SE425826B - Metod for jonimplantation - Google Patents
Metod for jonimplantationInfo
- Publication number
- SE425826B SE425826B SE7800954A SE7800954A SE425826B SE 425826 B SE425826 B SE 425826B SE 7800954 A SE7800954 A SE 7800954A SE 7800954 A SE7800954 A SE 7800954A SE 425826 B SE425826 B SE 425826B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- openings
- fracture
- area
- microcircuit
- fracture surface
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000002493 microarray Methods 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 arsenic ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/3115—Doping the insulating layers
- H01L21/31155—Doping the insulating layers by ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Dicing (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
7800954-5 Det antages, att denna försämring eller förstöring av det elektriskt isolerande skikt, som skyddar den integrerade halvledarkretsen, beror på en laddningsuppbyggnad pä detta isolerande skikt av de positiva joner, vilka bilda. primârjonstrâlen. Denna. laddningsuppbyggnad âr speciellt uttalad i högenergi- strålar, som har en hög täthet av positiva joner. När vidare de öppningar, genom vilka jonerna skall implanteras, har små sidodimensioner av storleksordningen 0,025 mm, blir sekundärelektroner som normalt alstras av positiva joner, vilka träffar halvledarsubstratet, minimerade. Följaktligen finns en otillräcklig mängd sådana sekundärelektroner tillgängliga vid ytan för att neutralisera den positiva jonackumuleringen och förhindra laddningsuppbyggnad.
Ett ändamål med föreliggande uppfinning är därför att åstadkomma en metod för jonimplantation genom de mycket små öppningar i isolerande skikt, vilka krävs i täta integrerade kretsar, varvid ingen försämring sker av det isolerande skiktet.
Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en metod för jon- implantation med utnyttjande av högenergistrålar, vilken metod ej.ger upphov till skador i det isolerande skiktet över den integrerade krets, som implanteras. Ännu ett ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en metod för jon- implantation genom tämligen obetydliga öppningar i det isolerande skiktet vid mcket täta, storskaliga integrerade kretsar, varvid ackumnlationen av positiv laddning, som bryter ned det isolerande skiktet över den integrerade kretsen, förhindras.
Ovannämnda och andra ändamål med uppfinningen realiseras med hjälp av en metod för jonimplantation i skivor av halvledarmaterial med ett flertal spridda areor, vilka skola utbildas till ett flertal integrerade mikrokretsar och en "brottytarea", som amgiver och separerar mikrokretsen, enligt vilken metod ett skikt av elektriskt isolerande material utbildas över skivan och ett flertal öppningar formas genom det isolerande skiktet över mikrokretsareorna för expone- ring av halvledarskivan i dylika mikrokretsareaöppningar. öppningar bildas också genom det isolerande skiktet över brottytarean för exponering av skivbrottytan i anslutning till sådana mikrokretsareaöppningar, varvid den totala area, som exponeras i skivbrottytan, måste vara större än den totala area, som exponeras i sådana mikrokretsareaöppningar. En stråle joner riktas mot skivan och får svepa över denna, om så är nödvändigt. Denna stråle har tillräcklig energi för att implantera joner i den exponerade skivan i både mikrokretsareaöppningarna och brottytöppningarna. Senare avlägsnas brottytarean på konventionellt sätt för uppdelning av skivan i ett flertal mikrokretsar.
Metoden enligt föreliggande uppfinning är särskilt effektiv, när en högenergijonstråle, d.v.s. en stråle med en ström om minst 0,5 mA, används under 7800954-5 implantationssteget. Det har konstaterats, att man genom upptagande av en total area i brottytans isolerande skikt överstigande den totala arean för öppningar, genom vilka implantationen görs i mikrokretsareorna, avsevärt kan reducera, om icke fullständigt eliminera skador på det elektriskt isolerande skiktet över skivorna.
Metoden enligt uppfinningen âr särskilt lämpad för förhindrande av skador på grund av laddningsackumulering, när mikrokretsöppningarna, genom vilka implantationen görs, har sidodimensioner av storleksordningen 0,025 mm eller mindre, speciellt vid användning av högenergistrålar.
Ovannämnda och andra ändamål, egenskaper och fördelar med uppfinningen, som definieras i nedanstående patentkrav, framgår av följande mera detaljerade beskrivning av föredragna utföringsformer, som illustreras på bifogade ritningar.
Fig. l är en schematisk planillustration av en del av en typisk halv- ledarskiva, vilken illustration har förenklats för att visa arrangemanget av mikrokretsarna och skivbrottytan.
Fig. 2 år en mera detaljerad schematisk planillustration av en liten del av den skívsektion, som indikeras i fig. l.
Fig. 2A - 2C är schematiska förstorade tvärsnittsillustrationer utmed den del av skivan i fig. 2, som har betecknats med linjerna 2A - 2A. För illustrationsândamål har fig. 2A ~ 2C förenklats för att visa blott delar och regioner av de integrerade kretsarna, vilka är nödvändiga för att föreliggande uppfinningsfunktion klart skall framgå.
Fig. l är en schematisk planillustration av en layout för en del av en konventionell integrerad kretsskiva. Mikrokretsar 10 separera: av en brottyta ll, som kommer att elimineras när skivan delas efter mikrokretsframstållningens slut, varigenom skivan bryts i ett flertal mikrokretsar 10. Den i fig. l indikerade sektioner visas mera detaljerat i fig. 2.
Med hänvisning i första hand till fig. 2 och till tvârsnittsillustrationen i fig. 2A separeras mikrokretsarna l0 av en skivbrottyta ll. Mikrokretsarna består av N regionen 12, som kan vara framställd genom konventionell epitaxiavsättning på ett icke illustrerat halvledarsubstrat. P regioner 13, som bildar basregionen för i den integrerade kretsen formade bipolâranordningar, kunna också åstadkommas genom lämplig konventionell framstâllningsteknik för integrerade kretsar. Skivan täcks av ett standardskikt av elektriskt isolerande material, som är en kombination av ett nedre skikt lä av kiseldioxid och ett övre skikt 15 av kiselnitrid. I fig. 2A definieras skivans ll brottarea, som senare skall avlägsnas, med strecklinjer.
För att göra illustrationen enklare utelâmnas många av de andra regioner från ritningen, vilken normalt skulle väntas förekomma inom en integrerad krets, t.ex. isoleringsregioner mellan anordningar och kretsar. Fram till denna punkt i processen kan strukturen åstadkommas med hjälp av en godtycklig konventionell 7800954-5 metod för framställning av integrerade kretsar, vilken metod är välkänd' inom tekniken. Sådana metoder beskrivas t.ex. i det amerikanska. patentet 3539876. öppningar 16, genom vilka. N+ emittrar skall utformas genom introduktionen av N typ-konduktivitetsbestämmsnde störämnen medelst jonimplantation, är ut- bildade genom de isolerande skikten li» och 15. Åstsdkommandet av kiseldioxid lb/ kiselnitrid lS-blandisoleringsskikten och öppningarna däri är konventionellt inom tekniken och beskrivs detaljerat i exempelvis det amerikanske patentet 3956527.
Såsom tidigare påpekats kräva storskaliga integrerade kretsar ofta mycket små. öppningar, t.ex. minst en sidodimension av storleksordningen 0,025 mm eller mindre. I föreliggande exempel antages, att öppningarna 16, som visas genom- skurna i fig. 2,' har en sidodimension om 0,025 mm i den "smala" riktning, som visas i tvärsníttet i fig. 2A., och en sidodimension om 0,008 i den andra riktningen. * Med så. små öppningar finns en tendens till laddningsackumulation på det isolerande skiktet 11+, 15 under jonimplantation, speciellt vid högensrgi- strålar, vilka kan skada det isolerande skiktet särskilt inom regionerna för öppningarna 16. Föreliggande uppfinning löser detta problem genom utformning av öppningar 17 i brottytregionen för exponering av epitaxikiselskiktet 12 i brott- ytöppningarna 17, företrädesvis utformade samtidigt med öppningarna 16, med utnyttjande av ovan angivna metoder. Öppningarna lT i brottytan ll visas också genomskurna i fig. 2. Såsom torde framgår av fig. 2 är öppningarnas l7 totala yta större än den totala arean för öppningarna 16 till mikrokretsen. För att bästa resultat skall uppnås med mikrokretsöppningar av ovan angivna dimension bör den totala arean för brottytöppningarna 17 vara minsta. 5 gånger den totala arean för mikrokretsareaöppningarna l6. Att föredraga är vidare, att inga mikro- kretsareaöppningar 16 ligger mer än l0 mm från en brottytöppning 17.
Det har också konstaterats, att när den totala area för mikrokrets- öppningarna, som skall jonimplanteras, är mindre än 3 i och speciellt mindre än l 1 av den totala area, över vilken jonimplantation äger rum, är tendensen till destruktiv laddningsuppbyggzxad mycket uttalad, om icke brottytarean öppnas i enlighet med föreliggande uppfinning. Når brottytan öppnas, är det att föredraga att den totala arean, både mikrokretsöppningarna plus brottytöppningarna över- stiger dessa 3 ß- I När mikrokretsöppningarna 16 och brottytöppningarna 17 framställts såsom visas, blir skivans yta föremål för ett jonimplantationssteg, varvid en jonstråle riktas över ytan på. skivorna såsom visas av pilarna. Avsikten är att introducera arsenikjoner, 75As+, för utbildning av N+ emitterregioner 18, fig. 2B, liksom även att tillfâlligtvis åstadkomma en N+ region 18' i brottytan. Introduk- tionen, d.v.s. jonimplantationen, utföres med utnyttjande av standardjonimplanta- tionsutrustning, t.ex. utrustningen av den typ som beskrivs i det amerikanska
Claims (6)
1. 7800954-5 patentet 3756862. Bombardemanget utföres med en energi om H0 Kev vid rumstemperatur och en jonstråleström om 0,5 till 3 mA och en dosering om ca 106 joner/cmê. Där- efter glödgas den jonimplanterade regionen vid en godtycklig konventionell glödg- ningstemperatur, varefter alla nödvändiga efterföljande steg för färdigställande av en integrerad krets på konventionellt sätt utföras, t.ex. utbildning av metall- emitterkontakter 19, ett metalliseringsskikt 20 och ett isolerande skikt 21 m.m. enligt fig. 20. Efter mikrokretsframstållningsstegens fullföljande delas skivan för avlägsnande av brottytan såsom visas i fig. 2C. Även om öppningen i brott- ytan 17 för föreliggande uppfinnings skull har visats sträcka sig sammanhängande genom alla brottareorna, torde det vara underförstått, att sådana sammanhängande och utsträckta brottytöppningar icke är nödvändiga. Om det är önskvärt att använda delar av brottytan för testanordningar på konventionellt sätt, kan givetvis brott- ytöppningarna 17 avbrytas för att ge plats för sådana testanordningar. Vid sådana metoder, där brottytöppningarna 17 icke hänger samman, är det ändå att föredraga att brottytöppningarna arrangeras så att ingen mikrokretsareaöppning ligger mer än 10 mm från en brottytöppning. Patentkrav. l. Metod vid framställning av integrerade kretsar för jonimplantation i skivor av halvledarmaterial med ett flertal åtskilda areor, vilka skall ut- bildas till ett flertal integrerade mikrokretsar (10), och en brottytarea (ll), som oger och separerar mikrokretsarna, k ä n n e t e c k n a d av utbildning av ett skikt av elektriskt isolerande material (lä, 15) över skivan, upptagning av ett flertal öppningar (16) genom det isolerande skiktet över mikrokretsareorna för att exponera halvledarskívan i mikrokretsareaöppningarna, upptagníng av öpp- ningar (17) genom det isolerande skiktet över brottytaresn för att exponera skívbrottytan nära míkrokretsareaöppningarna, varvid den totala area som exponeras i skivbrottytan är större än den totala area, som exponeras i mikroareaöppningarna, riktning av en stråle joner mot skivan med tillräcklig energi för att implantera joner i den exponerade skivan i mikrokretsarea- och brottytöppningarna samt av- läganande av brottytarean för att separera skivan i ett flertal mikrokretsar.
2. Metod enligt patentkravet 1, k å n n e t e c k n a d därav, att var och en av mikrokretsareaöppningarna (16) ligger inom 10 mm avstånd från en brottytöppning (17).
3. Metod enligt patentkravet l, k ä n n e t e c k n a d därav, att skiktet av elektriskt isolerande material utgöres av en kombination av ett skikt av kiselnitrid (15) på ett skikt av kiseldioxid (lå). h.
4. Metod enligt patentkravet 2, k ä n n e t e c k n a d därav, att ett flertal av mikrokretsareaöppningarna (16) ha en maximisidodimension om 0,025 m. 7800954-5
5. Metod enligt patentkravet N, k å n n e t e c k n a d därav, att brottytöppningarna (17) ha. en total area om minst 5 gånger den totala. arean för mikrokretaareaöppníngarna (16).
6. Metod enligt något av föregående patentkrav, k ä. n n e t e c k n a d. därav, att jonstrâlen är en högenergístråle med en ström om minst 0,5 mA. ANFURDA PUBLIKATIONER:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/763,789 US4076558A (en) | 1977-01-31 | 1977-01-31 | Method of high current ion implantation and charge reduction by simultaneous kerf implant |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE7800954L SE7800954L (sv) | 1978-08-01 |
SE425826B true SE425826B (sv) | 1982-11-08 |
Family
ID=25068815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE7800954A SE425826B (sv) | 1977-01-31 | 1978-01-26 | Metod for jonimplantation |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4076558A (sv) |
JP (1) | JPS5910576B2 (sv) |
BE (1) | BE862557A (sv) |
CA (1) | CA1043474A (sv) |
CH (1) | CH632105A5 (sv) |
DE (1) | DE2801271C2 (sv) |
ES (1) | ES466448A1 (sv) |
FR (1) | FR2379163A1 (sv) |
GB (1) | GB1549971A (sv) |
IT (1) | IT1114183B (sv) |
NL (1) | NL7800851A (sv) |
SE (1) | SE425826B (sv) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839376B2 (ja) * | 1978-10-30 | 1983-08-30 | 富士通株式会社 | イオン注入法 |
US4249962A (en) * | 1979-09-11 | 1981-02-10 | Western Electric Company, Inc. | Method of removing contaminating impurities from device areas in a semiconductor wafer |
US4463255A (en) * | 1980-09-24 | 1984-07-31 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for enhanced neutralization of positively charged ion beam |
US4453086A (en) * | 1981-12-31 | 1984-06-05 | International Business Machines Corporation | Electron beam system with reduced charge buildup |
JPS60198721A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5136171A (en) * | 1990-03-02 | 1992-08-04 | Varian Associates, Inc. | Charge neutralization apparatus for ion implantation system |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3507709A (en) * | 1967-09-15 | 1970-04-21 | Hughes Aircraft Co | Method of irradiating dielectriccoated semiconductor bodies with low energy electrons |
NL154061B (nl) * | 1967-11-04 | 1977-07-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. |
US3701696A (en) * | 1969-08-20 | 1972-10-31 | Gen Electric | Process for simultaneously gettering,passivating and locating a junction within a silicon crystal |
JPS4819113B1 (sv) * | 1969-08-27 | 1973-06-11 | ||
US3728161A (en) * | 1971-12-28 | 1973-04-17 | Bell Telephone Labor Inc | Integrated circuits with ion implanted chan stops |
US3790412A (en) * | 1972-04-07 | 1974-02-05 | Bell Telephone Labor Inc | Method of reducing the effects of particle impingement on shadow masks |
JPS49118367A (sv) * | 1973-03-12 | 1974-11-12 |
-
1977
- 1977-01-31 US US05/763,789 patent/US4076558A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-10-26 CA CA289,545A patent/CA1043474A/en not_active Expired
- 1977-12-20 JP JP52152517A patent/JPS5910576B2/ja not_active Expired
- 1977-12-22 IT IT31118/77A patent/IT1114183B/it active
- 1977-12-23 FR FR7739913A patent/FR2379163A1/fr active Granted
- 1977-12-30 BE BE184040A patent/BE862557A/xx not_active IP Right Cessation
-
1978
- 1978-01-06 GB GB570/78A patent/GB1549971A/en not_active Expired
- 1978-01-10 CH CH21278A patent/CH632105A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-01-13 DE DE2801271A patent/DE2801271C2/de not_active Expired
- 1978-01-24 NL NL7800851A patent/NL7800851A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-01-26 SE SE7800954A patent/SE425826B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-01-28 ES ES466448A patent/ES466448A1/es not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2379163B1 (sv) | 1980-12-19 |
IT1114183B (it) | 1986-01-27 |
BE862557A (fr) | 1978-04-14 |
JPS5396665A (en) | 1978-08-24 |
US4076558A (en) | 1978-02-28 |
SE7800954L (sv) | 1978-08-01 |
JPS5910576B2 (ja) | 1984-03-09 |
CA1043474A (en) | 1978-11-28 |
GB1549971A (en) | 1979-08-08 |
ES466448A1 (es) | 1978-10-16 |
FR2379163A1 (fr) | 1978-08-25 |
DE2801271A1 (de) | 1978-08-03 |
DE2801271C2 (de) | 1988-01-21 |
CH632105A5 (de) | 1982-09-15 |
NL7800851A (nl) | 1978-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100482385B1 (ko) | 크랙정지부형성방법 | |
US4224733A (en) | Ion implantation method | |
US4356042A (en) | Method for fabricating a semiconductor read only memory | |
EP0658930A2 (en) | Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate | |
JPH08213469A (ja) | 集積回路の製造方法及び集積回路の製造に用いられる中間製品及び永久的に改造可能な集積回路 | |
JPS63228739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US4398964A (en) | Method of forming ion implants self-aligned with a cut | |
USRE31652E (en) | Method of producing a semiconductor device | |
SE425826B (sv) | Metod for jonimplantation | |
KR20000031195A (ko) | 정전방전 보호 특성을 개선한 에스오아이 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
EP0078725B1 (en) | Method for forming submicron bipolar transistors without epitaxial growth and the resulting structure | |
US5705441A (en) | Ion implant silicon nitride mask for a silicide free contact region in a self aligned silicide process | |
US5841163A (en) | Integrated circuit memory devices having wide and narrow channel stop layers | |
EP0104765B1 (en) | Substrate structure of semiconductor device and method of manufacturing the same | |
DE102020115655A1 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils | |
JPH05304154A (ja) | 半導体装置 | |
JPH1126392A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
Rupprecht et al. | High current ion implantation in semiconductors | |
JPH05308126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20050227493A1 (en) | Anti-scattering attenuator structure for high energy particle radiation into integrated circuits | |
US7824999B2 (en) | Method for enhancing field oxide | |
JPH08330623A (ja) | 発光ダイオードアレイおよびその製造方法 | |
JPS63170938A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
DE102023112196A1 (de) | Elektrostatische entladevorrichtung mit pinch-widerstand | |
DE102021115972A1 (de) | Struktur mit polykristallinem Isolationsbereich unter polykristalliner Füllungsform bzw. polykristallinen Füllungsformen und selektive aktive Vorrichtung bzw. Vorrichtungen und zugehöriges Verfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7800954-5 Effective date: 19891201 Format of ref document f/p: F |