SA109300071B1 - إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز ڤُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه - Google Patents
إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز ڤُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه Download PDFInfo
- Publication number
- SA109300071B1 SA109300071B1 SA109300071A SA109300071A SA109300071B1 SA 109300071 B1 SA109300071 B1 SA 109300071B1 SA 109300071 A SA109300071 A SA 109300071A SA 109300071 A SA109300071 A SA 109300071A SA 109300071 B1 SA109300071 B1 SA 109300071B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- layer
- tco
- silver
- electrode
- photovoltaic device
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 19
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 28
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 45
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 claims description 3
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims 5
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 235
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 11
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 5
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVJNYABHPQDPNJ-OWOJBTEDSA-N 2-[(4e)-cyclooct-4-en-1-yl]oxyacetic acid Chemical compound OC(=O)COC1CCC\C=C\CC1 ZVJNYABHPQDPNJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006355 Tefzel Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMERQROICABIOC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Sn+2]=O.[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+2]=O.[In+3] HMERQROICABIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- IDZYHGDLWGVHQM-UHFFFAOYSA-N aluminum;calcium;sodium;silicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] IDZYHGDLWGVHQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
الملخـــص: يتعلق الاختراع الحالي بجهاز ڤُلطائي ضوئي (PV) به إلكترود مثل إلكترود/ ملامس أمامي، وطريقة لتصنيعه. في نماذج تمثيلية معينة، يشتمل الإلكترود الأمامي على سطح منسوج (مثل، السطح المخدوش) يواجه طبقة رقيقة شبه موصلة ڤُلطائية ضوئية لجهاز PV. في نماذج تمثيلية معينة، يتكون الإلكترود الأمامي على سطح مستوٍ أو مستوٍ إلى حدٍ كبير (غير منسوج) لركيزة زجاجية (من خلال الطلاء بالرش الكاثودي)، ويكون سطح الإلكترود الأمامي منسوجًا (عبر الخدش على سبيل المثال). وعند اكتمال تصنيع جهاز PV، يواجه السطح المخدوش للإلكترود الأمامي الطبقة الرقيقة شبه الموصلة النشطة لجهاز PV. شكل 1 .
Description
ox _ إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز BS ضوئي وطريقة لتصنيعه Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع Mall بجهاز UBB ضوئي (PV) به إلكترود مثل إلكترود/ ملامس أمامي؛ وطريقة لتصنيعه. في نماذج تمثيلية معينة؛ يشتمل الإلكترود الأمامي على سطح منسوج (Jie) السطح المخدوش) daly طبقة رقيقة شبه موصلة فلطائية ضوئية لجهاز PV في نماذج تمثيلية © معينة؛ يتكون الإلكترود الأمامي على سطح مستوٍ أو مستوٍ إلى حدٍ كبير (غير منسوج) لركيزة زجاجية؛ وبعد تكوين الإلكترود الأمامي ¢ يكون سطح الإلكترود الأمامي منسوجًا (عبر الخدش على سبيل المثال). وعند اكتمال تصنيع جهاز PV يواجه السطح المخدوش للإلكترود الأمامي الطبقة الرقيقة شبه Alia gall النشطة لجهاز PV Cased الأجهزة القلطائية الضوئية في المجال lal) على سبيل المثال» براءات الاختراع الأمريكية ٠ أرقام 6784361 و6288325 و6613603 5 6123824 حيث تم تضمين محتوياتها كمراجع في هذه الوثيقة). وتشتمل الأجهزة الفلطائية الضوئية المصنعة من السيليكون غير المتبلرء على سبيل المتال» على إلكترود أو ملامس أمامي. ونمطياًء يتم تصنيع الإلكترود الأمامي المنفذ من أكسيد موصل حراري منفذ Jie (TCO) أكسيد الزنك أو أكسيد القصدير المشكل على ركيزة Jie ركيزة زجاجية. وفي الكثير من الحالات؛ يتم تشكيل الإلكترود الأمامي المنفذ من طبقة واحدة باستخدام ٠ طريقة التحلل الحراري الكيميائي حيث يتم رش مواد أولية منتجة لغيرها على الركيزة الزجاجية عند حوالي £0 إلى 0٠ م. ويمكن أن يصل سمك طبقات TCO النمطية من أكسيد قصدير معالج
د بالإشابة بواسطة الفلور والتي تتحلل بالحرارة وتستخدم كإلكترودات أمامية؛ حوالي Eee نانو مترء مما يوفر مقاومة لوحية (R) تبلغ حوالي [ash Yo مربع. وللحصول على قدرة خرج oS من المرغوب فيه أن يكون لدينا إلكترود أمامي له مقاومة لوحية منخفضة وتلامس أومي جيد بالطبقة Lal للخلية؛ ويسمح بوصول أقصى طاقة شمسية في نطاقات معينة مرغوب فيها إلى الطبقة © الرقيقة شبه الموصلة الماصة. قد يفضل توفير تفنية وتركيبة لتحسين قدرة الطبقة الرقيقة شبه الموصلة (أو الطبقة الماصة) للجهاز القلطائي الضوئي (PV) على امتصاص الضوء وبالتالي إنتاج شحنات كهربائية. الوصف العام للاختراع تتعلق نماذج تمثيلية معينة للاختراع الحالي بجهاز فلطائي ضوئي (PV) يتضمن إلكترود مثل ٠ إلكترود أمامي/ملامس وطريقة لتصنيعه. في نماذج تمثيلية معينة؛ يشتمل الإلكترود الأمامي على سطح منسوج (مخدوش على سبيل المثال) يواجه الطبقة الرقيقة شبه الموصلة الفلطائية الضوئية لجهاز (PV يتميز السطح المنسوج للإلكترود الأمامي؛ المواجه للطبقة الماصة شبه الموصلة؛ بأنه يُزيد من كمية الإشعاع الداخل أو الطاقة الشمسية التي تمتصها الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لجهاز PV في نماذج تمثيلية Ape يتكون الإلكترود الأمامي على سطح مستوٍ أو fs إلى حدٍ كبير ١# (غير منسوج) لركيزة زجاجية أمامية؛ وبعد تكوين الإلكترود الأمامي عبر الطلاء بالرش الكاثودي أو ما شابه؛ يكون سطح الإلكترود الأمامي منسوجًا (عبر الخدش على سبيل المثال). عند اكتمال تصنيع جهاز PV يواجه السطح المنسوج (المخدوش على سبيل المثال) للإلكترود الأمامي الطبقة الرقيقة شبه الموصلة النشطة (أو الطبقة الماصة) لجهاز PV م
ا يتميز استخدام الإلكترود الأمامي الذي يشتمل على سطح منسوج مجاور للطبقة الرقيقة شبه الموصلة (أو الطبقة الماصة) بأنه يُزيد من المسار الضوئي للضوء الشمسي الداخل إلى الطبقة الرقيقة شبه الموصلة عبر تشتيت الضوءء وبالتالي يُزيد من فرصة امتصاص الفوتونات في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لإنتاج شحنة كهربائية. © في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع» يمكن أن يكون الإلكترود الأمامي Lanne (أو معالجًا بالحرارة) قبل عملية التنسيج (الخدش على سبيل المثال). تساعد المعالجة الحرارية تلك على تكثيف (TCO وبالتالي تسمح بالحصول على عملية نسيج أكثر تنظيمًا ويمكن التتبؤ بها. علاوةً على ذلك؛ تكون الطبقة الأكثر كثافة الناتجة بفعل التحميص/التسخين أقل إنفاذية لعوامل الخدش المستخدمة في خدش «TCO وذلك لتقليل فرص وصول عامل الخدش لأجزاء أخرى من الإلكترود ٠ الأمامي وإتلافها. ونتيجة لذلك؛ يمكن تحقيق أدا e إجمالي لجهاز PY الناتج. في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يمكن توفير حاجز رفيع و/أو طبقة أكثر كثافةً بجوار TCO للإلكترود الأمامي (يتم وضع TCO بين الطبقة الرقيقة شبه الموصلة وهذا الحاجز الرفيع و/أو الطبقة الأكثر كثافة). يجعل الحاجز الرفيع و/أو الطبقة (الطبقات) الأكثر كثافة الإلكترود الأمامي Ja إنفاذية لعامل (عوامل) الخدش المستخدم في خدش (TCO وذلك لتقليل فرص وصول عامل ٠ الخدش لأجزاء أخرى من الإلكترود الأمامي وإتلافها Jie الطبقة التي أساسها الفضة. ونتيجة لذلك. يمكن تحقيق أدا ء إجمالي لجهاز PV الناتج؛ دون السماح لعامل (عوامل) الخدش بإتلاف الإلكترود الأمامي. في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يشتمل الإلكترود الأمامي للجهاز الفلطائي الضوئي على طبقة تغليف متعددة الطبقات تتضمن طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة Crave
IR وموصلة إلى حدٍ كبير (مثلاًء طبقة أساسها الفضة. أو endl أو ما شابه ذلك)؛ وطبقة أكسيد موصلة منفذة (TCO) واحدة على الأقل Ola) مصنعة من أو تشتمل على مادة Jie أكسيد قصدير؛ أكسيد زنك؛ أو ما شابه ذلك). في جهاز PV يتم وضع TCO بين الطبقة الرقيقة شبه الموصلة والطبقة المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة JR يمكن خدش سطح طبقة TCO أو © تزويده بسطح منسوج أو مخدوش مواجه للطبقة الرقيقة شبه الموصلة. في بعض الحالات التمثيلية dud) يمكن أن تشتمل طبقة التغليف للإلكترود الأمامي متعددة الطبقات على مجموعة من طبقات TCO و/ أو مجموعة من الطبقات المعدنية العاكسة للأشعة IR الموصلة بشكل أساسي » المرتبة بطريقة تبادلية من أجل العمل على تقليل انعكاسات الضوء المرئي؛ وزيادة الموصلية؛ وزيادة القدرة على عكس الأشعة FIR
٠ في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يمكن تصميم طبقة تغليف متعددة الطبقات لإلكترود أمامي من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآثية: 00( مقاومة لوحية (Ry) منخفضة ومن
ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية؛ (ب) زيادة انعكاس
الأشعة تحت الحمراء (IR) وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية من
أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس وزيادة انتقال الضوء في المنطقة
٠ (المناطق) التي تتراوح من حوالي +48 - ٠٠٠١ نانو متر و/أو 456 - 700 نانو مترء و/ أو
٠١ -٠ نانو مترء وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ (د)
تقليل Sl الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن
التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال TCO وذلك
بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال TCO على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية مع
٠ _ العلم بوجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 وموصلة إلى
+ حدٍ كبير؛ و/أو (و) زيادة المسار الضوئي داخل الطبقة الرقيقة شبه الموصلة؛ بسبب السطح المخدوش للإلكترود الأمامي » من خلال تشتيت الضوء وبالتالي زيادة فرصة امتصاص الفوتونات في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة ومن خلال احتجاز الضوء بين الإلكترود (الإلكترودات) الخلفي المعدني العاكس من خلال العديد من الانعكاسات الداخلية لإنتاج شحنة كهربائية إضافية. © في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ تم تقديم جهاز فُلطائي ضوئي يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية؛ وإلكترود أمامي يتواجد بين الركيزة الزجاجية الأمامية والطبقة الرقيقة شبه الموصلة على الأقل للجهاز SURE الضوئي؛ حيث يشتمل الإلكترود الأمامي على طبقة موصلة أساسها الفضة وطبقة أكسيد موصلة منفذة (TCO) ؛ ويتم وضع طبقة TCO بين الطبقة التي أساسها الفضة والطبقة الرقيقة شبه الموصلة للجهاز القلطائي الضوئي؛ وحيث يتم خدش سطح رئيسي من الطبقة 0٠ ©7100 الأقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لكي يتم نسجه. وفي نماذج تمثيلية معينة؛ بعدما يتم خدش الركيزة الزجاجية الأمامية مع وجود الإلكترود الأمامي المخدوش عليها يكون له Aad اغبرار تتراوح من حوالي ٠١ إلى 7275 (قبل وضع شبه الموصل والإلكترود الخلفي/الركيزة بجواره). في نماذج تمثيلية معينة لهذا cp SY) يتم تقديم جهاز فُلطائي ضوئي يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية؛ وإلكترود أمامي يتواجد على الأقل بين الركيزة الزجاجية الأمامية والطبقة الرقيقة شبه ٠ الموصلة لجهاز فلطائي ضوئيء حيث يشتمل الإلكترود الأمامي على طبقة موصلة أساسها الفضة وطبقة من أكسيد موصل ومنفذ (TCO) ويتم وضع طبقة TCO بين الطبقة التي أساسها الفضة والطبقة الرقيقة شبه الموصلة للجهاز القلطائي الضوئي؛ حيث يتم خدش سطح رئيسي من الطبقة 100 الأقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لكي يتم نسجه؛ وحيث يتم تصنيف الطبقة TCO بالنسبة لكثافتها لكي يشتمل gia طبقة TCO الأقرب من الطبقة التي أساسها الفضة على كثافة ٠ أعلى من الجزء الثاني من طبقة TCO البعيد من الطبقة التي أساسها الفضة. 6م
07 في نماذج تمثيلية معيئة لهذا الاختراع» يتم تقديم جهاز فلطائي ضوئي يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية؛ وإلكترود أمامي يتواجد على الأقل بين الركيزة الزجاجية الأمامية والطبقة الرقيقة شبه الموصلة لجهاز UB ضوئي؛ حيث يشتمل الإلكترود الأمامي؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية؛ على طبقة موصلة أساسها الفضة؛ وطبقة حاجزة تشتمل على أكسيد معدني؛ وطبقة © أكسيد موصل منفذ (TCO) ويتم وضع طبقة TCO بين الطبقة التي أساسها الفضة على الأقل والطبقة الرقيقة شبه الموصلة للجهاز الفلطائي الضوئي؛ حيث يتم خدش سطح رئيسي من الطبقة 0 الأقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لكي يتم نسجه؛ وحيث تكون الطبقة الحاجزة أكثر مقاومةً للخدش من طبقة TCO في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يتم تقديم طريقة لتصنيع جهاز ab ضوئي؛ تشتمل ٠ الطريقة على الآتي: ترسيب إلكترود متعدد الطبقات بالطلاء بالرش الكاثودي على ركيزة زجاجية عند درجة حرارة الغرفة Gays ؛ والمعالجة الحرارية للإلكترود متعدد الطبقات عند درجة حرارة تتراوح من 00 إلى 500 درجة مئوية لتكثيف طبقة الأكسيد الموصل المنفذ (TCO) على الأقل من الإلكترود؛ وبعد المعالجة الحرارية؛ يتم خدش سطح مكشوف رئيسي من طبقة 700 المعالجة حراريًا من الإلكترود لتكوين سطح منسوج؛ ووضع السطح المنسوج لطبقة TCO بحيث يواجه الطبقة VO الرقيقة شبه الموصلة من الجهاز الفلطائي الضوئي. في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يتم تقديم طريقة لتصنيع جهاز فلطائي ضوئي؛ تشتمل الطريقة على الآثي: ترسيب إلكترود متعدد الطبقات بالطلاء بالرش الكاثودي؛ يتضمن طبقة TCO واحدة على الأقل؛ على ركيزة زجاجية عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا؛ء وخدش سطح طبقة TCO لتكوين سطح منسوج؛ ووضع السطح المنسوج لطبقة TCO بحيث يواجه الطبقة الرقيقة شبه "٠ _الموصلة للجهاز SUED الضوئي؛ وضبط متغير الطلاء بالرش الكاثودي الواحد على الأقل Ji) 6م
AN = -— الضغط و/أو درجة الحرارة) عند ترسيب الإلكترود متعدد الطبقات بالطلاء بالرش الكاتودي بحيث يتم ترسيب طبقة 7©0 لكي تشتمل على أجزاء مختلفة الكثافة. حيث يشتمل جزء أول من طبقة 0 الأقرب من الركيزة الزجاجية على كثافة أعلى من الجزء الثاني لطبقة TCO الأبعد عن الركيزة الزجاجية. © شرح مختصر للرسبومات شكل :)١( عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا \ لاختراع . شكل (7): عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. ٠ شكل (©): عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. شكل (4): عبارة عن مخطط لسير العمليات يوضح خطوات معينة يتم إجراؤها لتصنيع جهاز شكل (*): عبارة عن رسم بياني للشدة مقابل Y ثيتا (درجة) يوضح مرحة التحميص المسبق ا للإلكترود الأمامي قبل الخدش مما يؤدي إلى انخفاض في FWHM (العرض الكامل عند نصف المعدل الأقصى) Ad) حيود الأشعة السينية في 200 عند TET درجة Y) ثيتا)؛ مما يتوافق مع اتجاه >٠<7< ل ZnO (يشير ذلك إلى الطبقة الرقيقة الأكثر كثافة).
شكل (1): عبارة عن صورتين فوتوغرافيتين جانبيتين تقارنان بين الأسطح المخدوشة ل TCO 700 مع وبدون التحميص المسبق ؛ مما يوضح أن TCO المحمصة بشكل مسبق (الجانب الأيمن من (JSS يكون لها نمط مخدوش أكثر تناسقًا. شكل (VY) عبارة عن مخطط لسير العمليات يوضح خطوات معينة يتم إجراؤها لتصنيع جهاز SLE © ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. الوصف ١ لتفصيلي : بالإشارة الآن بشكل أكثر تحديداً للأشكال التي تشير فيها الأرقام المرجعية المتشابهة إلى أجزاء/ طبقات متشابهة في المناظر المتعددة. : تتعلق نماذج معينة لهذا الاختراع بطبقة تغليف موصلة منفذة أساسها الفضة (100)؛ مستخدمة Ve لتصنيع إلكترود أمامي لجهاز فلطائي ضوئي به سطح منسوج. يمكن استخدام الإلكترود الأمامي؛ على سبيل Jd) وحدات فلطائية ضوئية أساسها السيليكون غير المتبلر (a-Si) يمكن ترسيب TCC للإلكترود الأمامي بواسطة تقنيات الطلاء بالرش الكاثودي القياسية عند درجة حرارة الغرفة في أجهزة تغليف هيكلية. يتم نسج سطح الإلكترود الأمامي من خلال تعريضه إلى عامل خدش طفيف أو ما شابه؛ مما لا يغير إلى حدٍ كبير من المقاومة اللوحية لطبقة TCC Ve تقوم الأجهزة الفلطائية الضوئية مثل الخلايا الشمسية بتحويل الإشعاع الشمسي إلى طاقة كهربية يمكن استخدامها. ونمطياً فإن تحويل الطاقة يحدث نتيجة للتأثير القلطائي الضوئي؛ حيث يقوم J لإشعا & | الشمسرٍ Jie) ¢ ضوء | A ( الذي يسقط على جهاز قلطاني ضوني ويُمتص بواسطة منطقة Adal من مادة شبه موصلة (مثل » طبقة رقيقة شبه موصلة تشتمل على واحدة أو أكثر من الطبقات شبه الموصلة مثل طبقات مصنعة من السيليكون a-Si وأحياناً يطلق على الطبقة شبه ve
الموصلة اسم الطبقة الماصة أو الطبقة الرقيقة الماصة)ء بتوليد زوج عبارة عن إلكترون وتقب في المنطقة النشطة. ويمكن فصل الإلكترونات والثقوب بواسطة مجال كهربي لوصلة في الجهاز الفلطائي الضوئي. ويؤدي فصل الإلكترونات والثقوب بواسطة الوصلة إلى توليد تيار كهربي وجهد كهربي. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ تتدفق الإلكترونات تجاه منطقة الطبقة شبه الموصلة التي لها
© موصلية من النوع - © وتتدفق الثقوب تجاه منطقة الطبقة شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع pm ويمكن أن يتدفق التيار خلال دائرة خارجية تصل المنطقة من النوع ne بالمنطقة من
النوع pm بينما يستمر الضوء في توليد أزواج الإلكترونات والثقوب في الجهاز SN الضوئي.
في بعض النماذج ALAA تشتمل seal) الفلطائية الضوئية المصنعة من سيليكون غير متبلر أحادي الوصلة (a-Si) على ثلاث طبقات شبه موصلة. وتحديداً. تكون الطبقة من النوع - م
٠ والطبقة من النوع - on والطبقة من النوع - 1 هي الطبقة الأصلية. ويمكن أن تكون طبقة السيليكون غير المتبلر الرقيقة (التي يمكن أن تشتمل على طبقة واحدة أو أكثر Jie طبقات من
النوع - (isn ep عبارة عن سيليكون غير متبلر مهدرج في بعض الحالات؛ ولكنه يمكن أيضاً أن
تكون أو يمكن أن تشتمل على كربون سيليكا غير متبلر مهدرج أو جيرمانيوم سيليكون غير متبلر مهدرج؛ أو ما شابه ذلك؛ وذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. وعلى سبيل المثال لا
© الحصرء؛ عندما aed فوتون ضوئي في الطبقة cin فإنه يؤدي إلى زيادة وحدة التيار الكهربي (زوج مكون من إلكترون وتقب). وتعمل الطبقتان - م و a اللتان تحتويان على أيونات الإشابة المشحونة؛ على إنشاء مجال كهربي عبر الطبقة -1 حيث يسحب الشحنة الكهربية إلى خارج الطبقة
١ - ويرسلها إلى دائرة خارجية اختيارية حيث يمكن أن توفر sal للمكونات الكهربية. وتجدر الإشارة إلى أنه في حين أن بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع قد تم توجيهها تجاه أجهزة فلطائية
"٠ ضوئية أساسها سيلكون غير متبلرء إلا أن هذا الاختراع لا يقتصر عليها ويمكن استخدامه مع يم
١١ - - أنواع أخرى من الأجهزة الفلطائية الضوئية وفي بعض الحالات التي تشمل على سبيل المثال لا الحصر الأجهزة التي تشتمل على أنواع أخرى من المواد شبه الموصلة؛ والخلايا الشمسية المزودة بطبقة رقيقة رفيعة أحادية أو مزدوجة؛ والأجهزة ASB الضوئية CdS و/ أو CdTe (وتشمل 608/07*8)؛ والأجهزة القّطائية الضوئية عديدة السيليكون و/ أو المصنعة من Si دقيق البلورات؛ © وما شابه ذلك. (Se تطبيق هذا الاختراع على وجه الخصوص على وصلة أحادية a-Si ووحدات OS شمسية دقيقة الشكل في نماذج تمثيلية معينة. تعلق نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع بجهاز SB ضوئي (PV) يشتمل على إلكترود Jie إلكترود أمامي/ملامس © وطريقة لتصنيعه ٠ في نماذج تمثيلية Aime يشتمل الإلكترود الأمامي ؟ على سطح منسوج (مخدوش على سبيل المثال) + يواجه الطبقة الرقيقة شبه الموصلة الفلطائية ٠ الضوئية © لجهاز (PV يتميز السطح المنسوج ١ للإلكترود الأمامي ©؛ المواجه للطبقة الماصة شبه الموصلة 0 aly يزيد من كمية الإشعاع الداخل أو الطاقة الشمسية التي تمتصها الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © لجهاز /7. في نماذج تمثيلية معينة؛ يتكون الإلكترود الأمامي 76 (من خلال الطلاء بالرش الكاثودي عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا على سبيل المثال) على سطح مستوٍ أو Sie إلى حدٍ كبير (غير منسوج) لركيزة زجاجية أمامية ١ وبعد تكوين الإلكترود الأمامي ١ عبر ٠ الطلاء بالرش الكاثودي عند درجة حرارة الغرفة أو ما شابه؛ يكون سطح الإلكترود الأمامي منسوجًا (عبر الخدش على سبيل المثال). عند اكتمال تصنيع جهاز PV يواجه السطح المنسوج (المخدوش على سبيل (JB + للإلكترود الأمامي ¥ الطبقة الرقيقة شبه الموصلة النشطة (أو الطبقة الماصة) © لجهاز PV يتميز استخدام الإلكترود الأمامي الذي يشتمل على سطح منسوج 1 مجاور للطبقة الرقيقة شبه الموصلة (أو الطبقة الماصة) © بأنه يُزيد من المسار الضوئي للضوء Ye الشمسي الداخل إلى الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © عبر تشتيت الضوء واحتجازه بين الإلكترودات
0١١ الأمامية والخلفية؛ وبالتالي يُزيد من فرصة امتصاص الفوتونات في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لإنتاج شحنة كهربائية. محمصنا (TCC في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يمكن أن يكون الإلكترود الأمامي ؟ (أو (أو معالجًا بالحرارة) قبل عملية التنسيج (الخدش على سبيل المثال). تساعد المعالجة الحرارية تلك ؛ه لكي يتم خدشهاء وبالتالي تسمح بالحصول على عملية نسيج أكثر تنظيمًا TCO على تكثيف © على ذلك؛ تكون الطبقة الأكثر كثافة الناتجة بفعل التحميص/التسخين أقل Sole ويمكن التنبؤ بها. وذلك لتقليل فرص وصول عامل الخدش caf TCO إنفاذية لعوامل الخدش المستخدمة في خدش
PV لأجزاء أخرى من الإلكترود الأمامي ؟ وإتلافها. ونتيجة لذلك؛ يمكن تحقيق أداء إجمالي لجهاز و/أو طبقة أكثر كثافةً at الناتج. في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يمكن توفير حاجز رفيع و/أو الطبقة (الطبقات) aE ؛ه للإلكترود الأمامي ". يجعل الحاجز الرفيع TCO 0ه بجوار 0٠ الإلكترود الأمامي ؟ أقل إنفاذية لعامل (عوامل) الخدش المستخدم في خدش at as الأكثر وذلك لتقليل فرص وصول عامل الخدش لأجزاء أخرى من الإلكترود الأمامي وإتلافها cat TCO الناتج؛ PV تحقيق أداء إجمالي لجهاز (Say الطبقة التي أساسها الفضة ؛ ج. ونتيجة لذلك؛ Jie دون السماح لعامل (عوامل) الخدش بإتلاف الإلكترود الأمامي ؟ بصورة غير مرغوب فيها. في كيلو أوم © سنتيمتر) لتوفير ١ ؛ه موصلة بدرجة معتدلة (أقل من TCO تمتيلية معينة؛ تكون zis Ye 0 مسار موصل للفضة ؛ج لإنتاج تيار ضوئي في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة ضوئي على lb في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يشتمل الإلكترود الأمامي © لجهاز طبقة تغليف متعددة الطبقات تتضمن طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة طبقة أساسها الفضة؛ أو الذهب؛ أو ما شابه ذلك) ؛ ج؛ وطبقة Mig) وموصلة إلى حدٍ كبير IR أكسيد Jie sale مصنعة من أو تشتمل على Sie) واحدة على الأقل (TCO) أكسيد موصلة منفذة ٠١
١#“ - قصديرء أكسيد زنك؛ أو ما شابه ذلك) ؛ه. في جهاز PV يتم وضع TCO ؛ه بين الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © والطبقة المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة zt IR في حالات تمثيلية Aime يمكن أن تشتمل طبقة التغليف للإلكترود الأمامي متعددة الطبقات على مجموعة من طبقات TCO و/ أو مجموعة من الطبقات المعدنية العاكسة للأشعة IR الموصلة بشكل أساسي ؛ج؛ © المرتبة بطريقة تبادلية من أجل العمل على تقليل انعكاسات الضوء المرئي؛ وزيادة الموصلية؛ وزيادة القدرة على عكس الأشعة AR في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يمكن تصميم طبقة تغليف متعددة الطبقات لإلكترود أمامي (انظر ؟ على سبيل المثال) من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآتية: (أ) مقاومة لوحية (,1) منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ٠ ضوئية نمطية؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء (IR) وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة القلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرةٍ الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس وزيادة انتقال الضوء في المنطقة (المناطق) التي تتراوح من حوالي 4596 - 700 نانو مترء و/ أو 0١-٠ نانو مترء وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن NO التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال 700 وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال TCO على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية مع العلم بوجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء IR وموصلة إلى حدٍ كبير؛ و/أو (و) زيادة المسار الضوئي داخل الطبقة الرقيقة شبه الموصلة؛ بسبب السطح المخدوش > للإلكترود الأمامي oF من خلال تشتيت الضوء وبالتالي زيادة فرصة امتصاص Te الفوتونات في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لإنتاج شحنة كهربائية إضافية.
١4
شكل )١( عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع؛ يشتمل على إلكترود أمامي متعدد الطبقات ©. يشتمل الجهاز SEN الضونئي على ركيزة زجاجية أمامية منفذة ١ (ويمكن Lad استخدام مادة مناسبة أخرى لتصنيع الركيزة بدلاً من الزجاج في بعض الحالات)؛ وطبقة (طبقات) عازلة اختيارية ¥ (على سبيل المثال. تلك المصنوعة
pe © أو المشتملة على واحد أو أكثر من أكسيد السيليكون و/أو سيليكون أوكسي نيتريد و/أو نيتريد السيليكون و/أو أكسيد التيتانيوم و/أو أكسيد النيوبيوم و/أو ما شابه) التي قد تعمل كحاجز للصوديوم يعيق انتقال الصوديوم خارج الركيزة الزجاجية الأمامية ١ء انظر الطبقة كب (على سبيل (JU تلك المصنوعة من أو المشتملة على أكسيد الزنك أو أكسيد زنك ألومنيوم أو أكسيد القصدير أو أكسيد قصدير أنتيمون أو أكسيد إنديوم زنك أو ما شابه) التي قد تكون TCO أو طبقة
0٠ عازلة في نماذج تمثيلية مختلفة؛ والطبقة العاكسة للأشعة تحت الحمراء (IR) التي أساسها الفضة Ragas zt التلامس أو التغليف الفوقي الاختيارية د Je) سبيل (JE المصنوعة من أو المشتملة على NiCr و/أو أكسيد 181 و/أو © أو أكسيد الزنك أو أكسيد زنك ألومنيوم أو ما شابه)
التي قد تكون 100 أو TCO 4ه Je) سبيل (JE تلك المصنوعة من أو المشتملة على أكسيد
الزنك أو أكسيد زنك ألومنيوم أو أكسيد القصدير أو أكسيد قصدير أنتيمون أو أكسيد زنك قصدير
٠ أو أكسيد إنديوم قصدير أو أكسيد إنديوم زنك أو ما شابه)؛ وطبقة شبه موصلة © (على سبيل المثال 005/0078 أو a-Si أو ما شابه) وملامس خلفي اختياري؛ وعاكس و/أو إلكترود ١ يمكن
أن يكون مصنوعاً من TCO أو معدن؛ ومادة لاصقة اختيارية 9 أو مادة لاصقة من مادة Jie أسيتات إيثيل فينيل (EVA) أو ما شابه ذلك وركيزة زجاجية خلفية اختيارية .٠١ يمكن تصنيع
الطبقة الرقيقة الماصة شبه الموصلة © من واحدة أو أكثر من الطبقات في نماذج تمثيلية مختلفة؛
٠ ويمكن أن تكون على سبيل المثال رصات طبقية ترادفية opin Jie 1100م أو ما شابه ذلك. بم
١١ الوارد في شكل PV بطبيعة الحال؛ يمكن إضافة طبقة (طبقات) أخرى؛ لم يتم توضيحهاء في جهاز .)( من زجاج ١١ و/ أو الطبقة العلوية (الركيزة) الخلفية ١ يمكن تصنيع الركيزة الزجاجية الأمامية أساسه الصودا - الجير- السيليكاء وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ويمكن أن تحتوي على محتوى قليل من الحديد و/ أو طبقة تغليف مضادة للانعكاس توضع عليها من أجل © تحسين النفاذية بشكل مثالي في بعض الحالات التمثيلية. يفضل أن يكون سطح (السطح الداخلي) المواجه للمادة شبه الموصلة © والإلكترود الأمامي 3 مستويًا أو مستويًا/أملس ١ للركيزة الزجاجية إلى حدٍ كبير في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. بعبارة أخرى» يكون السطح الداخلي للركيزة الذي يتكون عليه الإلكترود الأمامي ؟ غير منسوج. وهكذا؛ تكون الطبقات ؟ ١ الزجاجية الأمامية an مستوية أو ملساء إلى حدٍ كبير (غير منسوجة) في (Led وب و؟؛ج (الأسطح الرئيسية ٠ 4ه الأقرب من الركيزة TCO النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. علاوةً على ذلك» يكون سطح ؛ه TCO غير منسوج (أو أملس/مستو)؛ بينما يكون السطح المقابل 7 لطبقة ١ الزجاجية الأمامية المواجه للمادة شبه الموصلة © منسوجًا (مخدوثا على سبيل المثال) كما تمت مناقشته في هذه الوثيقة. من الزجاج في بعض النماذج التمثيلية لهذا ١١و ١١ وفي حين أنه يمكن تصنيع الركيزتين 0° الكوارتزء أو البلاستيك؛ أو ما شابه ذلك لتصنيع Jie الاختراع؛ فإنه يمكن استخدام مواد أخرى تكون ١١ من الزجاج. وعلاوةً على هذاء فإن الطبقة العلوية Ya ١١ و/ أو ١ الركيزة (الركيزتين) أو لا يكون» مقسَّي حرارياً؛ VY و/ أو ١ اختيارية في بعض الحالات. ويمكن أن يكون الزجاج وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. يمكن؛ بشكل اختياري؛ توفير طبقة رقيقة مضادة كما هو ١ على الضوء الساقط أو السطح الخارجي للركيزة الزجاجية الأمامية ١ (AR) للانعكاس ٠
EEC
"على" كما هي مستخدمة في هذا AS علاوةً على هذاء يجب إدراك أن .)١( موضح في شكل الطلب تغطي كلاً من طبقة تكون موضوعة بشكل مباشر أو غير مباشر على جسم ماء بينما يمكن أن تتواجد طبقات أخرى فيما بينها وبين الجسم. يمكن أن تكون الطبقة (الطبقات) العازلة ؟ من أية مادة منفذة إلى حدٍ كبير مثل أكسيد معدن و/ 2,5 إلى ٠,5 أو نيتريد معدن؛ حيث يمكن أن يكون لها معامل انكسار يتراوح من حوالي ١,6 والأفضل من حوالي FLY إلى ١,6 إلى 7,5 والأفضل من حوالي ٠.6 والأفضل من حوالي يمكن أن يكون Nal ومع ذلك؛ في بعض VA إلى ٠١7 إلى © والأكثر تفضيلاً من حوالي وتشتمل أمثلة المواد التي Yo NYT للطبقة العازلة ¥ معامل انكسار («) يتراوح من حوالي تصنع منها الطبقة العازلة ؟ على أكسيد السيليكون؛ نيتريد السيليكون» أوكسي نيتريد السيليكون؛ أوكسي نيتريد الألومينيوم؛ أكسيد (TIO, Jia) أكسيد الزنك؛ أكسيد القصدير؛ أكسيد التيتانيوم ٠ كطبقة حاجزة في بعض Y الألومينيوم؛ أو خلائط مما سبق. وتعمل الطبقة (الطبقات) العازلة النماذج التمثلية لهذا الاختراع» من أجل تقليل انتقال مواد متل الصوديوم إلى خارج الركيزة الزجاجية والوصول إلى الطبقة (الطبقات) العاكسة للأشعة 18 و/ أو المادة شبه الموصلة ©. علاوة على ١ هذاء فإن الطبقة العازلة " تكون عبارة عن مادة ذات معامل انكسار («) في المدى الموضح (Jie) أعلاه؛ وذلك من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي وبالتالي زيادة نفاذية الضوء المرئي ٠ نانو متر و/ أو 00-4860 نانو Ves 485؟- ٠ الضوء الذي له طول موجي يتراوح من حوالي متر) خلال طبقة التغليف وإلى المادة شبه الموصلة © مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الُلطائية الضوئية النمطية. الذي تم توفيره لأغراض التوضيح فقط ولا (TCC يشتمل الإلكترود الأمامي متعدد الطبقات 7 (أو على طبقة (Y إلى الخارج (فوق الطبقة (الطبقات) العازلة ١ يقصد به القصر ء من الركيزة الزجاجي ve ض
١١ — | — من أكسيد موصل منفذ أولى (TCO) أو طبقة عازلة ؛ب (مصنوعة من أو تشتمل على أكسيد زنك على سبيل المثال)؛ وطبقة عاكسة ل IR معدنية إلى حدٍ كبير وموصلة أولى zt (مصنوعة من أو تشتمل على الفضة و/أو الذهب على سبيل المثال)؛ وطبقة تغليف علوية اختيارية من +1110 أو NiCrO, أو ما af TCO als (المصنوعة من أو المشتملة على أكسيد الزنك أو أكسيد إنديوم © قصدير (ITO) أو ما شابه على سبيل المثال). تُشكّل هذه الطبقة الرقيقة متعددة الطبقات ؟ الإلكترود الأمامي في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع. وبطبيعة الحال؛ يمكن إزالة طبقات معبنة من الإلكترود ؟ في نماذج بديلة معينة لهذا الاختراع» كما يكون من الممكن Wad إضافة طبقات أخرى في الإلكترود متعدد الطبقات ؟ Jo) سبيل المثال؛ يمكن توفير طبقة إضافية أساسها الفضة ؛ج مع Jie TCO أكسيد الزنك أو توفير ITO بين طبقتين عاكستين ل IR أساسهما الفضة 4 ج). ٠ يمكن أن يستمر الإلكترود الأمامي © على مدار الركيزة الزجاجية الأمامية ١ بأكملها أو على Joe جزء كبير منهاء أو بطريقة أخرى يمكن ASE في تصميم مطلوب J) الشرائط) في نماذج تمثيلية مختلفة لهذا الاختراع. تكون كل طبقة من الطبقات من ١ إلى ؛ منفذة إلى حدٍ كبير في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع. يتم خدش سطح + طبقة af TCO المواجه للطبقة شبه الموصلة © كما تمت مناقشته في هذه الوثيقة؛ لتوفير سمات متطورة لجهاز PV ٠ يمكن أن يتم تصنيع الطبقة (الطبقات) العاكسة للأشعة IR ؛ج.؛ أو يمكن أن تشتمل على أية sale مناسبة عاكسة للأشعة IR مثل الفضة؛ الذهب؛ أو ما شابه ذلك. وهذه المواد تعكس كميات كبيرة من الأشعة CIR مما يؤدي إلى خفض كمية 18 التي تصل إلى الطبقة الرقيقة شبه الموصلة 0 وحيث إن 18 تزيد من درجة حرارة الجهازء فإن تقليل كمية الأشعة 18 التي تصل إلى الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © يكون مفيداً من حيث إنه يقلل من درجة حرارة تشغيل الوحدة ASU Ye الضوئية النمطية مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية. وعلاوة على 6م
١8 تمكن من زيادة zt هذه الطبقة (الطبقات) المعدنية Jia) هذاء فإن الطبيعة عالية الموصلية بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون للإلكترود متعدد dF موصلية الإلكترود الإجمالي مربع؛ والأفضل أقل من أو تساوي Jad ٠8 الطبقات ؟ مقاومة لوحية أقل من أو تساوي حوالي أوم/ مربع. ومرة ثانية؛ فإن VY أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك أقل من أو تساوي حوالي VE حوالي زيادة الموصلية (وهذا يعني أيضاً تقليل المقاومة اللوحية) تؤدي إلى زيادة قدرة الخرج الإجمالية © للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ وذلك عن طريق تقليل معدلات الفقد الناتجة عن المقاومة في الاتجاه الجانبي الذي يراد فيه تجميع تدفقات التيار عند حافة قطع الخلية. وتجدر الإشارة إلى أن الطبقة المعدنية الأولى (والثانية) العاكسة للأشعة 18 والموصلة ؛ج (وكذلك الطبقات الأخرى للإلكترود 7( تكون رقيقة بدرجة كافية بحيث تكون منفذة بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي بعض
R النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك الطبقة المعدنية بشكل أساسي والعاكسة للأشعة ٠ نانو مترء والأكثر ٠١ نانو مترء والأفضل من حوالي © إلى ١8 من حوالي ؟ إلى pt والموصلة مرغوبة من حيث إنها تسمح للطبقة a) نانو متر. تكون معدلات A تفضيلاً من حوالي © إلى ؛ج بعكس كمية كبيرة من الأشعة 8 بينما في الوقت نفسه تكون منفذة إلى حدٍ كبير للإشعاع الضوئي بتحويله RE المرئي الذي يسمح له بالوصول إلى شبه الموصل © لكي يقوم الجهاز وعالية الموصلية في الموصلية الإجمالية IR إلى طاقة كهربية. وتسهم الطبقة ؛ج العاكسة للأشعة © للإلكترود ؟ بدرجة أكبر كثيراً من طبقات 700؛ وهذا يسمح بتوسيع نافذة (نوافذ) المعالجة لطبقة التي تتمتع بمساحة نافذة محدودة لتحقيق كل من الموصلية والنفاذية المرتفعة. تم TCO (طبقات) توفير طبقة بدء التبلر د (المصنوعة من أو المشتملة على 200 و/أو 200:81 على سبيل يمكن توفير طبقة التغليف gf Ag المثال) للحمل ولتوفير بلورية أفضل للطبقة التي أساسها
١8 عند مستوى أعلى ثم تتلامس مع الطبقة التي أساسها الفضة of العلوية أو طبقة التغليف الرفيعة ؛ج لتحسين ثبات الفضة. مناسبة بما في ذلك على سبيل المثال لا TCO ؛ه من أية مادة TCO يمكن أن تكون طبقات الحصر؛ الصور الموصلة من أكسيد الزنك؛ أكسيد زنك - ألومنيوم؛ أكسيد القصديرء أكسيد أكسيد إنديوم - زنك (حيث يمكن أو لا يمكن معالجتها بالإشابة بالفضة)؛ (ITO) إنديوم- قصدير ©
PV مع جهاز Jal 4ه إقران أفضل للضوء الشمسي TCO lida أو ما شابه ذلك. توفر وتحسن من خواص تلامس الرصة؛ وتسمح بالمتانة الكيميائية والميكانيكية الجيدة لطبقة التغليف المعالجة. تكون هذه الطبقات نمطياً ذات كميات فرعية متكافئة وذلك لجعلها Ss أثناء الشحن من مادة (مواد) تكسبها مقاومة لا تزيد AE موصلة. على سبيل المثال» يمكن تصنيع هذه الطبقة أوم - سم؛ والأكثر تفضيلاً إلا تزيد ١ أوم - سم (والأفضل ألأً” تزيد عن حوالي ٠١ عن حوالي ٠ الألومنيوم؛ sal Jie 4ه بالإشابة بمواد أخرى TCO سم). ويمكن معالجة - ash Yo عن حوالي وذلك في بعض الحالات التمثيلية؛ طالما أنها تظل موصلة ومنفذة old الأنتيمون؛ أو ما شابه
TCO بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح مك طبقة (Ay بدرجة كبيرة للضوء المرئي. نانو مترء والأكثر تفضيلاً أن يتراوح ٠00 إلى 7١0 (عند وضعها أو بعد الخدش) من حوالي at نانو متر بل والأكثر تفضيلاً أن يتراوح من © ؟ إلى 900 نانو متر. 9٠٠0 MYO .من YO في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ يمكن تصنيع الجهاز الفلطائي الضوئي بتوفير ركيزة زجاجية ١ء ثم ترسيب (على سبيل المثال؛ عن طريق الطلاء بالرش الكاثودي أو أية تقنية أخرى 4ه TCO بعد ذلك؛ يتم خدش سطح الطبقة .١ مناسبة) إلكترود متعدد الطبقات 7 على الركيزة أو حمض HF حمض الأسيتيك أو حمض Jie (باستخدام عامل (عوامل) خدش على سبيل المثال أو 011:71 أو ما شابه - التي يتم خلط أي منها مع الماء أو ما شابه) لتوفير سطح مخدوش 1138# ٠
ET
والإلكترود الأمامي © مع باقي الجهاز لتشكيل ١ ثم يتم إقران الهيكل الذي يشتمل على الركيزة ١١ ومن الأمثلة الواردة حول محلول الخدش الذي يمكن .)١( جهاز فلطائي ضوئي مبين في شكل استخدامه لإجراء عملية الخدش خليط من أو يشتمل على الخل والماء. على سبيل المثال» يمكن بحيث ١ بعد ذلك تشكيل الطبقة شبه الموصلة © على الإلكترود الأمامي المخدوش على الركيزة ١١ ثم تتم عملية الكبسلة بواسطة الركيزة oF للإلكترود الأمامي ١ تجاور السطح المخدوش ©
EVA Jie 9 باستخدام مادة لاصقة يمكن أن تشتمل منطقة الطبقة شبه الموصلة النشطة أو الطبقة الرقيقة شبه الموصلة النشطة على طبقة واحدة أو أكثرء ويمكن أن تكون من أية مادة مناسبة. على سبيل المثال؛ تشتمل الطبقة الرقيقة شبه الموصلة النشطة © لأحد أنواع الأجهزة الفلطائية الضوئية المزودة بسيليكون غير متبلر طبقة op - ذي وصلة أحادية (5-»)؛ على ثلاث طبقات من أشباه الموصلات؛ وتحديداً هي طبقة ٠ طبقة — 1. ويمكن أن تشكل طبقة 8-51 من النوع - 0 للطبقة الرقيقة شبه الموصلة © الجزء الأعلى من الطبقة © - لرقيقة شبه الموصدة © في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ونمطياً تتواجد الطبقة - 1 بين الطبقتين النوعين م و «. ويمكن أن تكون هذه الطبقات التي أساسها سيليكون غير متبلر للطبقة الرقيقة © مصنوعة من سيليكون غير متبلر مهدرج في بعض الحالات؛ ولكن يمكن أن تُصتع أيضاً على كربون سيليكون غير متبلر مهدرج أو جيرمانيوم سيليكون غير متبلر Jali أو يمكن أن ٠ مهدرج؛ أو سيليكون دقيق البلورات مهدرج؛ أو مادة (مواد) مناسبة أخرى في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. ويمكن أن تكون المنطقة النشطة © ذات وصلة مزدوجة أو من النوع ثلاثي لتصنيع طبقة رقيقة شبه Te الوصلات. وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. كما يمكن استخدام موصلة ©؛ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. م
١ — | — يمكن تصنيع الملامس و/ أو العاكس؛ و/ أو الإلكترود الخلفي ١ من Af مادة مناسبة موصلة للكهرباء. على سبيل المثال لا الحصر؛ يمكن تصنيع الملامس أو الإلكترود الخلفي V من TCO و/ أو من معدن في بعض الحالات. وتشتمل أمثلة مواد TCO المناسبة للاستخدام كملامس أو إلكترود خلفي ١ على أكسيد إنديوم - زنك؛ أكسيد إنديوم - قصدير (ITO) أكسيد قصدير؛ و/ أو © أكسيد زنك حيث يمكن إشابته بالألومنيوم (حيث يمكن أن تتم إشابته أو لا تتم إشابته بالفضة). ويمكن أن يكون الملامس الخلفي 7 من النوع أحادي الطبقة أو من نوع متعدد الطبقات في حالات مختلفة. وعلاوة على هذاء يمكن أن يشتمل الملامس الخلفي ١ على JS من جزء TCO وجزء معدني في بعض الحالات. على سبيل المثال؛ في مثال لنموذج متعدد الطبقات؛ يمكن أن بشتمل جزء TCO للملامس الخلفي ١ على طبقة من مادة Jie أكسيد إنديوم - زنك؛ أكسيد إنديوم - ٠ قصدير (ITO) أكسيد قصديرء و/ أو أكسيد زنك. الأقرب من المنطقة النشطة © ويمكن أن يشتمل الملامس الخلفي على طبقة موصلة أخرى ومن الممكن أن تكون عاكسة من مادة مثل الفضة؛ الموليبدنيوم»؛ البلاتينيوم» الصلبء_الحديدء_ النيوبيوم؛ التيتانيوم» الكروم» البيزموث؛ الأنتيمون؛ أو الألومنيوم؛ أبعد ما يكون عن المنطقة النشطة © وأقرب إلى الطبقة العلوية AY ويمكن أن يكون الجزء المعدني أقرب إلى الطبقة العلوية ١١ مقارنة بالجزء TCO للملامس الخلفي Yo ل يمكن تغليف الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية أو تغطيتها جزئياً بمادة كبسلة مثل مادة الكبسلة 4 في بعض النماذج التمثلية. وتتمتل مادة كبسلة تمثيلية أو sik لاصقة للطبقة 9 في EVA أو -PVB ومع ذلك؛ يمكن استخدام مواد أخرى مثل بلاستيك من نوع (Tedlar بلاستيك من نوع Nuvasil بلاستيك من نوع Tefzel أو ما als ذلك للطبقة 9 في الحالات المختلفة. Yay
- ؟؟ - في حين أنه يتم استخدام الإلكترود © كإلكترود أمامي في جهاز فُلطائي ضوئي (PV) في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع التي تم وصفها وتوضيحها في هذا الطلب؛ فيمكن أيضاً استخدام الإلكترود )7( كإلكترود آخر فيما يتعلق بجهاز a ضوئي أو خلافه. لأغراض التمثيل hi سيتم تقديم مثال لنموذج شكل )١( كما يلي (لاحظ أن بعض الطبقات الاختيارية المبينة في شكل ١ لم يتم استخدامها في هذا المثال). على سبيل JE بالإشارة إلى شكل ١؛ تم استخدام ركيزة زجاجية أمامية Sa) ١ سمكها حوالي TY مم)؛ وطبقة عازلة ؟ (مثلاًء أوكسي نيتريد سيليكون بسمك حوالي ٠١ نانو متر ويمكن أن تليها طبقة TiOx عازلة بسمك حوالي ٠١ نانو متر)؛ وطبقة تبلر of Ag (مثل؛ طبقة عازلة أو طبقة أكسيد زنك 700 أو أكسيد زنك ألومنيوم بسمك حوالي ٠١ نانو متر)؛ وطبقة عاكسة للأشعة 18 ؛ج (من الفضة بسمك ٠ يتراوح من حوالي 0= A نانو متر)؛ وطبقة TCO 4ه (مثل؛ طبقة أكسيد زنك؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد زنك ألومينيوم. (ITO موصلة بسمك يتزاوح من 5٠0 -5+٠ ؟ نانو متر) والأفضل من حوالي ٠١-٠ نانو متر). يتم خدش طبقة TCO ؛ لتوفير سطح منسوج أو مخدوش 6. ويمكن أن يكون للجهاز الفلطائي الضوئي المبين في شكل )١( مقاومة لوحية لا تزيد عن حوالي VA أوم/ مربع؛ والأفضل ألا تزيد عن حوالي cape [asl VE والأفضل من ذلك ألا تزيد عن حوالي ١١ أوم/ Yo مربع في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج المبين في شكل )١( (أو أي نموذج AT في هذه الوثيقة) أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من 780 إلى الطبقة شبه الموصلة © في جزء من مدى الطول الموجي أو كل مدى الطول الموجي الذي zsh من حوالي mon 00 نانو متر و/ أو 5+8؛- ٠٠٠١ نانو متر؛ حيث يمكن أن يكون لها أشد كثافة وفي بعض الحالات التمثيلية يكون للخلية أعلى كفاءة Sans ٠ الأعلى إلى حدٍ كبير.
YY - ل لأغراض Jal فقط» سيتم توضيح مثال AT لنموذج شكل )١( كما يلي. يمكن أن يشتمل الجهاز الفلطائي الضوئي على الآتي: طبقة (AR) اختيارية مضادة للانعكاس ١أ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية ١٠ وطبقة عازلة أولى fv مصنوعة من أو مشتملة على نيتريد السيليكون Ji) 5:10 أو كمية متكافئة مناسبة أخرى)؛ وأوكسي نيتريد السيليكون وأكسيد السيليكون (مثل © 98:09 أو كمية متكافئة مناسبة أخرى) ٠ و/أو أكسيد القصدير Jie) ,800 أو كمية متكافئة مناسبة أخرى)؛ وطبقة بدء تبلر ؟ (يمكن أن تكون عازلة أو (TCO مصنوعة من أو مشتملة على أكسيد الزنك أو أكسيد زنك ألومنيوم أو أكسيد القصدير أو أكسيد قصدير أنتيمون أو أكسيد إنديوم زنك أو ما شابه ذلك؛ وطبقة موصلة عاكسة للأشعة تحت الحمراء 18 أساسها الفضة ؛ ج؛ وطبقة تغطية علوية أو طبقة تلامس د اختيارية (يمكن أن تكون عازلة أو موصلة) مصنوعة من أو تشتمل ٠ على أكسيد 181 و/ أو Cr أو :1016 أو أو أكسيد Ti أو أكسيد زنك ألومنيوم؛ أو ما شابه ذلك؛ TCO ؛ه (مثلاًء تشتمل على طبقة واحدة أو أكثر ) من أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون ؛ أكسيد زنك قصدير؛ أكسيد إنديوم قصدير؛ أكسيد إنديوم زنك؛ أكسيد زنك جاليوم ألومنيوم؛ وطبقة رقيقة شبه موصلة © مصنوعة من أو تشتمل على واحدة أو أكثر من الطبقات a-Si «CdS/CdTe Jie أو ما شابه ذلك؛ وملامس؛ و/ أو عاكسء و/ أو إلكترود Vo خلفي ١ اختياري مصنوع من الألومنيوم أو ما شابه؛ وطبقة لاصقة اختيارية 4 مصنوعة من أو Jails على بوليمر مثل PVB أو ¢EVA وركيزة زجاجية خلفية .١١ وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع» يمكن أن يتراوح سمك الطبقة العازلة ¥ من حوالي © = 5٠ نانو مترء والأفضل من حوالي ٠١ -٠١ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك طبقة بدء التبلر كب من حوالي = 7٠ نانو مترء والأفضل من حوالي 0 ١١5 نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة التي أساسها فضة 4 ج ge ٠ حوالي ©- 7١ نانو مترء والأفضل من حوالي = ٠١ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك طبقة
0 4 - التغليف العلوية د من حوالي =e Y نانو ie والأفضل من حوالي -٠,8 ؟ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك طبقة TCO الرقيقة ؛ه من حوالي ©٠ إلى ٠٠١ نانو مترء والأفضل من حوالي 8 إلى ١5١ نانو متر؛ ويمكن أن تكون لها مقاومة لا تزيد عن حوالي ٠٠١ ملي أوم في بعض الحالات التمثيلية. علاوةً على هذاء يمكن تشكيل سطح الزجاج ١ الأقرب إلى الشمس ليكون له © نمط تكراري عن طريق الخدش أو ما شابه ذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. يمكن أن يكون الإلكترود الأمامي ؟ مصنوعًا من أو مشتملاً على أي من الإلكترودات الأمامية الموضحة في الطلب الأمريكي رقم ١١/544097 المودع في ١١ نوفمبر من عام ٠7 والذي تم تضمين محتواه في هذه الوثيقة كمرجع. يمكن زيادة فعالية أجهزة a-Si PV حتى IX. من خلال نسج سطح الموصل المنفذ الذي يتم وضع Ve شبه الموصل a-Si فوقه (انظرء على سبيل JU الطبقة الرقيقة شبه الموصلة ©). وقد تم تطوير العديد من الطرق لتحقيق هذا النسج. أولاً يمكن استخدام عملية ترسيب ,800 الذي تمت إشابته بالفلور الحراري لتكوين الإلكترود الأمامي . يتم نسج الخليط بصورة مترسبة عند استخدام متغيرات المعالجة المناسبة. وعلى الرغم من نجاحها تجاريًاء فلا تؤدي هذه العملية إلى توفير أعلى كفاءة تحويل فلطائية ضوئية. نظ لعدم كون أحجام وأشكال وتوزيع السمات مثلى. بالإضافة إلى ذلك؛ هناك حاجة لتوفير طبقات 500:1 السميكة bend للحصول على المقاومة اللوحية المطلوبة التي تبلغ حوالي ٠١ أوم/مربع. ثانيّاء يمكن أن توفر CVD الخاصة ب 200:81 بالاشتراك مع الخدش أو التنسيج الرطب بالليزر معدل أداء جيد؛ ومع ذلك؛ تكون معدلات الترسيب منخفضة ويكون تنظيف النظام بطيئًا باستخدام 0070. بالإضافة إلى ذلك تكون عملية التنسيج بالليزر في حد ذاتها باهظة التكاليف ومنخفضة الإنتاجية. ثالثًا ؛ يمكن استخدام 200:/81 المطلي بالرش الكاثودي ٠١ عند درجة حرارة تتراوح من Yer إلى Yoo م متبوعًا بالخدش الخلفي في ١,8 إلى 7١1 من HCL Foye
ve - - ومع ذلك؛ يتطلب الطلاء بالرش الكاثودي عند 700 م استخدام معدات غير تقليدية وتكون الإنتاجية أقل عندما تكون هناك حاجة لتسخين الزجاج وتبريده. رابعًاء بدلاً من تنسيج الطبقة الرقيقة شبه الموصلة المنفذة؛ يمكن خدش الزجاج ١ للحصول على سطح زجاجي منسوج؛ ويتم تغليف الإلكترود الأمامي الملائم عن طريق الطلاء بالرش الكاثودي؛ مما يؤدي إلى الحصول على سطح منسوج عند السطح العلوي للطبقة الرقيقة؛ متبوعًا بنسج الركيزة الزجاجية. ومع ذلك؛ باستخدام هذه الطريقة الرابعة يكون من الصعب تحقيق فعالية في التكاليف وإنتاجية مرتفعة لطبقة التغليف ذات أحجام مميزة مطلوبة أقل من الميكرون. بالإضافة إلى ذلك؛ تكون هناك حاجة لعوامل الخدش القوية لتنسيج Lal) ونتيجة لذلك تكون الطبقة التي أساسها Ag خشنة وذات مقاومة لوحية متزايدة. وهكذاء هناك حاجة لإلكترود أمامي منسوج ؟؛ يمكن تصنيعه عند سرعة عالية باستخدام ٠١ معدات الطلاء بالرش الكاتودي عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا ٠ مما يؤدي إلى سمات سطح مثلى ومنتظمة بالنسبة لكفاءة تحويل PV العالية. في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع؛ يتم استخدام زجاج طاف غير منسوج وأملس منتظم كركيزة بادئة .١ وبعد ذلك؛ يمكن ترسيب التالي بالطلاء بالرش الكاثودي عند درجة حرارة الغرفة: (أ) واحدة أو أكثر من الطبقات العازلة Y) و/أو كب)؛ (ب) طبقة فلزية أو أساسها الفلز منفذة ورفيعة Jie 5 الفضة zg) (ج) واحد أو أكثر من الأكاسيد المنفذة الموصلة أو الموصلة بصورة معتدلة (أقل من ١ كيلو أوم. سنتيمتر)؛ ZnO:Al Jie (؛ه). يتم تعريض هذه cial الخاصة بالإلكترود الأمامي oF إلى عامل خدش طفيف Jie 1101 مخفف (حمض الهيدروكلوريك) أو CH;COOH مخفف (حمض أسيتيك) لفترة تتراوح من عدة i إلى عدة دقائق. يقوم الحمض بخدش سطح طبقة af TCO لإنتاج سطح منسوج على السطح + المناسب لاحتجاز الضوء في وحدات ٠ السيليكون الفلطائية الضوئية النمطية وما شابه. يفضل أن تتراوح زاوية النسيج (الزاوية المتوسطة
التي يتم عندها توفير القمم و/أو أدوية السطح المخدوش) من Ye إلى £0 درجة (على سبيل (JU حوالي 7١ درجة) بالنسبة للمستوى الأفقي . علاوةً على ذلك؛ يتراوح متوسط خشونة السطح (خشونة 5- الجذر التربيعي للمتوسط الحسابي لمربعات ارتفاع السمة) للسطح المخدوش 6+ من ٠ إلى ٠٠ نانو مترء والأكثر تفضيلاً أن يتراوح من ١5 إلى 5٠ نانو متر؛ والأكثر تفضيلاً على © الإطلاق أن يتراوح من Ye إلى Ve نانو متر. Jali القمم/الأودية الموجودة على السطح المخدوش ١ على متوسط عمق يتراوح من حوالي ١.05 إلى ١.5 ميكرو متر في النماذج التمثيلية المعينة. يمكن أن تتراوح قيمة الاغبرار من حوالي 6 إلى JOY والأكثر تفضيلاً أن تتراوح من حوالي ٠١ إلى dV بعد الخدش في النماذج التمثيلية المعينة. لاحظ أن الاغبرار يكون اغبرار الركيزة الزجاجية dpa) المغلفة بطبقة TCC مخدوشة (دون أن تكون الطبقة شبه الموصلة ede 0٠
الأمثلة من )١( إلى (3)
ض في مثال (١)؛ تم ترسيب رصة رقيقة من ٠00 /NiCr/Ag/ZnOJTiOxX [SIN نانو sie من 700 بالطلاء بالرش الكاثودي على ركيزة dala) ملساء ١ عند درجة حرارة الغرفة (تلامس SIN مع الركيزة الزجاجية الأمامية. وتلامس ZnO بسمك ٠٠١ نانو متر مع TCO ؛ه)؛ ثم يتم غمرها في
© حمض مخفف من 70/75 من 1101 في ele منزوع الأيونات. اشتملت طبقة TCC المخدوشة الناتجة (طبقة تغليف موصلة منفذة) للإلكترود الأمامي ؟ على dad اغبرار قدرها 17 ومقاومة لوحية قدرها حوالي ٠١ أوم/مربع. لم تتغير المقاومة اللوحية بعد الخدش؛ مما يشير إلى عدم إزالة طبقة Ag ؛ج؛ ولم تتم مهاجمتها أو لم تتأثر بالسلب بفعل عملية الخدش. يمكن استخدام الإلكترود الأمامي المخدوش ؟ بعد ذلك في جهاز PV على سبيل المثال؛ كما هو موضح في شكل .)١(
- لاج - في مثال ()؛ تم ترسيب كمية زائدة قدرها 5060 نانو متر من 700:81 على طبقة TCC التي أساسها Ag كما تم توضيحه في مثال )١( ولكن باستخدام ١48 نانو متر من طبقة 700:81 af اشتمل النسيج الناتج على حجم وشكل وتوزيع مميزين مناسبين لتحسين احتجاز الضوء بقوة في الطبقة الرقيقة شبه الموصلة الرفيعة للجهاز SUED الضوئي باستخدام الملامس الخلفي العاكس. © في مثال oY) تم ترسيب رصة رقيقة من ٠0١ [NICr/Ag/ZnO[TiOx [SIN نانو متر من 700 بالطلاء بالرش الكاثودي على ركيزة زجاجية ملساء ١ عند درجة حرارة الغرفة (تلامس SIN مع الركيزة الزجاجية cael) وتلدمس 200 بسمك 000 نانو متر مع TCO ؛ه)؛ ثم يتم غمرها في حمض مخفف من 78 من 011:00011 (حمض أسيتيك) في ماء منزوع الأيونات. اشتملت الطبقة الرقيقة على اغبرار ناتج قدره 7٠ ومقاومة لوحية قدرها حوالي ٠١ أوم/مربع. لم تتغير المقاومة ٠ اللوحية بصورة كبيرة بعد الخدش؛ مما يشير إلى عدم مهاجمة طبقة Ag ؛ج أو لم تتأثر بالسلب بفعل عملية الخدش. إن الأمثلة الواردة أعلاه غير مُحدّدة. فيمكن استخدام عوامل خدش طفيفة أخرى. بما في ذلك الأحماض والمحاليل القاعدية؛ التي لا تهاجم الفضة ؛ج في طبقة التغليف العلوية ؛ه. يمكن Ua استخدام أكاسيد فلزية أخرى ITO) وما إلى ذلك) في صورة af TCO عند استخدام عوامل © خدش Af يمكن توفير طبقة (طبقات) وسيطة (مثل أكسيد القصدير) Gl) على سبيل المثال؛ الطبقة الحاجزة (Sat شكل )١ عند توقف الخدش لحماية الفضة ؛ج. على سبيل المثال. يمكن أن يكون أكسيد القصدير أكثر مقاومة للخدش بالحمض من 200 و170. بعبارة «gyal ففي هذه الطريقة البديلة؛ يمكن تغليف الطبقة التي أساسها Ag 4ج أولاً بطبقة حاجزة رفيعة مقاومة للخدش (على سبيل (JE أكسيد القصدير أو غيره من الأكاسيد الأخرى المنفذة الموصلة بصورة معتدلة ٠١٠ مثل طبقة ؛ه في شكل oY متبوعًا بطبقة TCO 4ه ZnO:Al Jie
Ya - - في الأمثلة من )١( إلى )7( الواردة أعلاه؛ تمت مناقشة طريقة للخدش الخلفي للطبقة Jat TCO TCC ؟ المترسبة عند درجة حرارة الغرفة باستخدام محلول مائي طفيف من حمض؛ Jie حمض الأسيتيك (011300011). تم استخدام ZNAIOX في صورة TCO للطبقة ؛ه. وقد تم اكتشاف؛ في حالات معينة؛ أن خدش طبقة TCO 22 المترسبة عند درجة حرارة الغرفة يمكن أن يسوي معدل © أداء طبقة التغليف المنسوجة oF وخاصة انتظامها وموصليتها الجانبية. واتضح أن من أسباب ذلك انخفاض كثافة مواد TCO التي يتم ترسيبها وتبلورها غير الكافي عند درجات الحرارة المنخفضة (درجة حرارة الغرفة). ومع ذلك فتجنب درجات حرارة الترسيب المرتفع يعد أمرًا مطلوبًا في سياق إنتاج طبقات التغليف في منطقة كبيرة. وهكذاء توجد حاجة لتوفير طريقة لتنسيج طبقة TCO ؛ه لرصة TCC التي أساسها عه المترسبة عند درجة حرارة الغرفة oF مع الأخذ في الاعتبار التكوين Ve منخفض الكثافة لطبقات مترسبة بالطلاء بالرش الكاثودي عند درجات حرارة الغرفة. على سبيل «JE يمكن أن 3833( بعض نماذج الاختراع الحالي الاستفادة من تكثيف طبقة TCO ؛ه بأكملهاء أو جزء منها على الأقل الأقرب من الطبقة التي أساسها الفضة rf لتحسين أداء طبقة التغليف المنسوجة بالخدش للخلايا الشمسية 8-51 أو ما شابه. في هذا الصددء يوضح شكل )8( مخططًا لسير العمليات يوضح خطوات معينة متبعة لتصنيع ٠ جهاز PV لأي من النماذج الواردة في الأشكال من )١( إلى )7( وفقًا للاختراع الحالي. في شكل (؟)؛ يتكون إلكترود أمامي أساسه Ag أو TCC © على السطح الأملس لركيزة زجاجية أمامية ١ باستخدام الطلاء بالرش الكاثودي عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا (الخطوة 51). وبعد ذلك؛ وقبل الخدشء يتم إخضاع طبقة تغليف TCC التي أساسها Ag المترسبة بالطلاء بالرش الكاثتودي 9 إلى التحميص (أو المعالجة الحرارية) (الخطوة 2). وفي نماذج تمثيلية معينة؛ يمكن أن تتراوح درجة ٠٠ حرارة المعالجة الحرارية في الخطوة 82 من حوالي + © إلى 400 ca والأكثر تفضيلاً أن تتراوح من
حوالي ٠٠١ إلى 800 م (والأكثر تفضيلاً أن تتراوح من حوالي ١5٠ إلى +75 م)ء لفترة زمنية تتراوح من حوالي © إلى Te دقيقة؛ والأكثر تفضيلاً أن تتراوح من حوالي ٠١ إلى GAB ٠١ والأكثر تفضيلاً أن تتراوح من حوالي ٠١ إلى ٠ دقيقة. وتعد عملية المعالجة الحرارية النموذجية تلك التي تتم لمدة Te دقيقة عند YY. م. وعقب المعالجة الحرارية الواردة في الخطوة 82؛ تم 8 خدش TCC المعالجة حراريًا (المحمصة) باستخدام حمض أسيتيك أو ما شابه لتكوين سطحها المنسوج/المخدوش 7 (الخطوة 53). وبعد ذلك؛ يتم استخدام الركيزة الأمامية ١ التي بها الإلكترود الأمامي ؟ محتويا على سطح مخدوش + في صقل جهاز PY بحيث يواجه السطح المخدوش 1؛ ويفضل أن يرتكز على. الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © لجهاز PV في المنتج النهائي (الخطوة 4). من الجدير بالذكر أن السمك الإجمالي لطبقة TCO المترسبة 4ه يتراوح من حوالي ٠٠١ إلى ٠ 8060 نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح السمك ما بعد عملية الخدش من حوالي 5١ إلى "08٠6 نانو متر بالنسبة للطبقة ؛ه في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع. بالإشارة إلى الأشكال )0( و(4) 5 )1( فتم تحضير المثال )€( على النحو التالي. تم ترسيب طبقة TCC الرقيقة ؟ بالطلاء بالرش الكاثودي عند درجة حرارة الغرفة على سطح أملس من الركيزة الزجاجية ١؛ وقد تضمنت طبقة رقيقة عازلة oY وطبقة بدء تبلر بأكسيد الزنك كب؛ وطبقة فضة zt 5 وطبقة NiCr أو 110:0 cat وطبقة at 20810, TCO تم إخضاع الركيزة الزجاجية ١ مع كون طبقة TCC ؟ فوقها إلى التحميص لمدة ثلاثين دقيقة عند 7770م Ug وعقب التحميص؛ تم خدش طبقة TCC ؟ المعالجة حراريًا (المحمصة) باستخدام حمض الأسيتيك أو ما شابه لتكوين السطح المنسوج/المخدوش .١ يوضح شكل )©( Lewy بيانيًا للشدة مقابل ¥ ثبتا (درجة) يوضح؛ بالنسبة لهذا المثال؛ أن تحميص الإلكترود الأمامي قبل الخدش أدى إلى انخفاض FWHM ٠ (العرض الكامل عند نصف المعدل الأقصى) لقمة حيود الأشعة السينية في 200 عند TE, درجة
Cove a, ل 200 (يشير ذلك إلى الطبقة الرقيقة الأكثر كثافة). <r oY ثيتا)؛ مما يتوافق مع اتجاه Y) لما سبق؛ تم استخدام عملية التحميص لتكثيف الطبقة الرقيقة ؟ قبل الخدش؛ مما أدى إلى af TCO الحصول على عملية خدش أكثر تماسكًا وسطح مخدوش أكثر انتظامًا 1 للطبقة من الجدير بالذكر أنه في أي من النماذج الواردة في هذه الوثيقة؛ يمكن استخدام حمض بدلاً من أو بالإضافة إلى ١ الهيدروكلوريك في صورة عامل الخدش لتكوين السطح المخدوش © حمض الأسيتيك أو ما شابه. عند استخدام حمض الأسيتيك و/أو حمض الهيدروكلوريك لخدش والأكثر تفضيلاً أن JY إلى ٠,8 4ه؛ يمكن أن يتراوح تركيز الحمض من حوالي TCO الطبقة ؛ مع كون التركيز النموذجي حوالي 77,5 في النماذج التمثيلية ye إلى ١ يتراوح من حوالي
Lap ثانية؛ 50٠0 إلى ٠١ المعينة لهذا الاختراع. يمكن أن يتراوح زمن الخدش من حوالي ثانيةء في ٠٠١0 ثانية؛ مع كون الزمن المثالي حوالي "٠0٠١ إلى ٠٠١ تفضيلاً أن يتراوح من حوالي ٠ النماذج التمثيلية المعينة لهذا الاختراع. للمثال (4) (الجانب الأيمن من شكل 1) مع سطح مخدوش ١ يقارن شكل )7( السطح المخدوش قبل الخدش. ويوضح شكل )١ مماثل آخر لم يُستخدم معه التحميص (الجانب الأيسر من شكل 200 على وجه التحديد؛ صورتين فوتوغرافيتين جانبيتين تقارنان بين الأسطح المخدوشة ل (1) ثانية في 23,5 من المحلول المائي من ٠٠١0 sad مع وبدون التحميص المسبق قبل الخدش 1060© 5 أكسيد الزنك التي تم خدشها TCO حمض الأسيتيك. يوضح الجانب الأيسر من شكل )1( طبقة ثانية في 77,5 من محلول مائي من حمض الأسيتيك دون إجراء التحميص قبل 7٠0١ لمدة Yoo أكسيد الزنك التي تم خدشها لمدة TCO الخدش. ويوضح الجانب الأيمن من شكل )1( طبقة
TCO ثانية في 77,5 من محلول مائي من حمض الأسيتيك ولكن مع إجراء الخدش بعد تحميص م تقريبًا كما في مثال (©). يوضح الجانب الأيسر من شكل )1( (دون WV. لمدة ثلاثين دقيقة عند Ye 4م
- ١ se تميل إلى أن تشتمل على TCO تحميص) أنه عندما لا يتم التحميص قبل الخدش؛ فإن طبقة لقم الخدش الممتدة عبر الطبقة) المحددة بها بسبب الخدش الذي يمكن (Jia) من فوهات الخدش أن يؤدي إلى تشتيت الضوء بصورة غير متحكم فيها وبالتالي يتم الحصول على سطح مخدوش بشكل غير منتظم (انظر الفوهات الكبيرة المتعددة الموجودة على الجانب الأيسر من شكل 1( ومن يوضح الجانب الأيمن من شكل )1( (المحمص في مثال 8( أنه عند استخدام egal ناحية © بعد الخدش تميل إلى أن تشتمل على سطح مخدوش TCO التحميص قبل الخدش؛ فإن طبقة بصورة أكثر انتظامًا دون فوهات خدش ملحوظة كما تم تحديده في هذه الوثيقة. عند استخدام عملية التحميص قبل الخدشء يتم التحكم في فوهات الخدش؛ المسئولة عن تشتيت الضوء؛ بصورة جيدة ؛ه بفعالية. علاوةً على ذلك. من TCO ويمكن تحسين حجمها وشكلها لاستخدام سُمك طبقة ٠١ بوصة في ٠١ المميزات الأخرى أن عدم انتظام الاغبرار والمقاومة اللوحية للعينة المخدوشة ٠ إلى 77,5 عند استخدام التحميص الوارد في مثال )£( قبل الخدش. وهكذاء 7١7 بوصة يتحسن من أكثر انتظامًا ١ سيتم إدراك أن استخدام المعالجة الحرارية قبل الخدش يؤدي إلى سطح مخدوش وبالتالي يتم الحصول على سطح تشتيت ضوء أكثر تحكمًا فيه وإلكترود موصل في المنتج النهائي. iy PV شكل () عبارة عن مخطط لسير العمليات يوضح خطوات معينة متبعة في تصنيع أجهزة © أو Ag لنماذج تمثيلية أخرى لهذا الاختراع. في شكل (7)؛ يتكون الإلكترود الأمامي الذي أساسه باستخدام عملية الطلاء بالرش ١ ؟ على السطح الأملس من الركيزة الزجاجية الأمامية TCC 7؛ يكون من الممكن TCC الكاتودي عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا (الخطوة 58). أثناء ترسيب ؛ه المترسب أكثر كثافةً من الجزء TCO تغيير ظروف الترسيب بحيث يكون الجزء الأول لطبقة ؛ه حسب الكثافة). انظر TCO المترسب (أي؛ يتم تصنيف طبقة af TCO الأخير من طبقة ٠
؟* - الخطوة SB في شكل L(V) بطريقة بديلة أو بالإضافة إلى ذلك؛ يمكن وضع طبقة حاجزة رفيعة ؛ه بين طبقة TCO ؛ه والطبقة التي أساسها Ag ؛ج. تحقق الخطوة (الخطوات) SB في شكل (V) هذه الإمكانات؛ التي يمكن استخدامها بالتبادل أو las وعقب 58-58؛ يتم خدش الطبقة TCO at باستخدام حمض الأسيتيك أو ما شابه لتكوين السطح المنسوج/المخدوش ١ منها (الخطوة (SC © وبعد ذلك؛ يتم استخدام الركيزة الأمامية ١ ذات الإلكترود الأمامي ؟ المشتملة على سطح مخدوش ١ في صقل جهاز PV بحيث يواجه السطح المخدوش ©؛ ويفضل أن يرتكز oe الطبقة الرقيقة شبه الموصلة © من جهاز 777 في المنتج النهائي (الخطوة 50). وهكذا » بالإشارة إلى الشكلين () و()؛ في نموذج تمثيلي AT للاختراع الحالي (الذي يمكن أو لا يمكن استخدامه مع نموذج التحميص المسبق الذي وردت مناقشته من قبل؛ أو أي نموذج آخر ٠ تمت مناقشته أعلاه)؛ تم تكثيف الجزء السفلي ؛هّ من الطبقة aE TCO من خلال تغيير متغيرات ترسيبها. (JES يمكن ترسيب جزء الطبقة الأول َه في TCO متعددة الطبقات ؛ه بالطلاء بالرش الكاثودي عند ضغط معالجة (pattie وبالتالي يتم توفير جزء طبقة أكثر كثافة af بإنفاذية منخفضة لعامل الخدش. يمكن أن يتراوح ضغط المعالجة المستخدم لجزء الطبقة af من ١ إلى ؛ ميكرو بار في نماذج تمثيلية معينة. وبعد ذلك؛ يتم ترسيب جزء الطبقة ؛ه من TCO © بالطلاء بالرش الكاثتودي عند ضغط مرتفع. تتمثل النتيجة في الحصول على طبقة بها العديد من الأجزاء؛ يتم تصنيفها وفقًا للكثافة بحيث يكون الجزء الأقرب من الطبقة التي أساسها Ag ؛ج أكثر كثافة من الجزء الأبعد عن الطبقة التي أساسها Ag ؛ج. يمكن أن يكون التصنيف حسب الكثافة متواصلاً أو غير متواصل في النماذج التمثيلية المختلفة لهذا الاختراع. علاوةً على ذلك؛ يمكن أن يتم التصنيف حسب الكثافة على خطوات أو بمتحنى في النماذج التمثيلية المختلفة لهذا الاختراع. ٠ يتميز ذلك من حيث إنه يتيح بإجراء عملية الخدش على الجزء الأقل كثافة ؛ه بشكل أساسيء بينما ARE
- ++ oo لمنع أو تقليل احتمال تكوّن فوهات خدش من التكسبر عبر a يتم توفير الجزء الأكثر كثافة 0 zt Ag الطبقة والوصول إلى الطبقة التي أساسها أكسيد قصدير موصل Jie cat يمكن إدخال طبقة حاجزة رفيعة oY) 5 )7( بالإشارة إلى الشكلين zt Ag لمنع أو تقليل تلف الطبقة التي أساسها af TCO أو ما شابه؛ بين طبقة التغليف ؛د بسبب الحمض المستخدم أثناء الخدش. وكمثال؛ يشتمل أكسيد القصدير غير المعالج بالإشابة على © موصلية منخفضة عند ترسيبه بالطلاء بالرش الكاثودي. وهكذاء في حالة استخدام أكسيد القصدير ؛ج إلى Ag لتوفير موصلية رأسية كافية من الطبقة caf غير المعالج بالإشابة للطبقة الحاجزة
GUY الطبقة الحاجزة ؛هّ من حوالي ؟ إلى dll الطبقة شبه الموصلة ©« فيجب أن يتراوح أو ما شابه) في أكسيد Sb Jia) ibe متر. ومن الطرق البديلة الأخرى أن يتم إدخال عامل إشابة عند وضع at أثناء الترسيب؛ لتحسين موصلية الطبقة الحاجزة at القصدير في الطبقة الحاجزة ٠ يتم تحسين موصلية الطبقة الحاجزة ؛ه ويمكن زيادة سمكها. cat عامل الإشابة هذا في الطبقة 17٠١ إلى ١ من حوالي Sb يمكن أن يتراوح تركيز cat أو ما شابه إلى الطبقة Sb عند إضافة بالوزن؛ مع كون التركيز النموذجي 7٠١ بالوزن؛ والأكثر تفضيلاً أن يتراوح من حوالي ؟ إلى
Jo حوالي و(7) أعلاه؛ يمكن أن تشتمل )١( في نماذج تمثيلية معينة لهذا الاختراع» وبالإشارة إلى الشكلين VO إلى 770 في المسار المرئي؛ والأكثر تفضيلاً أن ١ ؟ عقب الخدش على اغبرار يتراوح من 16 مع كون القيمة النموذجية حوالي 7717 في نماذج تمثيلية معينة لهذا XY 0 (HA يتراوح من الاختراع.
ف في حين ثم وصف الاختراع فيما يتعلق بما يمكن اعتباره في الوقت الراهن النموذج المفضل والأكثر LE للتطبيق العمليء إلا أنه يجب فهم أن الاختراع لا يقتصر على النموذج الذي تم الكشف عنه؛ ولكن على العكس؛ تتجه النية لأن يغطي الاختراع مختلف التعديلات والترتيبات المكافئة التي تم تضمينها داخل فحوى ومجال عناصر الحماية المرفقة. 4م
Claims (1)
- اوم عناصر الحماية -١ ١ جهاز SBE ضوئي يتضمن: Y ركيزة زجاجية أمامية؛ " إلكترود أمامي بين الركيزة الزجاجية الأمامية وطبقة رقيقة شبه موصلية للجهاز الفلطائي ot الضوئي ٠ حيث يشتمل الإلكترود الأمامي على طبقة موصلة أساسها الفضة وطبقة أكسيد © موصل منفذ (TCO) ويتم وضع طبقة TCO بين الطبقة التي أساسها الفضة والطبقة الرقيقة شبه الموصلة للجهاز Sl الضوئي؛ ١" حيث يتم خدش السطح الرئيسي من الطبقة TCO الأقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لكي A يتم نسجه؛ و 4 حيث يتم تصنيف طبقة TCO من حيث كثافتها بحيث يكون الجزء الأول من الطبقة TCO ٠ - القريب من الطبقة التي أساسها الفضة بكثافة أعلى من الجزء الثاني من الطبقة 100 البعيد عن ١١ الطبقة التي أساسها الفضة. ١ ؟- الجهاز SLB الضوئي Wy لعنصر الحماية )1( حيث تشتمل الأجزاء الأولى والثانية" .من الطبقة TCO على أكسيد زنك. ١ ©- الجهاز الفلطائي الضوئي Uy لعنصر الحماية (١)؛ حيث تشتمل الأجزاء الأولى والثانية".من الطبقة TCO على مواد مختلفة.- Yr 34 —١ ¢— الجهاز القلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ حيث تكون الأجزاء الأولى والثانية من¥ الطبقة TCO مصنوعة من نفس المادة.١ #- الجهاز الفلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ يشتمل كذلك على طبقة تحتوي على للا و/أو © موجودة بين الطبقة التي أساسها الفضة وطبقة 760.١ +- الجهاز الفلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ حيث تشتمل الطبقة الرقيقة شبه " الموصلة على سيليكون غير متبلر.١ #- الجهاز الفلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ يشتمل كذلك على طبقة تحتوي على aust oY زنك بين الركيزة الزجاجية الأمامية والطبقة التي أساسها الفضة؛ وتتلامس هذه الطبقة YF المحتوية على أكسيد الزنك مع الطبقة التي أساسها الفضة.A) الجهاز الفلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ حيث يشتمل السطح المنسوج من Y الطبقة TCO على متوسط قيمة خشونة RMS تتراوح من ٠١ إلى 9٠ نانو متر. =a) الجهاز القلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية )1( حيث يشتمل السطح المنسوج من " الطبقة TCO على متوسط ded خشونة RMS تتراوح من ١5 إلى 5٠ نانو متر.انام --٠١ ١ الجهاز الفلطائي الضوئي وفقًا لعنصر الحماية (١)؛ حيث يكون السطح الرئيسي للركيزة" الزجاجية الأمامية المواجه للإلكترود الأمامي أملس وغير منسوج.-١١ ١ جهاز SB ضوئي يشتمل على الآتي:" ركيزة زجاجية أمامية؛" إلكترود أمامي بين الركيزة الزجاجية الأمامية وطبقة رقيقة شبه موصلية للجهاز الفلطائي (pall حيث يشتمل الإلكترود الأمامي؛ لكي يتحرك بعيدًا عن الركيزة الزجاجية الأمامية؛ على 0 طبقة موصلة أساسها الفضة وطبقة حاجزة تشتمل على أكسيد فلزء وطبقة موصلة منفذة (TCO) 1 ويتم وضع طبقة TCO بين الطبقة التي أساسها الفضة والطبقة الرقيقة شبه الموصلة ١" للجهاز الفلطائي الضوئي؛A حيث يتم خدش السطح الرئيسي من الطبقة TCO الأقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة لكي 4 يتم نسجه؛ و ٠ حيث تكون الطبقة الحاجزة أكثر مقاومةً للخدش من الطبقة TCO ؛ حيث ان الطبقة المنظمة ١ تكون اكثر مقاومة للحفر من طبقة TCO ؛ وحيث ان الطبقة المنظمة تكون اكثر رقة من طبقة "ا tco ١ ؟١- الجهاز Saf الضوئي Gy لعنصر الحماية (١١)؛ حيث يشتمل السطح المنسوج من " الطبقة TCO على متوسط قيمة خشونة RMS تتراوح من ٠١ إلى 9٠ نانو متر.— YA —OF) الجهاز SLED الضوئي Gy لعنصر الحماية (١١)؛ حيث يشتمل السطح المنسوج من¥ الطبقة TCO على متوسط قيمة خشونة RMS تتراوح من ١5 إلى 5٠ نانو متر.-١6 ١ الجهاز الفلطائي الضوئي By لعنصر الحماية (١١)؛ حيث تشتمل الطبقة الحاجزة على" أكسيد قصدير.-١5 ١ الجهاز Sal الضوئي وففقًا لعنصر الحماية (١١)؛ حيث تشتمل الطبقة الحاجزة على " أكسيد قصدير وتشتمل طبقة TCO على أكسيد زنك.-١“ ١ الجهاز SU الضوئي Ws لعنصر الحماية (١١)؛ يشتمل كذلك على طبقة تحتوي " على Ni و/أو Cr موجودة بين الطبقة التي أساسها الفضة والطبقة الحاجزة.-١# ١ الجهاز الفلطائي الضوئي i لعنصر الحماية (١١)؛ حيث تشتمل الطبقة الرقيقة شبه الموصلة على سيليكون غير متبلر.-١8 ١ الجهاز SBI الضوئي Us لعنصر الحماية (١١)؛ يشتمل كذلك على طبقة تحتوي "على أكسيد زنك بين الركيزة الزجاجية الأمامية والطبقة التي أساسها الفضة؛ وتتلامس هذه " - الطبقة المحتوية على أكسيد الزنك مع الطبقة التي أساسها الفضة._ 3 7 — -١# ١ الجهاز الفلطائي الضوئي By لعنصر الحماية (VY) حيث يكون السطح الرئيسي للركيزة " الزجاجية الأمامية المواجه للإلكترود الأمامي أملس وغير منسوج. -٠٠١ ١ طريقة لتصنيع جهاز فلطائي ضوئي؛ تشتمل الطريقة على الآتي: "| ترسيب إلكترود متعدد الطبقات بالطلاء بالرش الكاثودي على ركيزة زجاجية عند درجة حرارة FV الغرفة تقريباء؛ 3 المعالجة الحرارية للإلكترود متعدد الطبقات عند درجة حرارة تتراوح من Or إلى te درجة © مئوية لتكثيف طبقة الأكسيد الموصل المنفذ (TCO) على الأقل من الإلكترود؛ و ١ بعد المعالجة الحرارية؛ يتم خدش سطح مكشوف رئيسي من طبقة 0 المعالجة ba من Vv أ لإلكترود لتكوين سطح منسوج ¢ و A وضع السطح المنسوج لطبقة TCO بحيث يواجه الطبقة الرقيقة شبه الموصلة من الجهاز 4 الفلطائي الضوئي. ١ ١؟- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية (8١)؛ حيث تشتمل TCO على أكسيد زنك. ١ ؟”- الطريقة Way لعنصر الحماية (VA) حيث يشتمل الإلكترود متعدد الطبقات على طبقة ¥ أساسها الفضة وطبقة (TCO حيث تكون طبقة TCO أقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة " - للجهاز SLE الضوئي من الطبقة التي أساسها الفضة.$a — ا —YY ١ الطريقة Bag لعنصر الحماية (VA) ؛ حيث يشتمل الخدش على تعريض سطح طبقة TCO "- إلى واحد أو أكثر من حمض أسيتيك وحمض هيدروكلوريك. ١ 4 - الطريقة وفقًا لعنصر الحماية (VA) حيث يتم إجراء عملية المعالجة الحرارية لفترة تتراوح ٠١ Joe إلى ٠١ دقيقة. ْ =Yo ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية (VA) ؛ حيث يتم إجراء عملية الخدش بحيث يشتمل السطح 7 المنسوج الناتج لطبقة TCO على متوسط ded خشونة RMS تتراوح من ٠١ إلى 9٠ نانو متر. v ١ ١؟- الطريقة Gy لعنصر الحماية of) A) حيث يتم إجراء الخدش باستخدام خليط يشتمل على أ الخل والماء. ١ 77- طريقة لتصنيع جهاز فلطائي ضوئي؛ تشتمل الطريقة على الآتي: Y ترسيب إلكترود متعدد الطبقات بالطلاء بالرش الكاثودي؛ يتضمن طبقة TCO واحدة على الأقل. " على ركيزة زجاجية عند درجة حرارة الغرفة تقريبًا؛ وضع السطح المنسوج لطبقة TCO بحيث يواجه الطبقة الرقيقة شبه الموصلة للجهاز الفلطائي 4 الضوئي ؟؛و Y ضبط متغير الطلاء بالرش الكاثودي الواحد على الأقل عند ترسيب الإلكترود متعدد الطبقات_ \ ت_ A بالطلاء بالرش الكاثود ي بحيث يتم ترسيب طبقة TCO لكي تشتمل على أجزاء مختلفة الكثافة 4 حيث يشتمل جزء أول من طبقة TCO الأقرب من الركيزة الزجاجية على AES أعلى من الجزء ٠ الثاني لطبقة TCO الأبعد عن الركيزة الزجاجية. =YA ١ الطريقة ly لعنصر الحماية (TY) حيث تشتمل TCO على أكسيد زنك. ١ 4- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية (YV) ؛ حيث يشتمل الإلكترود متعدد الطبقات على طبقة Y أساسها الفضة وطبقة (TCO حيث تكون طبقة TCO أقرب من الطبقة الرقيقة شبه الموصلة " - للجهاز SLE الضوئي من الطبقة التي أساسها الفضة. TCO حيث يشتمل الخدش على تعريض سطح طبقة ٠ (YV) الطريقة وفقًا لعنصر الحماية -؟٠ ١ إلى واحد أو أكثر من حمض أسيتيك وحمض هيدروكلوريك. " -”١ ١ الطريقة وفقًا لعنصر الحماية (YY) ؛ حيث يتم إجراء عملية الخدش بحيث يشتمل السطح v TY) الطريقة fa, لعنصر الحماية o TY) تشتمل كذلك على المعالجة الحرارية للإلكترود متعدد " الطبقات عند درجة حرارة تتراوح من ٠ إلى ٠0٠5م قبل الخدش.9.6 ٍY — ¢ _ ١ ١؟- الطريقة sd, لعنصر الحماية ) 7 0 ‘ حيث يكون متغير الطلاء بالرش الكاتودي هو " الضغط. —VE ١ الطريقة Gy لعنصر الحماية (YA) حيث يتم إجراء الخدش باستخدام خليط يشتمل على Y الخل والماء. Vere
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/068,119 US20090194155A1 (en) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA109300071B1 true SA109300071B1 (ar) | 2012-11-14 |
Family
ID=40930477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA109300071A SA109300071B1 (ar) | 2008-02-01 | 2009-01-31 | إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز ڤُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090194155A1 (ar) |
| EP (1) | EP2245670A2 (ar) |
| BR (1) | BRPI0906965A8 (ar) |
| SA (1) | SA109300071B1 (ar) |
| WO (1) | WO2009099517A2 (ar) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| KR20090067350A (ko) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
| US8124437B2 (en) * | 2009-12-21 | 2012-02-28 | Du Pont Apollo Limited | Forming protrusions in solar cells |
| DE102010009558A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer texturierten TCO-Schicht |
| KR101084985B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-21 | 한국철강 주식회사 | 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101669953B1 (ko) | 2010-03-26 | 2016-11-09 | 삼성전자 주식회사 | 산화물 박막, 산화물 박막의 형성 방법 및 산화물 박막을 포함하는 전자 소자 |
| KR101194243B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-10-29 | 한국철강 주식회사 | 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
| US8247682B2 (en) | 2010-06-29 | 2012-08-21 | Primestar Solar, Inc. | Metallic gridlines as front contacts of a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| CN102683436B (zh) * | 2011-03-09 | 2016-03-30 | 常州亚玛顿股份有限公司 | 一种薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法 |
| CN102683435B (zh) * | 2011-03-09 | 2015-09-02 | 常州亚玛顿股份有限公司 | 薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法 |
| CN102683434B (zh) * | 2011-03-09 | 2015-11-25 | 常州亚玛顿股份有限公司 | 带有单面减反射膜的薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法 |
| CN102683433B (zh) * | 2011-03-09 | 2016-04-13 | 常州亚玛顿股份有限公司 | 带有双面减反射膜的薄膜太阳能电池用导电玻璃及其制备方法 |
| KR20120119807A (ko) * | 2011-04-22 | 2012-10-31 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 |
| US9397238B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-19 | First Solar, Inc. | Method of etching a semiconductor layer of a photovoltaic device |
| CN102779944B (zh) * | 2012-08-06 | 2015-04-15 | 上海电力学院 | 一种透明导电薄膜 |
| US9354755B2 (en) * | 2012-11-27 | 2016-05-31 | Guardian Industries Corp. | Projected capacitive touch panel with a silver-inclusive transparent conducting layer(s) |
| US20140166472A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Intermolecular Inc. | Method and apparatus for temperature control to improve low emissivity coatings |
| US9688570B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-06-27 | Corning Incorporated | Layered transparent conductive oxide thin films |
| CN103296094A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-09-11 | 吴江市德佐日用化学品有限公司 | 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法 |
| CN106024919B (zh) * | 2016-07-28 | 2017-11-03 | 东北大学 | 非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN108538929A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-09-14 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种用于太阳能电池的复合膜及其制备方法和应用 |
| US20220013674A1 (en) * | 2018-09-24 | 2022-01-13 | First Solar, Inc. | Photovoltaic Devices with Textured TCO Layers, and Methods of Making TCO Stacks |
| FR3095523B1 (fr) * | 2019-04-25 | 2022-09-09 | Centre Nat Rech Scient | Miroir pour cellule photovoltaïque, cellule et module photovoltaïques |
Family Cites Families (98)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL127148C (ar) * | 1963-12-23 | |||
| US4155781A (en) * | 1976-09-03 | 1979-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth |
| US4162505A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-24 | Rca Corporation | Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers |
| US4163677A (en) * | 1978-04-28 | 1979-08-07 | Rca Corporation | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier |
| US4213798A (en) * | 1979-04-27 | 1980-07-22 | Rca Corporation | Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells |
| US4378460A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-29 | Rca Corporation | Metal electrode for amorphous silicon solar cells |
| US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
| JPS59175166A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルファス光電変換素子 |
| US4598396A (en) * | 1984-04-03 | 1986-07-01 | Itt Corporation | Duplex transmission mechanism for digital telephones |
| US4689438A (en) * | 1984-10-17 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| DE3446807A1 (de) * | 1984-12-21 | 1986-07-03 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Duennschichtsolarzelle mit n-i-p-struktur |
| US4663495A (en) * | 1985-06-04 | 1987-05-05 | Atlantic Richfield Company | Transparent photovoltaic module |
| AU616736B2 (en) * | 1988-03-03 | 1991-11-07 | Asahi Glass Company Limited | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
| EP0364780B1 (en) * | 1988-09-30 | 1997-03-12 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Solar cell with a transparent electrode |
| US4940495A (en) * | 1988-12-07 | 1990-07-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films |
| WO1992007386A1 (en) * | 1990-10-15 | 1992-04-30 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacture |
| DE4126738A1 (de) * | 1990-12-11 | 1992-06-17 | Claussen Nils | Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper |
| US5256858A (en) * | 1991-08-29 | 1993-10-26 | Tomb Richard H | Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers |
| JP2974485B2 (ja) * | 1992-02-05 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造法 |
| CN1112734C (zh) * | 1993-09-30 | 2003-06-25 | 佳能株式会社 | 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件 |
| JP3029178B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体太陽電池の製造方法 |
| GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
| EP0733931B1 (en) * | 1995-03-22 | 2003-08-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same |
| JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
| US6433913B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-08-13 | Gentex Corporation | Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same |
| GB9619134D0 (en) * | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
| US6169246B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-01-02 | Midwest Research Institute | Photovoltaic devices comprising zinc stannate buffer layer and method for making |
| US6406639B2 (en) * | 1996-11-26 | 2002-06-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of partially forming oxide layer on glass substrate |
| US6123824A (en) | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
| JP3754815B2 (ja) * | 1997-02-19 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子、光電変換素子、光起電力素子の製造方法及び光電変換素子の製造方法 |
| DE19713215A1 (de) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Solarzelle mit texturierter TCO-Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen TCO-Schicht für eine solche Solarzelle |
| JP3805889B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2006-08-09 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
| US6222117B1 (en) * | 1998-01-05 | 2001-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus |
| US6344608B2 (en) * | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| FR2781062B1 (fr) * | 1998-07-09 | 2002-07-12 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| FR2791147B1 (fr) * | 1999-03-19 | 2002-08-30 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
| TW463528B (en) * | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
| NO314525B1 (no) * | 1999-04-22 | 2003-03-31 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm |
| US6187824B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-02-13 | Nyacol Nano Technologies, Inc. | Zinc oxide sol and method of making |
| DE19958878B4 (de) * | 1999-12-07 | 2012-01-19 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US6576349B2 (en) * | 2000-07-10 | 2003-06-10 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable low-E coated articles and methods of making same |
| US7267879B2 (en) * | 2001-02-28 | 2007-09-11 | Guardian Industries Corp. | Coated article with silicon oxynitride adjacent glass |
| US6963168B2 (en) * | 2000-08-23 | 2005-11-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices |
| US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
| JP2002260448A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置 |
| JP2002170431A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電極基板およびその製造方法 |
| WO2002063340A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Kyoto Semiconductor Corporation | Radiametre et element de detection de radiations |
| KR100768176B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막 |
| US6774300B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-08-10 | Adrena, Inc. | Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure |
| WO2002091483A2 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
| US6589657B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-07-08 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Anti-reflection coatings and associated methods |
| US6936347B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Guardian Industries Corp. | Coated article with high visible transmission and low emissivity |
| JP2003156660A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 光コネクタ装置 |
| FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| US6830817B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-12-14 | Guardian Industries Corp. | Low-e coating with high visible transmission |
| US7037869B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-05-02 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
| US7169722B2 (en) * | 2002-01-28 | 2007-01-30 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition with high visible transmittance |
| US6919133B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
| KR100505536B1 (ko) * | 2002-03-27 | 2005-08-04 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스 |
| FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| US7141863B1 (en) * | 2002-11-27 | 2006-11-28 | University Of Toledo | Method of making diode structures |
| TW583466B (en) * | 2002-12-09 | 2004-04-11 | Hannstar Display Corp | Structure of liquid crystal display |
| TWI232066B (en) * | 2002-12-25 | 2005-05-01 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light |
| JP4241446B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
| JP5068946B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| US7087309B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-08-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method |
| JP4761706B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2011-08-31 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| US8524051B2 (en) * | 2004-05-18 | 2013-09-03 | Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) | Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method |
| US20050257824A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Maltby Michael G | Photovoltaic cell including capping layer |
| US7700869B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell low iron patterned glass and method of making same |
| US7531239B2 (en) * | 2005-04-06 | 2009-05-12 | Eclipse Energy Systems Inc | Transparent electrode |
| US7700870B2 (en) * | 2005-05-05 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell using low iron high transmission glass with antimony and corresponding method |
| US7743630B2 (en) * | 2005-05-05 | 2010-06-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product |
| US7597964B2 (en) * | 2005-08-02 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating |
| JP2007067194A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
| US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
| US20070193624A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same |
| US7557053B2 (en) * | 2006-03-13 | 2009-07-07 | Guardian Industries Corp. | Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same |
| US8648252B2 (en) * | 2006-03-13 | 2014-02-11 | Guardian Industries Corp. | Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method |
| US20080047602A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080047603A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| US7601558B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Transparent zinc oxide electrode having a graded oxygen content |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US20080223436A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Back reflector for use in photovoltaic device |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
-
2008
- 2008-02-01 US US12/068,119 patent/US20090194155A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-01-21 EP EP09708453A patent/EP2245670A2/en not_active Withdrawn
- 2009-01-21 BR BRPI0906965A patent/BRPI0906965A8/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-01-21 WO PCT/US2009/000353 patent/WO2009099517A2/en active Application Filing
- 2009-01-31 SA SA109300071A patent/SA109300071B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2245670A2 (en) | 2010-11-03 |
| WO2009099517A3 (en) | 2010-03-18 |
| BRPI0906965A8 (pt) | 2015-09-29 |
| US20090194155A1 (en) | 2009-08-06 |
| BRPI0906965A2 (pt) | 2015-07-14 |
| WO2009099517A2 (en) | 2009-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA109300071B1 (ar) | إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز ڤُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه | |
| US8022291B2 (en) | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device | |
| TWI409962B (zh) | 具有色彩調變之太陽能電池及其製造方法 | |
| US7964788B2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US8203073B2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US8012317B2 (en) | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US20090194157A1 (en) | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US20080105302A1 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US20070193624A1 (en) | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same | |
| US20080105298A1 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| JP2010534929A (ja) | 太陽電池の前面基板と太陽電池の前面基板の使用方法 | |
| WO2009073058A2 (en) | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same | |
| EP2340564A2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| EP2218105A2 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| CN102007562A (zh) | 光电池和光电池的基板 | |
| KR20110095926A (ko) | 광기전 패널의 전면용 기재, 광기전 패널, 및 광기전 패널의 전면용 기재의 용도 | |
| US20110315211A1 (en) | Solar cell front electrode with an antireflection coating | |
| US20110180130A1 (en) | Highly-conductive and textured front transparent electrode for a-si thin-film solar cells, and/or method of making the same |