SE513677C2 - Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg - Google Patents
Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutstegInfo
- Publication number
- SE513677C2 SE513677C2 SE9604104A SE9604104A SE513677C2 SE 513677 C2 SE513677 C2 SE 513677C2 SE 9604104 A SE9604104 A SE 9604104A SE 9604104 A SE9604104 A SE 9604104A SE 513677 C2 SE513677 C2 SE 513677C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- current
- output stage
- base
- Prior art date
Links
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/3432—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors
- H03F3/3435—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors using Darlington amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
513 677 2 FÖREDRAGEN UTFÖRINGSFORM Figuren visar ett slutsteg enligt uppfinningen med en ingångsklämrna TN, en utgångsklämma OUT och en matningsspänningsklämrna VBB.
På i och för sig känt sätt innefattar det visade slutsteget en transistor Ql, vars bas är ansluten till ingångsklämman IN och vars kollektor vid den visade utföringsfonnen är ansluten till utgångsklämrnan OUT. Transistorns Q1 kollektor kan vara ansluten till en annan matningsspänningsklärnma eller jord. Transistoins Ql emitter är ansluten till basen hos en transistor Q2. Transistoms Q2 kollektor är ansluten till utgångsklärnman OUT, medan dess emitter är ansluten till matningsspärmingsklärmnan VBB.
Pâ i och för sig känt sätt väljs transistom Q2 att ha en viss given emitterarea med hänsyn till förväntad maximal kollektorström i den aktuella tillämpningen.
Den hittills beskrivna delen av slutsteget enligt uppfinningen benämnes vanligtvis Darlington-koppling, är i och för sig känd samt uppvisar de inledningsvis Omnämnda nackdelarna.
Det kända slutstegets förstärkning blir lika med produkten av transistorns Ql förstärkning ßl och transistoms Q2 förstärkning BZ.
Enligt uppfinningen är en transistor Q3 ansluten med sin kollektor till ingångsklämman IN, med sin emitter till matningsspänningsklänirnan VBB via ett motstånd Rl och med sin bas till hopkopplingspunkten mellan transistoms Ql emitter och transistoms Q2 bas.
Transistoms Q3 emitterarea väljs enligt uppfinningen på sådant sätt att förhållandet mellan transistoremas Q2 och Q3 emitterareor blir mycket mindre än Bl gånger ß2. 513 677 Is J Den på ritningen visade utföringsforrnen av slutsteget enligt uppfinningen är avsett att förstärka en över ingångsklämman l"N inkommande ström och över utgångsklärnrnan OUT avge en förstärkt version av den inkommande strömmen. inströmmen över klämman IN uppdelas som basström till transistom Q1 och som kollektorström till transistorn Q3. Transistoms Ql emitterström blir således basström till transistorema Q2 och Q3.
För låga inströmmar blir spänningsfallet över motståndet Rl litet, vilket medför att transistorernas Q2 och QS bas-emitterspänningar blir huvudsakligen lika stora.
Härvid blir förhållandet mellan transistorernas Q2 och QS kollektorströmmar i huvudsak lika med förhållandet mellan transistorernas Q2 och Q3 emitterareor, eftersom emitterarean är ett mått på en transistors storlek. Även slutstegets förstärkning, som är i huvudsak lika med förhållandet mellan transistorernas QZ och Q3 kollektorströmmar, blir således lika med förhållandet mellan transistorernas Q2 och Q3 emitterareor. Önskad tomgångsström i transistom Q2 erhålles således helt enkelt genom att inmata lämplig inström till ingångsklärnman IN.
För högre inströmmar över klämrnan IN ökar spänningsfallet över motståndet R1, vilket medför att transistoms QS bas-emitterspänning minskar i förhållande till transistorns Q2 bas-emitterspänning. Transistoms Q2 kollektorström ökar således snabbare än transistoms Q3 kollektorström. Härvid kommer förstärkningen att öka med ökande inström, eftersom förstärkningen enligt ovan är lika med förhållandet mellan transistorernas Q2 och QS kollektorströmmar.
För höga inströrnmar blir spänningsfallet över motståndet R1 så stort att inströmmen till klämman IN huvudsakligen inte längre ger ökande kollektorström i transistom Q3. Varje ökning av inströmmen häiutöver går således huvudsakligen som basström till transistorn Ql. Transistoms Ql emitterström är lika med förstärkningen ßl gånger inströmmen. Denna emitterström går huvudsakligen som basström till transistom Q2. Dess kollektorström är lika med förstärkningen BZ gånger dess 513 677 4 basström, varför transistorns Q2 kollektorström blir lika med Bl gånger [32 gånger inströmmen. Även i detta fall går således slutstegets förstärkning mot ßl gånger BZ for höga inströmmar.
Fördelen med slutsteget enligt uppfinningen består i att forstärkningen är inströmsberoende och kan göras godtyckligt låg och stabil genom att enligt ovan vara huvudsakligen beroende av nämnda förhållande mellan emitterareoma för låga inströmmar. Därigenom kan önskad bandbredd upprätthållas i slutsteget till mycket lägre strömmar än vad som hittills varit fallet.
Att förstärkningen är inströmsberoende och kan göras godtyckligt låg för låga instïömmar förenklar även problemet med att stabilisera tomgångsströmmen.
Claims (1)
1. 513 677 F? _; . PATENTKRAV Anordning för att minska och stabilisera ett Darlingtonkopplat slutstegs förstärkning för låga inströmmar, varvid slutsteget innefattar en första transistor (Q 1) som är ansluten med sin bas till slutstegets ingångsklämma (IN) och med sin emitter till basen hos en andra transistor (Q2), vars emitter är ansluten till slutstegets matningsspänriingsklämma (VBB) och vars kollektor är ansluten till slutstegets utgångsklämma (OUT), kännetecknad av - att en tredje transistor (Q3) är ansluten med sin kollektor till ingångsklämman (IN), med sin emitter till matningsspänningskläinman (VBB) via ett motstånd (Rl) och med sin bas till hopkopplingspunkten mellan den första transistoms (Q 1) emitter och den andra transistorns (QZ) bas och - att förhållandet mellan den andra och den tredje transistoms (QZ, (23) emitterareor är mindre än den forsta transistoms (Ql) förstärkning gånger den andra transistorns (Q2) förstärkning, varigenom slutstegets förstärkning för låga inströmmar kommer att motsvara förhållandet mellan emitterareorna.
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9604104A SE513677C2 (sv) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg |
TW086105725A TW344166B (en) | 1996-11-08 | 1997-04-30 | An arrangement for stabilizing an output stage, and an output stage |
US08/961,027 US5883542A (en) | 1996-11-08 | 1997-10-30 | Arrangement for reducing and stabilizing the amplification of a Darlington-coupled output stage |
KR10-1999-7003862A KR100375706B1 (ko) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | 달링턴 결합 출력단의 증폭도를 줄여 안정화하는 장치 |
PCT/SE1997/001859 WO1998021821A1 (en) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | An arrangement for reducing and stabilizing the amplification of a darlington-coupled output stage |
DE69705060T DE69705060T2 (de) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | Anordnung zum reduzieren und stabilisieren der verstärkung einer darlington-ausgangsstufe |
EP97912622A EP0937335B1 (en) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | An arrangement for reducing and stabilizing the amplification of a darlington-coupled output stage |
JP52246098A JP2001504303A (ja) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | ダーリントン接続の出力段の増幅を減少しかつ安定化するための装置 |
CA002271111A CA2271111A1 (en) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | An arrangement for reducing and stabilizing the amplification of a darlington-coupled output stage |
ES97912622T ES2160333T3 (es) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | Sistema que permite reducir y estabilizar la amplificacion de una etapa de salida acoplada en darlington. |
CN97199537A CN1113456C (zh) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | 用于降低和稳定达林顿-耦合输出级的放大倍数的一个装置 |
AU49747/97A AU4974797A (en) | 1996-11-08 | 1997-11-06 | An arrangement for reducing and stabilizing the amplification of a darlington-coupled output stage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9604104A SE513677C2 (sv) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9604104D0 SE9604104D0 (sv) | 1996-11-08 |
SE9604104L SE9604104L (sv) | 1998-05-09 |
SE513677C2 true SE513677C2 (sv) | 2000-10-23 |
Family
ID=20404549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9604104A SE513677C2 (sv) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5883542A (sv) |
EP (1) | EP0937335B1 (sv) |
JP (1) | JP2001504303A (sv) |
KR (1) | KR100375706B1 (sv) |
CN (1) | CN1113456C (sv) |
AU (1) | AU4974797A (sv) |
CA (1) | CA2271111A1 (sv) |
DE (1) | DE69705060T2 (sv) |
ES (1) | ES2160333T3 (sv) |
SE (1) | SE513677C2 (sv) |
TW (1) | TW344166B (sv) |
WO (1) | WO1998021821A1 (sv) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753734B2 (en) | 2001-06-06 | 2004-06-22 | Anadigics, Inc. | Multi-mode amplifier bias circuit |
US6842075B2 (en) * | 2001-06-06 | 2005-01-11 | Anadigics, Inc. | Gain block with stable internal bias from low-voltage power supply |
US6611172B1 (en) | 2001-06-25 | 2003-08-26 | Sirenza Microdevices, Inc. | Thermally distributed darlington amplifier |
CN101053150A (zh) * | 2004-11-06 | 2007-10-10 | 秦玉相 | 用于高功率的恒定电流达林顿电路 |
CN104940749A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 吴光付 | 一种治疗痛风的中药组合物及制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2468253A1 (fr) * | 1979-10-22 | 1981-04-30 | Radiotechnique Compelec | Amplificateur de type darlington protege contre les surcharges de courant et sa realisation en structure semiconductrice integree |
US4616144A (en) * | 1983-01-12 | 1986-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High withstand voltage Darlington transistor circuit |
DE3431676A1 (de) * | 1984-08-29 | 1986-03-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Integrierte leistungsendstufe |
GB2214377A (en) * | 1987-12-24 | 1989-08-31 | Philips Electronic Associated | Current amplifier circuit arrangement |
NL8801103A (nl) * | 1988-04-28 | 1989-11-16 | Philips Nv | Transistorschakeling met stuurstroombegrenzing. |
CA2050878C (en) * | 1991-09-06 | 1999-10-19 | Gerald Molnar | Power amplifier with quiescent current control |
FR2684205A1 (fr) * | 1991-11-22 | 1993-05-28 | Thomson Composants Militaires | Miroir de courant a faible erreur de recopie. |
US5548248A (en) * | 1995-07-30 | 1996-08-20 | Wang; Nan L. L. | RF amplifier circuit |
-
1996
- 1996-11-08 SE SE9604104A patent/SE513677C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-30 TW TW086105725A patent/TW344166B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-30 US US08/961,027 patent/US5883542A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-06 CA CA002271111A patent/CA2271111A1/en not_active Abandoned
- 1997-11-06 CN CN97199537A patent/CN1113456C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-06 WO PCT/SE1997/001859 patent/WO1998021821A1/en active IP Right Grant
- 1997-11-06 KR KR10-1999-7003862A patent/KR100375706B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-11-06 AU AU49747/97A patent/AU4974797A/en not_active Abandoned
- 1997-11-06 DE DE69705060T patent/DE69705060T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-06 EP EP97912622A patent/EP0937335B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-06 ES ES97912622T patent/ES2160333T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-06 JP JP52246098A patent/JP2001504303A/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1236503A (zh) | 1999-11-24 |
WO1998021821A1 (en) | 1998-05-22 |
CA2271111A1 (en) | 1998-05-22 |
EP0937335B1 (en) | 2001-05-30 |
JP2001504303A (ja) | 2001-03-27 |
DE69705060D1 (de) | 2001-07-05 |
SE9604104D0 (sv) | 1996-11-08 |
SE9604104L (sv) | 1998-05-09 |
ES2160333T3 (es) | 2001-11-01 |
DE69705060T2 (de) | 2001-09-20 |
TW344166B (en) | 1998-11-01 |
EP0937335A1 (en) | 1999-08-25 |
KR20000052984A (ko) | 2000-08-25 |
CN1113456C (zh) | 2003-07-02 |
KR100375706B1 (ko) | 2003-03-15 |
AU4974797A (en) | 1998-06-03 |
US5883542A (en) | 1999-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4079336A (en) | Stacked transistor output amplifier | |
SE513677C2 (sv) | Anordning för att stabilisera slutsteg jämte slutsteg | |
KR910003439B1 (ko) | 이득 분배 제어용 증폭기 | |
US3706937A (en) | Gain controlled amplifier for integrated circuit applications | |
KR920010238B1 (ko) | 증폭회로 | |
KR950000161B1 (ko) | 증폭기 장치 및 푸시풀 증폭기 | |
EP1181773B1 (en) | Overvoltage protection | |
US4251778A (en) | Circuit with electrically controlled gain | |
US5028882A (en) | Multiple output operational amplifier | |
US5343165A (en) | Amplifier having a symmetrical output characteristic | |
KR950005170B1 (ko) | 증폭기 | |
US4506176A (en) | Comparator circuit | |
US3686580A (en) | Current amplifier | |
US4215318A (en) | Push-pull amplifier | |
US4016460A (en) | Electronic protection for power amplifier | |
US4502016A (en) | Final bridge stage for a receiver audio amplifier | |
US6316995B1 (en) | Input stage for constant gm amplifier circuit and method | |
US4783637A (en) | Front end stage of an operational amplifier | |
JP2697273B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
US4935704A (en) | Low distortion linear amplifier with high-level output | |
US5575003A (en) | Current mode AGC system for television tuner | |
JPH0413692Y2 (sv) | ||
JP2623954B2 (ja) | 利得可変増幅器 | |
JP3736077B2 (ja) | 電圧比較回路 | |
JP2865296B2 (ja) | 利得制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |