковой скоростью. Это означает , что предусматриваемый дл  кристаллизаторов заданный уровень 8 заполнени  регулируетс  только со стороны притока с помощью шиберных затворов. Дл  этого шиберные затворы 4 при нормальной разливке в плоскости заданного уровн  заполнени  удерживают в дросселированном положении , чтобы иметь возможность с помощью регулировани  как уменьшать, так и увеличивать подвод расплава.

В начале процесса затравки 19 ввод тс  в кристаллизаторы А, В, Си отключаетс  выт жной привод 13. Во врем  разливки фактические уровни 20 заполнени  всех кристаллизаторов А, В, С должны быть приведены к одному уровню между сигнальньи-ш плоскост ми 21 и 22.

В частности, при разливке сначала шиберные затворы 4 открываютс  преимущественно только на 35%, но ни в коем случае не полностью. Благодар  этому дл  затворов 4 получаютс  резервы регулировани  как в направлении закрыти , так и в направлении открыти , позвол ющие поднимать каждый из фактических уровней 20 заполнени  (фиг.2), поднимающихс  в кристаллизаторах А, В, С от нижней сигнальной плоскости 21 до заданного уровн  8 заполнени  вдоль задаваемой заранее кривой 23 подъема, котора  согласуетс  с эксплуатационными услови ми соответствующей установки с помощью соответствующего программировани  процессора 16.

Критерием в отношении кривой 23, определ ющей скорость заполнени  кристаллизаторов А, В, С при разливке ,  вл етс  то, что она никогда не должна быть такой, что будет превышена по минимуму граница застывани  расплава в шиберных затворах или расплав будет переливатьс  через край кристаллизатора. Регулирование каждого шиберного затвора 4 по кривой 23 начинаетс  на нижней сигнальной плоскости 21 и приводитс  в действие за счет уровн  20 заполнени , поднимающегос  в соответствующих кристаллизаторах А, В, С. Если при.

подъеме последний из всех фактических уровней заполнени  A2U или В20, или С20 превосходит нижнюю сигнальную плоскость 21, то тогда управл юща  вычислительна  машина 17 процессора 16 включает выт жной привод 13 общего выт жного устройства дл  слитков 18. После этого подъем фактических уровней заполнени  А20, В20, С20 происходит независимо друг от друга на базе одинаковых критериев и, следовательно , графически параллельных кривых 23- подъема до прихода к заданному уровню 8 заполнени , установленному дл  нормального процесса разливки. При этом, если бы при достижении заданного уровн  были бы получены избыточные импульсы за счет слишком быстро поднимающегос  уровн  20 заполнени , то это создало бы перелив через край кристаллизатора. Если при разливке фактический уровень 20 заполнени  кристаллизатора А или В, или С уже пришел к верхней сигнальной плоскости 22, в то врем  как другие еще наход тс  ниже нижней сигнальной плоскости 21, то дл  шиберных затворов 4, отстающих указанным образом фактических уровней заполнени  20, даютс  команды на закрытие .

Фактический уровень 20 (фиг.2) заполнени  кристаллизатора С после одновременного дросселированного открыти  всех шиберных затворов 4 в начале разливки первым достиг за врем  Ct нижнюю сигнальную плоскость 21, причем относ щийс  к кристаллизатору С шиберный затвор 4 берет на себ  регулировку подвода расплава по расчетной кривой 23 подъема. Вслед за этим фактические уровни 20 заполнени  кристаллизаторов В и А друг за другом пересекают за времена Bt и At сигнальную плоскость 21 и задействуют в этот момент регулирование подъема по кривой 23. Ни один из фактических уровней 20 заполнени  не отстает на существенную величину. Уровень А20 достигает нижнюю сигнальную плоскость 21 еще до того, как уровень С 20 по0

5

0

5

0

5

0

5

0

дойдпт к верхней сигнальной плоскости 22, так что команда на запуск привода 13 выт жного устройства исходит от фактического уровн  заполнени  А20.

Фактический уровень заполнени  А20 по фиг.З уже пришел к верхней сигнальной плоскости 22, фактический уровень заполнени  В20 превысил нижнюю сигнальную плоскость 21, а фактический уровень заполнени  С20 еще находитс  ниже этой плоскости. При этом положении фактических уровней заполнени  выт жной привод 13 дл  слитков запускаетс  на верхней сигнальной плоскости 22 фактическим уровнем заполнени  А20 и одновременно закрываетс  пшберньш затвор 4 кристаллизатора С, фактический уровень заполнени  С20 в котором к этому времени не подн лс  над нижней сигнальной плоскостью 21.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ запуска установки непрерывной разливки металла, преимущественно из промежуточной емкости с регулируемыми сливными затворами и общим приводом выт гивани  слитков, включающий подачу металла из промежуточной емкости в кристаллизаторы и изменение подачи металла при достижении уровнем металла в любом из кристаллизаторов первого заданного по технологии значени , включение привода при достижении уровнем металла в любом из кристаллизаторов второго заданного по технологии значени , причем первое заданное по технологии значение уровн  меньше второго, о т- личающийс  тем, что, с целью сокращени  времени разливки, включают привод при достижении уровн ми металла во всех кристаллизаторах первого заданного по технологии значени , причем измен ют уровень металла в каждом из кристаллизаторов после достижени  им первого заданно-. го по технологии уровн  до второго заданного по технологии уровн  с заданной скоростью.

   % «О

   89

   ay

   ю

   6.

   96 Т iOO

   8S 70

   9

   X- 0

   Редактор М.Бланар

   Составитель А.Абросимов

   Техред М.Ходанич Корректор Э.Лончакова

   Заказ 6755/58

   Тираж 741

   ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени м и открыти м при ГКИТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб,, д. 4/5

   Подписное