JPS62119979A - 薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池及びその製造方法Info
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- JPS62119979A JPS62119979A JP60258618A JP25861885A JPS62119979A JP S62119979 A JPS62119979 A JP S62119979A JP 60258618 A JP60258618 A JP 60258618A JP 25861885 A JP25861885 A JP 25861885A JP S62119979 A JPS62119979 A JP S62119979A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は非晶質シリコン層を光起電力層とする薄膜太陽
電池及びその製造方法に関する。更に詳細には電気絶縁
性基板上に積層された下部電極層／非晶質シリコン層／
透明電極層／収集電穫層及び接続電極層からなる光電変
１！！！積層体から外部へ電力を取出すための外部接続
用の改良された取出電極を有する薄膜太１１ｉ′Ｒ池及
びその製造方法に関する。
電池及びその製造方法に関する。更に詳細には電気絶縁
性基板上に積層された下部電極層／非晶質シリコン層／
透明電極層／収集電穫層及び接続電極層からなる光電変
１！！！積層体から外部へ電力を取出すための外部接続
用の改良された取出電極を有する薄膜太１１ｉ′Ｒ池及
びその製造方法に関する。
［従来技術］
非晶質シリコン半導体膜はシランガス等のグロー放電分
解法によって、低い基板温度で広い面積に均一に堆積で
き、基板もガラス、高分子フィルム、セラミック板、金
属フォイル等の各種基板が選択出来る為、太陽電池用半
導体膜として広く研究されている。非晶質シリコン太陽
電池の基本構造としては上記各種基板上に設けられた下
部電極層／非晶質シリコン半導体ＩＩ／透明電極層の積
層構造が知られている。
解法によって、低い基板温度で広い面積に均一に堆積で
き、基板もガラス、高分子フィルム、セラミック板、金
属フォイル等の各種基板が選択出来る為、太陽電池用半
導体膜として広く研究されている。非晶質シリコン太陽
電池の基本構造としては上記各種基板上に設けられた下
部電極層／非晶質シリコン半導体ＩＩ／透明電極層の積
層構造が知られている。
上記［１構造から電力を取出すためには上部の透明電極
層上に効率良く電力を集めるための収集′Ｒ電極層び下
部電極層を上部へ導く導出電極層を積層し、その取出部
に外部接続用の金属箔からなる取出電極を接続しなけれ
ばならない。
層上に効率良く電力を集めるための収集′Ｒ電極層び下
部電極層を上部へ導く導出電極層を積層し、その取出部
に外部接続用の金属箔からなる取出電極を接続しなけれ
ばならない。
その上、この取出電極を接続する接続層の膜厚方向の電
気抵抗が面積１ｄ当り１Ω以下でないと接続層の電気抵
抗で電力が消費され、効率良く外部に電力を取出すこと
ができない。
気抵抗が面積１ｄ当り１Ω以下でないと接続層の電気抵
抗で電力が消費され、効率良く外部に電力を取出すこと
ができない。
ところで、従来はこの取出電極の接続は、通常、収集電
極層及び導出電極層の上部に導電性樹脂を積層し、その
上部に電極となる金属箔を付着させ導電性樹脂層を乾燥
して接続させる方法により行なわれているが、導電性樹
脂層の上部に金属箔を付着させる際に導電性樹脂が積層
部分からはみ出し、時にセル間を短絡してしまい、所望
の性能が得られない問題がある。
極層及び導出電極層の上部に導電性樹脂を積層し、その
上部に電極となる金属箔を付着させ導電性樹脂層を乾燥
して接続させる方法により行なわれているが、導電性樹
脂層の上部に金属箔を付着させる際に導電性樹脂が積層
部分からはみ出し、時にセル間を短絡してしまい、所望
の性能が得られない問題がある。
また面積１ｃｄ当り１Ω以下の電気抵抗を有する接続層
を設けるためには層厚を厚くする必要があり、そのため
乾燥時間が１０分以上必要となり生産性の面からも好ま
しくない。一方乾燥の速い導電性樹脂を用いると金属電
極箔を付着させる前に一部が乾燥しはじめ充分に低い抵
抗値が得られない事がある。
を設けるためには層厚を厚くする必要があり、そのため
乾燥時間が１０分以上必要となり生産性の面からも好ま
しくない。一方乾燥の速い導電性樹脂を用いると金属電
極箔を付着させる前に一部が乾燥しはじめ充分に低い抵
抗値が得られない事がある。
［発明の目的］
本発明は、上述の問題点を解決せんとしなされたもので
、光電変換積層体で発生した電力を短絡の危険なしに、
かつ短時間で取付けでき、充分低抵抗な接続ができる電
力取出用の取出電極を右する薄膜太陽電池及びその製造
方法を提供することにある。
、光電変換積層体で発生した電力を短絡の危険なしに、
かつ短時間で取付けでき、充分低抵抗な接続ができる電
力取出用の取出電極を右する薄膜太陽電池及びその製造
方法を提供することにある。
［発明の構成・作用］
上述の目的は以下の本発明より達成される。すなわち、
本発明は、電気絶縁性基板上に非晶質シリコンからなる
起電力層を有する薄膜太陽電池において、外部接続のた
めの取出電極が、電極となる金属箔と、その上に積層さ
れた絶縁性樹脂と導電体が混合された導電接続層とから
なり、該導電接続層を介して取出部に圧着され、該金属
箔が該導電体により取出部に接続されていることを特徴
とする薄膜太陽電池を第１発明とし、その製造方法すな
わち、電気絶縁性基板上に非晶質シリコンからなる起電
力層を有する薄膜太陽電池に外部接続のための取出電極
を設けるに際し、電極となる金属箔に絶縁性樹脂と導電
体とが混合された導電接続層を積層し、次いで金属箔を
取出部にその間に導電接続層が介在するようにして熱圧
着することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法を第２
発明とするものである。
本発明は、電気絶縁性基板上に非晶質シリコンからなる
起電力層を有する薄膜太陽電池において、外部接続のた
めの取出電極が、電極となる金属箔と、その上に積層さ
れた絶縁性樹脂と導電体が混合された導電接続層とから
なり、該導電接続層を介して取出部に圧着され、該金属
箔が該導電体により取出部に接続されていることを特徴
とする薄膜太陽電池を第１発明とし、その製造方法すな
わち、電気絶縁性基板上に非晶質シリコンからなる起電
力層を有する薄膜太陽電池に外部接続のための取出電極
を設けるに際し、電極となる金属箔に絶縁性樹脂と導電
体とが混合された導電接続層を積層し、次いで金属箔を
取出部にその間に導電接続層が介在するようにして熱圧
着することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法を第２
発明とするものである。
上述の本発明において導電接続層の膜厚方向の電気抵抗
は外部に効率良く電力が取出せるように面積１ｃｄ当り
１Ω以下にすることが好ましく、更には１０−２Ω以下
になるようにすることが好ましい。
は外部に効率良く電力が取出せるように面積１ｃｄ当り
１Ω以下にすることが好ましく、更には１０−２Ω以下
になるようにすることが好ましい。
ところで、本発明が適用できる薄膜太１１１ｆｆｉ池は
、特に限定されず、非晶質シリコン半導体層を起電力層
としたものであれば良く、公知のものが全て適用できる
。
、特に限定されず、非晶質シリコン半導体層を起電力層
としたものであれば良く、公知のものが全て適用できる
。
例えば電気絶縁性基板としては、高分子フィルム、セラ
ミック板、ガラス板あるいは絶縁性層を表面に設けた金
属フォイルが使用出来、特に連続膜形成及び分割加工が
適用できる長尺可撓性基板が有利である。又、その上に
設ける金Ｒ？！極層としてもＴｉ 、Ａ（１、Ｗ、Ｐｔ
、Ｎｉ 、 ｃｏ 、クロム、ニクロムなどの単体金
属１合金金属が使用出来る。又起電力層の非晶質シリコ
ン半導体層の構成としてもｐｉｎの他、ｐｉｎ ／ｐｉ
ｎ 、 ｐｉｎ ／ｐｉｎ ／Ｄｉｎ等の多層タンデム
構造はもちろんのこと、非品質シリコンゲルマニウム、
非晶質シリコンカーバイトなどのナローバンドギャップ
あるいはワイドバンドギャップの非晶質シリコン半導体
層を適時用いる事も出来る。さらに透明電極層としては
酸化スズ、スズ酸カドミウム等公知の透明導電層が適用
できる。
ミック板、ガラス板あるいは絶縁性層を表面に設けた金
属フォイルが使用出来、特に連続膜形成及び分割加工が
適用できる長尺可撓性基板が有利である。又、その上に
設ける金Ｒ？！極層としてもＴｉ 、Ａ（１、Ｗ、Ｐｔ
、Ｎｉ 、 ｃｏ 、クロム、ニクロムなどの単体金
属１合金金属が使用出来る。又起電力層の非晶質シリコ
ン半導体層の構成としてもｐｉｎの他、ｐｉｎ ／ｐｉ
ｎ 、 ｐｉｎ ／ｐｉｎ ／Ｄｉｎ等の多層タンデム
構造はもちろんのこと、非品質シリコンゲルマニウム、
非晶質シリコンカーバイトなどのナローバンドギャップ
あるいはワイドバンドギャップの非晶質シリコン半導体
層を適時用いる事も出来る。さらに透明電極層としては
酸化スズ、スズ酸カドミウム等公知の透明導電層が適用
できる。
又、収束電極層及び導出電極層としてはＰＶＤ法により
形成された金属薄膜、スクリーン印劉法により形成され
た導電性樹脂層など公知の導電層が全て適用できる。
形成された金属薄膜、スクリーン印劉法により形成され
た導電性樹脂層など公知の導電層が全て適用できる。
次に電力取出用の取出の電極となる金属箔としては厚さ
１μｍ〜１ｍｓ＋の銅箔、銅合金箔、アルミニウム箔、
アルミニウム合金箔、ニッケル箔、ステンレス箔等公知
の金ｍｆｅｒが適用できる。その導電接続層としてはエ
チレンビニルアセテート樹脂。
１μｍ〜１ｍｓ＋の銅箔、銅合金箔、アルミニウム箔、
アルミニウム合金箔、ニッケル箔、ステンレス箔等公知
の金ｍｆｅｒが適用できる。その導電接続層としてはエ
チレンビニルアセテート樹脂。
アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂及
びスチレンブタジェンゴムのようなゴム状弾性高分子な
ど及びこれらの混合物等の絶縁性樹脂と銅、銀、金、錫
、鉛、アルミニウム等公知の金属あるいは合金の粒子、
繊維等の微細な形状の導電体の混合物が用いられる。取
出電極としてはこれら金属箔と導電接続層とをあらかじ
め積層したものであれば全て適用できるが好ましくは耐
候性や低接触抵抗の点から金属箔としては銅ニツケル合
金箔、導電接続層としては融点２５０℃以下の錫、鉛を
含んだ合金と絶縁性樹脂との混合物が好ましい。
びスチレンブタジェンゴムのようなゴム状弾性高分子な
ど及びこれらの混合物等の絶縁性樹脂と銅、銀、金、錫
、鉛、アルミニウム等公知の金属あるいは合金の粒子、
繊維等の微細な形状の導電体の混合物が用いられる。取
出電極としてはこれら金属箔と導電接続層とをあらかじ
め積層したものであれば全て適用できるが好ましくは耐
候性や低接触抵抗の点から金属箔としては銅ニツケル合
金箔、導電接続層としては融点２５０℃以下の錫、鉛を
含んだ合金と絶縁性樹脂との混合物が好ましい。
取出電極と収集電極層及び接続電極層の電気的接続は、
熱圧着によって絶縁性樹脂内の金属あるいは合金粒子を
溶融させ、金属箔と収集電極層及び導出電極層を金属あ
るいは合金で接続させることにより行なわれるが、この
方法としては１００℃〜２０００℃に加熱した金属セラ
ミック、ガラス、ゴム等を取出電極の上部において１〜
１００Ｋｇ／−の圧力を１〜１００秒間かける方法や加
熱した金属。
熱圧着によって絶縁性樹脂内の金属あるいは合金粒子を
溶融させ、金属箔と収集電極層及び導出電極層を金属あ
るいは合金で接続させることにより行なわれるが、この
方法としては１００℃〜２０００℃に加熱した金属セラ
ミック、ガラス、ゴム等を取出電極の上部において１〜
１００Ｋｇ／−の圧力を１〜１００秒間かける方法や加
熱した金属。
ゴムセラミック等の２つのロール間を通過する際に１〜
１００Ｋｙ／ｃｄの圧力を上部のロールに与えて行なう
方法が適用できる。
１００Ｋｙ／ｃｄの圧力を上部のロールに与えて行なう
方法が適用できる。
特に後者は、ガラス、ポリカーボネート及びポリカーボ
ネート複層シート、ポリエステルフィルム同時に行なえ
るので生産性の面からも好ましい。
ネート複層シート、ポリエステルフィルム同時に行なえ
るので生産性の面からも好ましい。
また、従来の導電性樹脂を用いる方法では、導電性樹脂
は溶剤を含んでいるため流動性があり、金属箔を積層す
る際に周囲に流れ出て単に外観上美観を損ねるという問
題があっただけでなく，後述の第１図において導電性接
続Ｍ１１ｂとなる導電性樹脂が分割溝６ｂを通り越して
隣りの領域まで侵入し短絡するという危険性があった。
は溶剤を含んでいるため流動性があり、金属箔を積層す
る際に周囲に流れ出て単に外観上美観を損ねるという問
題があっただけでなく，後述の第１図において導電性接
続Ｍ１１ｂとなる導電性樹脂が分割溝６ｂを通り越して
隣りの領域まで侵入し短絡するという危険性があった。
それに対し水沫の導電接続層を用いる方法では、導電体
と絶縁樹脂の混合物からなり溶剤を含まないため、例え
取出電極を取出部に熱圧着する場合においてもほとんど
周辺に流動することがなく、短絡防止という点からも有
利である。
と絶縁樹脂の混合物からなり溶剤を含まないため、例え
取出電極を取出部に熱圧着する場合においてもほとんど
周辺に流動することがなく、短絡防止という点からも有
利である。
導電接続層は絶縁樹脂と導電体からなるため、金属箔よ
り抵抗が大きい。できるだけ抵抗による電力損失を小ざ
くするためにはこの膜厚は薄い程好ましい。面積１ ｃ
ｉ当り膜厚方向の抵抗を１Ω以下更に好ましくは１０−
２Ω以下にするにはこの膜厚は３ｒｎＩＲ以下、更に好
ましくは５０ｔ１ｍ以下である。
り抵抗が大きい。できるだけ抵抗による電力損失を小ざ
くするためにはこの膜厚は薄い程好ましい。面積１ ｃ
ｉ当り膜厚方向の抵抗を１Ω以下更に好ましくは１０−
２Ω以下にするにはこの膜厚は３ｒｎＩＲ以下、更に好
ましくは５０ｔ１ｍ以下である。
一方あまり薄すぎると金属箔，取出部への接着が充分に
得られずこれが原因で抵抗による電力損失をまねく。こ
の最低膜厚は導電接続層を構成する導電体の金属粒子，
ａｍなどの大きさに依存するが、一般的には１μｍ以上
が好ましい二双下本発明の詳細を実施例に基いて説明す
る。
得られずこれが原因で抵抗による電力損失をまねく。こ
の最低膜厚は導電接続層を構成する導電体の金属粒子，
ａｍなどの大きさに依存するが、一般的には１μｍ以上
が好ましい二双下本発明の詳細を実施例に基いて説明す
る。
［実施例］
第１図は実施例の非晶質シリコン薄膜太陽電池の側断面
図である。基板１として、ロールツーロール法によって
太陽電池構成層を順次長尺の走行する基板上に堆積出来
、大量生産に適した高分子フィルムを用いた例である。
図である。基板１として、ロールツーロール法によって
太陽電池構成層を順次長尺の走行する基板上に堆積出来
、大量生産に適した高分子フィルムを用いた例である。
高分子フィルムとしては非晶質シリコン堆積に必要な耐
熱性を有する高分子フィルムなどどれでも良いが好まし
くは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
。
熱性を有する高分子フィルムなどどれでも良いが好まし
くは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
。
ポリイミドフィル°ムなどが用いられる。図の例はＰＥ
Ｔフィルムを用いである。
Ｔフィルムを用いである。
下部電極層２として０．５μｍ程度のＡ文層２ａと３０
０人〜１０人程度のステンレス層２ｂを順次スパッタリ
ング法を用いて堆積したＡｎ／ステンレス積層体を用い
た。
０人〜１０人程度のステンレス層２ｂを順次スパッタリ
ング法を用いて堆積したＡｎ／ステンレス積層体を用い
た。
光起電力層の非晶質シリコン半導体層３は周知のｐｉｎ
形構成を採用し、特開昭５９−３４６６８号公報に開示
のものと同様なシランガス等のグロー放電分解法を用い
て金属電極層２上に堆積した。
形構成を採用し、特開昭５９−３４６６８号公報に開示
のものと同様なシランガス等のグロー放電分解法を用い
て金属電極層２上に堆積した。
次にレーデスクライブ法による分割時の電極間短絡防止
のために非晶質シリコン半導体３上に電気絶縁性の絶縁
樹脂層５を設けた。なお、絶縁樹脂ｌ！ｇ１５はエポキ
シ樹脂をスクリーン印刷法を用いて第２図に太線で示し
たレーザーで分割加工する所定のパターン形状に１０μ
ｍの厚さに設けた。
のために非晶質シリコン半導体３上に電気絶縁性の絶縁
樹脂層５を設けた。なお、絶縁樹脂ｌ！ｇ１５はエポキ
シ樹脂をスクリーン印刷法を用いて第２図に太線で示し
たレーザーで分割加工する所定のパターン形状に１０μ
ｍの厚さに設けた。
次に透明電極層４として酸化インジューム（ｌＴｏ）層
を電子ビーム蒸着あるいはスパッタリング法によって６
００Ａ程度に堆積し、第１図に示ずＰ Ｅ Ｔ／Ａ ４
Ｑ／Ｓ Ｕ Ｓ／非晶質シリコンｐｉｎ／ハターン化し
たエポキシ樹脂Ｗ／Ｉ ＴＯＩ造の非晶質薄膜太陽電池
を得た。
を電子ビーム蒸着あるいはスパッタリング法によって６
００Ａ程度に堆積し、第１図に示ずＰ Ｅ Ｔ／Ａ ４
Ｑ／Ｓ Ｕ Ｓ／非晶質シリコンｐｉｎ／ハターン化し
たエポキシ樹脂Ｗ／Ｉ ＴＯＩ造の非晶質薄膜太陽電池
を得た。
次いで、このＰＥＴ／Ａｆｌ／ＳＵＳ／非晶質シリコン
ｐｉｎ ７パターン化したエポキシ樹脂１／ＩＴｏ構造
の非晶質太陽電池の１０３Ｘ１０ＣＩＲ角セルをＹＡＧ
レーザーで、エポキシ樹脂層からなる電気絶縁性高分子
樹脂層５上を走査して太陽電池成分若しくは透明電極層
４を溶融・蒸発させて第１図の如く基板１若しくは絶縁
樹脂層５までの分割溝６ａ、 ６ｂを形成して、第２図
の如く基板１までの深い分割溝６８により３個の略３
ｃｔｓ Ｘ １０．７１角のセルＣに分割すると共に絶
縁樹脂層５までの浅い分割溝６ｂによりセルＣの集積化
のため接続部Ｓを形成した。なお、ＹＡＧレーザーはＱ
スイッチパルスレーザ−で平均レー瞥アーバワーを下部
の金属電極層２まで分割する分割溝６８の場合は０．８
Ｗ、透明電極層４のみを分割する分割溝６ｂの場合は０
．２Ｗとし、共にパルス周波数２ＫＨ７で太陽電池表面
上に照射し、速度８０ｍ ／ Ｓｅｅで走査ざぜた。
ｐｉｎ ７パターン化したエポキシ樹脂１／ＩＴｏ構造
の非晶質太陽電池の１０３Ｘ１０ＣＩＲ角セルをＹＡＧ
レーザーで、エポキシ樹脂層からなる電気絶縁性高分子
樹脂層５上を走査して太陽電池成分若しくは透明電極層
４を溶融・蒸発させて第１図の如く基板１若しくは絶縁
樹脂層５までの分割溝６ａ、 ６ｂを形成して、第２図
の如く基板１までの深い分割溝６８により３個の略３
ｃｔｓ Ｘ １０．７１角のセルＣに分割すると共に絶
縁樹脂層５までの浅い分割溝６ｂによりセルＣの集積化
のため接続部Ｓを形成した。なお、ＹＡＧレーザーはＱ
スイッチパルスレーザ−で平均レー瞥アーバワーを下部
の金属電極層２まで分割する分割溝６８の場合は０．８
Ｗ、透明電極層４のみを分割する分割溝６ｂの場合は０
．２Ｗとし、共にパルス周波数２ＫＨ７で太陽電池表面
上に照射し、速度８０ｍ ／ Ｓｅｅで走査ざぜた。
次に分割溝６ａ、 ６ｂの絶縁を確保するために、電気
絶縁性樹脂としてエポキシ樹脂を用い、これをスクリー
ン印刷法を用いて、絶縁樹脂層５と同じ第２図に示す所
定のパターン形状に１０μｍの厚さに設け、分割？ｌ＋
！６ａ、６ｂに充填し、充填樹脂層８を形成した。
絶縁性樹脂としてエポキシ樹脂を用い、これをスクリー
ン印刷法を用いて、絶縁樹脂層５と同じ第２図に示す所
定のパターン形状に１０μｍの厚さに設け、分割？ｌ＋
！６ａ、６ｂに充填し、充填樹脂層８を形成した。
次いで、第３図に示すようにフィンガ一部９（Ｆ）とバ
スバ一部９（Ｂ）からなる電流収集のため収集電極９及
び下部電極層２を上部へ導く導出電極層１０をスクリー
ン印刷法を用いて次のように形成した。すなわちＡｇ粉
末を混入したポリエステル系樹脂からなるＡ（Ｉ導電樹
脂をスクリーン印刷して乾燥する事によって１５μ厚み
の収集電極９及び導出電極層１０を得た。次に導出電極
層１０及び収集電極９のバスバ一部（Ｂ）上に２ＫＷの
尖頭値パワーを持つＹＡＧレーザ光を断続的に照射しな
がら走査する事によって下部電極層２と導出電極層１０
及びバスバ一部９（Ｂ）間にオーミック接続を形成して
３直列の集積型の太陽電池を形成した。なお、図の７は
ＹＡＧレーザ光による一部蒸発により発生した空孔であ
り、オーミック接続は図の斜線部に示す導出電極層及び
バスバ一部９（Ｂ）の溶融固化部により形成される。従
って非常に低抵抗の接続が形成される。
スバ一部９（Ｂ）からなる電流収集のため収集電極９及
び下部電極層２を上部へ導く導出電極層１０をスクリー
ン印刷法を用いて次のように形成した。すなわちＡｇ粉
末を混入したポリエステル系樹脂からなるＡ（Ｉ導電樹
脂をスクリーン印刷して乾燥する事によって１５μ厚み
の収集電極９及び導出電極層１０を得た。次に導出電極
層１０及び収集電極９のバスバ一部（Ｂ）上に２ＫＷの
尖頭値パワーを持つＹＡＧレーザ光を断続的に照射しな
がら走査する事によって下部電極層２と導出電極層１０
及びバスバ一部９（Ｂ）間にオーミック接続を形成して
３直列の集積型の太陽電池を形成した。なお、図の７は
ＹＡＧレーザ光による一部蒸発により発生した空孔であ
り、オーミック接続は図の斜線部に示す導出電極層及び
バスバ一部９（Ｂ）の溶融固化部により形成される。従
って非常に低抵抗の接続が形成される。
次いで、この集積型太陽電池モジュールの取出部２本例
ではモジュールの両端電極である第３図で最上段のバス
バ一部Ｂと最下段の導出電極層１０の一端に以下のよう
に取出電極１１を設けた。取出電極１１として長さ４ｃ
ｔｘ、幅０．２５ｃｍ、厚さ３０μｍの銅山１１Ａにス
チレンブタジレンゴムと鉛、錫を含む合金粒子との混合
物からなる厚さ３０μｍの導電接続ＷＪ１１Ｂをラミネ
ートしたものを用い、取出電極１１を取出部にその導電
接続層が接するように重ねて １５０℃に加熱した２つ
のロール間に４，７Ｃｒｎ／分の速度で通過させ取出電
極１１の長さ方向における端から２ｃｒＲの部分を熱圧
着することによって、接続した。
ではモジュールの両端電極である第３図で最上段のバス
バ一部Ｂと最下段の導出電極層１０の一端に以下のよう
に取出電極１１を設けた。取出電極１１として長さ４ｃ
ｔｘ、幅０．２５ｃｍ、厚さ３０μｍの銅山１１Ａにス
チレンブタジレンゴムと鉛、錫を含む合金粒子との混合
物からなる厚さ３０μｍの導電接続ＷＪ１１Ｂをラミネ
ートしたものを用い、取出電極１１を取出部にその導電
接続層が接するように重ねて １５０℃に加熱した２つ
のロール間に４，７Ｃｒｎ／分の速度で通過させ取出電
極１１の長さ方向における端から２ｃｒＲの部分を熱圧
着することによって、接続した。
この３直列モジュールを１０ＵＡＰＩＥ成し、性能をＡ
Ｍ １ （１００７７ＬＷ／ｃｄ）ソーラシミュレータ
光子で測定した結果、１０個全てが６％以上の変換効率
であった。
Ｍ １ （１００７７ＬＷ／ｃｄ）ソーラシミュレータ
光子で測定した結果、１０個全てが６％以上の変換効率
であった。
比較のため上述の実施例と同様の形状の銅箔を同様の構
成の３直列モジュールの収集電極層及び導出電極層に導
電性ペーストを筆によって塗布し、良さ方向における端
から２ ｃｍの部分を付着させ、１５０℃の熱風乾燥炉
内に１５分間放置して導電性べ−ストを乾燥させた。同
様にＡＭ１ソーラシミュレータ光下光子定した結果、１
０個中５個が６％以上の変換効率を示したが５個は３％
以下であった。
成の３直列モジュールの収集電極層及び導出電極層に導
電性ペーストを筆によって塗布し、良さ方向における端
から２ ｃｍの部分を付着させ、１５０℃の熱風乾燥炉
内に１５分間放置して導電性べ−ストを乾燥させた。同
様にＡＭ１ソーラシミュレータ光下光子定した結果、１
０個中５個が６％以上の変換効率を示したが５個は３％
以下であった。
３％以下の変換効率の３直列モジュールは銅箔を接続す
るときに用いた導電性ペーストがはみ出して一部のセル
Ｃ間が短絡していた。
るときに用いた導電性ペーストがはみ出して一部のセル
Ｃ間が短絡していた。
以上の結果から本発明によれば、短絡のない安定した太
陽電池モジュールが生産性良く得られることがわかる。
陽電池モジュールが生産性良く得られることがわかる。
第１図は本発明の実施例の側断面図、第２図は実施例セ
ルの分割パターンを示す平面図、第３図は収集電極及び
セル間接続電極のパターンを示す平面図である。 １：基板、 ２：金ｌ１ｌＩ電極層。 ３：非晶質シリコン層、 ４：透明電極層５：絶縁樹
脂層、 ａａ、ｅｂ：分割溝。 ８：樹脂層、 ９：収集電極層。 １０：導出電極層、１１：取出電極。 １１Ａ：銅箔 勺 １１Ｚ
ルの分割パターンを示す平面図、第３図は収集電極及び
セル間接続電極のパターンを示す平面図である。 １：基板、 ２：金ｌ１ｌＩ電極層。 ３：非晶質シリコン層、 ４：透明電極層５：絶縁樹
脂層、 ａａ、ｅｂ：分割溝。 ８：樹脂層、 ９：収集電極層。 １０：導出電極層、１１：取出電極。 １１Ａ：銅箔 勺 １１Ｚ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気絶縁性基板に非晶質シリコンからなる起電力層
を有する薄膜太陽電池において、外部接続のための取出
電極が、電極となる金属箔と、その上に積層された絶縁
性樹脂と導電体が混合された導電接続層とからなり、該
導電接続層を介して取出部に圧着され、該金属箔が該導
電体により取出部に接続されていることを特徴とする薄
膜太陽電池。 ２、前記導電接続層の膜厚方向の電気抵抗が面積１ｃｍ
＾２当り１Ω以下である特許請求の範囲第１項記載の薄
膜太陽電池。 ３、電気絶縁性基板上に非晶質シリコンからなる起電力
層を有する薄膜太陽電池に外部接続のための取出電極を
設けるに際し、電極となる金属箔に絶縁性樹脂と導電体
とが混合された導電接続層を積層し、次いで金属箔を取
出部にその間に導電接続層が介在するようにして熱圧着
することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 ４、前記導電接続層の膜厚方向の電気抵抗が面積１ｃｍ
＾２当り１Ω以下である特許請求の範囲第３項記載の薄
膜太陽電池の製造方法。 ５、熱圧着をロール間を移送しつつ、連続的に行なう特
許請求の範囲第３項又は第４項記載の薄膜太陽電池の製
造方法。 ６、前記導電体が融点２５０℃以下の低融点の金属又は
合金である特許請求の範囲第３項、第４項又は第５項記
載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258618A JPS62119979A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258618A JPS62119979A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119979A true JPS62119979A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0577191B2 JPH0577191B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=17322778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258618A Granted JPS62119979A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119979A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965655A (en) * | 1987-12-10 | 1990-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Interconnected semiconductor devices |
| US5380371A (en) * | 1991-08-30 | 1995-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and fabrication method thereof |
| JP2017515311A (ja) * | 2014-04-30 | 2017-06-08 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池金属化のための接合部 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6084885A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池モジユ−ル |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258618A patent/JPS62119979A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6084885A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池モジユ−ル |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965655A (en) * | 1987-12-10 | 1990-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Interconnected semiconductor devices |
| US5380371A (en) * | 1991-08-30 | 1995-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and fabrication method thereof |
| JP2017515311A (ja) * | 2014-04-30 | 2017-06-08 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池金属化のための接合部 |
| US10622505B2 (en) | 2014-04-30 | 2020-04-14 | Sunpower Corporation | Bonds for solar cell metallization |
| US10923616B2 (en) | 2014-04-30 | 2021-02-16 | Sunpower Corporation | Bonds for solar cell metallization |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577191B2 (ja) | 1993-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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