SA516380171B1 - روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن - Google Patents

روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن Download PDF

Info

Publication number
SA516380171B1
SA516380171B1 SA516380171A SA516380171A SA516380171B1 SA 516380171 B1 SA516380171 B1 SA 516380171B1 SA 516380171 A SA516380171 A SA 516380171A SA 516380171 A SA516380171 A SA 516380171A SA 516380171 B1 SA516380171 B1 SA 516380171B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
solar cell
rrr
conductive wire
metal
aaa
Prior art date
Application number
SA516380171A
Other languages
English (en)
Inventor
ديرك موشنير جينز
هاميلتون سيويل ريتشارد
مورس ماثيو
ارسين اوليف نجامو توكو ميشيل
Original Assignee
توتـال ماركيتنج سـيرفيسز
صن بور كوربوريشن
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by توتـال ماركيتنج سـيرفيسز, صن بور كوربوريشن filed Critical توتـال ماركيتنج سـيرفيسز
Publication of SA516380171B1 publication Critical patent/SA516380171B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0036—Heat treatment
    • B32B38/004—Heat treatment by physically contacting the layers, e.g. by the use of heated platens or rollers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/028—Treatment by energy or chemical effects using vibration, e.g. sonic or ultrasonic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/04—Treatment by energy or chemical effects using liquids, gas or steam
    • B32B2310/0409—Treatment by energy or chemical effects using liquids, gas or steam using liquids
    • B32B2310/0418—Treatment by energy or chemical effects using liquids, gas or steam using liquids other than water
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B32B2311/12—Copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B32B2311/24—Aluminium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells

Abstract

قد تحتوي الخلية الشمسية (100أ) على ركيزة (200) ومنطقة شبه موصلة تم وضعها في هذه الركيزة (200) أو فوقها. كما تشتمل الخلية الشمسية (100أ) على موصل (228) تم وضعه على المنطقة شبه الموصلة حيث يحتوي الموصل (228) على رقاقة موصلة (134) مرتبطة بالمنطقة شبه الموصلة. شكل 3.

Description

روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن ‎Bonds for Solar Cell Metallization‏ الوصف الكامل
خلفية الاختراع
الخلايا الكهروضوئية؛ المعروفة بشكل شائع باسم الخلايا الشمسية؛ هي أجهزة معروفة للتحويل
المباشر لأشعة الشمس إلى طاقة كهربائية. بصورة عامة؛ تركب الخلايا الشمسية على شريحة ‎dad‏
موصلة أو على ركيزة باستخدام تقنيات معالجة أشباه الموصلات لتكوين وصلة ثنائية بالقرب من أحد أسطح الركيزة. يعمل إشعاع الشمس الذي يصطدم بسطح الركيزة ‎Jang‏ فيه على إنتاج أزواج
إلكترونية وفراغات في كامل الركيزة. تنتقل الأزواج الإلكترونية والفراغات إلى مناطق شائبة موجبة
ومناطق شائبة سالبة في الركيزة؛ مما يولد فرق جهد كهربائي بين المناطق الشائبة. ويتم توصيل
المناطق المشوية بمناطق موصلة على الخلية الشمسية لتوجيه تيار كهريائي من الخلية إلى دائرة
خارجية.
‎led) 0‏ هي ميزة مهمة لأي خلية شمسية حيث إنها ترتبط ‎Lali)‏ مباشرًا بقدرة الخلية الشمسية على توليد الطاقة. ويالمثل ترتبط فاعلية إنتاج الخلايا الشمسية مباشرة بتوفير هذه الخلايا الشمسية للتكلفة. وسبب ذلك؛ تعتبر تقنيات ‎sol)‏ فاعلية ‎LIAN‏ الشمسية أو تقنيات زيادة فاعلية صناعة الخلايا الشمسية ‎Lge ya‏ فيها عمومًا . وتسمح يعض ‎z alas‏ تطبيق ‎f‏ لإعلان الحالي بزيادة فعالية تصنيع الخلية
‏5 تطبيق الإعلان الحالي بزيادة فعالية الخلية الشمسية عن طريق توفير هياكل الخلايا الشمسية المستحدثة. تتعلق البرائة الأمريكية 20090032081 بوحدة ‎WAY‏ الشمسية التي يتم فيها وضع لاصق راتينج بين الأسلاك والسطح الرئيسي للخلية الشمسية وطريقة لتصنيع وحدة الخلايا الشمسية. تتعلق البراثة الأمريكية 20130164876 بطريقة لتصنيع وحدة الخلايا الشمسية ‎La‏ في ذلك الخلايا
‏0 الشمسية المتعددة المتصله عن طريق بالكهرياء ببعضها البعض بواسطة الأسلاك.
الوصف العام للاختراع في أحد النماذج الاختراع الحالي يتعلق بخلية شمسية تتألف من: ركيزة ومنطقة شبه موصلة تم ترسيبها في الركيزة؛ و رقاقة موصلة مضغوطة حراريًا تجاه المنطقة شبه الموصلة. وفي نموذج اخر من نماذج الاختراع يتعلق الاختراع ‎Jad)‏ بطريقة لتصنيع خلية شمسية؛ حيث
تتألف الطريقة من: وضع رقاقة موصلة فوق منطقة شبه موصلة موجودة في الركيزة أو فوقها؛ وتسخين الرقاقة الموصلة؛ والضغط الميكانيكى على الرقاقة الموصلة الساخنة لتكوين رابط موصل للخلية الشمسية. وفي نموذج اخر من نماذج الاختراع يتعلق الاختراع الحالي بطريقة لتصنيع خلية شمسية؛ حيث
0 تتتألف الطريقة من: تشكيل منطقة معدنية أولى فوق منطقة شبه موصلة موجودة في الركيزة أو فوقها 3 ووضع رقاقة موصلة فوق المنطقة المعدنية الأولى؛ وربط الرقاقة الموصلة بالمنطقة المعدنية الأولى؛ و ونقش الرقاقة الموصلة والمنطقة المعدنية الأولى. شرح مختصر للرسومات
5 يوضح الشكلان 12511 عروضًا مقطعية ‎gia‏ من ‎WIA‏ شمسية ذات نقاط توصيلية مُشكلة على مناطق باعثة مُشكلة على ركيزة؛ وذلك وفق بعض نماذج التطبيق. على مناطق باعثة مُشكلة في ركيزة؛ وذلك وفق بعض نماذج التطبيق. وفقًا لبعض نماذج التطبيق؛ يمثل الشكل 3 مخططًا يوضح مثالاً لطريقة تكوين نقطة اتصال
0 توصيلية.
وفقًا لأحد نماذج التطبيق؛ يوضح الشكلان 14 وإحب عروضًا مقطعية تتعلق بتكوين موصل مع منطقة معدنية أولية مطلية. وفقًا لبعض نماذج التطبيق؛ يمثل الشكل 5 مخططًا يوضح مثالاً لطريقة تكوين نقطة اتصال توصيلية. ‎Wy 5‏ لأحد نماذج التطبيق؛ يوضح الشكلان 16 وب عروضًا مقطعية تتعلق بتكوين موصل مع
منطقة معدنية أولية مطلية. وفقًا لأحد نماذج التطبيق؛ يوضح الشكلان 17 و7ب عروضًا مقطعية تتعلق بتكوين موصل مع منطقة معدنية أولية مطبوعة. يوضح الشكلان 9 و10 عروضًا مقطعية للعديد من التسلسلات النموذجية الخاصة باختيار استخدام الضغط أثناء تكوين موصل. توضح الأشكال 11أ-11ج عروضًا مقطعية لمثال على تسلسل اختيار استخدام الضغط أثناء تكوين موصل.
توضح الأشكال 12-112ج عروضًا مقطعية لمثال على تسلسل اختيار استخدام الضغط أثناء تكوين موصل. وفقًا لبعض نماذج التطبيق» توضح الأشكال 16-13 عروضًا مقطعية لعدة أمثلة على تسلسلات تكوين موصل حيث تتم إضافة ‎gia‏ معدني إضافي إلى الرقاقة الموصلة. يوضح الشكلان 175117 عروضًا مقطعية لهيكل خلية شمسية يحتوي على منطقة بها أكثر من
معدن. الوصف التفصيلى:
أو من استخداماته. على النحو المستخدم هناء فإن كلمة 'مثالي" تعني "الخدمة كمثال على ذلك أو شاهد أو توضيح." أي تنفيذ يُوصف هنا بأنه مثالي ليس بالضرورة أن يُفمّر على أنه يتميز بالأفضلية أو الفائدة عن غيره من التطبيقات. علاوة على ذلك؛ لا توجد نية لتكون ملزمة بأي طريقة صريحة أو ضمنية مقدمة فى إجراء المجال التقني؛ أو المعلومات العامة؛ أو النبذة
المختصرة؛ أو الوصف التفصيلى التالى. تتضمن هذه المواصفات مراجع 'تطبيق واحد" أو "أحد التطبيقات". ولا يشير بالضرورة تكرار ظهور عبارات ‎Jie‏ "في تطبيق واحد" أو 'في أحد التطبيقات" إلى التطبيق ذاته. وقد يُجمع بين هياكل أو سمات أو ميزات خاصة بأي طريقة مناسبة تتماشى مع هذا الكشف.
0 المصطلحات. تقدم الفقرة التالية تعريفات المصطلحات الموجودة في هذا الكشف وسياقها أو أيهما ‎Ly)‏ في ذلك عناصر الحماية الملحقة): 'يتضمن.” هذا المصطلح مفتوح. لا يمنع هذا المصطلح؛ كما استُخدم في عناصر الحماية الملحقة) مزيدًا من البنية أو الخطوات. ‎slg’‏ ل." قد يتم وصف أو المطالبة بيعنصر لحماية مكونات أو وحدات متنوعة كوحدات أو
مكونات 'مهيأة ل" إنجاز مهمة أو مهمات. وفي ‎Jie‏ هذه السياقات؛ يُستخدم مصطلح ‎sled‏ ل" ليعني هيكلاً بالإشارة إلى أن هذه الوحدات/المكونات تتضمن هيكلاً ‎at‏ هذه المهمة أو المهام أثناء التشغيل. وهكذا فيمكننا القول إن الوحدة/المكوّن ‎Ligh‏ لإنجاز المهمة؛ حتى عندما لا تكون الوحدة/المكون المحدد قيد التشغيل حاليًا ‎Gal)‏ في وضع التشغيل/ليس نشطًا على سبيل المثال). وعندما ‎Dis‏ أن إحدى الوحدات/الدوائر/المكونات تم 'تهيئتها" لإنجاز مهمة أو مزيد من المهمات؛
0 فإن ثمة نية واضحة لعدم الاستشهاد بعنوان قانون الولايات المتحدة رقم 35؛ المادة 112( الفقرة السادسة؛ لتلك الوحدة/المكون. "الأولى ‎dull‏ وما إلى ذلك. تُستخدم هذه المصطلحات؛ على النحو المستخدم ‎(la‏ كصفات للأسماء التي تسبقهاء ولا تعني ‎Ban‏ أي نوع من الترتيب (مثل الترتيب الزماني والمكاني والمنطقي وما إلى ذلك). فعلى سبيل المثال؛ لا تعني الإشارة إلى الجزء التوصيلي "الأول" من الموصل أن

Claims (1)

  1. — 3 1 —
    عناصر الحماية 1- خلية شمسية تشتمل على: ركيزة؛ ومنطقة شبه موصلة تم وضعها أعلى الركيزة وتم عزلها عنها؛ و سلك موصل مضغوط ‎[SIS‏ تجاه المنطقة شبه الموصلة .
    2- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث تشتمل كذلك على فلز أول بين السلك الموصل والمنطقة شبه الموصلة. ‎lal -3‏ الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 2 حيث تشتمل كذلك على فلز ثان بين السلك الموصل
    0 والفلز الأول.
    4- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 3 حيث تشتمل كذلك على طور فلزي بيني والسلك الموصل.
    5 5- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث يشتمل السلك الموصل على ألومنيوم.
    6- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون السلك الموصل عبارة عن سلك ألومنيوم مطلي بالنحاس.
    0 7- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث تشتمل كذلك على منطقة تماس لاقتران الخلية الشمسية بخلية شمسية ‎cal‏ حيث تشتمل منطقة التماس على فلز من نوع مختلف بخلاف السلك الموصل.
    8- خلية شمسية؛ ‎Cua‏ تشتمل على: 5 ركيزة من السيليكون ببلورة واحدة؛
    — 2 3 — سلك لموصل مضغوط حراريًا بمنطقة السيليكون المُشابة؛ والفلز الأول بين السلك الموصل ومنطقة السيليكون المُشابة؛ الفلز الثاني بين السلك الموصل والفلز الأول. 9- الخلية الشمسية ‎ly‏ لعنصر الحماية 8؛ حيث تشتمل كذلك على طور فلزي بينى من الفلز الثانى والسلك الموصل. 0- الخلية الشمسية ‎ag‏ لعنصر الحماية 8؛ حيث يتضمن السلك الموصل الألومنيوم. 0 11- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 8؛ حيث يكون السلك الموصل عبارة عن سلك ألومنيوم مطلي بالنحاس. 2- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 8( حيث تشتمل كذلك على منطقة تماس لاقتران الخلية الشمسية بخلية شمسية أخرى ‎٠»‏ حيث تتضمن منطقة التماس على فلز من نوع مختلف بخلاف 5 السلك الموصل. 3- خلية شمسية؛ حيث تشتمل على: ركيزة من السيليكون ذات بلورة واحدة؛ طبقة من السيليكون متعددة البلورات مُشابة تم وضعها أعلى ركيزة السيليكون ذات البلورة الواحدة؛ 0 طبقة أكسيد بين ركيزة السيليكون ذات البلورة الواحدة وطبقة السيليكون متعددة البلورات المُشابة؛ سلك موصل مضغوط ‎[SIS‏ بطبقة السيليكون متعددة البلورات المُشابة . 4- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 13؛ حيث تشتمل كذلك على فلز أول بين السلك الموصل وطبقة السيليكون متعددة البلورات المُشابة.
    — 3 3 — 5- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 14( حيث تشتمل كذلك على فلز ثان بين السلك الموصل والفلز الأول. 6- الخلية الشمسية ‎Udy‏ لعنصر الحماية 15( حيث تشتمل كذلك على طور فلزي بينى من الفلز الثانى والسلك الموصل. 7- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 13( حيث يتضمن السلك الموصل الألومنيوم. 8- الخلية الشمسية وفقًا لعنصر الحماية 13؛ ‎Gua‏ تشتمل كذلك على منطقة تماس لاقتران 0 الخلية الشمسية بخلية شمسية أخرى؛ حيث تشتمل منطقة التماس على فلز من نوع مختلف بخلاف السلك الموصل. 9- خلية شمسية تشتمل على: ركيزة؛ 5 1 ومنطقة شبه موصلة تم وضعها في أو أعلى الركيزة ¢ سلك موصل مضغوط ‎[SIS‏ تجاه المنطقة شبه الموصلة 3 فلز أول بين السلك الموصل والمنطقة شبه الموصلة؛ فلز ثانٍ بين السلك الموصل والفلز الأول. 0 20- خلية ‎Cus fed‏ تشتمل على: ركيزة من السيليكون ببلورة واحدة؛ منطقة من السيليكون مُشابة تم وضعها في ركيزة السيليكون ذات البلورة الواحدة؛ سلك موصل مضغوط حراريًا بمنطقة السيليكون ‎DUA‏ حيث يكون السلك الموصل عبارة عن سلك ألومنيوم مطلي بالنحاس.
    1- خلية شمسية؛ حيث تشتمل على:
    ركيزة من السيليكون ذات بلورة واحدة؛ طبقة من السيليكون متعددة البلورات مُشابة تم وضعها أعلى ركيزة السيليكون ذات البلورة الواحدة؛ سلك موصل مضغوط حراريًا بطبقة السيليكون متعددة البلورات المُشابة؛ فلز أول بين السلك الموصل وطبقة السيليكون متعددة البلورات المُشابة؛ و فلز ثانٍ بين السلك الموصل والفلز الأول.
    ‎in‏ اك ايها لا ‎nt how‏ 5*5 ‎oy 5 . & HEC |‏ ‎For Xx Ged Ted‏ ‎TE TES‏ ‎pI > TET . : >‏ : ا وم ومو د 2 0 0 : ا ساح ‎PEE‏ الي سس ل ‎EH‏ الا اا ةا الا ‎Ea SRR SN IIEEER UTES .‏ § : اج 0# ‎SEE ase § Eek‏ ال مس : 1 امش ا ‎HEE TE. 3 Te SRT ET‏ ل مش ا ‎Fis een FN So NR 2 Ra‏ ‎NITES‏ لات ا 3 ‎Ed Woy {roa fon‏ ‎te Enda Fa RE hE one i Fa SRA BLE Ang REE‏ د ‎Sey ean Ruse 2 Ey a Ra‏ ا ال ل 0 0 اي ا ¥ ‎ud‏ ‎RE SIR EET and FR GRAN ES TRE‏ ا : ‎FIER S| Fidei‏ :3 ليا 3 08 ‎ET cor NER‏ ال ا ال :1 8 ‎ig 1 Ty‏ ‎fha 0 RNR SX Fn‏ ال دم 5 ‎NEN RE‏ ‎SEERA ES 0‏ ل ةا : 8 88 ا ا ل ا ل لحت ا ¥ 8 ل ما : ‎ERE PEN‏ 3 لغ :0 م اا اودارا ا ‎is‏ سف الج : ا 8 23 ا ‎LE]‏ 8 ‎hay‏ ا : 8 ا ‎Ea 5 Foo‏ % ‎onlin ug ES‏ 3 5 : 0 ا ا ¥ ‎NR‏ 4# ؟ ‎iY H‏ كج 8 8 ‎Tg x : LF RE‏ 7 ؟ لوالا 8 ‎Wooo BLA‏ مج مو ‎Fy TY og FRR‏ ‎K 2 TT os 8‏ دا لي | ال ‎on I SH 8‏ 8 لالط اا ‎“ey, . nani‏ 3 ‎cs ans Sm‏ 3 ‎TE 7 ¥ FEN‏ } ‎a %‏ ‎A‏ مساح ا ان ع الي ‎Ld wo £3 a a SORE‏ 4 8 8 لي ‎Wa‏ ا ا 2 0 ‎i‏ § ب ف ‎i ER‏ ‎PE 3 aR‏ راد ‎oo‏ ‏شت م : ‎Lam *‏ ال ب : ‎[RRR TAN OE‏ ‎ELE SUSE EW ¢‏ ‎aE ERE Res ee 2] x ul Re‏ الح سسا ‎oA‏ 3 لين ‎EE‏ لومم 0 ‎MO BAER‏ ل ‎Te Ye‏ § ‎iY BUSES BEE & ap‏ ااا ‎RI, £1 i fash‏ ‎CCS NC and ERR wa x ERS :: 3 SEY‏ الج ا 4 5 مجحب يع ابا ل 87 10:17 ‎TY‏ تي لسع قف لحر ا لحا و 1 ‎I ii NS‏ ‎N RE MORN RENEE EER RANE 23 RY JER | EERE Ye JR‏ ‎ym ca ne RRR eA PRT SEE pa wk NA NES ico A Raley eRe hl‏ ‎Exp ney NEY nt A SE Sl % bis‏ امد ‎wt aR EN, ERE TE)‏ 5 3 ‎yr ee SE SNE SRR a Ny BR ERE LORE‏ 185 ‎SSL 8‏ اا ‎{ge i itl a‏ ‎aaa ¥‏ ال ‎RR Ld RE Ne‏ ‎Ae ot eee SENT‏ & اا ل ا ‎FE Ea k RX‏ ‎LI A SO ER & Sa 5 Na‏ % ‎Se‏ مج كيجي ‎ee‏ 3 % م ‎y FA S58 ge‏ 1 او : ‎oS‏ ‎x 1 |‏ يكيلا 8 الي 8 ‎SO‏ ‎Ny a wg‏ أ كي كل ‎ite AR‏ اك واوا 0 ‎Ls nH RS‏ ‎WA RELL 0‏ 1 ‎LAR WLW AE SN 5‏ ل اللاي الات لا ل ‎Loa‏ ‎SCARE‏ الي ‎Re‏ 5 ‎Ed i : | :‏ ‎ER ho = 5‏ 1 المي ا ل =
    En an § ‏ا ب‎ = TTA ‏ل‎ ER] \ WL \ VOY wna a - N Si ‏لي ل‎ women ‏دواع التو دوع‎ ‏ال ا ا ال ال ل ل‎ smn ‏ل ال تت قا ست ا‎ TEER HEE en ‏ست‎ SER Rs ECR Si ESR Be I i Ci SE pr ie RN HE ‏ا ا اا ل سي ا‎ ‏اح بعد د ااا عات‎ FARE 3 Ri IRR on FN £5 ER Tare SEE RRA EEE manner ‏ددا‎ Neus 8 hE SAN SERRE ‏تت‎ ane ‏ا‎ SEER Cia Stay Sy 3 Fadia DEH RES coli Wa Se CLR ‏ا‎ ES ‏ال‎ Laima : 8 3 8 3 ‏با الصا مسد سس | الح الس‎ NE ae EJ ¥ 3 ‏“ل‎ ٍ ant Fy ‏للها الس‎ 7 Tey 0 ‏ا‎ 0 k 1 3 8 8 8 HN 88 ‏مض‎ RE S Myya Myr, RUT EE ‏أ ال ليطا‎ ‏خخ ب‎ SE SOF 3 ‏اا ا‎ XE A 0 TRO CRT 0 #5 : 2 PEYOTE ‏اد‎ ‎i & RON Se ‏طاو‎ hi Fn a Fa Be am, K Raw he a on A 5 SP——— fs 3 o Ps cara ¥ CR a 8 4 ‏ب ا ل‎ 8 ‏ا‎ ‏أب‎ ‎Rg > = ‏شك ل‎ Ey ‏دجوي‎ RS ‏ل ا امج د لدجم ممم‎ t ro | ‏جع‎ SRR Na ‏ا ا‎ 1 ‏ا ا‎ Nira ‏ا ال‎ 3 ‏لاا لاا لاا ا ال تتا‎ en ‏مح‎ ‎See Sie Sai ia Sen a pea 5 ‏و‎ ‎EER SER FEE aaa Sl ‏احا ا‎ he rs ‏قْ‎ ‎HERR LENE ENE FEE 1 oman ‏ا‎ ‎SEE Sal La Ye LR Noah wy Ri ey ae ‏م‎ ‎DIR SE RI ‏اله‎ OA NR BEE RN ERR RE EE ‏تمن م * ؟‎ 1 pny ‏ا لم ا اج ل ل‎ Ee ST ‏ا‎ et eg aa RORY ‏بيد‎ EC 3 a ‏م 3 & ب‎ HE AL CAE TET PEAS £ VX yt Fo ges a ‏ازا اهو‎ Xx ‏ب‎ 07 Bo 1 ‏و ابم‎ 0 ' de fr RE be hea ns ٍ ‏ا ص كي رض وكيا‎ = : 0 ‏كح حي كني م لي ينبي تبي ب‎ ST ‏خا‎ 1 RE HEE : % ‏نوا‎ a Ti a er gd CIR Rs ‏لد ايع‎ BY PEERS.
    PR: ‏يا‎ ‎ered ¥ ‏يتات‎ ِ
    EX Red > ¥ 4 A é ‏الحلا ااا‎ : :1 i ] H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H 1 H ]
    3 . 3 ‏لب‎ 8 gi Eo) \ ‏انتج ا ان‎ 3 oF RI hy JIE RIE ‏ب‎ ‎i 1 H 3 8 H H H H i i 3 ‏اا‎ % i : ¥ eS b 3 SO + A i ; i § N 3 Ss ‏الوا حا‎ 8 3 3 0 g 0 3 0 1 ‏الج اع ايل ل‎ ‏ا ل‎ NRE a
    اا © 4 ا الخ لق يد“ ا ‎TE ES a‏ تم كذ “امي قمعا ‎a Bd‏ 8 8 8 1 8 8 { 8 0 : ‎TERETE: IEEE REEIEEFETe NUTR RETINRe » EET‏ حت 3 5 0 0 ‎ig §‏ 0ج ‎H FRE or . ES‏ ‎SHEL TEE J da Y N‏ : ‎EH +5 0 ow “ie §‏ ‎Ny‏ 8 نينتلا ا ا ا ا ا ا ااا ا اا اا ا ا اا ا ا اا ا ا ا ا ا ا ا ا ا ‎wan‏ 8 ‎ARE fo WE‏ ‎NF‏ ‏5 3 0 8 3 0 وا ال 8 0« ابا § 3 2 ; ‎i‏ 5 § ‎RK‏ ‏§ & 0 8 0 ل و 8 5 : © 0 ما م 0 ‎JF 8‏ 8 3 3 ‎RY‏ 6 ل ججح ححا ااا ججح 8 ‎PETER‏ 3 2 3# ¥ 3 ل + جح را 8 ع ‎wel‏ ‎JE ¥‏ حص الالامق عاق ‎RN N SE‏ 3 ب 8“ 8 ‎rig fee ge‏ ‎RB 8‏ 2 3 1 8 0 3 8 0 ببلتللمتيسستللفتل(ل لست ‎on RCE n Pa ve »‏ £3 ‎N‏ وا 8 اهز 1 ‎BE‏ ااا : ‎Len wm i‏ تلب ; لمنمسسسسسالمميسسسيسسسمسيسيسسسممسسيسيسسسسسسيسسسس لأسي ‎ky‏ ‎a RY‏ 1 ف 3 3 3 3 ا ا ا & ا لد ‎TT 2‏ الك ‎EY Sig” ER‏
    Rog x = SE 1 ‏سي‎ HR ‏م‎ ‎8 ‏ا‎ ‎N : 8 3 MN MN ‏:ل‎ ‎8 : 8 : 8 : 8 : 8 : 8 : 8 : 8 : 8 : 8 : N 3 MN : 0 ® 3 8 N x N =e = N ‏ا‎ ‎3 JP # N pe Ep N &
    5 . 3 8 ‏الا ا‎ N N N N N N : N RRR N 1 0 1 N “8 Ny NS N i 8 8 1 1 . Ry 8 oo & Ny fe ‏ان‎ N Fu RA. i = Pay & 1 ‏اسع ا‎ Re ‏اي‎ ‎N WF I: 3 & i 3 & 4 + ‏ب‎ 3 N ; : 1 : H = rn pS ¥ 3 : H i 3 H MN \ N N «
    N . Se 0 N ‏اا عن‎ i Ea ١ 0 0 $ N 3 8 N ‏اتا ااا‎ 0 { 1 H N H N H N H N H N H ‏ا‎ ‎H = H H H H H H 8 ‏ا‎ 8 orto § { se go 5 or) 1 ‏د‎ i i \ N 3 By i N i. oo ) i Lk N By : ‏ص‎ ge 3 Pa Se.
    N wh SE \ RS NENG NE I i A) CIES \ aN 3 3 h 1 x A EAI ns: is TT : 8 N ‏ححا حي‎ FS ay ‏ال‎ EE ‏الي ل ل لت نت د اا‎ i i 1 : 3 8 8 3 : 3 NE ‏الست امح ا أ ات ل ا ا اا تا الم اا‎ mE a UIT ‏ييا‎ FL ‏تم‎ Ae RoR IES : EB - ١ ‏ال‎ ‎1 i ‏ا‎ 0 1 ‏اماما‎ ‎3 5 8 8 J rood t] ‏الا‎ TE ‏عر‎ ‎Foden ‎£ d ¥ 8 + 8 ‏اا‎ ‏و‎ 3 ‏ا ا‎ J 3 do FRR a & § ER ‏جح‎ RR H Bs x i i 0 § 1 H k ‏امجح أ جب‎ H . 0 0 ‏مح‎ = 2 H po wr H H iy wr RO E H ‏كي‎ Se # ¥ & } H “ag = 4 wd X “5 ‏ا ال‎ H ¥ td HR ‏ب‎ H LOR Ea ‏ا‎ 1 6 & 4 : Sod ‏ا ا حجنت اج ل ريد لد ل ا ا ا‎ Soman ‏اج الي الس ا الج س_ ص _ ع اج ا ا‎ ok 3 N 8 : by Bg a ‏مج‎ ‎8 EA 8 ‏ل‎ x Lod | aE ‏ل اليا ل ا ل ال ل‎ NEE: (SER SRR Sy MN a ! ar : ‏ا سا5‎ 1 N Hood TE x ee Sm ‏ان يا‎ ¥ N © ECE So ¥ N ¥ N by EY Hy : 3 H uy H Ths H 2 H 8 N 8 N RRR RRR RRR RRR} ar TTI ay oR ‏ال تت‎ <P TE Cremer Fo pd eee ES
    A —— REL a Weg RN nnn, | ‏ا ص 8 الب‎ 8 Ey ETS a 0 3 SRE NT ‏ا‎ i FT ‏جل‎ ‎BR 2 ‏ا م اله ااا اا‎ RN 0 dag By Cg 9 ‏ا الا ا ا امي عي ين اي اطي‎ 3 pS | # ‏ل‎ 8 i SR 4 1 8 x 3 y ¥ AER ? . JES TE 2.3 SME ‏الم‎ RC, Fool . : LE RR ORE : MR REY ‏ل“‎ TH ‏نض‎ ‏ا‎ EET EE ‏م حا ال‎ i LE ‏تج‎ ‎Fhe ny ST RS Pe Se ‏الل‎ B 3 JEUNE KORTE Wh Sof i Nei ae i eT ‏الا‎ ‎H 3 § i E i 8 So : 0 ‏مو‎ \ bl 1 -— J FR i = 1 1 ‏السك‎ ‎Kon ‎& rn 8 3 0 ‏ا‎ ‎8 ‏ان‎ ‎8 Son &, Ne EAR. 3 os Te ‏ب‎ % 5 Mem Se 0 ‏ب‎ : ٍ :
    EN . & is RE | EE ey 3 maaan 5 oa, i 8 3 A ‏ل‎ Rr A AAAS N - by i wi i Wek ; i i i ‏امسا لما لمعا ام تس لل ا‎ METI PI CIES SEL ‏م ات‎ ERIN ‏ا معد للقي‎ x 31 1 py 3 8 ‏ا اولع لاا ; = 8 ل‎ ‏سنن ا‎ x 4 pS WN Ne ‏م ما‎ gy RAY
    5 .. ‏ا اها ا ماي‎ = ji Snag Ear, ow 30 aR BK Se Vie ame © SUN FRE Bi CR Ee RI RE ORE ¥ 0 REE 3 Yay ol ‏ااا م‎ Ee § 0 8 ¥ § + 3 ‏حب لا‎ Frwy : : : 3 ‏سس الأ لاسا لاا م سس أ هه‎ po 5. ‏ا‎ ‏الالالال لل الالالال الالالال لل لل الالالال الل ل ل الالالال لالد الالالال‎ a ey ‏سسحت‎ ‎1 8 7 ‏ا‎ ‎Ma 1 0 1 1 so Be x5 2 4 i CE 1 5 ‏ال ل‎ os BY Ta 5 TRE
    Yo po 1 1 id ‏حي‎ WE ¥ ‏وس ولع‎ ei ie FY : ‏ب" ل ا‎ RS ] 8 1660 RS ‏ىأشللسسما‎ ١ ‏البملسسش‎ Fes ‏حي‎ RE ‏ا‎ ———— B A Vy ASE RE NS Sy ‏ثبخ‎ ‎* RRR ¥ N H TENOR ¥
    SIT. 5. ‏لمسسسس‎ ‎AAA AAA AAR AAAS LAE EAA AR ARRAS. { DN § ‏ما الا محا‎ 2 1 Spa ¥ es 8 ٍِ EL ‏الا ا‎ ‏ال ات ا‎ i od 8 ‏ااا الا تح ل ا‎ * i SE N AEE a eo Rt Jeon x Noe Ea x Ma Rigen SE ‏الم‎ 3 Re Ca Sees 1 ‏ا جاتب‎ Ro HE Rwy So macy ‏الشموشل:‎ dad HERR ee BE SESE ¥ SAR 3 ‏ا اتوي 8 اميش اا‎ NN ER: ‏اا‎ Ta ‏ل‎ i 5 ‏الت جتحت المح لمتحي متتسهه‎ RY 3 808 ‏ا‎ ee ‏اا‎ 0 - ‏سوسا‎ AAAS | Na 3 ot 3 nea q Eo BE = 1 ‏اا‎ EE 4 ‏د ءا ل يا موي ا‎ TUTTLE ITY ‏وال ست‎ 8 ‏ا ل‎ vo ELT SPREE ER ERE SER AR EE ra TE ANIM aN 0 ‏ججح الح لس سس‎ py i ‏ا ا اجو اام ها ججح احج اجاج‎ 8 5 8 ‏العا ا اخ‎ & : 3 TNS 5 ‏ا ل‎ 3 BR 2 ‏امعط‎ 3 RE A ‏ا‎ DIR 8 ge EM EA FORE ‏ل‎ Sy a X ‏سا سات الس‎ ona dF ‏يد او‎ x N Rl Ss RY : ‏ا‎ RY RRR Oh ‏د نج‎ i ELI : B hy ¥ i N fn * ; ai av 3 Ly 3 AEN TR ‏الس‎ [Na pe FRY rg ‏اس ا ا‎ FE ‏امش‎ . 58 § A Lt ‏م‎ ‎: : ; . : 8 ET ‏اا للا : لعولا‎ ‏ا جب 6 الج الي ا‎ coi “ 1 ‏الس‎ Eg ‏ا م الحييية‎ Rly LR ol . RE a ‏لال 1 ; 8 سس لاس‎ a ES SLI) : 3 NT Ses Rice a es Se ST A EY E : N ) FS J) eed SRA 3 88 EN i Sree ‏جح ليسي اموا ال ادا اص ا م‎ 8 0 3 Rn 2 ‏ابن ب اما مار الم ال لا‎ ed Xs ‏ليب‎ TE Fg ve > RR pi TE RRR ARR SEER EN ‏لان حا‎ ¥ Re RR ie] ree ‏لمم المج‎ Fri ee 0 1 ‏بجح الج اله اا الا ااا الت ا ال ع ا سات ل‎ he 5 ES N RCE 3 3 Haw ١ HN CRs FE ‏ل‎ ‎¥ SHE ‏بي‎ : EY N ‏الالال‎ ‏اي ا ا ل ال ا وت مت لتحت الا ل‎ ire SOON ‏ا ا اا‎ : ‏ل‎ 8 Tow ka NE LE 58 : 8 ‏مس‎ oo EES ‏د‎ a ‏لس‎ a FO rn ‏ماله لاا الا له‎ REE nn . ‏حجن‎ = Ry N w RX, .-. N EI en ‏لايخ‎ Lode dE 3 8 £1 : 8 : = BE ‏لحل الا ات‎ A ‏ا اماد ا ا‎ 1" ‏مح الحو الحا امس( الح لاحلا‎ wv TT ‏الي‎ 3 PET LE Rn ‏لتق‎ hea Ay CET J SRR RE ALLE LRA TEN NE ey & b 8 8 : 3 By Tk 5 i ‏اديج‎ i 5 Ew § ‏امام ااا ناا ا اا‎ RRR AR RRA ‏واللتمجم‎ ‎: a bE 2 ‏ا‎ ‎5# Sadi
    EN JOURN FF: SANUS: 15 Jeon 8 ‏سن‎ i Xow : Se ‏اا‎ ‎: : ‏ب امسا‎ IRC ‏الا © الك‎ ‏الأت سا أ سس ا لح‎ Re TT 8 : ES i AAAI A AA ‏الح جح جح‎ TRY y ‏الح‎ nn 3 J 8 ‏ب 0 د جمد امم لمم للا لاا ااا‎ a Sn gg ‏ا ويك‎ $ ‏ححا‎ EE A A ERE ‏الح‎ 3 gi 1 ‏م احج الح الحا اتا د لاك ا ححا تج .و‎ ve 0 ¥ ‏ا : 3 اما اه ا الم ا‎ 1# RITE § : : ‏رذ اللي إل‎ Foy ‏ال يي‎ | 1 5 ‏لالم وك‎ ‏ال 5 ب‎ § E 1 3 eS ned 3 SON RE 8 Xo RRR TR TR ‏اه اا‎ ‏اج‎ ode ‏الج‎ ‎Be ie aN ‏اا‎ Li TE cn ITT ‏لوحت اتح‎ Arps ‏حا اا‎ ‏لالس © امس تس ا ل‎ NW k) 8 : 8 ‏ا ال‎ \ Yas ‏الج جاجح مط‎ : ‏ل‎ ‏حي‎ § 0 Fy & Yo agin i ‏ا اط ال‎ Wg ‏ال ا اه‎ 8 1 ‏ا ال‎ CAN ay ‏ا السلا ااا ااا ل‎ SF ¥ 3 2 8 2 1 ‏باك‎ A A RR ‏ل ل‎ a &, 5 > ‏ب‎ ‏ب‎ 34 ‏كر‎ HE ANS Ty 43 5 iN ‏ال‎ AREER ١ ‏ل‎ 4 8 ا الجودتسيت سحي ‎[A‏ ا ‎i EX‏ ا ‎or. § amg‏ خا ‎a EEE Fog CR‏ 0 8 ا 4 ‎SE SR‏ الا 8 ‎bs‏
    ‏. الا ‎Res A J a, I‏ د ا ‎Re‏ 8 ‎Boom‏ ا § انيل سا : 1 ‎VEE Se ee]‏ ا ل ا > 1-08 8 > | ‎NL ce cme ir a‏ 8 لح ال 8 : ‎ps‏ ¥ الا انج لتلا ا الوق عو لوا لوي ال ‎Nis itis 0 7‏ ل ‎I TARTS II TILE. SEEN BT KOON ederim i‏ ل ا & 1 fos 1 eens peo Smee BY % oF EE N EE ‏ما ا‎ ris [ERE EEO vo > : i : 1 8 A 5 EA 3 ‏ا : ال د الح‎ 8 a 3 ‏إن تت‎ ‎BN a3 = 5‏ ال احج ‏3 مي 2 3 3 ‎: 8 EIR: ‎3 i = 9 = : ‏دخ ال ا ا ‎Ey A‏ : ‎: : 1 ‏ل‎ : x 3 ‎: H EASTON RR WR 3 ‏ب‎ ‎1 3 aS : ad ‏لا ااا‎ a a BR ‏الس و ونس يي‎ 5 ‏جد اتا لاجد حا جح ججح ججح جا ججحلا ججح‎ Ra ‏ب‎ 3 3 oy ‏لك‎ ae ‏نحن‎ ‎58 & 1 N 8 To ‏اي ااا‎ ‏ل و 8 ف‎ : 3 & N FARR gt Ry gratia, 0 > ‎a 2 TR +‏ لح ا الله ااا ? : 3 ‎H a‏ ‎Fw ow‏ 1 - = ‎Pi fd i Ed‏ اح ا لا ل ‎PRE‏ ‎a‏ ‎ATARI a] an es‏ ‎WOR‏ يي 5 2 نا ا ‎kd FEC SRNR‏ 3 ‎ew an‏ احج 3 ‎xX‏ 8 8 المح ا لمم مس ا سس ‎pre ST‏ ام أو ‎TE‏ جو ل ‎hg N‏ ا : ‎Hea 3‏ ال ل ‎KEY‏ 5 ‎SNR RE‏ ‎Rae EE =‏ 2
    ل لا ‎NLL‏ تاي - ل 8 0 0 :- ‎RB‏ 1 8 اج ااا ‎A 3 % ES‏ ‎EE I‏ ‎RRR aR J :‏ الا ‎BN : 3 ER x‏ ا ‎EMA AAAI‏ : ل ا 1 ‎H‏ “ها # 2 1 ‎AR RAR ARRAY‏ ا ااا ااا اا ااال ‎Rr N‏ 5 ‎IRE‏ ‎N‏ :0 لمم الم ب 4 8 - ال ا ل مجححعهع» ا الله ام ل 0 ‎ji ow‏ التي ‎RE‏ ¥ 3 الا ‎a EE‏ "ع 8 الا الإ واو ‎ot‏ سسا اس مستا ‎LALA‏ : 9 8 ‎ow 1‏ ماع \ ; 1 3 3 8 1 1 ‎ne‏ ا الا ا ا سن ا ‎RE JE SE I SY‏ : ‎LE I TRL‏ ‎Xd Lt ES J‏ : ‎eR .‏ اليا ا ااه اا لمتحي ا .7 ‎PE SEY Es‏ الال ‎gd‏ ةا بل 0 4 حي : ‎XR‏ 3 ‎١‏ لي ا ‎ERR‏ ‏1 8 المح اا ا حل ا ‎RRR ER 0 x‏ مومع ‎SE 8‏ سسا اسن سسا امس وا ‎i‏ ‏ل ا ا الالح 8& % د ‎LTR‏ ‎i‏ ا ا ‎TB ssp sss =] 5 Kes‏ ‎ee # ebay‏ 1 * الا ‎ott‏ ل ‎CR oe‏ 3 9 : له ل اد م : ‎VARINA © AACS EER of‏ ات اس ‎Tn TOW REY‏ 3 ‎Xa ows Po‏ 1 : : ‎ne .‏ وي ‎oy‏ 3 ان = ‎a x,‏ ‎ge‏ * ا ا ‎RS‏ ‎fy Yell SNe 8%‏ ‎SL 8 4 F‏ ‎Pm & possi‏ الم ‎y a‏ % انر ‎EE TURE:‏ ‎ag ٠ 1 i frees 8‏ ال الى 5 03 ؟ 3 & اا العم واي حا م : . ‎aon : BRE‏ 3 ررد الف ‎Foo, sod‏ ب ا الا مماة 7 ا[ الم ساق د د الس 8 كاج وال 8 ‎YOR x IG Rs‏ ‎Sinn imma Sony Bg‏ # # ال اطي - الج الوا 8 ‎TI: ANAS | EN ¥‏ تلا ‎ESRC SEI cr SLC‏ ‎x) nn. 8 oi ig a A A RE RN Rt TRY TRB RR‏ .7 ا واج > ‎Re 1 x‏ اجاح تح # لاتحت ‎RN AN AN‏ ‎ES ER 5 & 58‏ : ‎EI‏ 3 1 : مخ اخ ‎A‏ ¥ بن ليد ا 5 :1 الاج تت ل ‎RA 0 cad‏ :1 ‎LR I : Cg BL DU‏ لال يخ وأ ‎bE‏ ‏ا ب ‎Ee 33 0 bE‏ ل ‎oc ow,‏ مح .ون لمجتت ‎OR‏ تتا ‎NA Nn,‏ ب 3 ‎NS 3 yw Ry‏ اا واج ا 1 ‎N ped. 1 NEE Soko‏ 8 : ا اللي ‎Er 3 3 N‏ تت الات ال ااا دا ‎ET EE 1" : EE BY ESS‏ 5 # ا ‎LI‏ ‏ل الا ‎a‏ لك ا ا 3 5 5 - ا ‎SNR Sy cous SRR TORR‏ 7 لجح الوا حح لافطال .
    ا ...ريح لولج اجا محا لمجا جح دجا جح جح جد ججا مج جحت لاما جه اج 1 اا و#الخطييت .1 ‎I‏ ال تدده لالع ص ا ارال ا لزان :1 ال د تح تت ال ‎LEER REE tC‏ 8 : ب : ‎x ٍ A‏ ودعلا 1 ‎NN‏ 3 الا ا ا ‎ORS TI‏ الا ‎OE‏ ‎Si SEES‏ 3 لعجي : 1 حدس دي 9 ‎i 2 ang, Pel By 8 free‏ ‎i : 3 EE 0 8‏ * 8 :0 اي ‎Re po A‏ 3 إلى ‎JE‏ لا الحم اه : ل ‎wow‏ الما م ل ال ‎RRR ERR EE‏ ‎BS do RS RI IE Ey Es SL EAL‏ ‎nimi, Bd‏ : . = ا : ‎RA:‏ اال لان را المع الم حت د ا ل 8 3 ‎SE Sie‏ ام اجححح جح ججح عاد الج ججح ججح جح ‎he‏ احج :7 " .- ‎Na Ro . SX,‏ ‎AH‏ = ٍ اكد ا + 3 ل :8 : ‎hy Tr Tr oat‏ ا ل ال اما 8 ا ا اال 8 § ‎Fo ¥‏ 1 © واج : الوا 3 8 ‎AAA AAS‏ ا الالال ‎HI N‏ 3 ¥ ‎Bonnar :‏ ‎E x LE‏ # مدال % ‎anne‏ ‎Te og i RRS J ERE‏ ‎err es‏ ; 1 ير جد ‎ara Ea‏ 8 ‎eT A i] 5 1 ae‏ ال لا 5 ‎HN‏ 5 ‎N ¥ 3 ETE a‏ لا نم ‎H‏ % ‎Bi SE oo os II...» EEL‏ اجا سس ¥ ا © جا ال د تت تا اتاد اتات للحت لات ‎x FR‏ + 5 سا ‎ToT ee TIE bat‏ الس ا ا ل ا م لمتكا ‎٠١‏ ‏© للا : ‎St‏ 5 ا 5 2 ‎FL.‏
    ال : فس ‎N‏ ¥ ‎N‏ 3 0 0 ‎N N‏ ‎N N‏ ‎y‏ 3 ‎el A 3‏ الحا انل للحت فا احاح حم ما احا ام ا تج 3 داح م ع ‎Gg Eg ep‏ ‎X TX 3 Ad‏ ل ‎oh Fe. i iy AA AL CHIEN‏ ‎RL 8 "١‏ الجا ‎RY 3 : 0 i »- : 1 9 8 k 0 hE ; 8 3 R A‏ % ًُ 0 نا لصن 2 ميك 5 الا ا وب ان نش مانا كي جل ا .8« ين مس ‎oo I] ny BE: 3 CE 8 0‏ :7 . ب ‎NEL‏ ل ‎ORR oH‏ ل ‎Ken Le. RECA STAC LL TENE CHER cc SEL HE AE‏ 8 ¥ ‎i % % [IE‏ ‎i‏ ‏1 ‏إ ‏جبحا ا ا ااا ل اا ‎x To 1‏ . + § 0 ا سخ 3 ا اس ا ٍ الس ‎i a‏ ا الح ا ال مج 0 ‎i i‏ 2 ‎Poa Lamm . Tee al‏ ‎oe dren‏ ! 3 ا م ا ‎[sk Fi ME hae SG‏ اي ا ارين ينات اللا احص اي اله 5 ‎or RE sr, a‏ ا ‎CN SET i con inh ems a‏ ‎AR WL GEG RES ERLE GAS‏ ‎i; yh bi oy‏ مد ا ‎TY Sing,‏ ا تي وا انالبي ‎stp eR TO “Top‏
    ‎SR. SE SES -‏ لشت ‎PON a THE "a ESE, SE SE TRE SN es i‏ ‎xp SY al ak LAR SF‏ اي ‎Hon‏ 3 ا ا ‎$F hs EE‏ ‎pa col Bossa telson mans sn SENS Shoot = ted Freda Soy PE‏ ضوحلا ¥ ‎Ra Ca ed‏ ‎BES‏ أن ‎IR Roni‏ ‎[TT ;‏ اس ‎OSS‏ ل ل اا ‎i : 3‏ 3 :0 الا ال ل % رط +5313 ‎Fm‏ ‎ey FFT‏ حم حي متو ير 0 وض ] ‎ng a “ae‏ ا جحت ب ‎CA‏ ا ‎Hy ORC JY. Ie‏ ل ب ل نكا سر ‎RE SEE NE SCS Rr i 8 Fe et SRR CF‏ { ‎hata SE‏ ات ‎oy ie Sr‏ ا ‎or Se Tl a‏ ‎Sai Sami RES‏ أمامتات اس سات مامه افحاصة سحا لاا ‎has‏ ‎FER Bt & ¥3‏ الشكل ١١س‏ ‎hited!‏ ْ: اا ‎ix SN‏
    3 N ‏ب‎ 8 Ny 3 08 ‏ا اذ‎ > : 0 1 N YH a \ BY N 3 : N BS N 6 : N 2 N 3 : i 3 N Ng, > i H ony N eS oan, 8 = Foe 3 RB) nr act ‏الا‎ 3 RCC 3 ei | een 9 ‏ل ال د : ا‎ 3 sania 5 8 8 po ONC 3 : EIR ‏الا اا‎ 3 1 3 3 NES N 3
    3 . & 3 > B 3 : 8 3 3 i 3 a Ra ‏الي ل امنا[ ا جه‎ LC } aE TS 03 a 8 pt ‏و يد‎ or ‏جني ا د حي 5 7 يعم اح ¥ ب & و‎ Na ‏بحاي 0 و أ ا او مام اما‎ EY 7% ha ‏كل ل تايا تن ب‎ 8 ‏ا . 3 ا : ثل اق ل أ‎ REE RE. 84 0 ‏ا ا ا شان لخن لخد لعلف لضا دا لا أ طن ل لخ العف ا‎ LL SSeS ITE GES TIGRE Eb] PUIG SE SHEL ON on, OC SHIN J MEIC ‏اس الست نانب‎ JOE ‏ابش لساب ا لا‎ § N ٍ Fs § gs ¥ Ee R = " 8 5 R § 8 1 \ BR REE TR TTT TTT TTR RRR Red’ # ; 8 Cs ‏يا‎ sy $F : 3 PERU LN RE 8 ‏جم علي‎ 8 ‏متسس‎ ae Nong, 8 ‏الس‎ ‎§ wT Nata : 3 any ET ‏يي ا ا‎ ‏لحي اح‎ BER SE Ae f San 3 ‏س1‎ = [RR 1 i 0 A N : ‏د‎ ; i ; a Pod i 0 H i eM BS 8 8 Ry N ١ ‏امنا ب‎ . g 8 SR & 1 ‏ا لالس و‎ eg Print? PRs Pe - nn a a Pr, ein N 3 SAN ‏يب‎ an A a 0 5 ‏ا‎ A ‏الا ال‎ 3 £3 RI ‏و ب ال ا ا 8 8 كا يي العا ا‎ 1 SE ay ‏مشجيك ا 1 ا واي ولاس ل 8 ل‎ i SO 5 ¥ w 3 Sgr ‏لاني .اح‎ 4 3 0 | oi, fs REE 1 Fenty aie Rig RE. Sr ¥ 3 Rd BN ‏؟ أ الما فا‎ 0# # NE ‏اا أ نا ب اا‎ SE ‏و ل م ا ارا‎ Nom ‏ب ا وجا‎ Cc ‏المي ور ب ور اح و ل و‎ GT EE ‏بز ا حي أب وو : نا‎ " 20 0 ‏م‎ 2 8 0 1: = 1 : H 5 H I 8 : ‏اا إل‎ B i 8 ¥ ‏ماج‎ 8 3 8 : ‏ادا : نا‎ 0 0 ‏اج يج‎ § 5 bo 3 5 fat § OF ENT FE Sen : : ‏الال‎ ‏ا لح‎ 3 1 ‏اان الططا عع عي‎ 1 na Bong ES ‏ال‎ Rc Si ‏الحا اال ا‎ Le - 23 0 Pa . iy a VE § 8 08 1 05 S- } N i : i § 5 & H % > ‏اج‎ ‏ا اا ا‎ i Pin gaa ‏لمن‎ ‎Ag ani Ne nerd ‏سي‎ ‎Yor, ‏اسع سين‎ A ar Ee SN 3 5.20 : ‏“أ‎ : . SN : FE a 8 ‏م ليا‎ y x ‏رد تحني الوص‎ Re : ) BERS a ERE IRE Kg SE SRL NC 9 4 YE eX £5 i 3 DRE 8 ‏اا الجا ا‎ 1 FE BR ‏اليا‎ cig NE ‏؟‎ 4 NR ‏سد دض ا ا‎ RR ol ‏لان الى ل‎ ‏اح‎ Len ARR Coie ‏لحم‎ ee etd REL ‏ات‎ 2 Hed ‏ا‎ ‎: ‏م‎ : 5 : ; : > ‏حب‎ ‎0 ‎: ‎N ‎3 ‎N ‎Lo N ‏ا‎ xd N YH wow 3 N By 3 3 FN ‏ال "م‎ ‏ا ا‎ ‏و ب وي‎ i R
    ا ا الوا ‎a‏ لاي ايا ‎sen Ne‏ 5 0 ¥ ا نا 31 : : 1 ‎i { i‏ 0 1 اجام ل مانت ههه ا ااه ههه أن امه ههه ةناهإ إ_ إ _ ص ص ل ‎ee } BR‏ : ا 8 . ‎awe‏ ‎TER‏ ‏ا 0 الس ا ال ا 3 ‎NR‏ ¥ ا ا > ‎Ta‏ > § ‎To 76 [es 8‏ ¥ ‎a 2‏ 8 ‎a 3‏ ¥ الججو حجنا ‎Repo‏ - ل متسيس ‎ANN © NY‏ مسي مسي الس نح سس ْ ْ 1 ‎i‏ ‏;¥ ‎or 8‏ ‎RT 0 bs‏ ‎Ws os \‏ 1 ; امد ‎Re‏ ‎HERE‏ ‎es x 3 2‏ ‎i‏ ال اناك مي ‎Ea : 53 3 FEN‏ . ¥ دا ‎EE : oe‏ 3 ‎i 3 3 : or } ¥ &‏ 3 ‎ba 3 : 05‏ 8 3 لأسا لاسا ال ‎NL: Sr‏ ست ‎SE FR J‏ اج 1 8 ل 8 ‎wa‏ ‏| امك ‎EE Ch‏ يج ‎A mE 8‏ :000 ‎PCR:‏ ‎TX‏ : 1 الوا 1 8 3 المي 1 ‎NY ps I?‏ 4 ال ‎N‏ ‏ا ‎a—r‏ الا 8 ‎N‏ ‎RL § »‏ > “ا ‎RR > CETEPEEEPEEEE. IE SEPTRRRTRREPE eI SEIPETRPEIPET FEE CERRPEIRRRRRPRANE ER‏ ‎N‏ ‏: 0 الوا ‎N‏ ‎N 5 ay‏ ‎Eee‏ 1 ا واي 8 ‎RE‏ ‎EI hs, NEN = REE‏ د ‎TE SRA He cl STE‏ تم ¥ ‎B 7 J eS‏ ‎NE 8 & 3 .‏ . ‎ns a EE SE nO‏ المج الج ‎a a‏ 3 3 5 كحي الع اتح ‎FE RRR RRR RRR 7 RES HI‏ لمتحت ممتي ‎PRT‏ ‏ا اس اا 8 : : ‎N N HE‏ . 3 م ‎decd Sic cdo A‏ ملسا سس ‎i‏
    ‏. لال نا نح نجل نت ل ا نت حت ل ‎ee‏ لوا ‎J . DL‏ 3 ا ا ل ال اشاب ما : 3 ‎yo i SOS‏ ِ لاحي 008 8 3 ‎Lon :‏ : : ‎i‏ عي : : 5 3 اتجرة ا تحر : الاجم ااا سا ااا لما الجسم اام امام مس مسلاا سا 0 1 اس - سي ‎iF ¥ ; 3 a‏ ال ‎Pod 1 8 3 i 1 I ARE‏ 1 3 1% ‎ILE‏ ممم ‎EE RE EE‏ ‎J‏ : § 3
    - . 8 ‎i iy‏ ‎H wow‏ ‎Hy 3‏ ‎H‏ ‏ل ‎=X‏ % . م ‎i‏ ‎LL‏ عي ا الح % ‎LI 5‏ ‎X E‏ لم اين ‎BT Er‏ _ التحااحت تك ‎EE EE RRR‏ ‎Ie‏ 9 3 + 3 سي ‎PI‏ : مستت ‎A NN Pi‏ مس ‎TR PY SRR eh‏ وا ا الاي 0 1 3 1 : 8 3 ؟: ان اجن جحت ا لمحي لمحت امس متحي ‎EE I ١‏ ‎PS‏ رقا ‎N I A SE a‏ سس ‎i‏ ‎i I aE‏ 1 \ 1 3{ ا 0 \ \ ‎Pd‏ ‎Pd 0 \ i RE a Bai‏ ‎Sores - 3:‏ الممسسيم ‎Sly [EE SE es J‏ المحم ال سس ‎paced) .‏ سناتسا باتك ‎geting‏ وس تا امسأ لجر الس 3 2 ‎Ri BY 3 1: 8 Xd ¥ N‏ ‎od‏ الي ‎wo.‏ 1 0 58 1 31 ‎HS 1‏ ‎i WL i‏ ‎wn‏ " 8 ني » ‎i F¥ xx 0‏ ا ا 1 الا ‎ol‏ ‏اا ا 4 ‎LI i §‏
    : ‏اي‎ a ‏اا‎ ‏بد د يب‎ x ra ‏ص الا ا ف الول ا ا تج‎ ELSE SEES I SESS EE ‏ا‎ Tt SS i 1 Pd 1 PE bi ‏ا"‎ ‏ا‎ ‎1 N 1 ¥ 1 ¥ 1 3 a. i 1 Soo HOR 0 ٍ i
    I. 2 % > ‏ا تحمل‎ ES oF ١ ‏وجح خم ةتح الح حا خخ حا خخخ حا خخخ حا خخخ ححا خخخ خخخ تج‎ 8 Cw N ky a de N ٍ Vist | a ¥ RE C—— A — 8 ‏ال ل‎ 4 * ‏سس‎ 0 fm “0g yy yf ‏ان‎ V Tk Vie ‏إ‎ ‏م‎ ‎a [ an arg Jr. six ganna ang ‏"م‎ ‏امجح‎ 3 8 3 0 ‏ا ادو‎ yo Ba EY 5 i | | | | P 1 : 3 i Eg ١ 3 > & ‏ب : 3 ا‎ 8 N NR ‏ا لجح جح مجه 5 اجاج لح جح جه مج‎ NNN NNER ‏ةق‎ Fs TORT SIRE TR, 1 ‏ا 5 لصم‎ I ‏ااا ااال الس سو‎ LAAN, ERR FR ‏الاي‎ 8 9 A SD ١ ‏الما‎ ١ ‏ااا‎ ١ DE ١ ‏الع‎ ١ ‏ا ا‎ 5 1 N Yd 3 Nn i RE ‏رج لد‎ N N ‏ا‎ ‏كا % ا ا لاك‎ EY a 3 = 3 0 = RTE ‏م‎ £3 = ‏د 5 : تب‎ : 3 5 ‏يا‎ ‏ل لش ل لش 3 : ب‎ Qa I oN Cr ESI ON on ‏ام امس‎ RR ‏سمس‎ FRR Teele ESN UE ‏ل‎ Ld 3 RI | 3 5 ‏ات‎ : ES] Fe : : 3 ] 1 : N 8 ‏تي“‎ : 5 3 LI SI ‏اد‎ ‎3 5 N H ¥ ‏تي‎ : By BE: E By N 3 3 = i > RSS 33 ‏أ ا ااا الات لاا ا ا‎ 8 hd 5 : 3 % ag i 3 LORRI oe 3 ® 8 ‏مسح‎ Ee J i TR ‏الصا‎ a i ‏ا ؟‎ IN iw 3 " 8 es: 5: = B Losin Li] ‏ب‎ I DS SENS ‏الجا ات‎ sree N 8 ‏ا‎ HN ‏اا‎ HN Tia N 7 HN 8 aa ET wd 3 ‏ب" ا‎ ‏امحتتتتتتتتتتتتتجيع 0 العتتتتتتتتتي مستتتتتتتتتتحت للستت تت‎ a ‏ا يسبب‎ ٠ I ‏ا انا ا جد‎ Sf © SE CE RN 0# 1 ‏الت ا ¢ ا‎ ew 1 EE: : 3 ‏ا‎ 0 Ak ‏الأ الأ‎ ‏الام‎ 0 SUSE EEE BEE Saat EE TE CTE. Sa: ER 08004 ‏اا‎ 0 § ¥ RE 5 ‏دحت لا حصت الح‎ fred ey Pra ‏الست‎ a i TR ] sy 3 NE : PE 3 H H 8 ‏؟‎ * JRE ‏جح‎ xR PA Po 1 NN I ME 3 H H 8 8 ‏يي‎ 8 oR 1 H 3 8 3 0A 8 POR 1 0 ‏يج‎ oy 5 Bo § ‏وا ا‎ A 0 3 RR 8 ‏ادا ا‎ ¥ ‏اليا ونش الا ايع ود د جح التاق الح اا تق انتج ولتق اا‎ 8 Tog ‏خا ا‎ i 81 Li id id 1 fd ‏جح حا تجا تالاح ححا جحت جاتحا ححا جح ححا نات ججح كح لتحا احا توالا‎ pias
    8 . RE : : N Te § Cg i 108 : ‏الا‎ ‎: ‎i ‎RR ‏كاتا كات كاك كا‎ Reed 1 0 & ‏الب‎ 8 ‏اله ا اك‎ 3] ape’
    8 لتك 0 اي المت لم مح حت ال ‎i‏ موت 3 الما العا ‎Ny‏ ‏يخ يا امن اا ل "0 ‎TE ER EN 5‏ ‎i‏ مو :
    > . لاتحي اا ‎p Wm‏ : 8 :0 كا اا 1 ‎By R‏ ‎OE‏ ا دج مجح 5 ان ل ل ها ىا يوت © ‎AL:‏ ‎Ta ST 0‏ ال ال ‎Tit‏ ال ال ‎N RE IT i ’‏ 1 ل ‎LEE‏ 3 م وا اح 2 وا = لسسأسممسسسسسسسسسجسيتس[وبوسسسسبسسسسامتة ‎Ey 1 : BEN NPT‏ لالط ‎At‏ 3 :5 ] % 0 ب ا ليد % ‎N‏ ‏انا لحت ‎AR‏ حت ‎FERRE EE TEAR ARNE ESL‏ 0 و00 ‎ny pay Fr ey dy eens‏ ا ‎Ta‏ ال ‎SR Ta Ea‏ ’ ا 5 ]3 ‎i‏ ا 0 ‎Te 8‏ 8 : : + 5 م8 ا ‎aba 0‏ م : 3 ب ا اا لا ‎LE ! a CE R 8 ERR J ١‏ ا ‎esc‏ ‎i ad % Rs 3 SER‏ % 8 محم ‎RR 3 3 Ea x: &‏ ! - اع سس سس ‎SER ne :‏ متسس ال ‎die El SN‏ امات ات ‎Em‏ ‏- اال 1 3 الا :8 1 3 ‎Eo Ses H‏ . ا الع 3 الوا الح 3 ‎H : vi‏ اس ا ‎RC‏ ا : تمق حاب ا ا ‎fo ACT 9 "3 U‏ سسا ‎MRE‏ ب ا ‎aad‏ متتتتتتتجيع ‎EIATAAAAANY‏ لحتني ‎GAAMAAAASAT‏ مهار و اا الاح نٍ 1 : 8 اح : 1 5 8 8 ا 0 ‎SNR: % pu x‏ ل :المح ‎SENNA S‏ = ا ل ] ا كلا 1 ‎Vila oe‏ إٍْ ‎AEN‏ ال ‎VOR ER Ng‏ ‎pn " R a a 0‏ ‎ade Sang pani Fm RR & ra 3 A‏ لمح المح ااا ‎BRA > 0 x‏ 8 لاحب نت & ل ا 1 5 1 اا : 3 ‎Rend‏ ‎ot 5‏ 0 اااي 0 الممساية ا الح ا ‎cd 1 8‏ ل ا ا اج انا الا ‎Ra 0 i i SEAR‏ 0 اااي اتيت لحب ال ال ا تين ّ 1 ‎i‏ 3 1 ‎RR‏ م سحي 80 2 ‎SS J SR. SE SU CL CH oy H 8# E]‏ #لمميطة ال ل ل 1 ‎H oR‏ ا انها لي الا اع ا ‎Bi‏ التق لت اتا وال تت تي الصتيتة” متتل ” ‎Reon‏ الت اي ‎GEN‏ ل ‎Brrr‏ المت الت التي ‎SI],‏ ‏أ ب الا مسح اتا وا المت الا ب الجا ا ع ا ‎os‏ الما ادي الب ع ‎ON‏ § ل ا ااا با الصا 9 4 7 الح ‎donb‏ سل لس ا اط سس ‎We E RES 0 : Lo RE : =‏ 3 ‎i LF. EN i‏ مع قر 1 ‎Ron d Br AAA‏ ‎En TI‏ 1 8 لحي الاج ا : ل ‎١ (Ee %‏ لأست تب اجيم ‎En TIS‏ ‎DE IEF 3 FE I.‏ }2 الا ‎ky BI #8 3 ff RVR J‏ ‎i Pink i AEA vy‏ ‎fod fos‏ الحا ححا ‎Rost‏ ‎a 5‏ ال لحي ااا شم ‎sy pili‏ 0 م 1 3 ال ا ال ا ل ا 8 ‎k Tams H‏ ‎Taw 1‏ 3 البح توخي ‎EEE‏ توخي وح توخي و حي توخي ا وح توخي وا لوحي و وح توخي و وح توخي وحوح حل + ‎i‏ ارج الماح 5 0 حر 8 ال * الك 2 الا
    د ال ا % حي ‎x &‏ حي 9 النححان ‎UL‏ ‏ا الا | ‎RE‏ امعت عمج : 5 ل لانم “1 ‎py‏ الست 1 ا 1 0 8 8 : + ! 3 ا حت لي لل لح ال ل ا ‎by 8‏ ‎FS‏ 8 ‎me 5‏ ¥ ‎gm Ky‏ 8 ‎FS‏ رحد ا 8 8 3 8 ‎pS‏ 8 ‎pS‏ 8 ‎pS‏ 8 8 3 8 اح ‎BA A‏ ا ‎SE FORE‏ 4 ؟ ‎Son‏ ‎N H‏ 1 ‎pn‏ 8 0 3 ا % 3 0 ب :0 ل 0 ‎SO Ra‏ جا ‎i EE HE‏ ‎N PIECE al PE SEY‏ ‎N ox 7‏ ‎ES‏ ي 0 د م لل ‎I iia I Ti‏ ‎LR‏ 5 : ا ا 1 ‎BS‏ ا : 8 0 3 1 ‎i wo‏ 4 > 3 3 3 ل 5.3 1 1 1 ¥ 1 ‎N‏ اليل 1 8 ا ا ا 1 ¥ 1 ‎N‏ 1 ‎N‏ 1 ‎RA A me‏ ااي ا ‎H 0‏ ُ ماق 8 ‎by 3 ES N ¥ t‏ اا ‎١ H NEES Te‏ و ا :8 8 ا 8 ‎HS NE Fa u ooh ES‏ 33 & يا ا ال اا الحا 8 ا :81 ‎YE‏ 3 3 ¥ ‎H 8 hal FE H i wy B R‏ ] 3 8 د ل ا لمت ا تت لل ات ل ل لت لا ل ل الا ‎Finite‏ ‏1 ‎N 5 - CE‏ ‎H NT gE oT we‏ ‎cong NN HY‏ عا ‎i RE‏ 0# ؟ ‎N Ea‏ ‎N Ei‏
    ا .مب لبميس مث اميلس س"_" “با ‎TL‏ ممست ‎Na fii RAR Ea‏ ل 8 : ‎H‏ ‎N 3 8 4 8 = Ron RRR. FE J 83‏ د 8 ل 1 8 3 ‎N 3‏ ‎N‏ ‎N ny N‏ ‎BN 45 20 8‏ ‎N X EER N‏ ‎N MN‏ ‎i 1‏ الج ‎TRAY‏ ‏8 ‎aR ¥‏ ‎i on 5 PEE‏ امجح ا اوجتحا ايع | اماتخ ‎COO: SEDITION IIT ONO‏ ا الت بل ا ال ا ‎Ey‏ اله المح تاو » ا 8 ف ‎Nl 0 i‏ 0 إٍْ ‎HN NE HN 3 EE N FERRE RI‏ ‎N HE 5 HN 8 N SO‏ ‎SRA: JH J eh HE] Sen atc‏ لاط #الاتاتتاا ‎di BERR‏ ‎+R] RA Ad ١ 1 JOE NE N ES 1‏ 3 1 ‎I 8 3‏ 3 ا ب عا ت ا 8 0 ‎Se‏ ا ‎Ny‏ ايه 8 ؟ 3 ‎A rod ~ FR TNR‏ ‎FETE ESL SF TN‏ 2 ‎a RE 1 0‏ 2 3 ا 3 ‎RS ba ¥‏ ‎N 1 1 1 : 8 81 8‏ 0 امت ممم مسمس __ ما المت ما ‎ADDIAIIIIDDOIMNANN:‏ ُو سس [المممتتت سس ‎Yi 4 ¥ Ta 1 RES Te‏ 8
    ‎A. 3A BSE Es Lod SS TU 1: NOS‏ : 8 ‎N 0‏ ‎N ; 8‏ ‎N 4 8‏ ‎N LS 8‏ ‎EE §‏ ل ‎i‏ ‎N : :‏ ‎N 1‏ خاي اذ ‎ERE‏ ‎Cn ER‏ = ‎x‏ = 3 ا 8 5 ‎i 1 YE RR ERE SI‏ ‎BE‏ % مستت ا ‎FN N‏ سما الس مي امس ا سا امس ات ال ‎i 8 8 iE i HE SUT 1‏ 1 ‎IE FR FES kS H =‏ 0 0 ا : ‎i : 8 FES‏ ا واي 0 ؟ 0 ‎i HE EE FS ES H‏ 8 ‎H H NES RY FS ot FI Yo Neg‏ ‎IE FR FES kS FI ER OT RR TR:‏ 1 0 اا الا تك 5 لمجي 0 ؟: ‎H NEES WE ow ul‏ 3 3 ا 8 ‎H Iu fn ou RY‏ 8 ‎FRE | Tongan‏ اانا الل لحا الك لا لل #لحح تجا ا 1 ل ٍ. 1 ا ‎cob 3 Hx‏ د ا ا % ‎FS 1 a‏ ال الس أي : اا ‎bs H VF 00 Ra 3 BY‏ + ا — ‎HN iy 0: Loy H J‏ 2 ‎SN +‏ جتمغطلال لت ‎EF AE‏ ا ‎RB : : 3‏ 3 : 8 3 8 3 0 8 ‎A‏ حا : ‎i BEE 3‏ : ‎ps 9 0: 5‏ 3 : ‎po nN‏ ‎a‏ 8 ‎Lc = EE‏ ‎ye‏ لماج 88 ا
    4 ¥ ا لا الس بن ا 8 ‎i‏ لاماي ‎ol 5 BY‏ ل ‎rs i ES‏ ب = 5 2 8 3 تي كي ا ال ال ان ارات ‎AA A Ey‏ ‎FF‏ ب ‎ol‏ ‎ST RE rod‏ م 0 3 8 ‎iy‏ : % ‎Mn RE ox‏ ‎oo .‏ متتس ‎NEI.‏ ‎Rk TE 8‏ ا 5 ‎eS gf Yer‏ 4 ‎EY od ChE‏ : ‎EY So 2 RS a oy‏ 3 ا ا ‎Te‏ "امجح ‎A‏ جح ددج ‎ENE Wokg‏ 8 ‎EE | ERLE TS‏ د & 1 ك3 ا 3 ‎HS RU‏ حي ‎i‏ 3 د ‎{yas re‏ ‎RE RE ¥ 3‏ الشكل 111 ‎THY‏ لم ‎CUE‏ ‎TYE oo ot‏ ‎CRE SE‏ ‎EB‏ ‏ا فلا88 ‎ZOOS EE‏ ا ‎CITE‏ ‏اح ‎TE‏ 0 1 ولخي ‎NR A‏ 3 . . > جوت د د ا للد اح ل ا 8 مده ممه اا ا 3 ‎Ee‏ ال 3 : : ‎SE 3 I‏ 1 ‎VN : =f‏ 0 ال اا 5 1 ‎ES‏ 5 2 8 ل 0 ‎ey Si 3 oi‏ 2 يا 3 ‎ra EE ١ TT #5‏ ‎a, Sy Le‏ لتحت سودت دوت لسوت سين لل 5 ‎FEE EU TA ee |‏ ‎d E‏ 8 0 محلب ‎By 8‏ ‎y :‏ ‎OOOO |‏ ا ‎RAS‏ ‏الشكل ب ‎sd‏
    لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا ‎Sued Authority for intallentual Property‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § 8 ‎Ss o‏ + < م ‎SNE‏ اج > عي كي الج ‎TE I UN BE Ca‏ ‎a‏ ةا ‎ww‏ جيثة > ‎Ld Ed H Ed - 2 Ld‏ وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. ‎Ad‏ ‏صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ v=‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏
SA516380171A 2014-04-30 2016-10-27 روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن SA516380171B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/266,043 US9818903B2 (en) 2014-04-30 2014-04-30 Bonds for solar cell metallization
PCT/US2015/027396 WO2015167939A1 (en) 2014-04-30 2015-04-23 Bonds for solar cell metallization

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA516380171B1 true SA516380171B1 (ar) 2020-12-02

Family

ID=54355841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA516380171A SA516380171B1 (ar) 2014-04-30 2016-10-27 روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن

Country Status (16)

Country Link
US (4) US9818903B2 (ar)
EP (2) EP3852149A1 (ar)
JP (1) JP6915795B2 (ar)
KR (2) KR102601183B1 (ar)
CN (2) CN106537606B (ar)
AU (1) AU2015253519B2 (ar)
BR (1) BR112016024710B1 (ar)
CL (1) CL2016002740A1 (ar)
MX (1) MX365022B (ar)
MY (2) MY175390A (ar)
PH (1) PH12016501804A1 (ar)
SA (1) SA516380171B1 (ar)
SG (2) SG11201608983XA (ar)
TW (2) TWI690086B (ar)
WO (1) WO2015167939A1 (ar)
ZA (1) ZA201606867B (ar)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9818903B2 (en) * 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
US9620661B2 (en) 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US20160380127A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Richard Hamilton SEWELL Leave-In Etch Mask for Foil-Based Metallization of Solar Cells
US9859236B2 (en) * 2015-08-03 2018-01-02 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same
US10840394B2 (en) 2015-09-25 2020-11-17 Total Marketing Services Conductive strip based mask for metallization of semiconductor devices
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US10411152B2 (en) * 2016-06-27 2019-09-10 Merlin Solar Technologies, Inc. Solar cell bonding
US20180006172A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Sunpower Corporation Metallization structures for solar cells
US10763383B2 (en) * 2016-09-14 2020-09-01 The Boeing Company Nano-metal connections for a solar cell array
US11967923B2 (en) 2018-03-28 2024-04-23 The Boeing Company Single sheet foldout solar array

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4614835A (en) * 1983-12-15 1986-09-30 Texas Instruments Incorporated Photovoltaic solar arrays using silicon microparticles
JPS62119979A (ja) * 1985-11-20 1987-06-01 Teijin Ltd 薄膜太陽電池及びその製造方法
US5192400A (en) * 1989-07-31 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of isolating shorted silicon spheres
EP0582694B1 (en) * 1992-01-27 1998-05-20 Harris Corporation Semiconductor device with a semiconductor substrate and a ceramic plate as lid
JP3548246B2 (ja) * 1994-11-04 2004-07-28 キヤノン株式会社 光起電力素子及びその製造方法
DE69736151T2 (de) * 1996-05-17 2007-05-10 Canon K.K. Photovoltaische Anordnung und Herstellungsverfahren
JP3307262B2 (ja) * 1997-02-26 2002-07-24 松下電器産業株式会社 半田バンプの形成方法
JPH11214724A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Canon Inc 太陽電池モジュール及びその製造方法と施工方法、及び太陽光発電システム
US6175075B1 (en) * 1998-04-21 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module excelling in reliability
DE10020412A1 (de) 2000-04-26 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen einer Metallfolie an einen Halbleiterwafer, Halbleitervorrichtung und Verwendung
US20040016456A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Clean Venture 21 Corporation Photovoltaic device and method for producing the same
US6897085B2 (en) * 2003-01-21 2005-05-24 Spheral Solar Power, Inc. Method of fabricating an optical concentrator for a photovoltaic solar cell
CN1953211A (zh) * 2005-10-18 2007-04-25 上海太阳能科技有限公司 硅太阳电池电极及其制造方法
DE102006044936B4 (de) * 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
US8066840B2 (en) * 2007-01-22 2011-11-29 Solopower, Inc. Finger pattern formation for thin film solar cells
KR101248636B1 (ko) * 2007-05-09 2013-04-01 히타치가세이가부시끼가이샤 도전체의 접속 방법, 도전체 접속용 부재, 접속 구조 및 태양 전지 모듈
JP5288790B2 (ja) * 2007-08-02 2013-09-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
EP2020688B1 (en) * 2007-08-02 2013-11-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell interconnection using thermo-compression bonding and correspondingly fabricated module
JP5252472B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
DE102007052972A1 (de) * 2007-11-07 2009-05-14 Solarion Ag Verfahren und Mittel zum Verbinden dünner Metallschichten
JP2009130117A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp 太陽電池セルおよび半導体装置連結体ならびにその接続配線
DE102008040147A1 (de) * 2008-07-03 2010-01-28 Crystalsol Og Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle
US7820472B2 (en) 2008-11-13 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Method of forming front contacts to a silicon solar cell without patterning
KR20100079792A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 효성 고주파 유도가열에 의해 제조된 태양전지 및 그 제조방법
US20100186802A1 (en) * 2009-01-27 2010-07-29 Peter Borden Hit solar cell structure
EP2416382A1 (en) 2009-03-30 2012-02-08 Lintec Corporation Protective sheet for solar cell module undersides, solar cell module provided therewith, and method for manufacturing said solar cell modules
CN102460715B (zh) * 2009-04-21 2015-07-22 泰特拉桑有限公司 高效率太阳能电池结构及制造方法
KR101143295B1 (ko) * 2009-05-26 2012-05-08 주식회사 엘지화학 고효율 태양전지 전면 전극의 제조 방법
US8779280B2 (en) 2009-08-18 2014-07-15 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
KR101110825B1 (ko) * 2009-08-18 2012-02-24 엘지전자 주식회사 이면 접합형 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2011061017A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置の製造方法
JP5474602B2 (ja) * 2010-02-18 2014-04-16 株式会社カネカ 太陽電池の製造装置及び太陽電池の製造方法
JP5407989B2 (ja) * 2010-03-30 2014-02-05 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用複合膜の形成方法
US8748310B2 (en) * 2010-06-18 2014-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing a metal contact structure of a photovoltaic solar cell
US20120006394A1 (en) * 2010-07-08 2012-01-12 Solarworld Industries America, Inc. Method for manufacturing of electrical contacts on a solar cell, solar cell, and method for manufacturing a rear side contact of a solar cell
WO2013055307A2 (en) * 2010-08-05 2013-04-18 Solexel, Inc. Backplane reinforcement and interconnects for solar cells
JP5631661B2 (ja) 2010-08-27 2014-11-26 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
EP2642838A4 (en) * 2010-11-19 2016-08-31 Toppan Printing Co Ltd PATTERN LAMINATED METAL SHEET, METHOD FOR PUNCHING METAL SHEET, CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SOLAR CELL MODULE
WO2012125587A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-20 Avery Dennison Corporation Sheet assembly with aluminum based electrodes
WO2012128909A2 (en) * 2011-03-18 2012-09-27 Applied Materials, Inc. Process for forming flexible substrates using punch press type techniques
US8975510B2 (en) 2011-03-25 2015-03-10 Cellink Corporation Foil-based interconnect for rear-contact solar cells
JP5349523B2 (ja) * 2011-03-31 2013-11-20 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US8802486B2 (en) * 2011-04-25 2014-08-12 Sunpower Corporation Method of forming emitters for a back-contact solar cell
TW201250849A (en) 2011-06-14 2012-12-16 3S Silicon Tech Inc Low-temperature chip bonding method for light-condensing type solar chip, power transistor and field effect transistor
US9209019B2 (en) * 2013-09-05 2015-12-08 Diftek Lasers, Inc. Method and system for manufacturing a semi-conducting backplane
US10383207B2 (en) * 2011-10-31 2019-08-13 Cellink Corporation Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells
US8766090B2 (en) 2012-03-19 2014-07-01 Rec Solar Pte. Ltd. Method for metallization or metallization and interconnection of back contact solar cells
JP5546616B2 (ja) * 2012-05-14 2014-07-09 セリーボ， インコーポレイテッド トンネル酸化物を有する後面接合太陽電池
DE102012214254A1 (de) 2012-08-10 2014-05-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laserbasiertes Verfahren und Bearbeitungstisch zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements
US9153712B2 (en) * 2012-09-27 2015-10-06 Sunpower Corporation Conductive contact for solar cell
US9666739B2 (en) * 2013-06-28 2017-05-30 Sunpower Corporation Photovoltaic cell and laminate metallization
US9231129B2 (en) * 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9818903B2 (en) * 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization

Also Published As

Publication number Publication date
EP3138132A1 (en) 2017-03-08
KR102491552B1 (ko) 2023-01-20
US20180019364A1 (en) 2018-01-18
PH12016501804B1 (en) 2016-12-19
EP3138132B1 (en) 2021-03-17
TWI690086B (zh) 2020-04-01
CN110265495B (zh) 2023-07-21
ZA201606867B (en) 2019-09-25
TW202027285A (zh) 2020-07-16
TW201611306A (zh) 2016-03-16
US20150318420A1 (en) 2015-11-05
CL2016002740A1 (es) 2017-06-23
US10923616B2 (en) 2021-02-16
BR112016024710A2 (pt) 2017-08-15
AU2015253519B2 (en) 2020-07-02
CN106537606A (zh) 2017-03-22
CN110265495A (zh) 2019-09-20
PH12016501804A1 (en) 2016-12-19
JP6915795B2 (ja) 2021-08-04
MX365022B (es) 2019-05-20
BR112016024710B1 (pt) 2022-06-14
US20200212248A1 (en) 2020-07-02
JP2017515311A (ja) 2017-06-08
MY197814A (en) 2023-07-18
US10622505B2 (en) 2020-04-14
US20190097077A1 (en) 2019-03-28
SG11201608983XA (en) 2016-11-29
MX2016012878A (es) 2017-07-14
AU2015253519A1 (en) 2016-09-15
EP3852149A1 (en) 2021-07-21
US10177270B2 (en) 2019-01-08
US9818903B2 (en) 2017-11-14
CN106537606B (zh) 2019-06-21
MY175390A (en) 2020-06-23
SG10201911110SA (en) 2020-01-30
KR20170002482A (ko) 2017-01-06
EP3138132A4 (en) 2017-05-17
WO2015167939A1 (en) 2015-11-05
KR20230015520A (ko) 2023-01-31
KR102601183B1 (ko) 2023-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA516380171B1 (ar) روابط معالجة الخلايا الشمسية بالمعادن
US9806244B2 (en) Substrate for light emitting device, light emitting device, and manufacturing method of substrate for light emitting device
CN103346202B (zh) 一种基于玻璃导电背板的太阳能电池组件及其制造方法
JP5340398B2 (ja) 半導体コンポーネント用の担体、半導体コンポーネントおよび担体の製造方法
TW201101452A (en) Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
CN109479370B (zh) 多led系统
KR20120099393A (ko) 이상 전자 펄스로부터 전력 시스템을 보호하는 방법 및 장치
EP1734584A1 (en) Electron bombarded image sensor array device as well as such an image sensor array
US10170673B2 (en) LED package structure and multilayer circuit board
KR20160083279A (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
MX166091B (es) Metodo para verificar la autenticidad de los subscriptores y para proteccion de los mismos en sistemas de telecomunicacion
CN104126224A (zh) 元件收纳用封装件
US20150200067A1 (en) Ceramic chip fuse with offset fuse element
CN110050386A (zh) 天线基板
WO2018116502A1 (ja) 光学素子搭載用配線基板
US20160131340A1 (en) Electronic component and corresponding mounting method
EP0288094A1 (en) Vacuum tube including an electron-optical system
US11576260B2 (en) Method and apparatus for terminating an electrical cable to an integrated circuit
EP2717328B1 (en) Manufacturing method for a solar modul
SA520420661B1 (ar) الخلايا الشمسية القابلة للتهيئة
JP2019510377A (ja) マルチｌｅｄシステム
KR102019943B1 (ko) 전자 부품 캐리어 시트 및 이를 이용한 박막 형성장치
US20230129054A1 (en) Assembly of light sources, motor vehicle lighting device comprising same and method for manufacturing such an assembly
KR102158982B1 (ko) 케이블 연결 부재 및 이를 이용한 분리도 개선 안테나
US13389A (en) Improvement in apparatus for discharging atmospheric electricity from telegraph-wires