TWI486474B - 低溫材料快速優質化方法及其處理裝置 - Google Patents

Description

低溫材料快速優質化方法及其處理裝置

本發明係關於一種材料在低溫就進行優質化的方法及其裝置，特別是指一種以低溫高壓方式將材料優質化之方法及其裝置。

在現有的半導體及電子產品的加工生產製程中，其大部分要透過物理氣相沉積(PVD)、電弧式物理氣相沉積(PVD)，或化學氣相沉積(Chemical Vaper Deposition)等沉積方法在一基板上沉積出一薄膜，再利用微影黃光(Lithography)與蝕刻(Etching)技術將欲成型之圖樣轉移至該基板上並堆疊出所需的立體結構(Architecture)。

而以上述方法所製成之電子產品，其品質大部分決定在沉積過程中所形成的薄膜品質好壞，以及製程中在半成品上所累積的靜電荷與髒污是否可完全被去除。在現有的製程中，當半成品在真空環境下完成薄膜沉積後，尚需破真空並移至一高溫爐管機台，再以大於攝氏1000度的高溫環境氣體(Ambient gas)通入該機台，以對該形成有薄膜之半成品進行恆溫處理(Anneal)，以使材料內部之晶粒結構能夠均勻化。

但是，薄膜材料在高溫且長時間處理下，會有熱應力[thermal stress]累積在所生產薄膜內之問題，而熱應力對最終成品之可靠度將會有嚴重副作用影響，在業界對線寬要求日益嚴格的趨勢下，現有之利用高溫且長時間之恆溫處理以得到高品質薄膜之技術將逐漸被淘汰，且在未來之軟性電子及可撓式電子等對可靠度有高度要求的電子產品中，日後極有可能無法繼續被應用。

除此之外，現有的製程技術對製程中髒污[contaminations]與靜電荷累積[electro-static charges]之問題尚無法提出完整且有效解決方法，此一問題在線寬及成品可靠度要求日益嚴格的趨勢下，勢必會對產品之良率及可靠度造成相當之影響。

因此，本發明之目的，即在提供一種以相對低溫將薄膜材料品質優質化的快速處理方法。

於是，本發明為在低溫就會使材料快速優質化的方法，包含：一第一超臨界流體清洗步驟、一優質化處理步驟及一第二超臨界流體清洗步驟。

該第一超臨界流體清洗步驟，是先將一待處理材料置於一真空環境中，之後再以超臨界狀態之流體對該待處理材料進行清洗動作；該優質化處理步驟，係以一熱源提升清洗後之待處理材料的啟動能，並透過分段式壓力循環，促使該待處理材料之內部原子重新排列，以在壓力為10~600大氣壓且溫度為攝氏20~150度之環境下，使該待處理材料產生類微細顆粒化及再結晶化；該第二超臨界流體清洗步驟，以超臨界狀態之流體對經過該優質化處理步驟後之該待處理材料進行清洗。

本發明之另一目的，即在提供一種適用於進行該低溫材料快速優質化方法之低溫材料快速優質化處理裝置，包含一本體、一設置於該本體內的處理單元、一設置於該本體內的沉積單元、一設置於該本體內的輸送單元，及一設置於該本體內的流體單元。

該本體內形成有一容置空間，該處理單元位於該本體之容置空間內並具有一處理腔室，且該處理腔室內之溫度及壓力是能夠調整的，該處理單元另設一偏壓控制處理單元及一雷射輸出處理單元。該沉積單元位於該本體之容置空間內並具有一沉積腔室，且能夠將一薄膜鍍於該待處理材料之表面。該輸送單元位於該本體之容置空間內並乘載該待處理材料，使其依預設流程於該處理單元及該沉積單元中進行存取。該流體單元與該處理單元之處理腔室是相連通，並能夠控制一流體輸入該處理腔室內。

本發明之功效在於利用增加原子重新排列所需之動能，而降低後續之處理溫度，以能在相對低溫及相對高壓之環境下進行恆溫處理，迫使待處理材料類微細顆粒化(Grain)與再結晶化(Recrystallization)，進而在該待處理材料從非晶相(Amorphous phase)轉變為多晶相(poly-crystal)，甚至更提升至單晶相(single-crystal之過程，此外也可以得到均勻度(Uniformity)、覆蓋性(Step Coverage)均同時改善的高品質材料。尤有甚者，也能將原先品質不均勻，或將成本較低廉的鍍膜(Film)轉化與優質化成品質均勻的細緻化細顆粒高品質薄膜(Thin Film)以利後續製程使用。

為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

請參閱第1圖所示，本發明低溫材料快速優質化方法之第一較佳實施例，包含一第一超臨界流體清洗步驟S1、一優質化處理步驟S2及一第二超臨界流體清洗步驟S3。

該第一超臨界流體清洗步驟S1，是先將一待處理材料置於一真空環境中，之後再以超臨界狀態之流體對該待處理材料進行清洗。在實際實施時，是將該待處理材料靜置於一密閉的空間內，並將該空間內抽成真空狀態，隨後再將流體通入該空間內，待確認預定量之流體已通入該空間後，即對該空間內之壓力及溫度進行調整，調整之目標值即為該流體之臨界條件。在本實施例中，是以石墨做為待處理材料，並以二氧化碳做為該流體，故需將該空間內之溫度及壓力分別提高到至少攝氏31.1度(℃)及72.8大氣壓(atm)，當然，也可使用其他種類之流體，例如一氧化二氮(臨界溫度36.4℃、臨界壓力72.5atm)、三氟一氯甲烷(臨界溫度28.8℃、臨界壓力38.7atm)、二氟二氯甲烷(臨界溫度111.7℃、臨界壓力37.4atm)，僅需將該空間內之溫度及壓力調整至對應之臨界條件即可，端視實際情況而定。

利用該第一超臨界流體清洗步驟S1中將流體操作在其臨界條件之作業環境下，以使該流體進入超臨界態(Supercritical fluid)，而處於超臨界態之流體具有極高之溶解能力，可溶解沾附於該待處理物表面之髒污(contamination)、微塵粒(particle)，及靜電荷等雜質，進而有效地清除該待處理材料表面之污染物，使該待處理材料能夠在清潔的狀況下進行下一個處理流程。

請續參閱第1圖所示，該優質化處理步驟S2係以一熱源提升清洗後之待處理材料的啟動能，並透過分段式壓力循環，促使該待處理材料之內部原子得以重新排列，以在壓力為10~600大氣壓且溫度為攝氏20~150度之環境下，使該待處理材料進行類微細顆粒化及再結晶化。詳言之，透過熱源處理係能先行提升該待處理材料之內部溫度，以快速達到原子移動所需之起始動能；並且，再輔助以分段式壓力作用，該分段式壓力較佳是於10~600大氣壓之間，以使該待處理材料的內部原子能夠於足夠能量之下，立即產生原子重新排列之效應，藉以降低後續材料之處理溫度，而可更有效使該待處理材料從非晶相(Amorphous phase)轉變為多晶相(poly-crystal)，甚至再提升至單晶相(single-crystal)。其中，該優質化處理步驟S2輔以一直/交流偏壓(bias)，特別是電壓為10~300伏特之直/交流偏壓；加上一雷射掃描(scanning)，特別是雷射輸出功率為50~350瓦之雷射可以有效增加優質化處理的效率。

於本實施例實際施作時，即是透過電壓值為100~150伏特之直/交流偏壓，或者以雷射功率值為150~250瓦之雷射，施加一攝氏40℃，5秒鐘之短暫熱源，迫使該待處理材料內部之初始動能提升；接著，再繼之於分段式壓力循環環境下，例如：暴露在壓力為400大氣壓之下，持續10分鐘，再降低壓力至250大氣壓，持續10分鐘，並重複此二階段壓力之循環，控制壓力條件在250~400大氣壓之間來回變化；或者，暴露在壓力為在壓力為500大氣壓之下，持續10分鐘，再降低壓力至350大氣壓，持續10分鐘，接續降低壓力至250大氣壓，持續10分鐘，並重複此三階段壓力之循環，控制壓力條件在250~500大氣壓之間來回變化。如此一來，便可使該待處理材料的內部原子於足夠能量之下，立即產生原子會移動並進行有序重新排列效應。

其中，該分段式壓力的選擇是可為二階段、三階段、…等不同型態，僅係利用加壓手段改變該待處理材料內部之初始動能，以使原子產生重新排列，並能降低後續材料之處理溫度為主要原則，不需於此加以限制。

在實際實施時，即是將該空間內之溫度及壓力條件進一步分別提升至攝氏20~250℃及10~600atm。較佳地，本實施例係將待處理材料置於溫度為30℃之環境下，先加入150伏特之交/直流偏壓，並同時輔助雷射輸出功率為200瓦之雷射，以處理該待處理材料至其達到內部原子重新排列之條件後，遂以二階段壓力調變，控制壓力條件於400~250大氣壓間來回變化，藉此對該待處理材料進行30分鐘的低溫材料優質化處理，即可使該待處理材料逐漸從非結晶相轉變為分佈均勻之多晶相。

透過該優質化處理步驟S2處理後，遂能以低溫及高壓狀態的優質化處理，使該待處理材料能夠進行類微細顆粒化(Grain)與再結晶化(Recrystallization)之過程，進而達到高晶粒均勻度及覆蓋性的高品質材料。並且，更能藉由該優質化處理步驟S2增加原子移動並做重新排列所需之動能，而降低後續之材料處理溫度，有效使該待處理材料轉變為多晶態，藉以提高材料優質化之品質及效率。

配合參閱第2圖至第4圖所示，第2a圖為處理前的電子顯微鏡實照圖，第2b圖則為經過上述該優質化處理步驟S2處理後之電子顯微鏡實照圖，其中直/交流偏壓是為100伏特。由第3及4圖可見，在經過1小時如上述條件(直/交流偏壓提升至200伏特)之處理後，該待處理材料(石墨)之晶粒結構已由未處理前之粒徑大小參差不齊的圓球狀轉變為大小較為一致且排列較為整齊之晶格狀，甚至呈現如第4圖所示之魚麟片狀，進而使材料之整體均勻度更高，且晶粒與晶粒之間的間隙也大幅縮小，亦能夠大幅提升材料之緻密度及整體覆蓋性。

值得注意的是，於實際操作上，本實施例之優質化處理步驟S2係可隨著時間變化而改變其中之溫度及壓力，例如，在其步驟中，係可先將待處理材料置於溫度為30℃之環境下，加入200伏特之直/交流偏壓，並同時輔助雷射輸出功率為250瓦之雷射，控制二階段壓力調變於400~250大氣壓間來回變化，以對該待處理材料進行20秒的低溫前處理；隨後，再將待處理材料置於溫度為20℃之環境下，加入100伏特之直/交流偏壓，並同時輔助雷射輸出功率為150瓦之雷射，控制二階段壓力調變於400~200大氣壓間來回變化，以對該待處理材料進行30分鐘之低溫優質化處理作業。如此一來，即可透過本發明之優質化處理步驟S2得到晶粒緻密度及整體覆蓋性更高的成品，但要注意的是，上述之處理時間及對應作業條件僅為針對特定待處理材料(在本實施例中為石墨)所使用，實際實施時則需視所需處理之待處理材料而定，在此並不加以設限。

回顧第1圖所示，完成該優質化處理步驟S2後，即是進行該第二超臨界流體清洗步驟S3。在該第二超臨界流體清洗步驟S3中，是以超臨界狀態之流體對經過該優質化處理步驟S2之該待處理材料進行清洗，在本實施例中，該第二超臨界流體清洗步驟S3之作業方式及條件與該第一超臨界流體清洗步驟S1相同，其作用及功效亦雷同，故在此即不加以贅述。

本發明之第一較佳實施例之主要目的，是用於對品質而有待進一步改善之待處理材料產品進行再優質化處理，例如，若既有待處理材料已經過退火處理(亦可能尚未經過退火處理)，但其成品或形成於其上薄膜的晶粒品質不佳，或是表面存在有細微裂痕，即可利用本實施例之方法來對該待處理材料二次再優質化處理，以取得緻密度及整體覆蓋性更佳的晶粒結構，甚至是修補已經存在的細微裂痕。

參閱第5圖所示，為本發明低溫材料快速優質化方法之第二較佳實施例，與第一較佳實施例大致相同，不同的地方在於，該第二較佳實施例更包含一介於該第一超臨界流體清洗步驟S1及該優質化處理步驟S2之間的沉積步驟S4，該沉積步驟S4是在經過該第一超臨界流體清洗步驟S1清洗後之待處理材料的表面形成一薄膜。在本實施例中，是以化學氣相沉積之方式形成該薄膜，但也可利用濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積，或電子迴旋共振式化學氣相沉積之方式將該薄膜沉積於該待處理材料之表面，端視實際的需要而定。

本發明之第二較佳實施例之主要目的，主要是針對需要形成薄膜之材料產品進行低溫近20℃之優質化處理，以藉由整合該沉積步驟S4以在該待處理材料之表面上形成薄膜，再透過該優質化處理步驟S2來對該薄膜進行優質化處理，進而形成一貫化的薄膜沉積及材料優質化製程，適合應用於電子或半導體產品的加工製程中。

本發明低溫材料快速優質化方法之第一及第二較佳實施例具有以下優點：

(1)　改善材料品質：藉由該優質化處理步驟S2之熱源及分段式壓力處理，遂能有效提供原子重新排列所需之動能，並且降低後續材料之處理溫度，以再透過低溫及高壓處理後，便可輕易使待處理材料之晶粒結構之整體均勻度提高，且晶粒與晶粒之間的間隙也大幅縮小，進而能夠大幅提升材料之緻密度及整體覆蓋性，藉此提高材料之品質及優質化速率。

(2)　降低熱應力之累積：透過30℃以下之恆溫優質化處理，相較於現有製程中動輒高於1000℃之退火處理程序，能夠大幅將低材料內部之熱應力累積，使成品之可靠度更高，且使本方法更適合應用於對材料可靠度嚴格要求的電子與半導體產業中。

參閱第6圖所示，為一種低溫材料快速優質化處理裝置，適用於進行前述低溫材料快速優質化方法，以對一待處理材料100進行優質化處理，該低溫材料快速優質化處理裝置包含一本體5、一處理單元6、一沉積單元7、一輸送單元8，及一流體單元9。

該本體5內形成有一容置空間51，用以容置各項程序所需要之處理設備，該處理單元6是設置於該本體5並位於該容置空間51內，該處理單元6具有一可用於容納該待處理材料100之處理腔室61，且該處理腔室61內之溫度及壓力是能夠調整的，在本實施例中，該處理腔室61內之壓力是可在0~600atm之間調整，而溫度是可在0~450℃之溫度範圍內調整。其中，該處理單元6內另設一偏壓控制處理單元62及一雷射輸出處理單元63。藉此，係能使該待處理材料100靜置於該處理腔室61內時，能夠暴露於前述之該第一超臨界流體清洗步驟S1、優質化處理步驟S2，及第二超臨界流體清洗步驟S3之環境條件下進行處理。

該沉積單元7是設置於該本體5並位於該容置空間51內並鄰近於該處理單元6，該沉積單元7具有一可容納該待處理材料100之沉積腔室71，且能夠將一薄膜鍍覆於該待處理材料100之表面，在本實施例中，該沉積單元7即為一化學氣相沉積設備，而此種設備之詳細結構、配置及功效應為所屬技術領域中具有通常知識者所熟知的技術，在此即不贅述。

該輸送單元8是設置於該本體5並位於該容置空間51內，且可乘載該待處理材料100，使該待處理材料100能夠依預設流程於該處理單元6及該沉積單元7中進行存 取。在本實施例中，該輸送單元8惟一可夾取該待處理材料100之機械手臂，並可將該待處理材料100依預設之流程時序放入該處理腔室61或沉積腔室71，或是自該處理腔室61或該沉積腔室71內取出。

該流體單元9是設置於該本體5並與該處理單元6之處理腔室61相連通，並能夠控制一流體200輸入該處理腔室61內。其中，該流體單元9中還可以另電連接有一流體壓力控制單元91，該流體壓力控制單元91係用以調控輸入該處理腔室61內之流體量。在本實施例中，該流體單元9可將二氧化碳輸入該處理腔室61內，以在該處理腔室61內對該待處理材料100進行清洗及優質化處理，或是將二氧化碳自該處理腔室61內抽出，以使該處理腔室61處於真空之狀態。

綜上所述，藉由低溫高壓之優質化處理方式，以對待處理材料100進行優質化處理，不僅能夠使處理後之材料能夠具有高致密性及均勻性，亦能夠避免因高溫退火熱處理在材料內部所造成之熱應力累積，進而提升材料之穩定性，故確實能達成本發明之目的。

雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

[本發明]

S1．．．第一超臨界流體清洗步驟

S2．．．優質化處理步驟

S3．．．第二超臨界流體清洗步驟

S4．．．沉積步驟

5．．．本體

51．．．容置空間

6．．．處理單元

61．．．處理腔室

62．．．偏壓控制處理單元

63．．．雷射輸出處理單元

7．．．沉積單元

71．．．沉積腔室

8．．．輸送單元

9．．．流體單元

91．．．流體壓力控制單元

100．．．待處理材料

200．．．流體

第1圖：本發明低溫材料快速優質化方法之流程圖。

第2a~2b圖：本發明低溫材料快速優質化方法之材料顯微實照圖一。

第3圖：本發明低溫材料快速優質化方法之材料顯微實照圖二。

第4圖：本發明低溫材料快速優質化方法之材料顯微實照圖三。

第5圖：本發明低溫材料快速優質化方法之另一流程圖。

第6圖：本發明低溫材料快速優質化方法之處理裝置配置示意圖。

S1．．．第一超臨界流體清洗步驟

S2．．．優質化處理步驟

S3．．．第二超臨界流體清洗步驟

Claims (18)

1. 一種低溫材料快速優質化方法，包含：一第一超臨界流體清洗步驟，是先將一待處理材料置於一真空環境中，之後再以超臨界狀態之流體對該待處理材料進行清洗；一優質化處理步驟，係以一熱源提升清洗後之待處理材料的啟動能，並透過分段式壓力循環，促使該待處理材料之內部原子重新排列，以在壓力為10~600大氣壓且溫度為攝氏20~150度之環境下，使該待處理材料產生類微細顆粒化及再結晶化；及一第二超臨界流體清洗步驟，以超臨界狀態之流體對經過該優質化處理步驟之該待處理材料進行清洗；其中，於該優質化處理步驟中，分段式壓力是指將待處理材料暴露在壓力為400大氣壓之下，持續10分鐘，再降低壓力至250大氣壓，持續10分鐘，並重複此二階段壓力之循環，控制壓力條件在250~400大氣壓之間來回變化。
2. 一種低溫材料快速優質化方法，包含：一第一超臨界流體清洗步驟，是先將一待處理材料置於一真空環境中，之後再以超臨界狀態之流體對該待處理材料進行清洗；一優質化處理步驟，係以一熱源提升清洗後之待處理材料的啟動能，並透過分段式壓力循環，促使該待處理材料之內部原子重新排列，以在壓力為10~600大氣壓且 溫度為攝氏20~150度之環境下，使該待處理材料產生類微細顆粒化及再結晶化；及一第二超臨界流體清洗步驟，以超臨界狀態之流體對經過該優質化處理步驟之該待處理材料進行清洗；其中，於該優質化處理步驟中，分段式壓力是指將待處理材料暴露在壓力為在壓力為500大氣壓之下，持續10分鐘，再降低壓力至350大氣壓，持續10分鐘，接續降低壓力至250大氣壓，持續10分鐘，並重複此三階段壓力之循環，控制壓力條件在250~500大氣壓之間來回變化。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之低溫材料快速優質化方法，其中，在該優質化處理步驟中，該熱源係來自一直/交流偏壓，該直/交流偏壓之電壓為10~300伏特。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之低溫材料快速優質化方法，其中，在該優質化處理步驟中，該熱源係來自一雷射掃描，該雷射掃描之雷射輸出功率為50~350瓦。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述之低溫材料快速優質化方法，其中，在該優質化處理步驟中，該熱源同時來自一直/交流偏壓及一雷色掃描，該直/交流偏壓之電壓為100~200伏特，該雷射掃描之雷射輸出功率為150~250瓦。
6. 依據申請專利範圍第1或2項所述之低溫材料快速優質化方法，更包含一介於該第一超臨界流體清洗步驟及該優質化處理步驟之間的沉積步驟，該沉積步驟是在經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗後之待處理材料的表 面形成一薄膜。
7. 依據申請專利範圍第3項所述之低溫材料快速優質化方法，更包含一介於該第一超臨界流體清洗步驟及該優質化處理步驟之間的沉積步驟，該沉積步驟是在經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗後之待處理材料的表面形成一薄膜。
8. 依據申請專利範圍第4項所述之低溫材料快速優質化方法，更包含一介於該第一超臨界流體清洗步驟及該優質化處理步驟之間的沉積步驟，該沉積步驟是在經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗後之待處理材料的表面形成一薄膜。
9. 依據申請專利範圍第5項所述之低溫材料快速優質化方法，更包含一介於該第一超臨界流體清洗步驟及該優質化處理步驟之間的沉積步驟，該沉積步驟是在經過該第一超臨界流體清洗步驟清洗後之待處理材料的表面形成一薄膜。
10. 依據申請專利範圍第6項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該第一超臨界流體清洗步驟及該第二超臨界流體清洗步驟中，該流體是選自於二氧化碳、一氧化二氮、三氟一氯甲烷、二氟二氯甲烷或此等之組合。
11. 依據申請專利範圍第7項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該第一超臨界流體清洗步驟及該第二超臨界流體清洗步驟中，該流體是選自於二氧化碳、一氧化二氮、三氟一氯甲烷、二氟二氯甲烷或此等之組合。
12. 依據申請專利範圍第8項所述低溫材料快速優質化方 法，其中，在該第一超臨界流體清洗步驟及該第二超臨界流體清洗步驟中，該流體是選自於二氧化碳、一氧化二氮、三氟一氯甲烷、二氟二氯甲烷或此等之組合。
13. 依據申請專利範圍第9項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該第一超臨界流體清洗步驟及該第二超臨界流體清洗步驟中，該流體是選自於二氧化碳、一氧化二氮、三氟一氯甲烷、二氟二氯甲烷或此等之組合。
14. 依據申請專利範圍第10項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該沉積步驟中，是以選自於濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積、化學氣相沉積，或電子迴旋共振式化學氣相沉積之方式將該薄膜沉積於該待處理材料之表面。
15. 依據申請專利範圍第11項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該沉積步驟中，是以選自於濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積、化學氣相沉積，或電子迴旋共振式化學氣相沉積之方式將該薄膜沉積於該待處理材料之表面。
16. 依據申請專利範圍第12項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該沉積步驟中，是以選自於濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積、化學氣相沉積，或電子迴旋共振式化學氣相沉積之方式將該薄膜沉積於該待處理材料之表面。
17. 依據申請專利範圍第13項所述低溫材料快速優質化方法，其中，在該沉積步驟中，是以選自於濺鍍、燒結、物理氣相沉積、電弧物理氣相沉積、化學氣相沉積，或 電子迴旋共振式化學氣相沉積之方式將該薄膜沉積於該待處理材料之表面。
18. 一種低溫材料快速優質化處理裝置，係對一待處理材料進行優質化處理，包含：一本體，該本體內形成有一容置空間；一處理單元，設置於該本體並位於該本體之容置空間內，該處理單元具有一處理腔室，且該處理腔室內之溫度及壓力是能夠調整的，該處理單元內另設一偏壓控制處理單元及一雷射輸出處理單元；一沉積單元，設置於該本體並位於該本體之容置空間內，該沉積單元具有一沉積腔室，且能夠將一薄膜鍍於該待處理材料之表面；一輸送單元，設置於該本體並位於該本體之容置空間內且乘載該待處理材料，使其依預設流程於該處理單元及該沉積單元中進行存取；及一流體單元，設置於該本體並與該處理單元之處理腔室相連通，並能夠控制一流體輸入該處理腔室內；其中，該沉積單元為一化學氣相沉積設備。