SA516370395B1 - عملية لإنتاج سيليكون متعدد البللورات - Google Patents

Abstract

يوفر الاختراع عملية لإنتاج (polycrystalline silicon) سيليكون متعدد البللورات، تتضمن إدخال غاز التفاعل يحتوي على مكون والذي يحتوي على (silicon) السيليكون و(hydrogen) هيدروجين في مفاعل يحتوي على قضيب شعيري مسخن واحد على الأقل والذي يترسيب عليه (polycrystalline silicon) سيليكون متعدد البللورات، حيث يتضمن المفاعل نافذة عرض أنبوبية، مثبتة عند طرف واحد مجاور للمفاعل إلى فتحة في جدار المفاعل وبها في الطرف الآخر منطقة زجاجية، حيث أثناء عملية الترسيب يتم إدخال غاز التنظيف عن طريق ثقوب في نافذة العرض الأنبوبية، وتتميز بأن التيار M1 من غاز التنظيف يتحرك بجوار المنطقة الزجاجية المجاورة لنافدة العرض وموازي جوهريا إلى المنطقة الزجاجية وعلى مسافة من هذا التيار M1 من غاز التنظيف في اتجاه طرف نافذة العرض المجاورة لمفاعل تيار M2 آخر واحد على الأقل من غاز التنظيف يتحرك في زاوية إلى المنطقة الزجاجية في اتجاه طرف نافذة العرض المجاورة للمفاعل.شكل 2

Description

— \ — عملية لإنتاج سيليكون متعدد البللورات ‎Process for producing polycrystalline silicon‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع يوفر الاختراع عملية لإنتاج السيليكون متعدد البللورات ‎Polycrystalline silicon‏ « السيليكون متعدد البللورات واختصاره البولي سيليكون ‎polysilicon‏ تقدم كمادة أولية في إنتاج السيليكون أحادي البللورات ‎monocrystalline silicon‏ بواسطة بوتقة سحب ‎Czochralski‏ أو © عملية ‎CZ‏ أو عن طريق منطقة انصهار منطقة طفو أو عملية ‎FZ‏ وينقسم السيليكون أحادي البللورات إلى رقائق؛ بعد العديد من عمليات المعالجة الميكانيكية؛ الكيميائية؛ والكيموميكانيكية؛ وتستخدم في صناعة أشباه الموصلات لتصنيع المكونات الإلكترونية (شرائح). ‎ang og‏ الخصوص؛ مع ذلك؛ يكون السيليكون متعدد البللورات ‎polysilicon‏ متطلب بدرجة متزايدة لإنتاج السيليكون ‎silicon‏ أحادي ‎Mono‏ أو متعدد البللورات ‎multicrystalline‏ ‏) عن طريق عمليات السحب أو الصب؛ ويقدم هذا السليكون ‎silicon‏ أحادي 01000 أو متعدد البللورات ‎multicrystalline‏ لخدمة تصنيع الخلايا الشمسية للطاقة الكهروضوئية. يتم إنتاج السيليكون متعدد البللورات عادة عن طريق عملية سيمنز. في هذه العملية» في جرس على شكل علبة مفاعل 'مفاعل سيمنز" ‎“Siemens reactor”‏ ؛ وقضبان شعيرية رقيقة ‎“thin rods”‏ "قضبان رقيقة من السيليكون يتم تسخينها بواسطة ممر مباشر من تيار وغاز التفاعل ‎V0‏ يحتوي مكون يحتوي على سيليكون ‎silicon‏ وهيدروجين ‎hydrogen‏ تم إنتاجه. مكون يحتوي على السيليكون 51/6000 من غاز التفاعل يكون بشكل عام أحادي سيلان ‎monosilane‏ أو هالو سيلان 8105806 لاللتركيبة العامة 51074 ‎=n)‏ +« فكت ‎(I Br («Cl =X‏ ويفضل أن يكون كلورو سيلان ‎chlorosilane‏ أو خليط كلورو سيلان ‎chlorosilane mixture‏ ؛ ويفضل أكثر ثلاثي كلورو سيلان ‎trichlorosilane‏ . وفي الغالب ‎oovy‏

— اذ يتم استخدام 4 أو 53 ثلاشثي كلورو سيلان ‎trichlorosilane‏ ؛ ‎TCS‏ في خليط مع الهيدروجين. تصف البراءة الأوربية . ؟أ ‎١ ١97/7 YOY‏ 50 إعداد نموذجي لنوع مفاعل يستخدم في إنتاج البولي سيليكون ‎polysilicon‏ .

‎o‏ يتم توفير قاعدة المفاعل مع الإلكترودات ‎electrodes‏ التي تتضمن قضبان رقيقة التي يترسب عليها السليكون أثناء عملية الترسيب؛ والتي بالتالي تترسب لتشكيل القضبان المطلوبة من البولي سيليكون ‎sale. polysilicon‏ يتم ربط اثنين من القضبان الرقيقة في كل حالة عن طريق جسر لتشكيل زوج من قضبان رقيقة؛ والتي تشكل دائرة خلال الإلكترودات ‎electrodes‏ وخلال الأجهزة الخارجية؛ والتي تعمل على تسخين أزواج القضيب إلى درجة حرارة معينة.

‎IK‏ وعلاوة على ذلك؛ يتم توفير ‎sacl‏ مفاعل بالإضافة مع خراطيم لتزويد المفاعل بالغاز النقي. وأجريت إمدادات الغاز مرة أخرى للخروج من منطقة التفاعل خلال فوهات. تختلف كمية غازات التفاعل المزودة بشكل نموذجي كوظيفة من قطر القضيب؛ أي؛ تزيد ‎J,‏ عام مع زيادة قطر قضيب. يترسب البولي سيليكون ‎polysilicon‏ عالي النقاء على القضبان والجسور المسخنة؛ ‎١‏ ونتيجة لذلك يتزايد قطر القضيب بمرور الوقت ‎(CVD = chemical vapor deposition/gas‏ ‎CVD) phase deposition)‏ = ترسيب ‎[Ailes SAN)‏ ترسيب الطور الغازي). تكشف البراءة الألمانية ١أ ‎DE ٠١١7 cov gy 7٠‏ عن عملية توجه إلى قضبان البولي سيليكون ‎polysilicon‏ لها قوة مرنة تعرض بشكل مفيد. وعلاوة على ذلك؛ فإن استهلاك الطاقة المعين في هذه العملية منخفضة بشكل خاص. وفيما يتعلق بمعالجة البارامترات ‎parameters | ٠‏ ؛ القيمة الأقصى لمعدل التدفق لخليط كلورو سيلان ‎chlorosilanes mixture‏ خلال > ‎elu ٠١‏ ويفضل خلال > ‎eo‏ ساعات ؛ مع ‎an‏ حرارة على الجانب السفلي من الجسر بين ‎٠‏ 5 وآ ‎١٠١‏ م . ‎oovy‏

— ¢ — تصف البراءة الألمانية ١أ‏ 41 07732 70097 ‎Ve‏ 05 عملية أخرى لإنتاج البولي سيليكون ‎polysilicon‏ « وتحديداً السيليكون ‎silicon‏ منطقة طفو ‎(FZ) Float Zone‏ . يتم توقع درجة حرارة قضيب من ‎N00‏ 0٠٠٠م‏ ونسبة معينة من كلورو سيلان ‎chlorosilanes‏ ‏في غاز التفاعل على قطر قضيب من ‎79٠‏ ملليمتر والتغير في ‎ia‏ الحرارة القكضيب من ‎iY.‏ ‏0 إلى ١٠١٠م‏ وزيادة في نسبة الكلورو سيلان في غاز التفاعل لا تتجاوز الوصول إلى قطر قضيب من ‎٠٠١‏ ملليمتر. يجب عدم إجراء تغييرات مفاجئة في ظروف الترسيب خلال فترة الترسيب بالكامل. تكشف البراءة الأمريكية ‎IY‏ 70970054819748 5لا عملية لإنتاج السيليكون متعدد البللورات ‎polycrystalline silicon‏ ؛ والتي تتضمن إدخال غاز التفاعل يحتوي على مكون يحتوي على السيليكون ‎silicon‏ والهيدروجين ‎hydrogen‏ عن طريق واحد أو أكثر من الفتحات في مفاعل والتي تتضمن قضيب شعيري مسخن واحد على الأقل الذي يترسب عليه السليكون حيث أن عدد الأرشميدات ‎(Arn) Archimedes‏ والذي يصف ظروف التدفق في المفاعل المفاعل في المثة؛ ‎FL‏ مستوى الملء تصل إلى 00 على بعد مجموعة تقتصر في الطرف ‎Vo‏ السفلى بواسطة ‎FL-0.6 XY or = Ar ia‏ وفي نهايته العليا ‎dag‏ دالة (ارغون) ‎=Ar‏ ‎FL-0.9 x\V.en‏ وعلى مستوى ملء > ‎%o‏ خلال ‎ie gana‏ من ‎Vou‏ على الأقل إلى أكثر من ‎٠‏ + * $ . يتحدد مستوى ملء المفاعل بنسبة حجم القضبان إلى الحجم ‎lal)‏ من المفاعل في المئة. الحجم الفارخ من المفاعل يكون ثابت. وبالتالي فإن مستوى الملء يزيد مع زيادة زمن العملية عند ‎١‏ زيادة حجم القضبان. يعطى عدد الأرشميدات بواسطة ‎Ad * (Trod - Twall)/ (2 * 2 *(Trod + Twall))‏ * ا * و * ج - عط حيث 9 هو التسريع بسبب الجاذبية في 00/52 ا هو طول قضيب من القضبان الشعيرية في ‎Q em‏ هو تدفق حجم الغاز في المتر المكعب/ ثانية تحت ظروف التشغيل (1 ,0 )؛ ‎Ad‏ هو م

El ‏هي درجة حرارة القضيب »ا‎ Trod am? ‏المجموع الكلي لكل فوهة من المناطق المستعرضة في‎ ‏كليو إلى‎ ١١٠١ ‏ويفضل أن تكون درجة حرارة القضيب‎ JK ‏هي درجة حرارة الجدار في‎ Twall ‏كيلو.‎ 7٠١١0 ‏كليو إلى‎ ©08٠0 ‏كليو. ويفضل أن تكون درجة حرارة الجدار‎ ٠ ‏متعدد‎ silicon ‏وتكون الملاحظة الشائعة نسبيا في إنتاج قضبان سميكة من السيليكون‎ ‏ملليمتر أن القضبان لها مناطق ذات سطح خشن جدا "بوب كورن”.‎ ٠٠١ ‏البللورات لها قطر>‎ 0 ‏يجب أن تكون هذه المناطق الخشنة مفصولة عن بقية المواد وبيعها بأسعار > بكثير من باقي‎ silicon ‏قضيب السيليكون‎ ‏أن انخفاض مؤقت في درجة حرارة القضبان‎ US 25464441 ‏تكشف البراءة الأمريكية أ‎ ‏يصل قضيب السيليكون‎ «ff ‏يمكن أن يقلل من نسبة المواد الخشنة. وفي الوقت نفسه؛ يتم الكشف‎ ‏لها قطر © ملليمتر كشعيرة قضيب رفيع؛ يتم الاحتفاظ‎ polycrystalline silicon ‏متعدد البللورات‎ ٠ ‏م وتم ترسيب السيليكون متعدد البللورات‎ ٠١٠ ‏بدرجةٌ حرارة سطح القضيب في‎ ‏؛ وعندما يصل قطر القضيب 85 ملليمتر؛ يظل التيار الكهربائي‎ polycrystalline silicon ‏وبمجرد وصول درجة الحرارة إلى 19760 "م؛ تزداد درجة‎ hall ‏ثابت؛ ونتيجة لذلك تنخفض درجة‎ ‏ساعة وتوقف الترسيب عندما يصل‎ ١ ‏م خلال فترة‎ ٠١ ‏حرارة القضبان تدريجيا إلى حوالي‎ ‏ملليمتر. نسبة الخشونة في هذه الحالة تكون 9617. تأثير هذه التغييرات؛‎ ١8١ ‏قطر القضيب إلى‎ ١ ‏ومع ذلك فإن هذه العملية تنفذ بسرعة أقل ؛ وبالتالي يتم تخفيض الانتاج؛ مما يقلل من الصلاحية‎ ‏الاقتصادية.‎ ‎« polycrystalline silicon ‏في العمليات المعروفة لترسيب السيليكون متعدد البللورات‎ ‏فمن الضروري بالتالي تنظيم درجة حرارة قضيب. تكون درجة الحرارة على سطح القضبان هي‎ ‏؛ حيث يتم‎ polycrystalline silicon ‏مؤشر حاسم في عملية إنتاج السيليكون متعدد البللورات‎ Yo ‏على سطح قضيب.‎ polycrystalline silicon ‏ترسيب السيليكون متعدد البللورات‎ ‏لهذا الغرض؛ لابد من قياس درجة حرارة القضيب.‎ ‏وعادة ما تقاس درجة حرارة القضيب مع البيرومترات على أسطح القضبان العمودية.‎ oovy

--

بسبب خصائصه ‎ald)‏ يكون من الصعب جداً قياس درجة الحرارة على السيليكون. وذلك لأن مستوى انبعاث المواد يختلف بشكل كبير خلال طيف الأشعة تحت الحمراء وبالإضافة إلى ذلك يعتمد على درجة الحرارة المادية. من أجل مع ذلك لتحقيق نتائج دقيقة وقابلة لتكرار القياس؛ الشركات المصنعة توفر الأدوات مع مرشحات إلى حوالي ‎(ys ae ١9‏ وبذلك تقيم ‎ein‏

© صغير فقط من طيف الأشعة؛ يقتصر على نطاق موجي معين بواسطة مرشح؛ إذ أن مستوى انبعاث السيليكون داخل هذا النطاق الموجي على حد سواء يكون مرتفع نسبيا ومستقلة عن درجة الحرارة.

بسبب الهيدروجين ‎hydrogen‏ في الغلاف الجوي؛ عادة ما تستخدم علب واقية من

الانفجار بشكل نموذجي للبيرومترات ‎.pyrometers‏

‎Va‏ يكسب البيرومتر ‎pyrometers‏ الوصول الضوئي من خلال زجاج شفاف أو نافذة. العدسة أو النافذة للأدوات في النطاق القريب للأشعة تحت الحمراء تتكون من الزجاج أو زجاج الكوارتز.

‏تكون البيرومترات ‎pyrometers‏ موضوعة في زجاج شفاف خارج المفاعل وموجهة نحو قضيب البولي سيليكون المراد قياسه. يغلق الزجاج الشفاف المفاعل من البيئة عن طريق السطح

‎١‏ الزجاجي الشفاف ويغلق.

‏وقد وجدت الآن أنه؛ في سياق عملية الترسيب؛ طبقة من أشكال الترسيبات على الزجاج الشفاف؛ والذي قد يكون ذو سماكة مختلفة وفقا لطريقة عمله. وهذا يؤثر بشكل خاص على السطح الزجاجي (الداخلي) في طرف المفاعل. هذه الطبقة من الترسيبات تؤدي إلى إضعاف شدة الإشعاع المقاسة. ونتيجة لذلك؛ فإن البيرومتر ‎pyrometers‏ يقيس درجات الحرارة التي تكون منخفضة

‎Yo‏ جداء ونتيجة لذلك يتم تعيين درجات الحرارة للقضيب عالية جدا بواسطة النظام الكهربائي لتنظيم قوة المفاعل؛ والذي يسبب خصائص عملية غير مرغوب فيها ‎Jie‏ ترسيب الغبارء نمو كبير للمواد الخشنة بشكل ملحوظ؛ وإنصهار موضعي لقضبان السيليكون؛ وما إلى ذلك في أسوأ حالة - وفي حالة الترسيبات السميكة بشكل مفرط - فإن العملية يجب أن تنتهي قبل ما هو متفق عليه. ‎oovy‏

العيوب الاقتصادية نتيجة للمواصفات الخارجية؛ وبالتالي انخفاض المنتجات ذات القيمة أو زيادة تكاليف الإنتاج نتيجة انتهاء التشغيل قبل ما هو متقف عليه أوفشل الدفعات تكون نتائج مترتبة على الترسيبات في الزجاج الشفاف. في حالة التقنية الصناعية السابقة؛ بذلت جهود للحد من تكوين الرواسب على الأسطح © الزجاجية؛ إدخال غاز خامل أو هيدروجين ‎hydrogen‏ على السطح الزجاجي؛ من أجل طرد السيلان ‎silanes‏ أو الكلورو سيلان ‎chlorosilanes‏ التي تميل إلى تشكيل الترسيبات على الزجاج؛ بعيدا عن سطح ‎(ala)‏ أو الاحتفاظ بها بعيدا عن السطح الزجاجي. تصف البراءة اليابانية ‎(JP 70٠007545701 IY)‏ زجاج شفاف حيث يتم استخدام الهيدروجين كغاز تطهير ويتم ضخه في الأنبوب. نسبة طول الأنبوب إلى قطر الأنبوب ‎D)‏ /ا) ‎Yo‏ يرتب ما بين © و١٠.‏ والعيب هو تقيد مدى الرؤية إلى حد كبير الناتج عن طول؛ عدم طول الأنبوب الزجاجي الشفاف. تكشف البراءة الصينية ‎(CN 0٠760777 Y)‏ بالمثل زجاج شفاف حيث يكون الهدف هو إزالة الجزيئات الملتصقة على عدسة الزجاج الشفاف عن طريق النفخ في وسط الغاز الهيدروجين ‎hydrogen‏ المشارك في التفاعل؛ والذي ينظف العدسة. يتم توصيل أنبوب توصيل ‎Ve‏ داخلي في طرف واحد من جهاز تنظيف وسط الغازء على ان يكون السطح الداخلي لعدسة الزجاج الشفاف يمكن تنظيفها في سياق العملية. بين عدسة الزجاج الشفاف الأولى وعدسة الزجاج الشفاف الثانية ‎Jia‏ قناة تبريد ‎cold)‏ عن طريق الوسائل التي ‎Led‏ عدسة الزجاج الشفاف الأولى وعدسة الزجاج الشفاف الثانية يمكن أن تبرد وتنظف. تكشف البراءة الصينية ب ‎CN ١٠١١1‏ عن ‎zl‏ شفاف حيث يتم إدخال ‎Yo‏ الهيدروجين كغاز تطهير من خلال العديد من التقوب في زاوية ‎Alle‏ على سطح الزجاج الشفاف. يتم توزيع تقوب على محيط كامل من الأنبوب الزجاجي الشفاف ومحاذي شعاعيا فيما يتعلق بمحور الأنبوب الزجاجي الشفاف. ومع ذلك؛ فقد وجد أن هذا يمنع تشكيل الترسيبات فقط في بعض مناطق الزجاج ‎(lad‏ ‏ولكن في الواقع يعزز ذلك في مناطق أخرى. وعلاوة على ذلك؛ فقد لوحظ في بعض الأحيان أن لال

‎A —‏ — مواضع مناطق خالية من الترسيبات على سطح الزجاج الشفاف تغيرت خلال هذه العملية. وبذلك؛ يستحيل قياس درجات حرارة قابلية الإنتاج. أدت هذه المشكلة إلى بروز الهدف من الاختراع. يظل الزجاج الشفاف خالي من الرواسب والشوائب على دفعة التشغيل بالكامل. © الوصف العام للاختراع ويتحقق الهدف المذكور من خلال عملية لإنتاج السيليكون متعدد البللورات ‎polycrystalline‏ ‏0 التي تشمل إدخال غاز التفاعل يشتمل على مكون والذي يحتوي على السيليكون ‎silicon‏ ‏والهيدروجين ‎hydrogen‏ في مفاعل يحتوي على قضيب شعيري مسخن واحد على الأقل والذي يترسب عليه السيليكون متعدد البللورات ويشتمل المفاعل على أنبوب زجاجي شفاف واحد على ‎٠‏ الأقل مثبت إلى فتحة في جدار المفاعل قبل طرف المفاعل وبه سطح زجاجي في الطرف الآخر؛ مع تزويد غاز التطهير ‎substreams‏ من خلال ثقوب في الأنبوب الزجاجي الشفاف خلال الترسيب؛ حيث يعمل تيار غاز التطهير واحد بالقرب من السطح الزجاجي من الزجاج الشفاف وموازي جوهرياً إلى السطح الزجاجي؛ ومتباعد جزئياً عن تيار غاز التطهير في اتجاه طرف ‎Jolie‏ ‏الزجاج الشفاف؛ يعمل ‎Load‏ تيار ‎Sle‏ التطهير واحد على الأقل في زاوية وبالقرب من السطح ‎٠‏ الزجاجي في اتجاه طرف مفاعل الزجاج الشفاف. وقد أكد المخترعين أن الحلول المقترحة في حالة التقنية الصناعية السابقة؛ لم يكن من الممكن منع اتصال غاز تفاعل يحتوي على السيليكون بالسطح الزجاجي من الزجاج الشفاف لأنه يرتبط بتأثير المدخل مع تدفق غاز التطهير موجهة نحو على السطح الزجاجي لزجاج شفاف؛ وهذا نقل التي تحتوي على السيليكون غاز التفاعل على سطح ‎aly)‏ وأدت إلى تشكيل غير المرغوب ‎٠‏ فيها من الترسيبات على الأقل في بعض المناطق. ‎EIR‏ ثم تطوير زجاج شفاف به إمدادات غاز التطهير جديدة؛ والذي يمنع اتصال الأسطح الزجاجية على الجانب ‎Je lial‏ مع غاز التفاعل كلورو سيلان ‎chlorosilanes‏ وبالتالي يمنع تكوين الرواسب. ‎soy‏

_ q —_

وعلى النقيض من حالة التقنية الصناعية السابقة؛ يتم إدخال غاز التطهير هنا في الأنبوب الزجاجي الشفاف في العديد من المواضع.

يتم إدخال تيار غاز التطهير بالقرب من السطح الزجاجي من الأنبوب. وهذا يعمل جوهرياً بالتوازي على السطح الزجاجي.

لهذا الغرض؛ ترتب صفوف تعديل الثقوب بالتوالي مع السطح الزجاجي ويفضل أن تكون

في مواقع قريبة جدا من السطح الزجاجي. وهذا ينتج بشكل فعال 'ستار" لغاز التطهير والذي يمكن أن يظل على غاز التفاعل بعيدا عن السطح الزجاجي.

بدون المزيد من القياسات؛ ولكن هذا لا يمكن تحقيقه إلا عندما يكون معدل غاز التطهير المزود محدد بشكل مناسب.

‎٠١‏ من أجل أن يكون مستقل عن معدل غاز التطهير المزود؛ وفقا للاختراع؛ يقدم تيار غاز تظهير ثاني واحد على الأقل؛ بصرف النظر عن تباعد تيار غاز التطهير الأول في اتجاه طرف المفاعل من الأنبوب.

‏لا يكون تيار غاز التطهير الثاني؛ أو تيارات غاز التطهير أيضاً بالتوازي مع السطح الزجاجي للزجاج الشفاف؛ ولكن في زاوية ‎Alle‏ وهي تميل فيما يتعلق بالتدفق من السطح الزجاجي

‎١‏ إلى الزجاج الشفاف»؛ وتحديدا في اتجاه طرف ‎Jolie‏ الزجاج الشفاف.

‏طرف المفاعل يعني أن طرف أنبوب موضوع على فتحة في جدار المفاعل. من أجل إدخال تيار ‎Sle‏ التطهير الثاني في أنبوب الزجاج الشفاف؛ ويفضل أن تكون الثقوب المنظمة في زاوية مائلة إلى منتصف المفاعل الموجود في الأنبوب. مقدمة من تيار غاز تطهير أخر يعطي ارتفاع لنظام تدفق نسبة غاز التطهير المتوفرة في ‎٠‏ الأنبوب الزجاجي الشفاف. وهذا يمكن من تنظيم العملية المتناظرة لمعدل ‎Sle‏ التطهير اللازم لتطهير الزجاج الشفاف؛ دون تدهور نوعية تطهير الزجاج الشفاف. لال

=« \ — يكون غاز التطهير المناسب للغازات التالية أو أي مجموعات على النحو المرغوب فيه كخليط غاز: الغازات النبيلة ‎noble gases‏ ؛ على سبيل المثال [أرغون وهيليرم] ‎He (Ar‏ النيتروجين ‎nitrogen‏ ؛ كلورو سيلان ‎=n zl 51000-4 chlorosilanes‏ ١ح‏ بالتزامن مع غاز حر من كلورو سيلان ‎chlorosilane—free gas‏ على سبيل المثال 51014 مع © الهيدروجين؛ الهيدروجين ‎hydrogen‏ ¢ غاز ‎gas‏ حمض الهيدروكلوريك ‎HCI‏ . تعطى الأفضلية بشكل خاص لاستخدام الهيدروجين. يمكن الاختراع من استخدام زجاج شفاف به أطوال تركيب/ أنبوب صغير نسبيا. وبذلك؛ تعطى الأفضلية لنسبة 0 ‎Lf‏ من طول الأنبوب ‎١‏ إلى قطر الأنبوب 0 من ‎٠-١,‏ ,4. ويفضل أكثر أن نسبة 0/ا ‎Fm, Y=‏ والأكثر تفضيلاً ‎oem),‏ ‎٠‏ وتعطى الأفضلية لإدخال الجزء الأول ‎MT‏ من ‎Sle‏ التطهير من خلال واحد أو أكثقر صفوف تعديل الفتحات من الثقوب. يتم ترتيب هذه صفوف من الثقوب على جانب واحد من الأنبوب؛ ويفضل الجانب العلوي؛ ‎(pan‏ نطاق الزاوية ‎=n) B 1 n‏ مؤشر لصف من التقوب) من ‎$e‏ درجة الي ‎YA‏ م ¢ ويفضل ‎On‏ ‎ian‏ الي ‎YY‏ م 3 ويفضل > ‎ia Te‏ الي ‎YY.‏ م ¢ حول رأسي . دوران ‎B I n‏ نطاق زاوية ‎Yo‏ تتضمن التقوب بواسطة ‎٠‏ إلى ‎ian YA‏ حول محور ا لأنبوب (الاتنحراف عن الرأسي) يكون ممكن. قد تكون المسافة من الثقوب داخل صف من الفتحة المجاورة منها مختلفة أو تساوي خلال صف واحد 3 ويفضل أن يكون متساوي . يتم وضع ثقوب يفضل ان هذه الفوهات خروجهم في الأنبوب الزجاجي الشفاف تقع ضمن ‎٠‏ نطاق 81-0 زاوية. ويفضل أن تكون صفوف من الثقوب المحاذية بالتوازي لبعضها البعض وعلى السطح الزجاجي. ‎oovy‏

_— \ \ _ ويفضل كذلك محاذاة كافة الفتحات الموازية لبعضها البعض وعكس جدار الأنبوب. وبهذه الطريقة؛ يتم وضع ستارة واسعة من غاز التطهير أمام السطح الزجاجي. وفقا للاختراع؛ ينقسم غاز التطهير إلى قسمين ‎(M25 MT)‏ تيارات فرحية متوافقة مع تيار الغاز المواز للسطح ‎M2 alah‏ إلى تيار الغاز الذي يمتد بزاوية مائلة. انظر أيضا الشكل 7. © ويفضل أن يتم تعيين معدل تدفق كتلة التطهير على النحو التالي: ‎.٠١ < 0/11 112< 3/١‏ ويفضل؛ ‎Vo eM M2 < ١‏ ويفضل أكثرء » > ‎٠١ >M1/ M2‏ منطقة مستعرضة من الأنبوب ‎(AT)‏ على أساس المساحة الكلية ‎(AMT)‏ من جميع الفتحات الموجودة في الجزء الأول من غاز التطهير ‎(MD)‏ تكون الأفضل خلال مجموعة من ‎A‏ > 1ه ‎٠٠١‏ ويفضل أكثر ‎٠٠١< AT/AMI> VY‏ ريفضل أكثر ‎AT/AML > Yo‏ ‎SA ١١‏ العدد ‎(N)‏ من صفوف من الثقوب التي من خلالها يتم عرض الجزء الأول من غاز التطهير يكون )>= 0 <- *؛ ويفضل )>= 0 <- ؟. النسبة بين قطر الأنبوب ‎(D)‏ والفواصل المحورية 51-1 للصفوف من الثقوب من سطح الزجاج الشفاف بشكل مفضل خلال النطاق ‎Df 51_0< ١‏ 40 > ويفضل أكثر ‎D/ < ١*١‏ ‎Ye 51.0 ١٠‏ > والأكثر تفضيلاً ‎١,١‏ <ه_51 /0 ‎٠١‏ <. إذا تم تحديد فصل من الثقوب أو صفوف من الثقوب»؛ وهذه هي كل الإجراءات المحددة من المحور الهندسي من الثقوب. لإدخال الجزء الثاني من غاز التطهير ‎(M2)‏ في زاوية مائلة إلى محور الأنبوب؛ تعطى الأفضلية لاستخدام صفوف من الثقوب ويفضل ترتيبها التي بالمثل على الجانب العلوي داخل ‎٠‏ الأنبوب 82-0 نطاق زاوية ‎=n)‏ مؤشر لصف من الثقوب) من ‎٠‏ 4 درجة الي 88٠7م‏ ويفضل أكثر من ‎٠٠‏ درجة إلى ‎IY‏ ويفضل أكثر ‎Te‏ درجة إلى ‎PV Ye‏ الأنبوب الرأسي. التدوير لال

_— \ \ _ 2-0 نطاق الزاوية تتضمن التقوب بواسطة ‎٠‏ إلى ‎ia YA‏ حول محور الأنبوب (الاتحراف عن الرأسي) يكون ممكن. المسافة من الثتقوب داخل صف من الفتحة المجاورة لها قد تكون مختلفة أو مساوية ضمن صف واحد 3 ويفضل أن يكون مساوية. ‎o‏ يفضل أن يتم وضع الثقوب كفتحات الخروج منه في الأنبوب الزجاجي الشفاف خلال ‎B2 on Glas‏ زاوية. ويفضل محاذاة كافة الثقوب للجزء الثاني من غاز التطهير ‎(M2)‏ موازية لبعضها البعض وداخل 0 نطاق زاوية من ‎ia Yo‏ الي ‎A‏ 5 3 ويفضل أكثر من ‎ian ٠‏ الي ‎Yo‏ م 3 ويفضل أكثر ‎an A)‏ الي ‎To‏ 5 على محور الأنبوب في اتجاه طرف مفاعل من الأنبوب . ‎Ya‏ المنطقة المستعرضة من الأنبوب ‎(AT)‏ على أساس المساحة الكلية ‎(AM2)‏ تتحاذى من جميع الثقوب في زاوية مائلة إلى محور الأنبوب ويفضل © > 500< ‎AT/AMI‏ ويفضل أكثر ‎AT/AM1 <300 > ٠٠‏ ويفضل أكثر ‎AT/AM] <150 > ٠‏ العدد ‎(K)‏ من صفوف من الثقوب للجزء الثاني من تطهير الهيدروجين ‎hydrogen‏ هو ‎K<=5 => ١‏ ويفضل ‎١‏ << 3 سبيا. ‎yo‏ النسبة بين قطر الأنبوب (0) والفواصل المحورية ‎(¢82_K)‏ من مخارج الفتحة (بزوايا مائلة إلى محور الأنبوب) أو صفوف من الثقوب من سطح الزجاج الشفاف ويفضل أن يكون في حدود 4, >40 ‎>Df S2_k‏ ويفضل أكثر ,+ > 20 »52 /0< ويفضل أكثر ‎D/ +A)‏ 52<). عندما تكون الثقوب بزوايا مائلة؛ يتم تحديد المسافات النسبية إلى المحور الهندسي من التقوب في التقوب المحفورة على السطح الداخلي للأنبيوب راجع الشكل ‎I‏ ‎٠‏ شرح مختصر للرسومات الشكل ‎١‏ يظهر؛ في شكل تخطيطي مرتفع؛ مفاعل ترسيب مع زجاج شفاف. الشكل ‎Y‏ يظهر تجسيم واحد للاختراع في المقطع الطولي. لف

_ \ —

الشكل ؟ يعرض تجسيم واحد للاختراع في المقطع العرضي من خلال أنبوب. قائمة الأرقام المرجعية المستخدمة ‎١‏ مفاعل ترسيب ؟ زجاج شفاف

© ؟ لوح زجاجي

؛ فتحة (فتحات) لتدفق كتلة التطهير ‎M1‏ ‏© فتحة (فتحات) لتدفق كتلة التطهير ‎M2‏

الشكل ‎١‏ يظهر مفاعل ترسيب ‎١‏ وزجاج شفاف ؟ مثبت بجدار المفاعل.

الشكل ؟ يظهر مفاعل ترسيب ‎١‏ وزجاج شفاف ؟ مثبت بجدار المفاعل به ‎eda‏ من من الثقوب © لتدفق كتلة التطهير ‎M2‏

الشكل ؟ يبين المقطع أ من خلال صف من الثقوب ؛ من الشكل ‎.١‏ ويصبح من الووضح أن العديد من الثقوب موازية لواحدة أخرى متواجدة. الوصف التفصيلى:

‎١‏ العملية وفقا للاختراع مع تجسيم مفضل يمنع تماما الاتصال بين غاز التفاعل من المفاعل والسطح الزجاجي الداخلي للزجاج الشفاف في طرف المفاعل. هذا يمنع تماما الترسيبات على السطح الزجاجي للزجاج الشفاف.

‏نطاق التدفق في الزجاج الشفاف يستقل عن معدل غاز التطهير. ولذلك؛ إذا لزم ‎a)‏ ‏يمكن استخدام معدل مختلف جدا من غاز التطهير دون انخفاض في نوعية التطهير من خلال

‎٠‏ ظروف التدفق المختلفة. الأمثلة

‏لال

_— ¢ \ _ في الاختبارات من أنواع الزجاج الشفاف المختلفة؛ تم استخدام عملية قياسية مع تركيز كلورو سيلان ‎chlorosilane‏ من 9070 الجزء المولي في غاز الهيدروجين ‎H2‏ ‏في هذه العملية؛ تشكل الترسيبات بشكل ملحوظ ‎sale‏ على جدران المفاعل. وكان الهدف من قطر قضبان السيليكون الذي سيترسب ‎١٠5١‏ ملليمتر. © مثال مقارن أنبوب: ‎=L/ D‏ "و ‎=D‏ .5ه ملليمتر ترتيب الفتحات الموازية للسطح الزجاجي في النصف العلوي من الأنبوب الزجاجي الشفاف ومواءمتها في اتجاه محور الأنبوب. ‎Va‏ كل ‎٠‏ درجة؛ كان هناك ثقب فتحة قطرها ؛ ملليمتر ‎VY)‏ تقوب في الاجمالي). لم يكن هناك إدخال ‎Al‏ من غاز التطهير المتواجد. تم تطهير الزجاج الشفاف مع 70 ظروف الضغط والحرارة القياسية ‎Standard‏ ‎m3 (STP) Tempreture and Pressure‏ / ساعة من ‎H2‏ من خلال الثقوب. أثناء عملية الترسيب؛ تشكل الترسيبات المرئية بوضوح على السطح الزجاجي في طرف مفاعل في ‎VO‏ جميع الدفعات. وتتألف هذه الترسيبات من المركبات الغير متبلورة وتتكون من: الكلور؛ السيليكون والهيدروجين. انحرفت ترسيبات قياسات درجات الحرارة. ‎٠‏ إلى ‎١١‏ ملليمتر بسبب ارتفاع استهلاك الكهرباء بشكل مفرط للطاقة. ف على أساس درجات الحرارة العالية الناتجة للقضيب؛ تم الكشف عن زيادة لتشكيل الخشونة. مثال ‎١‏ ‏لال

اج \ _ أنبوب: ‎=L/ D‏ "و ‎=D‏ .5ه ملليمتر. الزجاج الشفاف له اثنين من الصفوف المعدلة بشكل متبادل من الفتحات على مسافة 51-1 ‎Vo‏ ملليمتر 25 1 ‎oS‏ “ملليمتر من السطح الزجاجي. تم تقسيم تدفق ‎ANS‏ غاز التطهير الى قسمين من التيارات الفرعية. تم تزويد التيار الفرعي 0 الأول 1401 بالقرب من الزجاج الشفاف؛ موازي لسطح الزجاج الشفاف. لهذا الغرض» تم ترتيب الثتقوب في الجزء العلوي من الأنبوب الزجاجي الشفاف خلال نطاق زاوية 119 = 01-1 درجة عن خط الصفر (العمودي). وكانت الثقوب موازية لسطح الزجاجي والانحياز للهبوط عموديا. يتكون الصف الأول من © ثقوب كل ثقب بقطر ؟ ملليمتر. كان الثقب الأوسط على الرأس. وتم ترتيب كل اثنين من الثقوب بشكل متناظر عموديا على مسافة ‎٠١, + ٠‏ ملليمتر أو + ‎Yoo‏ ملليمتر من رأسي. الصف الثاني من الثقوب يتألف من أربعة ثقوب كل ثقب به أقطار من ؟ [ملليمتر]؛ والتي تم ترتيبها على الصف الأول من الثقوب في الفواصل الأفقية ‎JS)‏ اثنين عند + ‎5,١‏ ملليمتر و+ ‎١5,4‏ ملليمتر) بشكل متناظر رأسياً. تم إدخال الجزء الثاني من تيار غاز التطهير بشكل غير مباشر على محور الأنبوب بزاوية ‎١ =a‏ درجة (الزاوية بالنسبة إلى محور الأنبوب) في اتجاه المفاعل من خلال فتحات موازية ‎١‏ لبعضها البعض. وقد تم ترتيب صف من أربعة ثقوب في الجزء العلوي من الأنبوب الزجاجي الشفاف خلال نطاق زاوية 21 م = ‎٠880‏ درجة عن خط الصفر (الرأسي). كانت الثتقوب قطرها ¥ ملليمتر. وتم ترتيب كل اثنين من الثقوب بشكل متناظر إلى العمودي على مسافة + 9,1 ملليمتر أو + ‎١5,7‏ ملليمتر من الرأسي. وكانت فتحات خروج ‎sill‏ على مسافة 1 82 = 00 ملليمتر من السطح الزجاجي. ‎Y.‏ تم تطهير الزجاج الشفاف مع ‎(STP) ٠١‏ 113/ ساعة من ‎H2‏ من خلال الثقوب. نسبة تدفق كتلة التطهير 1/02 ‎Xp ML‏ في أي من الدفعات. لال

_ أ \ _ وصلت عملية ترسيب قطر القكضيب من ‎YOu‏ ملليمتر في جميع الدفعات ‎٠‏ لا يوجد دفعات بها نسبة مرتفعة من الخشونة. ‎Jb‏ ؟ أنبوب: ‎١, =L/D‏ و ‎Vo =D‏ ملليمتر. ‎o‏ صفوف الزجاج شفاف تعمل على تعديل الفتحات من الثقوب على مسافة 51-1 = ١ملليمتر‏ 25 1 5 - دما ملليمتر من السمطح الزجاجي. تم تقسيم تدفق كتلة غاز التطهير الى قسمين من التيارات الفرعية. تم تزويد التيار الفرعي الأول ‎MT‏ بالقرب من الزجاج الشفاف» موازية لسطح الزجاج الشفاف. لهذا الغرض» تم ترتيب الثقوب في الجزء العلوي من الأنبوب الزجاجي الشفاف ضمن ‎٠‏ نطاق زاوية 81-1 = ‎١١90‏ درجة عن خط الصفر (العمودي). وكانت الثقوب موازية لسطح الزجاجي وانحياز الهبوط عموديا. يتكون الصف الأول من 7 ثقوب كل ثقب بقطر ‏ ملليمتر. كان الثقب الأوسط على الرأس. وتم ترتيب كل اثنين من الثتقوب بشكل متناظر عمودياً على مسافة + ‎Y.,¥‏ ملليمتر + + ‎Ye,0‏ ملليمتر أو لم١‏ ملليمتر من رأسي ‎٠‏ الصف الثاني من التقوب ‎ally‏ ‏من ستة ثقوب ‎JS‏ ثقب به 7 من أقطار [ملليمتر]؛ والتي تم ترتيبها بالتعويض من الصف الأول ‎Yo‏ من التقوب . ‎As‏ ترتيب كل ¥ من الثقوب على مسافة + 5,1 ملليمتر + + ‎٠5,‏ ملليمتر و ‎7,١‏ ‏ملليمتر + بشكل متناظر على الرأس. تم إدخال الجزء الثاني من تيار غاز التطهير بشكل غير مباشر على محور الأنبوب بزاوية = © 10درجة (زاوية بالنسبة إلى محور الأنبوب) في اتجاه المفاعل من خلال فتحات موازية لبعضها البعض. وقد تم ترتيب صف من أربعة ثقوب في الجزء العلوي من الأنبوب الزجاجي ‎٠‏ الشفاف ضمن نطاق زاوية 21 8 = 15 درجة عن خط الصفر (الرأسي). كانت تقوب قطرها ؟ ملليمتر. وتم ترتيب كل اثنين من الثقوب بشكل متناظر عموديا على مسافة + 4,7 ملليمتر أو + ‎١٠١7‏ ملليمتر من الرأسي. وكانت فتحات الخروج من الثقوب على مسافة 52-1 - ‎Salle To‏ من السطح الزجاجي. لال

ل \ —

تم تطهير الزجاج الشفاف مع ‎(STP) 7٠0‏ 013/ ساعة من 12" من خلال الثقوب. تم تزويد جميع القنوات بغاز التطهير ‎(M25 MT)‏ بمسافة مشتركة والتي تم تغذيتها مركزيا. تم احتساب نسبة معدلات تدفق ‎ABS‏ التطهير من النسبة المستعرضة ‎AMT) AM2‏ التي كانت 7.

خلال عملية الترسيب؛ لم يكن هناك ترسيبات مرئية مشكلة على السطح الزجاجي في

0 طرف المفاعل في أي من الدفعات. وصلت عملية ترسيب قطر القكضيب من ‎YOu‏ إلى ‎Ye‏ ملليمتر في كل الدفعات ‎٠.‏ تتفق لف

Claims (1)

1. -م١-‏ عناصر الحماية

   ‎.١‏ عملية لإنتاج السليكون متعدد البللورات ‎polycrystalline silicon‏ ؛ تشمل إدخال غاز التفاعل والذي يشتمل على عنصر يحتوي على السيليكون ‎silicon‏ والهيدروجين ‎hydrogen‏ في مفاعل يحتوي على قضيب شعيري مسخن واحد على الأقل والذي يترسب عليه السيليكون متعدد البللورات؛ يشمل المفاعل المذكور أنبوب زجاجي شفاف واحد على الأقل مثبت في فتحة في جدار © المفاعل بواسطة طرف مفاعل جانبي به سطح زجاجي في الطرف الآخرء؛ مع تزويد غاز التطهير من خلال ثقوب تكون مرتبة في صفوف في الأنبوب الزجاجي الشفاف أثناء الترسيب؛ حيث أن تيار غاز تطهير واحد ‎MI‏ يعمل في فصل محوري ‎STN‏ من السطح الزجاجي للزجاج الشفاف وموازي جوهرياً للسطح الزجاجي؛ حيث تكون نسبة 0/510 بين قطر الأنبوب ‎D‏ والفصل المحوري 51-19 لصف من الثقوب من السطح الزجاجي أكبر من ‎١‏ وأقل من ‎fv‏ يشتمل صف Sle ‏الثقوب على ثقوب تعمل أساسا على السطح الزجاجي؛ وحيث؛ متباعد جزئياً عن تيار‎ ٠ ‏تيار غاز التطهير واحد‎ Loads ‏التطهير 1/41 في اتجاه طرف مفاعل جانبي من الزجاج الشفاف؛‎ ‏جانبي من‎ Jolie ‏يعمل في زاوية وبالقرب من السطح الزجاجي في اتجاه طرف‎ M2 ‏على الأقل‎ ‏الزجاج الشفاف.‎ ‎٠‏ . العملية كما ذكر في العنصر ١؛‏ حيث يتم تحديد غاز التطهير من المجموعة التي تتكون من الغازات النبيلة؛ النيتروجين ‎nitrogen‏ كلورو سيلان 001010518085 من النموذج 5110010-4؛ ‎=n‏ 4-0 بالتزامن مع الغاز الخالي من الكلورو سيلان؛ الهيدروجين ‎«hydrogen‏ حمض الهيدروكلوريك ‎HCI‏ ومخاليط من الغازات المذكورة. ‎٠‏ ©. العملية كما ذكر في أي من العناصر ‎١‏ إلى ‎oF‏ حيث نسبة كتلة التطهير معدلات التدفق ‎MT 2‏ تكون أكثر من ١/؟‏ وأقل من ‎.٠١‏

   ‏؛. العملية كما ذكر في أي من العناصر ‎١‏ إلى ‎oF‏ حيث يتم توفير تيار غاز التطهير 1/02 من خلال واحد أو أكثر من الثقوب التي بها محاور هندسية والتي تشكل » نطاق زاوية من ‎٠١‏ درجة ‏5 إلى 80 درجة مع المحور الهندسي للأنبوب الزجاجي الشفاف. ‏م

   “va ‏إلى 4؛ حيث يتم إدخال اثنين من تيارات غاز‎ ١ ‏العملية كما ذكر في أي من العناصر‎ Lo ‏التطهير خلال واحد أو أكثر من الصفوف المتبادلة بشكل متبادل من الثقوب؛ يتألف كل منها من‎ ‏العديد من الثقوب» في الزجاج الشفاف.‎ lo}

   7. العملية كما ذكر في أي من العناصر ‎١‏ إلى 0 حيث نسبة ا_0/52 بين قطر الأنبوب ‎D‏ ‏والفواصل المحورية الأقصى ‎82K‏ من صف من الثقوب؛ تشمل الثقوب التي تعمل بالتوازي في الزاوية المتعلقة بالسطح الزجاجي في اتجاه طرف ‎Jolie‏ الزجاج الشفاف؛ من السطح الزجاجي يكون أكبر من ‎٠,4‏ وأقل من 460 . Ya ‏؛ يتضمن‎ polycrystalline silicon ‏مفاعل لإنتاج سليكون عديد البلورات‎ WY ‏على الأقل واحد من الزجاج الأنبوبي الأنبوبي مثبت في فتحة في جدار المفاعل من طرف مفاعل‎ ‏جانبي ولها سطح زجاجي في الطرف الآخرء‎ ‏تكون الثقوب مرتبة في صفوف في الأنبوب الزجاجي الشفاف لتزويد غاز تطهير؛‎ ob ‏تتميز‎ ٠ ‏تعمل في فصل محوري 51-1 من السطح‎ MT ‏الثتقوب تكون مزودة لتزويد تيار من غاز تطهير‎ ‏الزجاجي من الزجاج الشفاف وموازية للسطح الزجاجي؛‎ ‏حيث تكون النسبة 51-0 / 0 بين قطر أنبوب 0 والفصل المحوري 51-1 لصف من الثقوب‎ ‏يشتمل صف الثقوب على الثقوب المذكورة‎ of ‏وأقل من‎ ١ ‏من السطح الزجاجي أكبر من‎ ‎٠١‏ الموازية للسطح الزجاجي؛ و حيث يتم توفير المزيد من الثقوب الأخرى على الأقل لتطهير الغاز ‎M2‏ وتكون الثقوب الأخرى المذكورة متباعدة جزئياً عن الثقوب التي تعمل بالتوازي مع سطح الزجاج في اتجاه طرف المفاعل الجانبي من الزجاج الرملي؛ وتعمل هند زاوية قريبة إلى السطح الزجاجي في اتجاه طرف المفاعل الجانبي من الزجاج الشفاف. ‎Yo ‎oovVYy

   -Y «= ‎A‏ مفاعل كما ذكر في العنصر ‎oY‏ حيث تكون نسبة ‎L/D‏ من طول الأنبوب ا إلى قطر الأنبوب ‏9 هي 0,0 اع

   ‏4. مفاعل كما ذكر في العنصر 7 أو ‎cA‏ حيث يتم ترتيب التقوب في صف من الثقوب في نطاق ‏© زاوية ‎Bln‏ 82-0 من ‎٠‏ 4 درجة - ‎VAY‏ درجة المرتبطة بمنطقة مقطع عرضي داخلي من ‏الزجاج الشفاف. ‎LY‏ المفاعل كما ذكر في أي من عناصر الحماية ‎١7‏ إلى 9؛ حيث نسبة ا_0/52 بين قطر ‏الأنبوب لا وفصل محوري أقصى ا_52 لصف من الثقوب من السطح الزجاجي أكبر من ‎٠,4‏ ‎٠‏ وأقل من ‎cf‏ حيث يتضمن صف من الثقوب على ثقوب والتي تعمل بالتوازي مع زاوية مرتبطة ‏بالسطح الزجاجي في اتجاه طرف المفاعل الجانبي من الزجاج الشفاف.

   ‎.١١‏ مفاعل كما ذكر في أي من عناصر الحماية ‎١‏ إلى ‎١٠١‏ حيث منطقة المقطع العرضي ‏للأنبوب ‎AT‏ على أساس إجمالي منطقة المقطع العرضي ‎AM2‏ من جميع الثقوب المقدمة لتزويد ‎١‏ تيار تطهير غاز 2/ا أكبر من © وأقل من 00 5. ‏لال

   ااا ال جما ؟. 3 م 0 ب _ ‎oo Nk‏ . م .ا ب من 1 3 مني 5 ‎Fr.‏ ‎A 5 aad‏ اين 8 : ‎a‏ 3 0 8 -_ 1 م :8 م :| ل اب : 3 :0 يد /' ‎Po‏ 3 3 ‎re‏ ]4 : ‎B ail‏ 3 ‎i 3 wr‏ ‎B Go‏ [ ‎a‏ : # ‎oo‏ 4 3 ‎oy‏ ]4 3 ‎PE‏ & 3 من 1 ‎f‏ ‏لال

   0 2 1 1 ‏ب‎ A ; { ora : A oo ¥ | ‏شه‎ ‏ل‎ re 1 a fa) 0 2 ‏لذ‎ |ّ 8 3 i A PL YL 1 ' ES ‏د اذ‎ # # # ‏ما‎ ‎1 ٠ ‏الها راي‎ | ْ ّ ‏م‎ lest aad | = ‏ليها ام‎ J ‏اتا‎ ْ J Au ‏لقا‎ SS ‏اس سد ا ل‎ le. |] 3 H & I NER. oovy

   اس ‎i‏ تس ‎ig Ye‏ ب ‎T KE :‏ 00 ال ‎A,‏ ا ‎PE‏ ‏5 1 3 ‎B 4‏ 5 ‎KS‏ 3 3 ‎El i 0‏ ‎bod‏ ٍ و ا 1 ‎id‏ ‏0 ا لخدي لي م ‎i 1 | - | %‏ | ْ و \ د ‎JE EE +7 ١0‏ ; 1 1 الا ‎F Fon 5 ECS i‏ ‎STN TN \‏ ‎CE] ¥ i % :‏ ¥ ,“ £ ‎Yo \ \‏ ييم ‎J‏ / ‎ha i ) a a >#* 1‏ § 1: يني ‎Foe‏ الي 1 ‎i :‏ المي ارك 1 ‎eT Enis‏ ا د الا ‎i Be‏ ‎J 1‏ 3 § § اه § 0 0 ‎i 1 ! :‏ ‎j‏ 1 3 : ‎A 1 N :‏ 1 1 ‎J‏ ف 1 \ 4 : بل : ‎acd yr.‏ يبد حمطا م 0 ‎i‏ 3 1 1 ب لال

   مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏