SU124559A3 - Способ изготовлени селеновых фотоэлементов - Google Patents

Description

Известны способы изготовлени  селеновых фотоэлементов, при помощи которых одновременно с нанесением верхнего электрода получают запирающий слой путем катодного расиылени  или испарени  материала верхнего электрода в разр женной окислительной атмосфере.

Недостатки подобных способов состо т в том, что при их использовании трудно получить однородные по своим параметрам фотоэлементы с достаточно высоким внутренним сопротивлением.

В описываемом изобретении эти недостатки устранены разделенном операций по созданию запирающего сло  и нанесению верхнего электрода , что дает возможность обеспечить подбор оптимального режима при проведении каждого из этих процессов.

Запирающий слой получают двум  способами.

Первый-физический-способ состоит в погружении основной пластинки фотоэлемента с нанесенным на нее посредством испарени  слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению при. температуре 140°, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составл ет 10-80%. При этом на активной поверхности образуетс  слой монокристаллического селена из частиц невыкристаллизовавшегос  при первом термическом превращении селена.

При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательиым электродом, погружают в растворы, способные вступать

.Al 124559 2 в реакцию с селеном, подвергнутым первому термическому преврандению при температуре 140°, например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1%, под вли нием которых на поверхно.сти селена образуетс  тонкнй слой двуокиси селена, обогащенный ионами кали .

После получени  запираюш.его сло  фотоэлемент промывают, суН1ат и на него испарением в вакууме нанос т отрицательный электрод.

Обработанные таким образом фотоэлемегггы обладают новынюнным внутренним сонротивлением и однородностью параметров.

Предмет и з о б р е т е н и  

Способ изготовлени  селеиовы.х фотоэ.лсментов, о т л н ч а JO щ и йс   тем, что, с целью получени  высокого внутреннего сопротивлени  фотоэлементов и увеличени  однородности параметров, запираюни-1Й сло(; фотоэлемента образуетс  обработкой селенового сло , нанесенного на основную пластину, бензолом, 10-80 |:-иым сниртовым раствором ацетона , спиртовым или водным раствором железосинеродистого калн  концентрации 0,01 - 1%, после чего испарением в вакууЛ1е наноситс  отрицательный электрод.