SE517801C2 - Laminerad symmetreringstransformator samt förfarande för tillverkning av en sådan - Google Patents

Laminerad symmetreringstransformator samt förfarande för tillverkning av en sådan

Info

Publication number
SE517801C2
SE517801C2 SE9700910A SE9700910A SE517801C2 SE 517801 C2 SE517801 C2 SE 517801C2 SE 9700910 A SE9700910 A SE 9700910A SE 9700910 A SE9700910 A SE 9700910A SE 517801 C2 SE517801 C2 SE 517801C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
dielectric
guide
laminated
disk
transformer
Prior art date
Application number
SE9700910A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9700910L (sv
SE9700910D0 (sv
Inventor
Takehiko Morikawa
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of SE9700910D0 publication Critical patent/SE9700910D0/sv
Publication of SE9700910L publication Critical patent/SE9700910L/sv
Publication of SE517801C2 publication Critical patent/SE517801C2/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041Printed circuit coils
    • H01F41/043Printed circuit coils by thick film techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006Printed inductances
    • H01F17/0013Printed inductances with stacked layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F19/00Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
    • H01F19/04Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/4902Electromagnet, transformer or inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

20 25 30 517 801 2 Vidare har även en annan symmetreringstransforrnator föreslagits. Denna symmetreringstransformator är en laminerad symmetreringstransformator 60 visad i Fig. 7, och som ytterligare beskrivs i patentet US-A-S 497 137 av samma sökande som för föreliggande uppfinning. Symmetreringstransformatom 60 inkluderar ett dielektriskt skikt 61b på vilket en tilledningselektrod 62 är åstadkommen, ett dielektriskt skikt 61c på vilket en MZ-bandledning 63 är åstadkommen, ett dielektriskt skikt 61d på vilket M4-bandledningar 64 och 65 är åstadkomma, och dielektriska skikt 6la respektive 61e på vilka jordelektroder 66 respektive 67 är åstadkomna. lt/4-bandledningama 64 och 65 är elektromagnetiskt kopplade mot den vänstra sektionen 63a respektive den högra sektionen 63b hos NZ-bandledningen 63.
Eftersom symmetreringstransfonnatom 51 i Fig. 6 har en koaxial struktur, är det svårt att åstadkomma den kompakt. Därför är den inte lämpad för enheter såsom mobilradioutrustning, vilken kräver en kompakt symmetreringstransfonnator. Även om symmetreringstransformatorn 60 i Fig. 7 definitivt är mer kompakt än symmetreringstransfonnatom 51, vilken har koaxial struktur, eftersom Å/Z-bandledníngen 63 är utsträckt över det dielektiiska skiktet 6lc, upptar symmetreringstransformatom 60 en stor yta på ett tryckt kretskort när den anordnas på det tryckta kretskortet.
För att anpassa de elektriska karakteristikoma hos symmetreringstransfonnatom 60, anpassas den elektromagnetiska kopplingen mellan bandledningar genom att ändra tjockleken hos ett dielektriskt skikt och bredden hos en handledning. Emellertid finns det inget armat sätt än att ändra bredden hos H4-bandledningen 64 eller ledningsbredden hos sektionen på den vänstra sidan 63a hos Å/Z-bandledningen 63 för att exempelvis oberoende anpassa elektro- magnetisk koppling mellan M4-bandledningen 64 och sektionen på den vänstra sidan 63a hos N2- bandledningen 63 och elektromagnetisk koppling mellan N4-bandledningen 65 och sektionen på den högra sidan 63b hos N2-bandledningen 63. Detta beror på, att när tjockleken hos det dielektriska skiktet 6lc anordnat mellan N4-bandlednjngarna 64 och 65 och N2-bandledningen 63 ändras, påverkas elektromagnetisk koppling mellan M4-bandledningen 65 och sektionen på den högra sidan 63b hos Ä/Z-bandledningen 63. Anpassning med bandledningsbredd förorsakar en liten ändring och det är inte lätt att anpassa elektromagnetisk koppling mellan bandledningar.
SAMMANFATTNING AV UPPFINNINGEN Följaktligen är det ett syfte hos föreliggande uppfinning att åstadkomma en larninerad symmetreringstransformator, vilken medger lätt anpassning av elektromagnetisk koppling mellan bandledningar och som kan åstadkommas kompakt.
Ovanstående syfte uppnås enligt en aspekt hos föreliggande uppfinning genom anordnandet av en laminerad symmetreringstrarisfonnator inkluderande åtminstone två par av O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 l5 20 25 30 o v o o o o o» 517 801 3 bandledningar, varvid varje handledning i ett par är elektromagnetisk kopplade genom ett dielektriskt skikt, varvid paren av bandledningar är separerade med ett dielektriskt skikt anbragt mellan paren i en staplad struktur.
Enligt en annan aspekt uppnås ovanstående syfte hos föreliggande uppfinning genom åstadkommandet av en laminerad symmetreringstransformator inkluderande en första dielektrisk skiva med en första bandledning anordnad på en av dess ytor, en andra dielektrisk skiva med en andra bandledning elektromagnetiskt kopplad med den forsta handledningen anordnad på en av dess ytor, en tredje dielektrisk skiva med en tredje bandledning anordnad på en av dess ytor, en fjärde dielektrisk skiva med en fjärde bandledning elektromagnetisk kopplad med den tredje handledningen anordnad på en av dess ytor, och en elektrisk anslutning, vilken elektriskt ansluter den forsta handledningen och den fjärde handledningen, varvid den första, den andra, den tredje, och den fjärde dielektriska skivan är i ett staplat förhållande, en ovanpå en annan, i en laminerad struktur. De elektriska anslutningsorganen inkluderar externa elektroder åstadkomna på sidoytor hos den laminerade enheten och genomgående hål åstadkomna inuti den laminerade enheten.
Enligt föreliggande uppfinning, eftersom åtminstone två par av bandledningar elektromagnetiskt kopplade med ett dielektriskt skikt anordnat mellan dem är âstadkommet, varvid de två paren av bandledningar är staplade genom ett dielektriskt skikt, varvid varje bandledning är larninerad mot ett dielektriskt skikt, utan att de är anordnade på samma dielektriska skikt som en arman bandledning, erhålles en symmetreringstransformator med en liten yta. Dessutom, eftersom tjockleken hos ett dielektriskt skikt anordnat mellan ("sand- wiched") ett par av elektromagnetiskt kopplade bandledningar kan anpassas oberoende av tj ockleken hos det dielektriska skiktet anordnat mellan det andra paret av bandledningar, erhålles en larninerad symmetreringstransformator i vilken elektromagnetisk koppling mellan band- ledningar lätt kan erhållas.
KORTFATTAD BESKRIVNING AV RITNINGSFIGURER Fig. 1 är en sprängskiss i perspektivvy av en laminerad symmetreringstransformator i enlighet med en forsta utföringsform av föreliggande uppfinning.
Fig. 2 är en vy i perspektiv av en syrnrnetreringstransforrnator visad i F ig. 1.
Fig. 3 är ett elektriskt ekvivalent kretsschema för symmetreringstransformatom visad i Fig. 2.
Fig. 4 är en sprängskiss i perspektivvy av en laminerad syrnmetreringstransformator i enlighet med en andra utforingsform av föreliggande uppfinning.
Fig. 5 är en vy i perspektiv av symmetreringstransformatorn visad i F ig. 4.
O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 517 801 4 Fig. 6 är en partiellt bruten perspektivvy av en konventionell symmetreringstrans- forrnator.
Fig. 7 är en sprängskiss i perspektivvy av en annan konventionell symrnetrerings- transformator.
BESKRIVNING AV FÖREDRAGNA UTFÖRINGSFORMER Laminerade symmetreringstrarisfonnatorer i enlighet med utföringsfonner av föreliggande uppfinning kommer att beskrivas nedan med referens till bilagda ritningsfigurer. I varje utföringsform är samma komponenter och samma delar försedda med lika hänvisnings- beteckningar.
En första utfóringsform Såsom visas i Fig. 1 inkluderar en larninerad symmetreringstransforrnator 1 första till fjärde dielektriska skivor 2c, 2d, 2f, och 2g på vilka 7J4-bandledningar 4, 5, 8 respektive 9 är åstadkomna, och femte till sjunde dielektriska skikt 2a, 2e, och 2h på vilka forsta till tredje jordelektroder 12, 13 respektive 14 är åstadkomna, och en åttonde dielektrisk skiva 2b på vilken en tilledningselektrod 3 är åstadkommen.
De åtta dielektriska skivorna 2a till 2h kan tillverkas av harts såsom epoxy eller ett keramiskt dielektriskt material. I den första utföringsforrnen är dielektriskt keramiskt pulver knådat med ett bindemedel ur vilket de åtta dielektriska skivorna 2a till 2h bildas.
Tilledningselektroden 3 bildas på så sätt att en ände 3a därav är synlig strax till höger om centrum på den bortre sidan hos den åttonde skivan 2b såsom visas i Fig. l och den andra änden 3b därav är åstadkommen i centrum av den åttonde skivan 2b. Den första N4- bandledningen 4 har spiralforrn, varvid en ände 4a är synlig vid den högra sidan på den främre sidan hos den första dielektriska skivan 2c såsom visas i Fig. 1, och den andra änden 4b är åstadkommen vid centrum hos den första dielektriska skivan 2c. Den vid centrum åstadkomna änden 4b hos den första handledningen 4 är elektriskt ansluten till den centralt åstadkomna änden 3b hos tilledningselektroden 3 genom ett genomgående hål 20a åstadkommet i den åttonde dielektriska skivan 2b. Den andra N4-bandledriingen 5 har spiralforrn, varvid en ände 5a vilken är synlig strax till höger om centrum på den främre sidan hos den andra dielektriska skivan 2d såsom visas i F ig. 1 och den andra änden 5b är åstadkommen vid centrum hos den andra skivan 2d. Den andra handledningen 5 är bildad så att den är motstående den första handledningen 4, med den första dielektriska skivan 2c åstadkommen däremellan. Följaktligen är de första och andra bandledningarna 4 och 5 elektromagnetiskt kopplade så att de bildar en första kopplare.
Den tredje N4-bandledningen 8 har spiralforrn, varvid en ände 8a vilken är synlig strax till vänster om centrum på den fiärnre sidan hos den tredje skivan 2f och den andra änden 8b, O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2 .doc *n 10 15 20 25 30 c n - n q. 517 801 5 vilken är åstadkommen vid centrum hos den tredje skivan 2f. Den fjärde ll/4-bandledningen 9 har spiralfonn, varvid en ände 9a vilken är synlig vid den högra delen på den fiämre sidan hos den fjärde skivan 2g såsom visas i Fig. 1 och den andra änden 9b, vilken är öppen och åstadkommen vid centrum hos den fjärde skivan 2g. Den fjärde handledningen 9 är bildad så att den är motstående den tredje handledningen 8 med den tredje dielektriska skivan 2f åstadkommen mellan dem. Följaktligen är de tredje och fjärde bandledningarna 8 och 9 elektromagnetiskt kopplade så att de bildar en andra kopplare.
Den första jordelektroden 12 är åstadkommen på nästan hela området hos en yta hos den femte skivan 2a. En ledande sektion l2a hos den första jordelektroden 12 är synlig på den vänstra delen på den främre sidan hos den femte dielektriska skivan 2a, och de ledande sektionema 12b och 12c är synliga vid de vänstra- respektive högra delarna på den bortre sidan hos den femte skivan 2a. Den andra jordelektroden 13 är åstadkommen på nästan hela området av en yta hos den sjätte dielektriska skivan 2c. En ledande sektion 13a hos den andra jordelektroden 13 är synlig vid den vänstra delen på den främre sidan hos den sjätte skivan 2e, och de ledande sektionema 13b respektive l3c är synliga vid vänstra- och högra delarna på den bortre sidan hos den sjätte skivan 2e, såsom visas i Fig. 1. Den andra jordelektroden 13 är elektriskt ansluten till änden 5b hos den andra handledningen 5 genom ett genomgående hål 20b åstadkommet i den andra skivan 2b och elektriskt ansluten mot änden 8b hos den tredje handledningen 8 genom ett genomgående hål 20c åstadkommet i den sjätte skivan 2e. Den fjärde jordelektroden 14 är åstadkommen på nästan hela området hos en yta hos den sjunde dielektriska skivan 2h. En ledande sektion 14a är synlig vid den vänstra delen på den främre sidan hos den sjunde skivan 2h, och de ledande sektionerna l4b och l4c är synliga vid vänstra- respektive högra delarna på den bortre sidan hos skivan 2h.
Det är föredraget att dessa tre jordelektroder 12 till 14 är åstadkomna vid positioner på avstånd från de fyra bandledningarna 4, 5, 8, och 9, via bestämda avstånd med hänsyn tagen till karakteristikoma hos symmetreringstransforrnatom 1. Ledningselektroden 3, de fyra bandledningarna 4, 5, 8, och 9, och de tre jordelektrodema 12 till 14 är tillverkade av material såsom AgPd, Ag, Pd, och Cu, och bildade exempelvis genom ett sprutfórfarande, ett förångningsdeponeringsförfarande, eller ett tryckförfarande.
De åtta skivorna 2a till 2h är staplade och integrerat sintrade för att bilda en larninerad enhet 20 visad i Fig. 2. Fyra extema elektroder 25, 26, 27, och 28 är bildade på den främre sidan hos den laminerade enheten 20, och fyra externa elektroder 29, 30, 31, och 32 är bildade på den bortre sidan. Alla åtta extema elektroder 25 till 32 är tillverkade av material såsom AgPd, Ag, O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 o l o: G00 o o o o o c u ø no 517 801 6 Pd, och Cu, och exempelvis bildade genom ett sprutförfarande, ett fórångningsdeponeringsförfarande, eller ett tryckfórfarande.
Den forsta externa elektroden 25 för jord är elektrisk ansluten till de ledande sektionerna l2a, 13a, och 14a hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den andra externa elektroden 26 för inmatning och utrnatning är elektriskt ansluten till änden 8a hos den tredje handledningen 8, och den tredje externa elektroden 27 för inmatning och utrnatning är elektriskt ansluten till änden 5a hos den andra handledningen 5. Den fjärde externa elektroden 28 för vidarebefordran är elektriskt ansluten till ändarna 4a och 9a hos bandledningarna 4 och 9. Den femte externa elektroden 29 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionerna 12b, 13b, och l4b hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den sjätte externa elektroden 31 for inmatning och utrnatning är elektriskt ansluten till änden 3a hos handledningen 3. Den sjunde externa elektroden 32 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionerna 12c, l3c, och l4c hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den åttonde elektroden 30 är inte ansluten till någon ledande sektion. Fig. 3 är ett ekvivalent elektriskt schema fór symrnetreringstransforrnatom 1.
Efiersom symmetreringstransforrnatom 1, vilken har den konfiguration som beskrivits ovan, har de fyra bandledningarna 4, 5, 8, och 9, vilka har en längd som är lika med en fjärdedel av våglängden som motsvarar den använda centrumfrekvensen, behöver de dielektriska skivorna inte ha en stor yta. Som ett resultat därav är symmetreringstransforinatom 1 kompakt åstadkommen. Mera specifikt, symmetrcringstransfonnatorn 1 kräver en yta på ett tryckt kretskort på omkring hälfien av den fór en konventionellt laminerad symmetreringstransfonnator 60 visad i Fig. 7.
För att anpassa de elektriska karakteristikoma hos symmetreringstransfonnatom 1, kan tjockleken hos de forsta och tredje dielektriska skivoma 2c och 2f och bredden hos de fyra bandledningarna 4, 5, 8, och 9 ändras för att anpassa elektromagnetisk koppling mellan de forsta och andra bandledningarna 4 och 5 och elektromagnetisk koppling mellan de tredje och fiärde bandledningarna 8 och 9. De fyra bandledningarna 4, 5, 8, och 9 är inte bildade på samma dielektriska skiva. De första och andra bandledningarna 4 och 5 är elektromagnetiskt kopplade genom den forsta dielektriska skivan 2c, och de tredje och fjärde bandledningarna 8 och 9 är elektromagnetiskt kopplade genom den tredje dielektriska skivan 2f. Följaktligen, genom att ändra tjockleken hos var och en hos de forsta och tredje dielektriska skivoma 2c och 2f, anpassas elektromagnetisk koppling mellan de forsta och andra bandledningarna 4 och 5 oberoende av elektromagnetisk koppling mellan de tredje och fjärde bandledningarna 8 och 9. Som ett resultat medger symmetreringstransfonnatom 1 enkel anpassning av elektromagnetisk koppling mellan bandledningarna.
O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 517 801 7 Eftersom symmetreringstransforrnatom 1 har jordelektroden 12 på sin övre yta, är den skärmad. Jordelektroden 12 är synlig på den övre ytan. Det är underförstått att jordelektroden 12 helt kan täckas av en annan dielektrisk skiva.
Arbetssättet för symmetreringstransforrnatorn 1 tj änande som en balanserande- obalanserande signalomvandlare kommer att beskrivas nedan. För att omvandla en obalanserad signal i en obalanserad överföringsledning till en balanserad signal i en balanserad överföringsledning och vice versa, ansluts den obalanserade överföringsledningen till den sjätte externa elektroden 31, och den balanserade överföringsledningen ansluts till de andra och tredje extema elektrodema 26 och 27. En obalanserad signal som överförs på den obalanserade överföringsledningen går genom den sjätte extema elektroden 31, ledningselektroden 3, den första handledningen 4, den fjärde extema elektroden 28, och den fiärde bandledningen 9, eftersom den första handledningen 4 är elektromagnetiskt kopplad med den andra handledningen 5 och den fjärde handledningen 9 är elektromagnetiskt kopplad med den tredje handledningen 8, omvandlas den obalanserade signalen till en balanserad signal. Den balanserade signalen tas ut mellan två signalband i den balanserade överföringsledningen genom de andra och tredje extema elektrodema 26 och 27. En balanserad signal mellan de två signalbanden i den balanserade överföringsledningen går in i symmetreringstransfonnatorn 1 genom de andra och tredje extema elektrodema 26 och 27 och omvandlas i en obalanserad signal med det ovan beskrivna arbetssättet utfört i omvänd ordning. Den obalanserade signalen tas ut vid den obalanserade överföringsledningen genom den sjätte extema elektroden 31.
En andra utfóringsform En symrnetreringstransforrnator enligt en andra utföringsfonn är densamma som symrnetreringstransforrnatom 1 enligt den första utföringsformen, förutom att de första och fjärde bandledningarna 4 och 9 är elektriskt anslutna via genomgående hål istället för via en extern elektrod.
En första lJ4-bandledning 36 åstadkommen på ytan hos den första dielektriska skivan 2c har spiralform, varvid en ände 36a vilken har åstadkommits vid den högra sidan på den fiärnre sidan hos den första skivan 2c och den andra änden 36b har åstadkommits vid centrum hos den första skivan 2c. En fjärde k/4-bandledning 39 åstadkommen på den fiärde dielektriska skivan 2 g på dess yta har spiralform, varvid en ände 39a vilken har åstadkommits vid den högra delen hos den främre sidan hos skivan 2g och den andra änden 39b har åstadkommits vid centrum hos skivan 2 g.
De första till fjärde dielektriska skivoma 2c, 2d, 2e, och 2f är åstadkomma med genomgående hål 41a, 41b, 41c, och 41d. Den främre sidoänden 36a hos den första O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 517 801 8 handledningen 36 är elektriskt ansluten till den fiämre sidoänden 39a hos den fjärde handledningen 39 genom de genomgående hålen 41a till 41d.
De forsta, andra och tredje jordelektrodema 12, 13, och 14 är åstadkomma med ledande sektioner 12d, 13d, och 14d vid de högra delarna på de främre sidoma hos de femte, sjätte och sjunde skivoma 2a, 2e, respektive 2h, förutom de ledande sektionema 12a, 12b, 12c, l3a, 13b, l3c, 14a, 14b, och 14c hos de tre jordelektrodema 12, 13, och 14.
De åtta skivoma 2a till 2h är staplade och integrerat sintrade för att bilda en laminerad enhet 42 visad i Fig. 5. Fyra externa elektroder 43, 44, 45, och 46 är bildade på den främre sidan hos den laminerade enheten 42, och fyra extema elektroder 47, 48, 49, och 50 är bildade på den bortre sidan.
Den första extema elektroden 43 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionema 12a, 13a, och 14a hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den andra extema elektroden 44 för inrnatning och utmatning är elektriskt ansluten till änden 8a hos den tredje handledningen 8, och den tredje externa elektroden 45 för inmatning och utmatning är elektriskt ansluten till änden Sa hos den andra handledningen 5. Den fjärde extema elektroden 46 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionema 12d, 13d, och 14d hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den femte externa elektroden 47 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionema 12b, 13b, och l4b hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Den sjätte extema elektroden 49 för inmatning och utmatning är elektriskt ansluten till änden 3a hos den ledande elektroden 3. Den sjätte extema elektroden 50 för jord är elektriskt ansluten till de ledande sektionema 12c, l3c, och 14c hos de tre jordelektrodema 12 till 14. Symmetre- ringstransfonnatorn 35, vilken har den ovan beskrivna strukturen, har samma fördelar som symrnetreringstraiisfonnatom 1 enligt den första utföringsfonnen.
En syrnmetreringstransfonnator enligt föreliggande uppfinning är inte begränsad till det som beskrivits i utföringsforrnema ovan och kan modifieras på mångahanda sätt inom ramen för föreliggande uppfinning.
Bandledningarna kan ha vilken som helst annan form än spiral, såsom meander.
Bandledningama kan ha andra längder än M4. Det är inte nödvändigt att alla bandledningarna har samma ledningsbredd.
Ovanstående utforingsfonner beskriver ett fall i vilket syrnmetreringsformatorerna enligt föreliggande uppfinning tillverkas en och en. När de massproduceras färdigställs ett moderkort åstadkommet med ett flertal symrnetreringstransfonnatorer, vilket är delat i önskad storlek för produkttillverkning.
O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 517 801 9 I ovanstående utföringsforrner är de dielektriska skivorna i vilka de konduktiva enheterna är bildade staplade och integrerat sintrade. Produktionen är inte begränsad till detta forfarande. Skivor som har sintrats i förväg kan användas. En symmetreringstransfonnator enligt föreliggande uppfinning kan tillverkas enligt följande förfarande. Ett dielektriskt skikt bildas genom att applicera ett klisterfonnigt dielektriskt material genom tryckning eller på andra sätt och ett klisterformigt elektriskt konduktivt material appliceras sedan på det dielektriska skiktet för att bilda en konduktiv enhet. Ett klisterformat dielektriskt material appliceras sedan på ledaren. Med överliggande applikationeri denna ordning, erhålls en symrnetreringstransfonnator som har en laminerad struktur.
Föreliggande uppfinning har beskrivits via exemplifierande utföringsformer mot vilka den inte är begränsad. Modifieringar och variationer kommer att vara uppenbara för fackmän, vilka är inom ramen och andan hos föreliggande uppfinning såsom den återges i bilagda patentkrav.
O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.d0c

Claims (14)

10 15 20 25 30 o - - | a. 517 801 10 Patentkrav
1. Larninerad syrnrnetreringstraiisforrnator (l, 35), k ä n n e t e c k n a d av att den innefattar åtminstone två par av bandledningar (4,5 ; 8,9), varvid bandledningama hos varje par (4,5 ; 8,9) är elektromagnetiskt kopplade genom ett dielektriskt skikt (2c, 2f), varvid de två paren (4,5 ; 8,9) av bandledningar är i parallella plan med nämnda dielektriska skikt (2c, 2f) anbragt mellan dem, och varvid en jordelektrod (13) är anordnad mellan varje par av bandledningar (4,5 ; 8,9).
2. Laminerad transfonnator enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att paren (4,5 ; 8,9) av bandledningar är elektriskt anslutna (5b, 8h) med varandra, varvid de två paren (4,5 ; 8,9) av bandledningar är staplade med ett dielektriskt skikt (2e) anordnat mellan dem, och varvid varje handledning (4, 5, 8, 9) är laminerad mot ett dielektriskt skikt (2b, 2c, 2e, Zf), utan att de är anordnade på samma dielektriska skikt som en annan handledning.
3. Laminerad transformator enligt något av krav 1 och 2, k ä n n e t e c k n a d av att den innefattar: en första dielektrisk skiva (2c), med en första handledning (36) anordnad på en yta av den; en andra dielektrisk skiva (2d) med en andra handledning (5) elektromagnetiskt kopplad med nämnda första handledning (4) anordnad på en yta därav; en tredje dielektrisk skiva (2f) med en tredje handledning (8) anordnad på en yta därav; en fjärde dielektrisk skiva (2g) med en fjärde handledning (39) elektromagnetisk kopplad med nämnda tredje handledning (8) anordnad på en yta därav; och elektriska anslutningsorgan för elektrisk anslutning (36a, 39a) av nämnda första handledning (36) och nämnda fjärde handledning (39), varvid nämnda första (2e), nämnda andra (2d), nämnda tredje (21), och nämnda fjärde (2g) dielektriska skivor är i ett staplat förhållande, en ovanför en arman, i en laminerad struktur.
4. Laminerad syrnrnetreringstransforrnator enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar: en femte dielektrisk skiva (2a) med en första jordelektrod (12) anordnad på en yta därav; en sjätte dielektrisk skiva (2e) med en andra jordelektrod (13) anordnad på en yta därav; och en sjunde dielektrisk skiva (2h) med en tredje jordelektrod (14) anordnad på en yta därav, O :\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 517 801 11 varvid nämnda femte (2a), närnnda första (2c), nämnda andra (2d), nämnda sjätte (2e), nämnda tredje (2f), nämnda fjärde (2g), och nämnda sjunde (2h) dielektriska skiva är i ett staplat förhållande till varandra, en ovanför en annan, i en laminerad struktur.
5. Laminerad symmetreringstransformator (1, 35) enligt krav 4, k ä n n e t e c k n a d av att den vidare innefattar en åttonde dielektrisk skiva (2h) med en tilledningselektrod (3) anordnad på en sida därav, varvid nämnda åttonde (2h), närrmda femte (2a), nämnda första (2c), nämnda andra (2d), närrmda sjätte (2e), nämnda tredje (2f), närrmda fjärde (2g), och nämnda sjunde (2h) dielektriska skivor är i ett staplat förhållande till varandra, en ovanför en annan, i en laminerad struktur.
6. Laminerad transformator enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda elektriska anslutningsorgan inkluderar extema elektroder (43-50) åstadkomna på sidoytor hos den larninerade strukturen.
7. Laminerad transformator enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda elektriska anslutningsorgan inkluderar genomgående hål (20b, 20c, 41a, 4lb, 41c, 4ld) åstadkomna inuti den larninerade strukturen.
8. Laminerad transformator enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda handledningar (4, 5, 8, 9, 36, 39) är spiralfonnade.
9. Förfarande för tillverkning av en laminerad symmetreringstransformator (1, 35), k ä n n e t e c k n at av att det innefattar följande steg: bildande av åtminstone två par av handledningar (4,5 ; 8,9), varvid bandledningarna hos varje par (4,5 ; 8,9) är elektromagnetiskt kopplade; anordnande av ett dielektriskt skikt (2c, 2f) mellan handledningama hos varje par; och anordnande av ett dielektriskt skikt (Ze) mellan de två paren (4,5 ; 8,9) av handledningar, varvid en jordelektrod (13) är anordnad mellan varje par (4,5 ; 8,9) av bandledningar.
10. Förfarande för tillverkning av en larninerad symmetreringstransformator (1, 35) enligt krav 9, k ä n n e t e c k n at av att det innefattar följande steg: bildande av ett flertal av dielektriska skivor; bildande av en första handledning (4, 36) på en första dielektrisk skiva (2c); bildande av en andra handledning (5) på en andra dielektrisk skiva (2d) så att nämnda andra handledning (5) är elektromagnetiskt kopplad med nämnda första handledning (4, 36); bildande av en tredje handledning (8) på en tredje dielektrisk skiva (2f); O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.doc 10 15 20 25 30 o u o u o :o 517 801 12 bildande av en fjärde handledning (9, 39) på en fjärde dielektrisk skiva (2g) så att nämnda fjärde handledning (9, 39) är elektromagnetiskt kopplad med nämnda tredje handledning (8); elektrisk anslutning (36a, 39a) av nämnda första bandledning (4, 36) och nämnda fjärde handledning (9, 39); och staplande av nämnda första (2c), nämnda andra (2d), nämnda tredje (2f), och nämnda fjärde (2 g) dielektriska skivor för att bilda en laminerad struktur.
11. l 1. Förfarande för tillverlming av en larninerad symmetreringstrarisfonnator enligt krav 10, k ä n n e t e c k n at av att det vidare innefattar följande steg: bildande av en första jordelektrod (12) på en femte dielektrisk (2a) skiva; bildande av en andra jordelektrod (13) på en sjätte dielektrisk skiva (2e); och bildande av en tredje j ordelektrod (14) på en sjunde dielektrisk skiva (2h), och varvid nämnda steg för stapling inkluderar stapling av nämnda femte (2a), nämnda första (2c), nämnda andra (2d), nämnda sjätte (2e), nämnda tredje (2f), nämnda fjärde (2g), och nämnda sjunde (2h) dielektriska skiva för att bilda en laminerad struktur.
12. Förfarande för tillverkning av en laminerad symmetreringstransformator (1, 35) enligt krav ll, k ä n n e t e c k n a t av att det vidare innefattar steget att bilda en till- ledningselektrod (3) på en åttonde dielektrisk skiva (2b), varvid nämnda steg för stapling inkluderar stapling av nämnda åttonde (2b), nämnda femte (2a), nämnda första (2c), nämnda andra (2d), nämnda sjätte (2e), nämnda tredje (2f), nämnda fjärde (2g), och nämnda sjunde (2h) dielektriska skiva för att bilda en laminerad struktur.
13. Förfarande för tillverkning av en laminerad symmetreringstrarisforrnator (1, 35) enligt krav ll, k ä n n e t e c k n a t av att nämnda elektriska anslutningssteg inkluderar bildandet av externa elektroder (43-50) på sidoytor hos den laminerade strukturen.
14. Förfarande för tillverkning av en laminerad symmetreringstransformator (1, 35) enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a t av att nänmda elektriska anslutningssteg inkluderar bildandet av genomgående hål (20b, 20c, 4la, 4lb, 4lc, 4ld) åstadkomma inuti den larninerade strukturen. O:\UDO\DOK\word-dok\P33306SE2.d0c
SE9700910A 1996-03-22 1997-03-13 Laminerad symmetreringstransformator samt förfarande för tillverkning av en sådan SE517801C2 (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8066589A JP2990652B2 (ja) 1996-03-22 1996-03-22 積層型バルントランス

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9700910D0 SE9700910D0 (sv) 1997-03-13
SE9700910L SE9700910L (sv) 1997-09-23
SE517801C2 true SE517801C2 (sv) 2002-07-16

Family

ID=13320284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9700910A SE517801C2 (sv) 1996-03-22 1997-03-13 Laminerad symmetreringstransformator samt förfarande för tillverkning av en sådan

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6285273B1 (sv)
JP (1) JP2990652B2 (sv)
GB (1) GB2311417B (sv)
SE (1) SE517801C2 (sv)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3545245B2 (ja) * 1999-02-24 2004-07-21 三洋電機株式会社 コモンモードフィルタ
US6140886A (en) * 1999-02-25 2000-10-31 Lucent Technologies, Inc. Wideband balun for wireless and RF application
FR2790871B1 (fr) * 1999-03-11 2007-03-09 Cit Alcatel Transformateur radiofrequence et son utilisation
JP2001210527A (ja) * 2000-01-27 2001-08-03 Philips Japan Ltd 電子部品及び電子部品複合体
JP3976473B2 (ja) * 2000-05-09 2007-09-19 日本電気株式会社 高周波回路及びそれを用いたモジュール、通信機
JP2002141228A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波トランス
JP4586282B2 (ja) * 2001-03-14 2010-11-24 株式会社村田製作所 積層型バラントランス
JP3800121B2 (ja) * 2001-04-19 2006-07-26 株式会社村田製作所 積層型バラントランス
JP3780414B2 (ja) 2001-04-19 2006-05-31 株式会社村田製作所 積層型バラントランス
JP2002343643A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Murata Mfg Co Ltd 積層型バラントランス
JP3658350B2 (ja) * 2001-09-26 2005-06-08 Fdk株式会社 積層チップバラン素子の製造方法
JP2003174749A (ja) * 2001-12-06 2003-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコイルおよびこれを用いたモータ
US6937128B2 (en) * 2002-02-12 2005-08-30 Broadcom Corp. On-chip inductor having a square geometry and high Q factor and method of manufacture thereof
KR100432662B1 (ko) * 2002-03-09 2004-05-22 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 기술을 이용한 미약자계 감지용 센서 및 그제조방법
KR100432661B1 (ko) * 2002-03-09 2004-05-22 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 기술을 이용한 미약자계 감지용 센서 및 그제조방법
KR100467839B1 (ko) * 2002-03-09 2005-01-24 삼성전기주식회사 인쇄회로기판을 사용한 미약자계 감지용 센서 및 그 제조방법
DE10217580A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-06 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
US20040046618A1 (en) * 2002-09-10 2004-03-11 Jyh-Wen Sheen Miniaturized balun
KR100526239B1 (ko) 2002-09-27 2005-11-08 삼성전기주식회사 3 라인 발룬 트랜스포머
KR100466884B1 (ko) * 2002-10-01 2005-01-24 주식회사 쎄라텍 적층형 코일 부품 및 그 제조방법
WO2004031509A2 (en) * 2002-10-02 2004-04-15 Rotter Martin J Contoured ventilation system for tile roofs
KR100476561B1 (ko) * 2002-12-23 2005-03-17 삼성전기주식회사 적층형 발룬 트랜스포머
US6952153B2 (en) * 2003-02-04 2005-10-04 Raytheon Company Electrical transformer
JP2004274715A (ja) 2003-02-20 2004-09-30 Murata Mfg Co Ltd 平衡不平衡変換回路および積層型平衡不平衡変換器
US6873221B2 (en) * 2003-04-30 2005-03-29 Motorola, Inc. Multilayer balun with high process tolerance
JP4135928B2 (ja) 2003-11-28 2008-08-20 Tdk株式会社 バラン
US7248138B2 (en) * 2004-03-08 2007-07-24 Astec International Limited Multi-layer printed circuit board inductor winding with added metal foil layers
JP2006014276A (ja) * 2004-05-27 2006-01-12 Murata Mfg Co Ltd 積層型バルントランス
US7474539B2 (en) * 2005-04-11 2009-01-06 Intel Corporation Inductor
WO2006123485A1 (ja) * 2005-05-20 2006-11-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型バルントランス
US7646261B2 (en) * 2005-09-09 2010-01-12 Anaren, Inc. Vertical inter-digital coupler
JP2007201666A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd バランとこれを用いた電子機器
EP1987562A4 (en) * 2006-02-02 2009-04-22 Anaren Inc INVERTED STYLE CONVERTER PROVIDED WITH GALVANICALLY SEPARATED DIFFERENTIAL PORTS
US7605672B2 (en) * 2006-02-02 2009-10-20 Anaren, Inc. Inverted style balun with DC isolated differential ports
JP4500840B2 (ja) 2006-12-08 2010-07-14 太陽誘電株式会社 積層型バラン及び混成集積回路モジュール並びに積層基板
JP4674590B2 (ja) * 2007-02-15 2011-04-20 ソニー株式会社 バラントランス及びバラントランスの実装構造、並びに、この実装構造を内蔵した電子機器
US7629860B2 (en) * 2007-06-08 2009-12-08 Stats Chippac, Ltd. Miniaturized wide-band baluns for RF applications
WO2008152641A2 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Advanced Magnetic Solutions Ltd. Magnetic induction devices and methods for producing them
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692512B2 (en) * 2008-03-25 2010-04-06 Werlatone, Inc. Balun with series-connected balanced-signal lines
US7948332B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-24 Raytheon Company N-channel multiplexer
US8248180B2 (en) * 2009-05-29 2012-08-21 Werlatone, Inc. Balun with intermediate conductor
US8248181B2 (en) * 2009-09-30 2012-08-21 Werlatone, Inc. Transmission-line transformer
TW201206062A (en) * 2010-02-18 2012-02-01 Murata Manufacturing Co Electronic component
KR101159456B1 (ko) * 2010-09-15 2012-06-25 숭실대학교산학협력단 신호 효율이 최대화된 전송선 변압기
KR101414779B1 (ko) * 2010-10-20 2014-07-03 한국전자통신연구원 무선 전력 전송 장치
US8570116B2 (en) 2011-09-20 2013-10-29 Werlatone, Inc. Power combiner/divider
JP5961813B2 (ja) * 2011-10-31 2016-08-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 コモンモードノイズフィルタ
US8598964B2 (en) 2011-12-15 2013-12-03 Werlatone, Inc. Balun with intermediate non-terminated conductor
JP5660087B2 (ja) 2012-08-09 2015-01-28 株式会社村田製作所 バラントランス
US9130252B2 (en) * 2013-02-26 2015-09-08 Raytheon Company Symmetric baluns and isolation techniques
CN104362989B (zh) * 2014-10-10 2017-09-19 中国电子科技集团公司第三十六研究所 一种传输线平衡器和功放阻抗匹配电路
KR101892689B1 (ko) 2014-10-14 2018-08-28 삼성전기주식회사 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판
GB2531350B (en) * 2014-10-17 2019-05-15 Murata Manufacturing Co High leakage inductance embedded isolation transformer device and method of making the same
JP6273498B2 (ja) * 2015-08-18 2018-02-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 コモンモードノイズフィルタ
JP6414529B2 (ja) * 2015-09-25 2018-10-31 株式会社村田製作所 電子部品
JP2018098701A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 Tdk株式会社 平衡不平衡変換器
JP6696483B2 (ja) * 2017-07-10 2020-05-20 株式会社村田製作所 コイル部品
US11189563B2 (en) * 2019-08-01 2021-11-30 Nanya Technology Corporation Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US10818996B1 (en) 2019-10-10 2020-10-27 Werlatone, Inc. Inductive radio frequency power sampler
JP7434948B2 (ja) 2020-01-31 2024-02-21 Tdk株式会社 積層型バラン
CN111193483A (zh) * 2020-02-19 2020-05-22 安徽安努奇科技有限公司 巴伦电路结构和巴伦器件
US11011818B1 (en) 2020-08-04 2021-05-18 Werlatone, Inc. Transformer having series and parallel connected transmission lines
JP2022038451A (ja) * 2020-08-26 2022-03-10 住友電気工業株式会社 フィルタ回路及びバラン回路
US10978772B1 (en) 2020-10-27 2021-04-13 Werlatone, Inc. Balun-based four-port transmission-line networks
KR20220093424A (ko) * 2020-12-28 2022-07-05 삼성전기주식회사 코일 부품

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL236775A (sv) * 1958-03-05
US3483499A (en) * 1968-08-08 1969-12-09 Bourns Inc Inductive device
US3833872A (en) * 1972-06-13 1974-09-03 I Marcus Microminiature monolithic ferroceramic transformer
US4342143A (en) * 1974-02-04 1982-08-03 Jennings Thomas A Method of making multiple electrical components in integrated microminiature form
GB1440304A (en) * 1974-11-29 1976-06-23 Mullard Ltd Transmission line pulse transformers
US5184103A (en) * 1987-05-15 1993-02-02 Bull, S.A. High coupling transformer adapted to a chopping supply circuit
JPH04144212A (ja) * 1990-10-05 1992-05-18 Cmk Corp プリント配線板を使用した高周波用トランスおよびコイル
JP2953140B2 (ja) 1991-09-20 1999-09-27 株式会社村田製作所 トランス
JPH05101938A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Murata Mfg Co Ltd 積層型コイル及びその製造方法
JP2971220B2 (ja) * 1991-11-13 1999-11-02 富士電気化学株式会社 トランス用コイル素子、並びにそのコイル素子を用いたトランス、及びそのトランスの結線方法
JP2898814B2 (ja) * 1992-02-25 1999-06-02 株式会社日立製作所 印刷インダクタ付き多層配線板
JP3158757B2 (ja) * 1993-01-13 2001-04-23 株式会社村田製作所 チップ型コモンモードチョークコイル及びその製造方法
JP2773617B2 (ja) * 1993-12-17 1998-07-09 株式会社村田製作所 バルントランス
EP0698896B1 (en) * 1994-08-24 1998-05-13 Yokogawa Electric Corporation Printed coil
JP3106942B2 (ja) * 1995-12-28 2000-11-06 株式会社村田製作所 Lc共振部品
US5781093A (en) * 1996-08-05 1998-07-14 International Power Devices, Inc. Planar transformer

Also Published As

Publication number Publication date
US6285273B1 (en) 2001-09-04
JP2990652B2 (ja) 1999-12-13
SE9700910L (sv) 1997-09-23
GB2311417B (en) 1998-10-07
US20010040495A1 (en) 2001-11-15
SE9700910D0 (sv) 1997-03-13
GB2311417A (en) 1997-09-24
GB9704958D0 (en) 1997-04-30
JPH09260145A (ja) 1997-10-03
US6388551B2 (en) 2002-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE517801C2 (sv) Laminerad symmetreringstransformator samt förfarande för tillverkning av en sådan
US6515556B1 (en) Coupling line with an uncoupled middle portion
US6222427B1 (en) Inductor built-in electronic parts using via holes
US6124779A (en) Multilayer-type inductor
US6768410B1 (en) Laminated balun transformer
US6819202B2 (en) Power splitter having counter rotating circuit lines
EP3391459B1 (en) Time delay filters
TW538556B (en) Multilayered tapered transmission line, device and method for making the same
KR950011634B1 (ko) 적층형 다층구조의 복합전기부품
US4479100A (en) Impedance matching network comprising selectable capacitance pads and selectable inductance strips or pads
US5499005A (en) Transmission line device using stacked conductive layers
US5844451A (en) Circuit element having at least two physically separated coil-layers
US6114936A (en) Multilayer coil and manufacturing method for same
JPH11214943A (ja) バルントランス
US6967544B2 (en) Miniature LTCC 2-way power splitter
JP2840814B2 (ja) チップ型トランス
JP2002329611A (ja) 積層型複合バラントランス
JP2003060465A (ja) ローパスフィルタ回路および積層型ローパスフィルタ
US20070035363A1 (en) Electromagnetic delay line inductance element
JP3414327B2 (ja) 積層型バルントランス
US5834991A (en) Thick film lange coupler
WO2006123482A1 (ja) 積層型方向性結合器
US20030146808A1 (en) Apparatus and method of manufacture for time delay signals
JP3679059B2 (ja) バラントランス
JPH06152303A (ja) 超小型電磁遅延線

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed