RU96108787A

RU96108787A - Тонкопленочный многослойный электрод со связью по высокочастотному электромагнитному полю

Info

Publication number: RU96108787A
Application number: RU96108787/09A
Authority: RU
Inventors: Исикава Еухеи; Хидака Сеидзи
Original assignee: Мурата Мануфакчуринг Ко., Лтд.
Priority date: 1993-08-27
Filing date: 1994-03-07
Publication date: 1998-06-20

Claims

1. Тонкопленочный многослойный электрод, связанный по высокочастотному электромагнитному полю, отличающийся тем, что тонкопленочные проводники (21 - 25) и тонкопленочные диэлектрики (31 - 34) уложены поочередно, образуя множество слоев линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5), каждая из которых содержит пару тонкопленочных проводников (21 и 22, 22 и 23, 23 и 24, 24 и 25), между которыми проложен каждый из тонкопленочных диэлектриков (31 - 34), в котором на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого тонкопленочного диэлектрика (31 - 34) задают таким образом, чтобы фазовые скорости ТЕМ-волн, распространяющихся по меньшей мере по двум из множества линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5), были по существу равны, в котором на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого тонкопленочного проводника (21 - 25) задают меньше глубины проникновения поля на используемой частоте, чтобы электромагнитные поля по меньшей мере двух из множества линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5) были связаны друг с другом.

2. Тонкопленочный многослойный электрод по п.1, отличающийся тем, что каждый из тонкопленочных проводников (21 - 25) предпочтительно выполняют из сверхпроводящего материала.

3. Высокочастотная линия передачи, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере один проводник, содержащий тонкопленочный многослойный электрод, в котором тонкопленочные проводники (21 - 25) и тонкопленочные диэлектрики (31 - 34) уложены поочередно, образуя множество линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5), каждая из которых содержит пару тонкопленочных проводников (21 и 22, 22 и 23, 23 и 24, 24 и 25), между которыми проложен каждый из тонкопленочных диэлектриков (31 - 34), в котором на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого из тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) задают таким образом, чтобы фазовые скорости ТЕМ-волн, распространяющихся по меньшей мере по двум из множества линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5), были по существу равны, в которой на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого тонкопленочного проводника (21 - 25) выполняют меньше глубины проникновения поля на используемой частоте, чтобы электромагнитные поля по меньшей мере двух из множества линий передачи ТЕМ-моды (L2 - L5) были связаны друг с другом.

4. Высокочастотная линия передачи по п.3, отличающаяся тем, что она является волноводом.

5. Высокочастотная линия передачи, отличающаяся тем, что содержит первую линию передачи (L1) и по меньшей мере одну вторую линию передачи ТЕМ-моды (L2 - L5), в которой тонкопленочный проводник (21 - 25) и тонкопленочный диэлектрик (31 - 34) уложены поочередно, так что указанная вторая линия передачи ТЕМ-моды (L2 - L5) содержит пару тонкопленочных проводников (21 и 22, 22 и 23, 23 и 24, 24 и 25), между которыми проложен тонкопленочный диэлектрик (31 - 34), в котором на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого тонкопленочного диэлектрика (31 - 34) задают таким образом, чтобы фазовая скорость электромагнитной волны, распространяющейся по первой линии передачи (L1), и фазовая скорость ТЕМ-волны, распространяющейся по меньшей мере по одной второй линии передачи (L2 - L5), были по существу равны, в которой на основании числа (n) многослойных слоев тонкопленочных проводников (21 - 25) и тонкопленочных диэлектриков (31 - 34) толщину пленки каждого тонкопленочного проводника (21 - 25) выполняют меньше глубины проникновения поля на используемой частоте, чтобы электромагнитное поле первой линии передачи (L1) и электромагнитное поле по меньшей мере одной второй линии (L2 - L5) были связаны друг с другом.

6. Высокочастотная линия передачи по п.5, отличающаяся тем, что действующую диэлектрическую проницаемость тонкопленочного диэлектрика (34 - 35), составляющего вторую линию передачи (L2 - L5), выбирают меньше действующей диэлектрической проницаемости диэлектрика, составляющего первую линию передачи (L1).

7. Высокочастотная линия передачи по п.5 или 6, отличающаяся тем, что толщину тонкопленочного диэлектрика (31 - 34), составляющего вторую линию передачи (L2 - L5), выполняют меньше толщины диэлектрика, составляющего первую линию передачи (L1).

8. Высокочастотная линия передачи по любому из пп.5 - 7, отличающаяся тем, что высокочастотная линия передачи (L1) является микрополосковой линией передачи.

9. Высокочастотная линия по п.8, отличающаяся тем, что микрополосковая линия передачи содержит вторую линию передачи (L2 - L5), сформированную как микрополосковый проводник на первой поверхности диэлектрической подложки (10), а на второй поверхности диэлектрической подложки (10) формируют заземленный проводник (11).

10. Высокочастотная линия передачи по п.8, отличающаяся тем, что микрополосковая линия передачи содержит одну вторую линию передачи (L2 - L5), сформированную как микрополосковый проводник на первой поверхности диэлектрической подложки (10), и другую вторую линию передачи (L2 - L5), сформированную как заземленный проводник на второй поверхности диэлектрической подложки (10).

11. Высокочастотная линия передачи по любому из пп.5 - 7, отличающаяся тем, что она является полосковой линией передачи.

12. Высокочастотная линия передачи по любому из пп.5 - 7, отличающаяся тем, что она является коаксиальной линией передачи.

13. Высокочастотная линия передачи по любому из пп.3 - 12, отличающаяся тем, что по меньшей мере один из тонкопленочных проводников (21 - 25) выполняют из сверхпроводящего материала.

14. Высокочастотный резонатор, отличающийся тем, что содержит высокочастотную линию передачи по любому из пп.3 - 13, имеющую установленные размеры.

15. Высокочастотный резонатор по п.14, отличающийся тем, что высокочастотная линия передачи имеет длину, равную четверти длины волны в волноводе сигнала, передаваемого по высокочастотной линии передачи в направлении передачи данного сигнала.

16. Высокочастотный резонатор по п.14, отличающийся тем, что высокочастотная линия передачи имеет длину, равную половине длины волны в волноводе сигнала, передаваемого по высокочастотной линии передачи в направлении передачи данного сигнала.

17. Высокочастотный фильтр, отличающийся тем, что содержит высокочастотный резонатор по любому из пп.14 - 16, имеющий установленную длину, вход (12) для ввода высокочастотного сигнала в высокочастотный резонатор и выход (13) для вывода высокочастотного сигнала из высокочастотного резонатора.

18. Высокочастотный режекторный фильтр, отличающийся тем, что содержит линию передачи (L10) для ввода высокочастотного сигнала на одном ее конце и вывода высокочастотного сигнала на другом конце и высокочастотный резонатор по любому из пп.14 - 16 для соединения с линией передачи (L10).

19. Диэлектрический резонатор, отличающийся тем, что содержит корпус (77) резонатора, включающий проводник, и диэлектрик (76), имеющий заданную конфигурацию и расположенный внутри корпуса (77) резонатора, причем проводник выполнен из тонкопленочного многослойного электрода, связанного по высокочастотному электромагнитному полю, по п.1 или 2.

20. Высокочастотный фильтр, отличающийся тем, что содержит диэлектрический резонатор по п.19, вход для ввода высокочастотного сигнала в диэлектрический резонатор, причем вход электромагнитно связан с диэлектрическим резонатором, и выход для вывода высокочастотного сигнала из диэлектрического резонатора, причем выход электромагнитно связан с диэлектрическим резонатором.

21. Высокочастотное устройство, содержащее электрод для выполнения установленной высокочастотной операции, отличающееся тем, что данный электрод является тонкопленочным многослойным электродом, связанным по высокочастотному электромагнитному полю, по п.1 или 2.