SU1282582A1 - Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществленияInfo
- Publication number
- SU1282582A1 SU1282582A1 SU3828861/26A SU3828861A SU1282582A1 SU 1282582 A1 SU1282582 A1 SU 1282582A1 SU 3828861/26 A SU3828861/26 A SU 3828861/26A SU 3828861 A SU3828861 A SU 3828861A SU 1282582 A1 SU1282582 A1 SU 1282582A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- container
- seed
- crystallization
- single crystals
- refractory materials
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его сердцевине.2. Устройство выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающее контейнер с затравкой, расположенный внутри виткового нагревателя сопротивления, окруженного пакетами вертикальных и горизонтальных экранов, отличающееся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, пакеты вертикальных экранов выполнены раздвижными, причем пакет вертикальных экранов со стороны затравки выполнен из примыкающих друг к другу секций, внешняя из которых выполнена разъемной с линией разъема, перпендикулярной оси контейнера, и нагреватель сопротивления выполнен из последовательно соединенных секций с соотношением диаметров витков между секциями 4:5:7:5:4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3828861/26A SU1282582A1 (ru) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3828861/26A SU1282582A1 (ru) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1282582A1 true SU1282582A1 (ru) | 2009-11-10 |
Family
ID=60542849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3828861/26A SU1282582A1 (ru) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1282582A1 (ru) |
-
1984
- 1984-12-25 SU SU3828861/26A patent/SU1282582A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB827465A (en) | Improvements in or relating to methods and apparatus for the manufacture of single crystals of a substance, for example a semi-conductor such as germanium or silicon | |
GB1311028A (en) | Producing monocrystals | |
CN101942694A (zh) | 一种导模提拉法生长铁酸钇晶体的方法 | |
SU1282582A1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов и устройство для его осуществления | |
JPS5567596A (en) | Single crystal growing method | |
US3960511A (en) | Zone melting process | |
GB1415286A (en) | Non-crucible zone melting of semiconductor rods | |
JPS5582434A (en) | Method of epitaxial growth at liquid phase | |
JPS6418988A (en) | Single crystal growth unit | |
JPS55126597A (en) | Single crystal growing method | |
EP0135676A3 (en) | Apparatus for growing czochralski crystals and growth method using such apparatus | |
JPS55113695A (en) | Single crystal growing device | |
JPS5560092A (en) | Production of single crystal | |
JPS5815472B2 (ja) | 結晶育成装置 | |
GB1146230A (en) | Apparatus for causing a rod of crystalline material to grow | |
JPS57183393A (en) | Apparatus for growing single crystal | |
GB915883A (en) | A process for producing a monocrystalline rod of semi-conductor material | |
JPS6418985A (en) | Production of oxide single crystal | |
BENZ | Solution zone growth of 3-5 and 2-6 compounds | |
GB809486A (en) | Method and apparatus for producing single-crystal semiconductor material | |
JPS54125190A (en) | Crystal growing mehtod | |
JPS53119789A (en) | Electric furnace for crystal growth | |
JPS56160399A (en) | Manufacture of fresnoite single crystal | |
JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
JPS55158195A (en) | Manufacture of single crystal |