SA515370060B1 - مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات وطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل - Google Patents

مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات وطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل Download PDF

Info

Publication number
SA515370060B1
SA515370060B1 SA515370060A SA515370060A SA515370060B1 SA 515370060 B1 SA515370060 B1 SA 515370060B1 SA 515370060 A SA515370060 A SA 515370060A SA 515370060 A SA515370060 A SA 515370060A SA 515370060 B1 SA515370060 B1 SA 515370060B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
reactor
gas
silicon
particles
mentioned
Prior art date
Application number
SA515370060A
Other languages
English (en)
Inventor
ديرك ويكيسر د.
Original Assignee
ووكـــر شــيمي ايه جي
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ووكـــر شــيمي ايه جي filed Critical ووكـــر شــيمي ايه جي
Publication of SA515370060B1 publication Critical patent/SA515370060B1/ar

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D45/00—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces
    • B01D45/12—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by centrifugal forces
    • B01D45/16—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by centrifugal forces generated by the winding course of the gas stream, the centrifugal forces being generated solely or partly by mechanical means, e.g. fixed swirl vanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D50/00—Combinations of methods or devices for separating particles from gases or vapours
    • B01D50/20—Combinations of devices covered by groups B01D45/00 and B01D46/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/08—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for polishing surfaces, e.g. smoothing a surface by making use of liquid-borne abrasives
    • B24C1/086—Descaling; Removing coating films
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C11/00—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Abstract

ييتعلق موضوع الإختراع بطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمفاعل، و يتم فيه إنتاج سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon، ويتميز بإزالة الطبقة ميكانيكياً عن طريق جسيمات محتوية على سيليكون، ومفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات polycrystalline silicon، يشتمل على جهاز تزويد جسيمات محتوية على السليكون، مناسبة لتزويد غاز منبعث للمفاعل وجسيمات محتوية على السليكون إلى مبادل حراري الغاز المنبعث off-gas heat exchanger. شكل 1. شكل 1.

Description

— \ — ‎Je lia‏ لإنتاج سيليكون عد يد البلورات وطريقة ‎ANY‏ طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل ‎Reactor for producing polycrystalline silicon and method for removing a‏ ‎silicon—containing layer on a component of such a reactor‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع الحالي بمفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات ‎polycrystalline silicon‏ وأيضاً بطريقة لإزالة راسب محتوي على سيليكون ‎silicon—containing deposit‏ على مكون لمثل ذلك المفاعل. © يعمل السيليكون عديد البلورات ( للاختصار بولي سيليكون ‎(polysilicon‏ بمثابة ‎sake‏ بادئة لإنتاج
سيليكون أحادي البلورات ‎monocrystalline silicon‏ لأشباه الموصلات عن طريق عملية ال (2) ‎Czochralski‏ أو انصهار منطقة ‎(FZ)‏ وأيضاً لإنتا ج سيليكون أحادي البلوورات ‎monocrystalline silicon‏ أو عديد البلورات ‎multicrystalline silicon‏ بواسطة طرق سحب وصب متنوعة لإنتاج ‎LIA‏ شمسية للكهروضوئيات ‎.solar cells for photovoltaics‏
> يتم بصفة عامة إنتاج السيليكون عديد البلورات بواسطة عملية سيمنز ‎.Siemens process‏ في هذه العملية؛. في مفاعل على شكل ناقوس (مفاعل سيمنز")؛ يتم تسخين ركائز ‎Siemens‏ ‎reactor‏ قضبان خيطية ‎filament rods‏ رقيقة ‎Sale‏ (قضبان رفيعة) من سيليكون ‎«silicon‏ ‏بواسطة ‎jee‏ مباشر من تيار ويتم إدخال غاز تفاعل 985 ‎reaction‏ يحتوي على هيدروجين ‎hydrogen‏ وواحد أو أكثر من مكونات محتوية على سيليكون.
trichlorosilane ‏ثالث كلورو سيلان‎ (lie ‏يتم استخدام مكون محتوي على‎ dale Vo ‏مع ثاني‎ Mixture of trichlorosilane ‏أو خليط من ثالث كلورو سيلان‎ ( TCS (SiHCI3) ‏و/أو مع رابع كلورو سيلان‎ ( DCS (SiH2CI2) dichlorosilane ‏كلورو سيلان‎ oy VY
— اذ
‎STC (SiCl4)tetrachlorosilane‏ ). _من المعروف أيضاً استخدام أحادي سيلان(5:114).
‎monosilane
‏يتم عادة غمر القضبان الرقيقة رأسياً في أقطاب كهربائية ‎electrodes‏ موضوعة على قاعدة
‎(Jolie‏ تعمل هذه الأقطاب الكهربائية على توصيل إمداد القدرة الكهربائية. في كل ‎Alla‏ يتم
‏© توصيل اثنان من القضبان الرقيقة بواسطة قنطرة أفقية (مصنوعة من السيليكون أيضاً) وتشيكل
‏ركيزة لترسيب السيليكون. بسبب توصيل القنطرة؛ تصبح ‎Sle‏ الركائز على شكل حرف لا.
‏يتم ترسيب البولي سيليكون ‎polysilicon‏ عالى النقاوة على القضبان الرقيقة والقنطرة الأفقية
‏المسخنة؛ نتيجة لذلك ينمو القطر مع الوقت.
‏حبيبات سيليكون عديد البلورات؛ أو باختصار حبيبات بولي سيليكون؛ بديلة عن بولي سيليكون ‎Vo‏ منتج في عملية سيمنز. حيث أن البولي سيليكون في عملية سيمنز يتم إنتاجه في شكل قضبان
‏سيليكون اسطوانية ‎ceylindrical silicon rod‏ والتي؛ قبل معاملة أخرى لهاء ينبغي تفتيتها بطريقة
‏تتطلب الكثير من الوقت ومكلفة لتكوين؛ ما هو مصطلح عليه؛ عديد شرائح وقد يتطلب الأمر
‏تنقيتها مرة ‎(al‏ تمتلك حبيبات بولي سيليكون خصائص الإنتاج بالجملة كما يمكن استخدامها
‏مباشرة بمثابة مادة ‎ld‏ على سبيل المثال لإنشاء أحادي بلورات لصناعات الكهروضوئيات ‎photovoltaics ١٠‏ والإلكترونيات ‎.electronics‏
‏يتم إنتاج حبيبات البولي سيليكون في مفاعل طبقة مميعة ‎reactor‏ 111101280-560؛ يتم ذلك
‏بواسطة تمييع جسيمات السيليكون ‎fluidization of silicon particles‏ عن طريق تدفق غاز في
‏طبقة مميعة ‎(fluidized bed‏ حيث يتم تسخين الطبقة المميعة المذكورة إلى درجات حرارة مرتفعة
‏بواسطة جهاز تسخين. عن طريق إضافة غاز تفاعل ‎reaction gas‏ محتوي على سيليكون؛ ‎A)‏ يتواصل تفاعل تحلل حراري على سطح الجسيم ‎CAL‏ . في هذه العملية يتم ترسيب سيليكون
‏عنصري على جسيمات السيليكون ‎silicon particles‏ وتنمو الجسيمات المنفردة في القطر. عن
‏طريق سحب منظم للجسيمات التي قد نمت واضافة جسيمات سيليكون ‎silicon particles‏ أصغر
‏بمثابة جسيمات بذرية (بذور ‎(seed‏ 3 فيمكن عمل الطريقة على نحو متواصل مع جميع المميزات
‎oy VY
— ¢ — المرتبطة ‎le‏ من ثم فإن عمليات الترسيب تلك والأجهزة معروفة؛ على سبيل المثال؛ من البراءة الأمريكية 67705 5987م . قد تبين أن في هذه العمليات؛ يحدث ترسيب سيليكون على أجزاء المفاعل الساخنة؛ على سبيل ‎(JE)‏ جدار المفاعل؛ أجزاء وفواني داخلية. يتعلق هذا ‎Yi‏ بالسيليكون المترسب على ‎shal‏ ‏0 المفاعل. ‎(li‏ يتعلق هذا بأتربة السيليكون ‎silicon dust‏ التي تنمو على أجزاء مفاعل ساخنة. تكشف البراءة الأمريكية 5 ‎817000٠085‏ عن طريقة لتجنب ترسيب السيليكون على فواني غاز متفاعل بواسطة إضافة متواصلة؛ غير متواصلة أو متحكم فيها حمض هيدروكلوريك ‎(HCI)‏ + غاز خامل ‎(Ar » Heo N2 (H2)‏ أو غاز خامل ‎inert gas‏ هيدروجين (12). تكشف البراءة الأمريكية ‎817007008175٠‏ عن طريقة التي يتواصل بها فصل أو ‎A)‏ جزئية ‎٠‏ لراسب الجدار ‎wall deposit‏ بواسطة تخريش عند درجة حرارة تشغيل أو بالقرب من درجة حرارة التشغيل لمفاعل الطبقة المميعة ‎the fluidized -bed reactor‏ باستخدام مُخْرّش غازي يحتوي على هالوجين ‎Jie <halogen—containing gaseous‏ كلوريد هيدروجين ‎hydrogen‏ ‎«chloride‏ غاز كلور ‎«chlorine gas‏ أو رابع كلوريد سيليكون ‎silicon tetrachloride‏ مع ذلك؛ يرتبط مثل ذلك الإجراء للعملية بتكاليف تشغيلية زائدة. ‎VO‏ تذكر عناصر حماية البراءة الأمريكية 8297497749496 طريقة التي؛ في مفاعل ذو سطح ‎(Als‏ ‏يتم بها ترسيب غاز تفاعل محتوي على مركب سيليكون غازي ‎gaseous silicon‏ عند درجة حرارة تفاعل من ‎٠١‏ إلى ‎٠١٠١‏ درجة مثوية بمثابة معدن سيليكون على جسيمات سيليكون والتي يتم إسالتها في طبقة مميعة عن طريق غاز تمييع ويتم تسخينها إلى درجة حرارة التفاعل» ويتم إزالة الجسيمات المزودة بالسيليكون الراسب وغاز التفاعل غير المتفاعل أيضاً والغاز المميع من ‎Yo‏ المفاعل ؛» وتتصف بأند يُوجد على سطح المفاعل» تركيبة غاز تحتوي على 49,0 إلى 0 ‎%J se‏ هيدروجين 5 0,+ إلى © ‎%d se‏ من مركب سيليكون غازي ‎(gaseous silicon‏ ولسطح المفاعل درجة حرارة رلا إلى ‎١‏ درجة ‎YEP‏ وتتطابق درجة الحرارة هذه مع ‎EQN‏ حرارة جسيمات السيليكون أو أكبر من درجة حرارة جسيمات السيليكون. ‎oy VY‏
_ Qo _
عن طريق توليفة من درجة حرارة سطح ‎Jolie‏ مرتفعة مع تركيبة غاز تحتوي على 15,5 إلى 10 مول75 هيدروجين و5١‏ إلى © ‎ds‏ من مركب السيليكون الغازي؛ قد يتم إقامة توازن على سطح المفاعل 3 الذي لم يعد يحدث فيه ترسيب للسيليكون على سطح المفاعل واقعياً ولذلك؛ من
الممكن إجراء عملية متواصلة. © تكشف البراءة الأمريكية 81700874497491 عن كيفية سير ‎Jeli‏ عن طريق أختيار مناسب لمتغيرات العملية لسرعة الغاز المتوسطة في اثنين من المناطق المميعة من الطبقة المميعة؛ سرعات الغاز المحلية للغازات أو مخاليط الغازات عند الخروج من أنظمة الفواني» ضغط ودرجة حرارة الطبقة المميعة» وضع الفواني بالنسبة لبعضها البعض وبالنسبة إلى الجدار المحتوي على الطبقة المميعة وزمن بقاء الغازات في المناطق المميعة للطبقة المميعة؛ ولذلك يمكن إحداث هيئة
‎٠‏ تركيزء تضمن تلك الهيئة أنه يتم تفاعل غاز التفاعل بعيداً واقعياً إلى معدل تحويل توازن قبل وصولة إما إلى الجدار المحتوي على الطبقة المميعة أو إلى سطح الطبقة المميعة. نتيجة لذلك؛ يتم تخفيض راسب الجدار على الجدار المحتوي على الطبقة السائلة إلى قدر ضئيل للغاية؛ والذي يسمح بالتسخين غير المطمور للطبقة المميعة في المنطقة من منطقة التفاعل طوال فترة زمنية طويلة.
‏لذلك؛ يبدو أن ترسيب السيليكون على جدار المفاعل يمكن تقليله عن طريق إجراء عملية مناسبة. مع ‎cell)‏ هذا لا يسري على رواسب على أجزاء داخلية أخرى في المفاعل أو في الجوار للمفاعل مثل أنابيب سحب منتج أو أنابيب غاز منبعث. بالتحديد ؛» يسري ذلك؛ عندما يتكون الراسب من أتربة سيليكون؛ التي يتم تفريغها من الطبقة المميعة. هنا ‎Lag‏ في التقنية السابقة؛ يُنصح بإزالة راسب الجدار عن طريق التخريش.
‎٠٠‏ تكشف البراءة ‎١‏ لأمريكية 7 عن صكطريقة لتخريش راسب سيليكون على أنبوب سحب منتج؛ حيث يتم إيقاف المفاعل؛ ويتم تسخين راسب السيليكون ومن ثم تخريشه باستخدام حمض معدني مثل ‎HCI‏ ‏من تاحية المبدأ فإن ضرورة إيقاف المفاعل تجعل هذه الطريقة معقدة وغير اقتصادية. بالإضافة إلى ذلك؛ تتزايد تكاليف وسائط التشغيل.
‏وال
— أ — هناك مشكلة معينة هي حقيقة أنه خلال تشغيل طويل نسبياً لمفاعل بطبقة مميعة؛ نظراً لتكوين الراسب يتم تدهور انتقال الحرارة في مبادل حراري الغازات المنبعثة. لم يعد يمكن للغاز المنبعث أن يتم تبريده ‎La‏ فيه الكفاية. في مفاعلات سيمنز ‎CVD‏ وأنابيب الغاز ‎(Liebig)‏ المنبعث ‎(ie‏ ‏يتم مواجهة هؤلاء المتمرسين في المجال التقني بالمشاكل المماثلة. © الوصف العام للاختراع أنتجت المشاكل الموصوفة هدف الاختراع. يتم تحقيق العدف بواسطة طريقة لإزالة راسب يحتوي على سيليكون على مكون من مفاعل الذي يتم فيه إنتا ج سيليكون عديد البلورات ‎«polycrystalline silicon‏ والتي تشتمل على إزالة ‎abl‏ ‏ميكانيكياً عن طريق جسيمات محتوية على سيليكون.
X50.3 > ‏ميكرومتر‎ ١ ‏على نحو مفضل؛ للجسيمات المحتوية على سيليكون مقاس جسيم وسيط‎ ٠ ‏ميكرومترء على‎ ٠١< X50.3 < ‏ميكرومتر‎ Vo ‏ميكرومتر؛ على نحو مفضل خاص‎ £002 ‏نحو مفضل؛ إنها جسيمات بحواف حادة. لقد تبين أن إزالة راسب الجدار يتقدم على نحو معين‎ ‏وفعال بذلك.‎ ‏في‎ "Federation Europeenne de la 10801601601" ‏يعطي التوحيد القياسي الدولي لذ‎ ‎(FEM 2581 Vo‏ لمحة عامة التي ينبغي أن يكون تحتها منتج بالجملة. في المعيار 2582 ‎FEM‏ ؛ يتم تحديد خصائص منتج بالجملة عامة وخاصة فيما يتعلق بالتصنيف. الخصائص التي تصف الاتساق وحالة المنتج هي؛ على سبيل المثال؛ شكل الحبة وتوزيع مقاس الحبة / 2.581 ‎FEM‏ ‎(FEM 2.582‏ خصائص عامة لمنتجات بالجملة بخصوص تصنيفها وترميزها). أيضاً؛ وفقاً للتوحيد القياسي 3435 ‎(DIN ISO‏ يمكن تقسيم فرعي لمنتجات بالجملة إلى 6 أشكال ‎Yo‏ حبيبات مختلفة بالاعتماد على الخواص لحواف الحبيبة: ‎١‏ حواف حادة لها أمدية متساوية تقريباً في أبعاد ثلاثة (مثال: مكعبات) " حواف ‎Gola‏ التي ‎Led‏ بينها يوجد أحداها أطول من الاثنين الآخرين بشكل ملحوظ (مثال: منشور؛ ‎(aad‏ ‏ا
‎١ _‏ ¥ حواف ‎Gala‏ التي ‎Led‏ بينها يوجد إحداها أصغر من الآخرين (مثال: لوح؛ قشور). ؟ حواف مستديرة لها أمدية متساوية تقريباً في أبعاد ثلاثة (مثال: كره) 2 ليفية؛ خيطية؛ متجعدة؛ متشابكة. وفقاً لهذا التوصيف للمنتجات بالجملة فإن الجسيمات المحتوية على سيليكون ‎silicon—‏ ‎containing particles ©‏ لإزالة راسب الجدار هي على نحو مفضل جسيمات بأشكال حبيبة ل ١؛‏ "و . الجسيم على نحو مفضل له كروية أقل من ‎٠,5‏ . على نحو مفضل ومحدد ؛ للجسيمات كروية أقل من ‎ot, A‏ يتم تحديد الكروية عن طريق تحليل صورة وفقاً للمعيار 13322-2 150/015. ‎٠‏ “يتم تحديد الكروية كما يلي: .4 ‎Jedi‏ مساحة البروز ‎A‏ والمحيط البارز لا. صفة أخرى لزوايا الجسيمات هي؛ ما يتم الاصطلاح عليه؛ ‎dap‏ الخشونة وفقاً ل ‎Janke‏ ‎Siegfried Janke, Untersuchung der Zusammendriickbarkeit und )‏ ‎Scherfestigkeit von Sanden und Kiesen sowie der sie bestimmenden ٠‏ 6 - بحث في قابلية الانضغاط وقوة القص للرمال والحصى وفي التأثيرات المنظمة لهاء ‎Karlsruhe: Federal Waterways Engineering and Research Institute, 1969,‏ ‎.(Mitteilungsblatt der Bundesanstalt fur Wasserbau, 28‏ الجسيمات؛ وفقاً لهذه التعريفات؛ على نحو مفضل؛ درجة خشونة أكبر من ‎.٠,1‏ ‎A)‏ على نحو مفضل»ء يتم خلط غاز التخريش لإزالة الراسب . كغاز تخريش؛ على سبيل المثال» ‎HCI‏ مناسب.
‎A —‏ — يتم على نحو مفضل إزالة الراسب في الموقع. لذلك المفاعل يعمل على نحو مفضل ولا يتم إيقافه لإزالة الراسب. على نحو مفضل؛ المبادل الحراري لمفاعل هو خالي من الراسب. يتم استخدام ذلك في ‎OS‏ من مفاعلات بطبقة مميعة وفي مفاعلات سيمنز ‎CVD‏ ‏0 على نحو مفضل مبادل حراري الغاز المنبعث ‎off-gas heat exchanger‏ هو أنبوب ‎.Liebig‏
‏في هذه ‎Alla)‏ هذا أنبوب مفتوح من كلا الطرفين والذي يتم إحاطته بأنبوب أكبر. يتدفق ‎slo‏ ‏التبريد بين الأنبوبين الداخلي والخارجي ويتدفق الغاز المنبعث في الأنبوب الداخلي. ومن المفضل بالتساوي استخدام أنبوب ‎candy‏ لوح؛ حزمة أنابيب؛ مبادل حراري طبقي أو حلزوني أو بطارية تبريد.
‎٠‏ على نحو مفضل المفاعل هو مفاعل ‎OVD‏ لترسيب سيليكون عديد البلورات على قضبان خيطية ‎filament rods‏ على نحو مفضل؛ المفاعل هو مفاعل طبقة مميعة ‎fluidized—bed reactor‏ لإنتاج حبيبات سيليكون عديدة البلورات عن طريق ترسيب سيليكون عديد البلورات على جسيمات بذرية سيليكونية مضافة إلى المفاعل.
‎١‏ في حالة مفاعل طبقة مميعة لإنتاج حبيبات؛ يتم على نحو مفضل ‎dla)‏ الجسيمات المحتوية على سيليكون إلى الجسيمات البذرية ‎the seed particles‏ (بذور) وفي هذه الحالة يتم تلقيمها بشكل متواصل إلى المفاعل. القطر الوسيط للجسيمات البذرية يساوي على نحو مفضل ‎50٠0‏ ميكرومتر. بالمثل؛ يمكن تلقيم الجسيمات المحتوية على سيليكون إلى المفاعل بشكل منفصل في الموقع.
‎Yo‏ على نحو مفضل؛ يتم تلقيم الجسيمات المحتوية على سيليكون بشكل منفصل إلى المفاعل في الموقع؛ حيث أنهاء بعد التبريد؛ يتم فصلها دورياً أو بشكل متواصل عن الغاز المنبعث بواسطة
‎oy VY
_ q —_
فرازة دوامية ‎cyclone‏ أو مرشح سطحي ‎surface filter‏ ومن ثم يتم إعادتها إلى مبادل حراري
الغاز المنبعث مباشرةً بعد دخول الغاز المنبعث المترب للمفاعل.
الجسيمات المحتوية على سيليكون في أبسط الأحوال هي جسيمات سيليكون نقية.
يمكن توفير جسيمات سيليكون لها مقاسات الجسيم المطلوب بواسطة طحن سيليكون مرتفع ‎Syl‏
على سبيل ‎JE‏ ¢ حبيبات سيليكون عديدة البلورات 3 وغربلة لاحقة.
مع ذلك؛ يُفضل أيضاً استخدام جسيمات ‎SIC‏
استخدام جسيمات ال 5102 هي فقط كما هي مفضلة. في هذه الحالة؛ يمكن أن تكون جسيمات
من احتراق رابع كلوريد سيليكون لتكوين سيليكا مشتتة بشكل كبير.
على نحو مفضل»ء يتم تشغيل مبادل حراري الغاز المنبعث ‎Jamia gs‏ تيار متحد الاتجاه؛ معاكس ‎٠‏ ا للاتجاه أو تدفق متصالب.
في هذه ‎lal)‏ تلعب المتغيرات دوراً حاسماً من حيث مقاس الجسيم؛ ‎dope‏ وشكل الجسيم
للجسيمات المنظفة والتحميل لتيار الغاز المنبعث مع جسيمات منظفة.
عن طريق إضافة تيار كتلة محدد لجسيمات لها مقاس جسيم وشكل جسيم محدد؛ بسرعة غاز
محددة؛ يتم على نحو مدهش كبح تكوين راسب الجدار وبالتالي أصبح أثر التبريد والتشغيل ‎١٠‏ الصحيح لمفاعل الطبقة المميعة ممكناً للمرة الأولى.
يقع معدل تيار الكتلة البذرية الوسيطة بين ‎v0‏ و5١‏ كجم/ساعة. يتراوح الجزءٍ الدقيق من
الجسيمات بحواف حادة؛ كاشطة في تيار ‎ABS‏ البذور بين ‎١‏ و٠967‏ بالوزن. وتتراوح سرعة الغاز
السطحية في رأس التمدد لمفاعل الطبقة المميعة بين ‎Auf fie ٠١و 00٠‏ على نحو مفضل بين
‎١‏ و١‏ متر/ثانية. في أنبوب ‎cLiebig‏ تصعد سرعة الغاز بين ‎٠١‏ و١٠٠٠‏ متر/ثانية. ‎٠‏ تتمثل المميزات الكبيرة للطريقة وفقاً للاختراع الحالي في أن الإزالة لراسب الجدار تتقدم بشكل
‏متواصل أثناء عملية الترسيب.
‏في أنبوب 116510 تضمن إزالة الراسب أن يتواصل تبريد الغاز المنبعث بما فيه الكفاية.
‎CARA
‎-١ «=‏ تتواصل الإزالة للراسب بدون تلوث عن طريق مواد إضافية. يمكن تبريد الغاز المنبعث لترشيح الغاز المنبعث لاحقاً. لا يلزم ترشيح ساخن معقد فنياً ومكلف. لا يتطلب الأمر تدابير بنائية أخرى عندما يتم تلقيم تيار ‎ABS‏ البذور عن طريق قناة مقياس البذور ويتم تفريغه من العملية مع أتربة الغاز المتبعث بواسطة الترشيح البارد التقليدي. © يتعلق الاختراع أيضاً بمفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات؛ المشتمل على وعاء المفاعل (١)؛‏
‏العديد من ‎HIS)‏ سيليكون بداخل وعاء المفاعل ‎)١(‏ مناسبة لترسيب سيليكون عديد بلورات عليهاء واحد أو أكثر من فواني ‎(Ye V9)‏ للقيام بتلقيم غاز تفاعل إلى وعاء المفاعل (١)؛‏ أداة لإزالة غاز منبعث المفاعل )1( من وعاء المفاعل (١)؛‏ مبادل حراري ‎jlo‏ منبعث ‎off-gas heat‏ ‎(V+) exchanger‏ لتبريد غاز منبعث المفاعل الذي يتم إزالته وأيضاً أداة تلقيم )17( لجسيمات
‎Yo‏ محتوية على سيليكون مناسبة لتلقيم غاز منبعث المفاعل وجسيمات محتوية على سيليكون إلى مبادل حراري الغاز المنبعث ‎.)٠١(‏ ‏على نحو مفضلء المفاعل هو ‎CVD Jolie‏ لإنتاج سيليكون عديد البلورات في شكل قضبان ‎SSH‏ هي قضبان خيطية من السيليكون» حيث يتوافر إمداد قدرة كهربائية للقضبان الخيطية؛ مناسبة لتسخين القضبان الخيطية عن طريق المرور المباشر للتيار الكهربائي.
‎١‏ إنه لمن المفضل بالتحديد عندما يكون المفاعل مفاعل طبقة مميعة لإنتاج بولي سيليكون حبيبي ‎granular polysilicon‏ والركائز هي جسيمات بذور سيليكون؛ والذي يشتمل على أنبوب مفاعل داخلي (7) لطبقة مميعة محتوية على بولي سيليكون ‎ana‏ وقاعدة ‎Jolie‏ بداخل وعاء المفاعل ‎»)١(‏ جهاز تسخين )0( لتسخين الطبقة المميعة في أنبوب المفاعل الداخلي (7)؛ فونية غاز سفلية واحدة على الأقل ‎(V4)‏ لتلقيم غاز تميع؛ وفونية غاز تفاعل واحدة على الأقل ‎)٠١(‏ لتلقيم غاز
‎٠‏ تفاعل ‎SEE‏ تلقيم ) ‎AR‏ ( لتلقيم جسيمات بذور سيليكون» ومجرى سحب ) ‎١‏ ( لبولي سيليكون على نحو مفضل؛ يشتمل مفاعل الطبقة المميعة إضافياً على مرشح ‎)7١(‏ متصل مع التيار بمبادل حراري الغاز المنبعث ) ‎Yo‏ ( ومناسب للقيام يبفصل الجسيمات عن الغاز .
‎oy VY
— \ \ — على نحو مفضل؛ يشتمل ‎Jolie‏ الطبقة المميعة إضافياً على فرازة دوامية (© 7) متصلة مع التيار بمبادل حراري الغاز المنبعث ‎)٠١(‏ للفصل المتواصل للجسيمات عن غاز منبعث المفاعل والذي يتم توصيلة بأدة تلقيم ‎(V1)‏ لجسيمات محتوية على سيليكون. على نحو مفضل؛ يشتمل مفاعل الطبقة المميعة إضافياً على مرشح ‎(YT)‏ متصل مع التيار بالفرازة الدوامية ‎(V4)‏ لفصل أتربة ‎Sle‏ © منبعث المفاعل بعيداً ‎(TY)‏
Je في طريقة لترسيب حبيبات بولي سيليكون بمعدل ترسيب ‎٠١‏ كجم/ساعة؛ كان معدل المتوسط لقياس البذور ‎١,*‏ كجم/ساعة. وجدت جسيمات سيليكون ‎silicon particles‏ بحواف حادة بنسبة *50.3 ‏بالوزن في تيار كتلة البذور. كان لهذه الجسيمات الكاشطة مقاس جسيم وسيط من‎ % A ‏ثم تفريغ الجسيمات حادة الحواف من‎ Ve ‏ودرجةٌ خشونة‎ 52 Lys ‏ميكرومترء؛‎ YYO = Ye المفاعل مع تيار غاز منبعث؛ بسبب سرعة الغاز السطحية في رأس التمدد لمفاعل الطبقة المميعة بمقدار ‎١,4‏ متر/ثانية؛ وتم إزالة متواصلة لراسب محتوي على سيليكون ‎silicon—containing‏ ‎deposit‏ في مبادل حراري الغاز المنبعث. كانت سرعة الغاز في أنبوب ‎٠١ Liebig‏ متر/ثانية. ‏قام مبادل حراري الغاز المنبعث بتبريد الغاز المنبعث من 700 درجة مثوية إلى ‎٠٠١‏ درجة ‎Vo‏ مثوية. ‏يتم شرح الجهاز المستخدم لتنفيذ الطريقة ‎Led‏ يلي بالإشارة إلى الشكلين ‎١‏ و7. ‏شرح مختصر للرسومات ‏شكل ‎١‏ يبين تجسيم مفضل تخطيطياً لمفاعل الطبقة المميعة المستخدم في إطار الاختراع. ‏شكل ¥ يبين تجسيم مفضل آخر تخطيطياً لمفاعل الطبقة المميعة المستخدم في إطار الاختراع. ‎٠‏ قائمة الإشارات المرجعية المستخدمة ‎-١‏ وعاء مفاعل ‏"- أنبوب مفاعل داخلي ‏ا yy ‏حيز وسيط‎ =F ‏-طبقة مميعة‎ § ‏5-جهاز تسخين‎ ‏7-خليط غاز تفاعل‎ ‏77-غاز تميع‎ 5 ‏4-رأس مفاعل‎ ‏4-غاز منبعث مفاعل‎ ‏-مبادل حراري غاز منبعث‎ ٠ ‏تلقيم بذور‎ ةادأ-١١‎ روذب-١"7‎ 0٠ ‏(حبيبات بولي سيليكون)‎ جتنم-٠‎ ‏سحب‎ gaa) ‏-قاحدة مفاعل‎ ١١ ‏1ح أداة تلقيم‎ ‏تنظيف‎ تاميسج-١١7‎ Vo ‏-مقياس درجة الحرارة العالية‎ VA ‏غاز سفلية‎ i ‏-فواني غاز مفاعل‎ ٠ حشرم-١‎ ١ ‏ف‎
١س‎
‎LEVY‏ جسيمات
‎LEY‏ غاز خالى من جسيمات
‏؛ ‏ -فرازة دوامية
‎Yo‏ -جسيمات محتوية على سيليكون (جسيمات تنظيف)
‎mie Yl 0
‏١7-أتربة‏ عاز منبعث مفاعل.
‏الوصف ‎١‏ لتفصيلي:
‏يتكون ‎Jolie‏ الطبقة المميعة من ‎sles‏ مفاعل )© الذي يتم لداخله إدخال أنبوب مفاعل داخلي 7.
‏يقع بين الجدار الداخلي للمفاعل والجدار الخارجي للأنبوب الداخلي فراغ متوسط 3. ‎Ys‏ في باطن أنبوب المفاعل يتم هناك وضع الطبقة المميعة ؛ مع حبيبات البولي سيليكون.
‏يتم تسخين الطبقة المميعة عن طريق جهاز تسخين ©
‏بمثابة غازات تلقيم؛ يتم ‎adh‏ غاز التميع ‎١‏ وخليط غاز التفاعل 7 إلى المفاعل.
‏يتواصل تلقيم الغاز في هذه الحالة بطريقة معينة من خلال فواني.
‏يتم تلقيم غاز التميع ‎١‏ عن طريق فواني غاز سفلية ‎١9‏ ويتم تلقيم خليط غاز التفاعل عن طريق؛ ‎Lo 5‏ هو مصطلح عليه؛ فواني غاز ‎gl‏ (فواني غاز تفاعل) ‎.٠١‏
‏يمكن أن يختلف ارتفاع فواني الغاز الثانوية عن فواني الغاز السفلية.
‏في المفاعل؛ بسبب ترتيب الفواني؛ يتم تكوين طبقة مميعة بفقاعات مع حقن غاز ثانوي رأسي
‏إضافي.
‏عند رأس المفاعل ‎A‏ يتم تركيب مقياس درجة الحرارة العالية ‎VA‏ لقياس ‎dap‏ حرارة الطبقة ‎٠‏ المميعة.
‏وال
_ \ ¢ —_ يتم تلقيم البذور ‎١١‏ إلى المفاعل عند رأس المفاعل بواسطة أداة تلقيم بذور ‎AY‏ يتم سحب منتج حبيبات البولي سيليكون من عند قاعدة المفاعل ‎aces Vo‏ مجرى السحب ‎OE‏ عند رأس المفاعل؛ يتم سحب غاز منبعث المفاعل 9 وتلقيمه إلى مبادل حراري الغاز المنبعث
Ao 0 ضد التيار لمبادل حراري الغاز المنبعث؛ يتم تلقيم جسيمات محتوية على سيليكون ‎١١7‏ عن طريق أداة تلقيم ‎YT‏ إلى تيار الغاز المنبعث. يتم تلقيم الغاز المنبعث البارد حديثاً من خلال مرشح ‎TY‏ مع التيار لمبادل حراري الغاز المنبعث
Ao يعمل المرشح ‎7١‏ على فصل تيار الجسيمات ‎YY‏ والذي يتكون من أتربة غاز منبعث المفاعل ‎٠‏ والجسيمات ‎VY‏ الملقمة للتنظيف؛ عن تيار غاز خالي من الجسيمات ‎XY‏ بين شكل ‎١‏ رسم بياني مبسط بدون إعادة تدوير للجسيمات المستخدمة للتنظيف . يتم في هذه الحالة فصل الجسيمات عن تيار الغاز بواسطة مرشح أتربة الغاز المنبعث. تجسيم مفضل ‎AT‏ مبين في شكل ‎.١‏ تمثل هذه الفرازة الدوامية ‎YE‏ امتداد للجهاز التي تقوم بشكل متواصل بإزالة الجسيمات المستخدمة ‎Vo‏ للتنظيف عن تيار الغاز المنبعث 9 وإعادتها إلى مبادل حراري الغاز المنبعث ‎Hale ٠١‏ مع التيار لمدخل غاز منبعث المفاعل المترب ‎.dusty reactor off-gas‏ يتم إضافة الجسيمات المحتوية على سليكون ‎spe Yo‏ واحدة إلى النظام. مع التيار للفرازة الدوامية ‎(VE‏ يمر تيار الغاز المنبعث 9 المحمل بأتربة غاز منبعث المفاعل من خلال مرشح ‎YT‏ الذي يتم به فصل أتربة غاز منبعث المفاعل ‎YY‏ بعيداً عن تيار غاز خالي من ‎٠‏ الجسيمات ‎JY‏ وال

Claims (1)

  1. اج \ — عناصر الحماية
    ‎.١‏ طريقة لإزالة راسب محتوي على سيليكون ‎silicon—containing deposit‏ على مكون لمفاعل الذي يتم فيه إنتا ج سيليكون عديد البلورات ‎(polycrystalline silicon‏ والتي تشتمل على إزالة الراسب ميكانيكياً ‎removing the deposit mechanically‏ عن طريق جسيمات محتوية على سيليكون ‎.silicon—containing particles‏ ‎lo}‏ ‎Y‏ الطريقة كما ذكرت في عنصر ١؛‏ حيث يتم إزالة الراسب عندما يشغل المفاعل ؛ بمعنى اثنا ء إنتاج السليكون متعدد البللورات ‎.polycrystalline silicon‏ ‎LY‏ الطريقة كما ذكرت في ‎pale‏ ١؛‏ أو كما ذكرت في عنصر الحماية ¥ حيث مكون المفاعل ‎reactor ٠‏ الذي يتم عليه إزالة الراسب ‎deposit‏ هو أنبوب ‎je‏ منبعث ‎off-gas tube‏
    ؛. الطريقة كما ذكرت في عنصر ‎oF‏ حيث أنبوب الغاز المنبعث ‎off-gas tube‏ هو مبادل حراري غاز منبعث ‎heat exchanger‏ 017-985. ‎Vo‏ © . الطريقة كما ذكرت في ‎pale‏ 4؛ حيث المبادل الحراري للغاز المنبعث ‎off-gas heat‏ ‎exchanger‏ هو ‎.Liebig wil‏
    7. الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر ‎١‏ إلى 0 حيث المفاعل هو مفاعل ‎CVD‏ ‏لترسيب سيليكون عديد البلورات ‎polycrystalline silicon‏ على قضبان خيطية ‎filament‏ ‎sods ٠٠‏ ‎LY‏ الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر ‎١‏ إلى 0 حيث المفاعل هو ‎Jolie‏ طبقة مميعة ‎fluidized -bed reactor‏ لإنتاج حبيبات سيليكون عديد البلورات ‎polycrystalline silicon‏ بواسطة ترسيب سيليكون عديد البلورات ‎polycrystalline silicon‏ على جسيمات © بذور سيليكون ‎silicon seed particles‏ مضافة إلى المفاعل. ‎oy VY‏
    -؟١-‏ ‎LA‏ الطريقة كما ذكرت في عنصر 6؛ حيث يتم إضافة الجسيمات المحتوية على سيليكون ‎particles‏ 51/1600-0001817100؛ لإزالة الراسب» إلى الجسيمات البذرية ‎the seed particles‏ وتلقيمها بشكل متواصل إلى مفاعل الطبقة المميعة ‎the fluidized—bed reactor‏ ‎lo}‏
    4. الطريقة ‎WS‏ ذكرت في ‎Tale‏ حيث يتم تلقيم الجسيمات المحتوية على سيليكون؛ ‎AY‏ ‏الراسب»؛ إلى مفاعل الطبقة المميعة ‎the fluidized-bed reactor‏ بشكل منفصل بدون خليط من مواد أخرى.
    ‎.٠١ 0٠‏ الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر 7 إلى 9؛ حيث يتم على نحو دوري أو متواصل فصل الجسيمات المحتوية على سيليكون ‎particles‏ 51/1600-0001810108؛ بعد التبريد في مبادل حراري غاز منبعث ‎«off-gas heat exchanger‏ عن الغاز المنبعث ‎off-gas‏ ‏بواسطة فرازة دوامية ‎cyclone‏ أو مرشح سطحي ‎surface filter‏ ومن ثم إعادتها إلى مبادل حراري الغاز المنبعث ‎off-gas‏ مباشرةً بعد دخول غاز منبعث المفاعل المترب ‎dusty reactor‏ ‎off-gas ١٠ ‏حيث الجسيمات المحتوية على‎ Vv ‏إلى‎ ١ ‏الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر‎ .١١ > ‏ميكرومتر‎ ١ ‏لإزالة الراسب بمقاس جسيم وسيط‎ silicon—containing particles ‏سيليكون‎ ‏ميكرومتر.‎ ٠٠١ < x50.3> ‏ميكرومتر‎ ٠١ ‏على نحو مفضل‎ «flag See 46٠ 3 ‎9٠١ ‏حيث الجسيمات المحتوية على‎ OY ‏إلى‎ ١ ‏الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر‎ LY «pure silicon ‏لإزالة الراسب هي سيليكون نقي‎ silicon—containing particles ‏سيليكون‎
    ‎.Si02 ‏أو‎ SiC ‎oy VY
    -١١- ‏حيث الجسيمات المحتوية على‎ VY ‏إلى‎ ١ ‏الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر‎ LY sharp— ‏لإزالة الراسب هي جسيمات حادة الحواف‎ silicon—containing particles ‏سيليكون‎
    ‎.edged particles ‏حيث يتم خلط غاز تخريش‎ OY ‏إلى‎ ١ ‏الطريقة كما ذكرت في أي واحدة من العناصر‎ . ١4 0 ‏لإزالة الراسب.‎ etching gas ‏يشتمل على وعاء مفاعل‎ «polycrystalline silicon ‏مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات‎ V0 ‏بداخل وعاء المفاعل‎ substrates of silicon ‏عديد من ركائز سيليكون‎ ؛)١(‎ reactor vessel ‏عليها؛‎ polycrystalline silicon ‏مناسبة لترسيب سيليكون عديد بلورات‎ )١( reactor vessel 0 ٠ ‏إلى وعاء المفاعل‎ reaction gas ‏للقيام بتلقيم غاز تفاعل‎ )٠١ V4) ‏واحد أو أكثر من فواني‎ ‏أداة لإزالة غاز منبعث المفاعل )4( من وعاء المفاعل ) 1 مبادل‎ 1 ١ ) reactor vessel reactor ‏لتبريد غاز منبعث المفاعل‎ (V+) off-gas heat exchanger ‏حراري غاز منبعث‎ silicon— ‏لجسيمات محتوية على سيليكون‎ (V1) ‏الذي يتم إزالته وأيضاً أداة تلقيم‎ off-gas feeding reactor off-gas ‏مناسبة لتلقيم غاز منبعث المفاعل‎ containing particles ١ ‏إلى مبادل حراري الغاز‎ silicon—containing particles ‏وجسيمات محتوية على سيليكون‎ .)٠١( off-gas heat exchanger ‏المنبعث‎ ‏لإنتاج سيليكون‎ CVD ‏حيث المفاعل هو مفاعل‎ Vo ‏هو مذكور في عنصر‎ WS ‏المفاعل‎ . ‏هي قضبان خيطية‎ FN, Glad ‏في شكل‎ polycrystalline silicon ‏عديد البلورات‎ Ye ‏حيث يتوافر إمداد قدرة كهربائية للقضبان الخيطية‎ «silicon ‏من السيليكون‎ filament rods ‏مناسب لتسخين القضبان الخيطية بالمرور المباشر للتيار الكهربائي.‎ filament rods 10101260 - ‏حيث المفاعل هو مفاعل طبقة مميعة‎ V0 ‏المفاعل كما هو مذكور في عنصر‎ VY ‏والركائز هي جسيمات بذور‎ 97810101817 polysilicon ws ‏لإنتاج بولي سيليكون‎ bed reactor Yo fluidized ‏لطبقة مميعة‎ )١( ‏5660؛ والذي يشتمل على أنبوب مفاعل داخلي‎ particles ‏سيليكون‎ ‎oy VY
    م ‎-١‏ ‏0 محتوية على بولي سيليكون حبيبي ‎granular polysilicon‏ وقاعدة مفاعل بداخل وعاء المفاعل (١)؛‏ جهاز تسخين )2( لتسخين الطبقة المميعة في أنبوب المفاعل الداخلي ‎oY)‏ فونية غاز سفلية واحدة على الأقل ‎)١9(‏ لتلقيم غاز تميع؛ وفونية غاز تفاعل ‎reaction gas‏ واحدة على الأقل ‎)٠١(‏ لتلقيم غاز تفاعل ‎reaction gas‏ أداة تلقيم ‎)١١(‏ لتلقيم جسيمات بذور © سيليكون»؛ ومجرى سحب ‎(VE)‏ لبولي سيليكون حبيبي ‎.granular polysilicon‏ ‎YA‏ المفاعل كما هو مذكور في عنصر ‎VT‏ يشتمل على نحو إضافي على مرشح ‎(YY)‏ متصل مع التيار بمبادل حراري الغاز المنبعث ‎(V+) off-gas heat exchanger‏ ومناسب لفصل جسيمات ‎particles‏ وغاز ‎.gas‏ ‎A‏
    ‏4. المفاعل كما هو مذكور في عنصر ‎OY‏ يشتمل على نحو إضافي على فازة دوامية ‎(Y£) cyclone‏ متصلة مع التيار بمبادل حراري الغاز المنبعث ‎off-gas heat exchanger‏ ‎)٠١(‏ للفصل المتواصل للجسيمات ‎particles‏ عن غاز منبعث المفاعل ‎reactor off-gas‏ والذي يتم توصيله بشكل تواصلي بأداة تلقيم ‎(V1)‏ لجسيمات محتوية على سيليكون ‎silicon—‏
    ‎.containing particles ١٠‏ . المفاعل كما هو مذكور في عنصر ‎VA‏ يشتمل إضافياً على مرشح (77) متصل مع التيار بالفرازة الدوامية ‎(Y¢) cyclone‏ لفصل أتربة غاز منبعث المفاعل ‎reactor off-gas dust‏ ‎(YY)‏ بعيداً.
    ١.لكشلا‎ 00 y+ (i) dI_-D ١. ١ ‏بي‎ ‎(= y OA) % 3 | A 7 ‏أ‎ =~ \ A 5 1] YY of 3 ‏ل‎ ‎١و ‏و ل‎ ‏عي‎ 1 Vv" ye ‏حص‎ 4 Ay oy VY
    ١7م‎ " ‏لشكز اي‎ 7 : { Spy A Y \ \ o ‏ض بع‎ 0 1 | ‏بألا‎ ‏مااي‎ ' \ AR ‏أ‎ A ‏الم‎ ‎ko ‎2 ‏ال‎ ‎ny ——— © ١ ‏اماي‎ ‎"8 ‎VE— ‎AY ‎oVvVY
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA515370060A 2013-05-16 2015-10-26 مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات وطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل SA515370060B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013209076.5A DE102013209076A1 (de) 2013-05-16 2013-05-16 Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silicium und Verfahren zur Entfernung eines Silicium enthaltenden Belags auf einem Bauteil eines solchen Reaktors
PCT/EP2014/059166 WO2014184043A1 (de) 2013-05-16 2014-05-06 Reaktor zur herstellung von polykristallinem silicium und verfahren zur entfernung eines silicium enthaltenden belags auf einem bauteil eines solchen reaktors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA515370060B1 true SA515370060B1 (ar) 2016-12-14

Family

ID=50678189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515370060A SA515370060B1 (ar) 2013-05-16 2015-10-26 مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات وطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل

Country Status (11)

Country Link
US (2) US9732420B2 (ar)
EP (1) EP2997175B1 (ar)
JP (2) JP6246905B2 (ar)
KR (2) KR101801344B1 (ar)
CN (1) CN105229198B (ar)
DE (1) DE102013209076A1 (ar)
ES (1) ES2666391T3 (ar)
MY (1) MY171934A (ar)
SA (1) SA515370060B1 (ar)
TW (1) TWI512137B (ar)
WO (1) WO2014184043A1 (ar)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI486474B (zh) * 2012-02-15 2015-06-01 陳柏頴 低溫材料快速優質化方法及其處理裝置
US10526707B2 (en) * 2012-08-29 2020-01-07 The University Of Tokyo Heat exchanger type reaction tube
TWI576457B (zh) * 2015-08-04 2017-04-01 陳柏頴 連續式材料低溫優化裝置及方法
JP7023951B2 (ja) 2017-06-16 2022-02-22 株式会社トクヤマ ポリシリコンの製造方法
EP3672910B1 (de) * 2017-08-23 2021-07-21 Wacker Chemie AG Wirbelschichtreaktor zur herstellung von polykristallinem siliciumgranulat
CN109467090A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 江苏中能硅业科技发展有限公司 连续生产粒状多晶硅的方法
CA3112945A1 (en) * 2018-10-24 2020-04-30 Automotive Components Floby Ab System for preparing an aluminium melt including a fluidization tank
CN111298726A (zh) * 2018-12-11 2020-06-19 新特能源股份有限公司 用于流化反应的流化系统
EP3999469B1 (de) * 2019-07-16 2023-08-30 Wacker Chemie AG Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium
CN113375058B (zh) * 2021-06-15 2023-12-01 新疆硅基新材料创新中心有限公司 一种尾气排放结构和还原炉
CN114220561A (zh) * 2021-11-10 2022-03-22 华能核能技术研究院有限公司 一种高温气冷堆吸收球表面涂层的制备方法及设备
CN219424369U (zh) * 2022-08-03 2023-07-28 江苏中能硅业科技发展有限公司 一种流化床

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4500492A (en) 1982-09-08 1985-02-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Apparatus and method to keep the walls of a free-space reactor free from deposits of solid materials
US4684513A (en) * 1982-11-05 1987-08-04 Union Carbide Corporation Zone heating for fluidized bed silane pyrolysis
KR880000618B1 (ko) 1985-12-28 1988-04-18 재단법인 한국화학연구소 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법
US4805556A (en) 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
US5108512A (en) * 1991-09-16 1992-04-28 Hemlock Semiconductor Corporation Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets
US5358603A (en) 1992-10-06 1994-10-25 Albemarle Corporation Process for the removal of a silicon coating from a surface
JPH06127916A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Tonen Chem Corp 真球状高純度多結晶シリコンの製造方法
DE69625688T2 (de) 1995-06-07 2003-10-23 Advanced Silicon Materials Llc, Moses Lake Verfahren und vorrichtung zur abscheidung von silizium in einem wirbelschichtreaktor
US5798137A (en) 1995-06-07 1998-08-25 Advanced Silicon Materials, Inc. Method for silicon deposition
JPH09272979A (ja) * 1996-04-09 1997-10-21 Citizen Watch Co Ltd プラズマ成膜装置およびそのクリーニング方法
US6296716B1 (en) 1999-10-01 2001-10-02 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Process for cleaning ceramic articles
TW476986B (en) * 1999-12-22 2002-02-21 Saint Gobain Ceramics Process for cleaning ceramic articles
AU2001277074A1 (en) * 2000-07-24 2002-02-05 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Process for cleaning ceramic articles
US6827786B2 (en) 2000-12-26 2004-12-07 Stephen M Lord Machine for production of granular silicon
KR100411180B1 (ko) 2001-01-03 2003-12-18 한국화학연구원 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
US6777045B2 (en) * 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US20030221708A1 (en) 2002-06-04 2003-12-04 Chun-Hao Ly Method of cleaning a semiconductor process chamber
US7638108B2 (en) 2004-04-13 2009-12-29 Si Options, Llc High purity silicon-containing products
DE102005042753A1 (de) 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
KR100813131B1 (ko) * 2006-06-15 2008-03-17 한국화학연구원 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법
US7820126B2 (en) 2006-08-18 2010-10-26 Iosil Energy Corporation Method and apparatus for improving the efficiency of purification and deposition of polycrystalline silicon
US7935327B2 (en) * 2006-08-30 2011-05-03 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process
US20080078326A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pre-cleaning tool and semiconductor processing apparatus using the same
DE102007021003A1 (de) 2007-05-04 2008-11-06 Wacker Chemie Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat
EP2303448B1 (en) * 2008-06-30 2012-10-31 MEMC Electronic Materials, Inc. Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls
CN101676203B (zh) * 2008-09-16 2015-06-10 储晞 生产高纯颗粒硅的方法
AU2011266575B2 (en) 2010-06-16 2013-08-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for cleaning bell jar, method for manufacturing polycrystalline silicon and device for drying bell jar
JP5726450B2 (ja) * 2010-07-16 2015-06-03 信越化学工業株式会社 反応炉洗浄装置および反応炉洗浄方法
JP2012101984A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ベルジャー清浄化方法
US8785303B2 (en) * 2012-06-01 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for depositing amorphous silicon
JP2014002224A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Canon Inc 堆積膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2997175B1 (de) 2018-03-07
TWI512137B (zh) 2015-12-11
US20170159174A1 (en) 2017-06-08
US9732420B2 (en) 2017-08-15
MY171934A (en) 2019-11-07
KR101801344B1 (ko) 2017-11-27
DE102013209076A1 (de) 2014-11-20
JP2016521246A (ja) 2016-07-21
CN105229198B (zh) 2017-09-19
JP6246905B2 (ja) 2017-12-13
WO2014184043A1 (de) 2014-11-20
ES2666391T3 (es) 2018-05-04
CN105229198A (zh) 2016-01-06
KR101769229B1 (ko) 2017-08-17
KR20170077268A (ko) 2017-07-05
JP2018053370A (ja) 2018-04-05
EP2997175A1 (de) 2016-03-23
US20160115591A1 (en) 2016-04-28
KR20160010561A (ko) 2016-01-27
TW201445004A (zh) 2014-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA515370060B1 (ar) مفاعل لإنتاج سيليكون عديد البلورات وطريقة لإزالة طبقة محتوية على سيليكون على مكون لمثل ذلك المفاعل
KR101404890B1 (ko) 다결정 실리콘을 제조하는 방법
JP4567430B2 (ja) ダスト不含および孔不含の高純度多結晶シリコン顆粒およびその製法およびその使用
CN102381709B (zh) 生产多晶硅的方法
BR112013016189A2 (pt) produção de silício policristalino por decomposição térmica de diclorosilano em um reator de leito fluidizado
JP2013224254A (ja) 粒状多結晶シリコンおよびその製造
WO2012054184A1 (en) Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of trichlorosilane in a fluidized bed reactor
CN103723732B (zh) 用于沉积多晶硅的方法
NO20140521A1 (no) Produksjon av polykrystallinsk silisium ved termisk nedbrytning av silan i en hvirvelsjiktreaktor
SA515370311B1 (ar) عملية لتشغيل مفاعل طبقي مميع
CN103217396A (zh) 用于测定多晶硅表面污染的方法
CN110589837A (zh) 分离卤代硅烷的方法
US20180051373A1 (en) Mechanically vibrated based reactor systems and methods
JP6870085B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法
CN105980304A (zh) 用于生产多晶硅的方法
CN110049948B (zh) 用于制备多晶硅的方法
JPS59121109A (ja) 高純度シリコンの製造方法