SU124559A3

SU124559A3 - Способ изготовлени селеновых фотоэлементов

Info

Publication number: SU124559A3
Application number: SU591976A
Authority: SU
Inventors: Кучера Л.
Original assignee: ЧКД Модржаны
Priority date: 1958-02-11
Filing date: 1958-02-11
Publication date: 1958-11-30

Description

Известны способы изготовлени селеновых фотоэлементов, при помощи которых одновременно с нанесением верхнего электрода получают запирающий слой путем катодного расиылени или испарени материала верхнего электрода в разр женной окислительной атмосфере.

Недостатки подобных способов состо т в том, что при их использовании трудно получить однородные по своим параметрам фотоэлементы с достаточно высоким внутренним сопротивлением.

В описываемом изобретении эти недостатки устранены разделенном операций по созданию запирающего сло и нанесению верхнего электрода , что дает возможность обеспечить подбор оптимального режима при проведении каждого из этих процессов.

Запирающий слой получают двум способами.

Первый-физический-способ состоит в погружении основной пластинки фотоэлемента с нанесенным на нее посредством испарени слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению при. температуре 140°, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составл ет 10-80%. При этом на активной поверхности образуетс слой монокристаллического селена из частиц невыкристаллизовавшегос при первом термическом превращении селена.

При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательиым электродом, погружают в растворы, способные вступать

.Al 124559 2 в реакцию с селеном, подвергнутым первому термическому преврандению при температуре 140°, например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1%, под вли нием которых на поверхно.сти селена образуетс тонкнй слой двуокиси селена, обогащенный ионами кали .

После получени запираюш.его сло фотоэлемент промывают, суН1ат и на него испарением в вакууме нанос т отрицательный электрод.

Обработанные таким образом фотоэлемегггы обладают новынюнным внутренним сонротивлением и однородностью параметров.

Предмет и з о б р е т е н и

Способ изготовлени селеиовы.х фотоэ.лсментов, о т л н ч а JO щ и йс тем, что, с целью получени высокого внутреннего сопротивлени фотоэлементов и увеличени однородности параметров, запираюни-1Й сло(; фотоэлемента образуетс обработкой селенового сло , нанесенного на основную пластину, бензолом, 10-80 |:-иым сниртовым раствором ацетона , спиртовым или водным раствором железосинеродистого калн концентрации 0,01 - 1%, после чего испарением в вакууЛ1е наноситс отрицательный электрод.