JPH0585705A - 酸化物超電導薄膜 - Google Patents
酸化物超電導薄膜Info
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- JPH0585705A JPH0585705A JP3274717A JP27471791A JPH0585705A JP H0585705 A JPH0585705 A JP H0585705A JP 3274717 A JP3274717 A JP 3274717A JP 27471791 A JP27471791 A JP 27471791A JP H0585705 A JPH0585705 A JP H0585705A
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 MgＯ基板４上の３単位格子の約3.5nmの厚さ
のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層31上に積層された１単位格子
のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶層11と、酸化物超
電導体結晶層11上に形成された２単位格子の約2.5nmの
厚さのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層32と、酸化物層32上に積
層された１単位格子のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結
晶層12と、酸化物超電導体結晶層12上に形成された２単
位格子の厚さのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層33とで構成され
ている酸化物超電導薄膜。 【効果】 超電導電流は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導
体結晶層11および12のCu−Ｏ面にしか流れない。酸化物
超電導体結晶層の数、酸化物層の数および厚さを調整す
ることにより、酸化物超電導薄膜の単位断面積当たりの
Cu−Ｏ面の数が決定でき、実質的にキャリア密度を制御
できる。
のPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層31上に積層された１単位格子
のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶層11と、酸化物超
電導体結晶層11上に形成された２単位格子の約2.5nmの
厚さのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層32と、酸化物層32上に積
層された１単位格子のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結
晶層12と、酸化物超電導体結晶層12上に形成された２単
位格子の厚さのPr1Ba2Cu3Ｏ7-y酸化物層33とで構成され
ている酸化物超電導薄膜。 【効果】 超電導電流は、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導
体結晶層11および12のCu−Ｏ面にしか流れない。酸化物
超電導体結晶層の数、酸化物層の数および厚さを調整す
ることにより、酸化物超電導薄膜の単位断面積当たりの
Cu−Ｏ面の数が決定でき、実質的にキャリア密度を制御
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物超電導薄膜に関
する。より詳細には、キャリア密度を制御可能な酸化物
超電導薄膜に関する。
する。より詳細には、キャリア密度を制御可能な酸化物
超電導薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体の応用の研究の進行によ
り、各種超電導電子装置、超電導素子の実現性が高まっ
てきた。超電導現象を利用した素子は、従来の半導体素
子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛躍的に
素子の高性能化を図ることができると考えられている。
り、各種超電導電子装置、超電導素子の実現性が高まっ
てきた。超電導現象を利用した素子は、従来の半導体素
子に比較して高速であり、消費電力も小さく、飛躍的に
素子の高性能化を図ることができると考えられている。
【０００３】図２に、３端子の超電導素子である超電導
電界効果型素子の一例の概略図を示す。図２の超電導電
界効果型素子は、基板10上に配置された酸化物超電導薄
膜による超電導チャネル20と、超電導チャネル20の両端
付近にそれぞれ配置された超電導ソース領域23および超
電導ドレイン領域24と、超電導チャネル20上にゲート絶
縁層27を介して配置されたゲート電極25とを具備する。
この超電導電界効果型素子は、ソース電極23およびドレ
イン電極24間の超電導チャネル20を流れる超電導電流を
ゲート電極25に印加する電圧で制御する。
電界効果型素子の一例の概略図を示す。図２の超電導電
界効果型素子は、基板10上に配置された酸化物超電導薄
膜による超電導チャネル20と、超電導チャネル20の両端
付近にそれぞれ配置された超電導ソース領域23および超
電導ドレイン領域24と、超電導チャネル20上にゲート絶
縁層27を介して配置されたゲート電極25とを具備する。
この超電導電界効果型素子は、ソース電極23およびドレ
イン電極24間の超電導チャネル20を流れる超電導電流を
ゲート電極25に印加する電圧で制御する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の超電導電界効果
型素子では、超電導チャネル20のキャリア密度が重要で
あり、それを調整することにより超電導電界効果型素子
に様々な特性を付与することができる。
型素子では、超電導チャネル20のキャリア密度が重要で
あり、それを調整することにより超電導電界効果型素子
に様々な特性を付与することができる。
【０００５】しかしながら、従来は酸化物超電導薄膜の
キャリア密度を調整することが不可能であり、上記の超
電導電界効果型素子の特性は、超電導チャネルに使用す
る酸化物超電導体により決まってしまっていた。
キャリア密度を調整することが不可能であり、上記の超
電導電界効果型素子の特性は、超電導チャネルに使用す
る酸化物超電導体により決まってしまっていた。
【０００６】そこで本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決し、キャリア密度の調整が可能な酸化物超電
導薄膜を提供することにある。
題点を解決し、キャリア密度の調整が可能な酸化物超電
導薄膜を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、１単位
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層と、該酸化物超電
導体と類似の結晶構造を有する酸化物層とが積層されて
構成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜が提
供される。
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層と、該酸化物超電
導体と類似の結晶構造を有する酸化物層とが積層されて
構成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜が提
供される。
【０００８】
【作 用】本発明の酸化物超電導薄膜は、１単位格子分
の厚さの酸化物超電導体結晶層と、酸化物超電導体と類
似の結晶構造を有する酸化物層とが積層されて構成され
ているところにその主要な特徴がある。本発明の酸化物
超電導薄膜では、酸化物超電導体に類似の結晶構造を有
する酸化物層と酸化物超電導体結晶層とが積層されてい
るので、酸化物超電導体結晶層が１単位格子分の厚さで
あっても超電導性を示す。従って、１単位格子分の厚さ
の酸化物超電導体結晶層の数により、酸化物超電導薄膜
の実質的なキャリア密度を調整できる。
の厚さの酸化物超電導体結晶層と、酸化物超電導体と類
似の結晶構造を有する酸化物層とが積層されて構成され
ているところにその主要な特徴がある。本発明の酸化物
超電導薄膜では、酸化物超電導体に類似の結晶構造を有
する酸化物層と酸化物超電導体結晶層とが積層されてい
るので、酸化物超電導体結晶層が１単位格子分の厚さで
あっても超電導性を示す。従って、１単位格子分の厚さ
の酸化物超電導体結晶層の数により、酸化物超電導薄膜
の実質的なキャリア密度を調整できる。
【０００９】本発明の酸化物超電導薄膜が、複数の単位
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層でなく、１単位格
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層を上記の酸化物層を
介して、必要な数だけ積層する構成であるのは、単位断
面積当たりの電流容量を制御するためである。即ち、半
導体装置で反対極性のキャリアをドープして、キャリア
密度を制御するのと同様な考え方である。
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層でなく、１単位格
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層を上記の酸化物層を
介して、必要な数だけ積層する構成であるのは、単位断
面積当たりの電流容量を制御するためである。即ち、半
導体装置で反対極性のキャリアをドープして、キャリア
密度を制御するのと同様な考え方である。
【００１０】本発明の酸化物超電導薄膜では、１単位格
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層の上下に酸化物超電
導体に類似の結晶構造を有する酸化物層が配置されてい
ることが好ましい。図３に代表的な酸化物超電導体であ
るＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶の構造図を示す。
図３に示すよう、一般に酸化物超電導体は、結晶の最上
部と最下部に超電導電流が流れるCu−Ｏ面（図３のＡで
示す）が存在する。酸化物超電導体で、このCu−Ｏ面が
完全な状態のときは、このCu−Ｏ面において、１個のCu
原子に４個のＯ原子が配位されており、この場合にのみ
酸化物超電導体に超電導電流が流れる。
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層の上下に酸化物超電
導体に類似の結晶構造を有する酸化物層が配置されてい
ることが好ましい。図３に代表的な酸化物超電導体であ
るＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶の構造図を示す。
図３に示すよう、一般に酸化物超電導体は、結晶の最上
部と最下部に超電導電流が流れるCu−Ｏ面（図３のＡで
示す）が存在する。酸化物超電導体で、このCu−Ｏ面が
完全な状態のときは、このCu−Ｏ面において、１個のCu
原子に４個のＯ原子が配位されており、この場合にのみ
酸化物超電導体に超電導電流が流れる。
【００１１】一方、本発明者等の低速イオン散乱分析
（ＩＳＳ）法による分析によれば、酸化物超電導薄膜の
表面には、上記のCu−Ｏ面が露出している。この露出し
ているCu−Ｏ面のCu原子に配位されるＯ原子の数は４個
にならず、超電導電流が流れない。Cu−Ｏ面が露出して
いなくても、上層に積層された物質の結晶構造が酸化物
超電導体のそれと異なっていたり、Cu−Ｏ面を有さない
場合は同様である。１単位格子分の厚さの酸化物超電導
体結晶層には、そのままでは上記の完全なCu−Ｏ面が存
在しないので超電導電流が流れない。
（ＩＳＳ）法による分析によれば、酸化物超電導薄膜の
表面には、上記のCu−Ｏ面が露出している。この露出し
ているCu−Ｏ面のCu原子に配位されるＯ原子の数は４個
にならず、超電導電流が流れない。Cu−Ｏ面が露出して
いなくても、上層に積層された物質の結晶構造が酸化物
超電導体のそれと異なっていたり、Cu−Ｏ面を有さない
場合は同様である。１単位格子分の厚さの酸化物超電導
体結晶層には、そのままでは上記の完全なCu−Ｏ面が存
在しないので超電導電流が流れない。
【００１２】本発明の酸化物超電導薄膜では、酸化物超
電導体と類似の結晶構造を有する酸化物層と酸化物超電
導体結晶層とを積層するので、酸化物超電導体結晶層が
１単位格子分の厚さであっても、Cu−Ｏ面が完全な状態
になる。従って、全ての酸化物超電導体結晶層のCu−Ｏ
面に超電導電流が流れる。本発明の酸化物超電導薄膜の
酸化物層に使用する酸化物としては、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y等
が好ましい。酸化物層は、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y等の酸化物の
結晶層を必要な数だけＭＢＥ法等で積層して形成するこ
とが好ましい。Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yは、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化
物超電導体と等しい結晶構造を有し、格子定数が非常に
近い。また、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yと酸化物超電導体との間で
相互拡散等我少ないので界面が安定している。さらに、
Cu−Ｏ面を有するので酸化物超電導体のCu−Ｏ面を補償
し、完全な状態にすることが可能である。
電導体と類似の結晶構造を有する酸化物層と酸化物超電
導体結晶層とを積層するので、酸化物超電導体結晶層が
１単位格子分の厚さであっても、Cu−Ｏ面が完全な状態
になる。従って、全ての酸化物超電導体結晶層のCu−Ｏ
面に超電導電流が流れる。本発明の酸化物超電導薄膜の
酸化物層に使用する酸化物としては、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y等
が好ましい。酸化物層は、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-y等の酸化物の
結晶層を必要な数だけＭＢＥ法等で積層して形成するこ
とが好ましい。Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yは、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化
物超電導体と等しい結晶構造を有し、格子定数が非常に
近い。また、Pr1Ba2Cu3Ｏ7-yと酸化物超電導体との間で
相互拡散等我少ないので界面が安定している。さらに、
Cu−Ｏ面を有するので酸化物超電導体のCu−Ｏ面を補償
し、完全な状態にすることが可能である。
【００１３】以下、本発明を実施例により、さらに詳し
く説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過
ぎず本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
く説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過
ぎず本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１４】
【実施例】図１に、本発明の酸化物超電導薄膜の一例の
断面図を示す。図１の酸化物超電導薄膜は、基板４上に
形成された第１の酸化物層31と、酸化物層31上に形成さ
れた第１の酸化物超電導体結晶層11と、酸化物超電導体
結晶層11上に形成された第２の酸化物層32と、酸化物層
32上に形成された第２の酸化物超電導体結晶層12と、第
３の酸化物層33とを具備する。即ち、図１の酸化物超電
導薄膜は、酸化物層31および32の間に形成された酸化物
超電導体結晶層11と、酸化物層32および33の間に形成さ
れた酸化物超電導体結晶層12とを具備する。酸化物超電
導体結晶層11および12は、いずれも１単位格子の厚さの
酸化物超電導体結晶層であり、酸化物層31は、３単位格
子の厚さの酸化物層で、酸化物層32および33は、いずれ
も２単位格子の厚さの酸化物層である。
断面図を示す。図１の酸化物超電導薄膜は、基板４上に
形成された第１の酸化物層31と、酸化物層31上に形成さ
れた第１の酸化物超電導体結晶層11と、酸化物超電導体
結晶層11上に形成された第２の酸化物層32と、酸化物層
32上に形成された第２の酸化物超電導体結晶層12と、第
３の酸化物層33とを具備する。即ち、図１の酸化物超電
導薄膜は、酸化物層31および32の間に形成された酸化物
超電導体結晶層11と、酸化物層32および33の間に形成さ
れた酸化物超電導体結晶層12とを具備する。酸化物超電
導体結晶層11および12は、いずれも１単位格子の厚さの
酸化物超電導体結晶層であり、酸化物層31は、３単位格
子の厚さの酸化物層で、酸化物層32および33は、いずれ
も２単位格子の厚さの酸化物層である。
【００１５】上記本発明の酸化物超電導薄膜では、酸化
物超電導体結晶層11と酸化物層31および32との界面、酸
化物超電導体結晶層12と酸化物層32および33との界面
に、それぞれ超電導電流が流れるCu−Ｏ面があり、酸化
物層の厚さにより単位断面積当たりの超電導電流が流れ
るCu−Ｏ面の数を調整することにより、キャリア密度を
制御する。
物超電導体結晶層11と酸化物層31および32との界面、酸
化物超電導体結晶層12と酸化物層32および33との界面
に、それぞれ超電導電流が流れるCu−Ｏ面があり、酸化
物層の厚さにより単位断面積当たりの超電導電流が流れ
るCu−Ｏ面の数を調整することにより、キャリア密度を
制御する。
【００１６】図１に示した構成の本発明の酸化物超電導
薄膜を作製した。まず、MgＯ基板４の（１００）面上
に、ＭＢＥ法により、第１の酸化物層31となるPr1Ba2Cu
3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。主な成膜条件を以下
に示す。 基板温度 650℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約 3.5nm（３単位格子）
薄膜を作製した。まず、MgＯ基板４の（１００）面上
に、ＭＢＥ法により、第１の酸化物層31となるPr1Ba2Cu
3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。主な成膜条件を以下
に示す。 基板温度 650℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約 3.5nm（３単位格子）
【００１７】次に、Pr蒸発源をＹ蒸発源に切り換え、上
記の如く形成された酸化物層31上に連続して第１の酸化
物超電導体結晶層11となるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X薄膜をＭＢＥ
法で形成した。 基板温度 700℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約１nm（１単位格子）
記の如く形成された酸化物層31上に連続して第１の酸化
物超電導体結晶層11となるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X薄膜をＭＢＥ
法で形成した。 基板温度 700℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約１nm（１単位格子）
【００１８】次いでＹ蒸発源をPr蒸発源に切り換え、こ
の酸化物超電導体結晶層11上に連続して第２の酸化物層
32となるPr1Ba2Cu3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。主
な成膜条件を以下に示す。 基板温度 650℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約 2.5nm（２単位格子）
の酸化物超電導体結晶層11上に連続して第２の酸化物層
32となるPr1Ba2Cu3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。主
な成膜条件を以下に示す。 基板温度 650℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 約 2.5nm（２単位格子）
【００１９】再び、Pr蒸発源をＹ蒸発源に切り換え、酸
化物層32上に連続して第２の酸化物超電導体結晶層12と
なるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X超電導薄膜をやはりＭＢＥ法で形成
した。成膜条件は、第１の酸化物超電導体結晶層11を形
成した条件と等しくした。
化物層32上に連続して第２の酸化物超電導体結晶層12と
なるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X超電導薄膜をやはりＭＢＥ法で形成
した。成膜条件は、第１の酸化物超電導体結晶層11を形
成した条件と等しくした。
【００２０】最後に再びＹ蒸発源をPr蒸発源に切り換
え、酸化物超電導体結晶層12上に連続して第３の酸化物
層33となるPr1Ba2Cu3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。
成膜条件は、第２の酸化物層32を形成した条件と等しく
した。
え、酸化物超電導体結晶層12上に連続して第３の酸化物
層33となるPr1Ba2Cu3Ｏ7-y薄膜をＭＢＥ法で形成した。
成膜条件は、第２の酸化物層32を形成した条件と等しく
した。
【００２１】上記のように作製した本発明の酸化物超電
導薄膜は、85Ｋで超電導状態になり、酸化物超電導体結
晶層11および12に超電導電流が流れることが確認され
た。
導薄膜は、85Ｋで超電導状態になり、酸化物超電導体結
晶層11および12に超電導電流が流れることが確認され
た。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従うと、
キャリア密度を制御できる酸化物超電導薄膜が提供され
る。本発明の酸化物超電導薄膜は、例えば、超電導電界
効果型素子の超電導チャネルに使用すると、従来は得ら
れなかった特性の素子を実現することが可能である。本
発明により、超電導技術の電子デバイスへの応用がさら
に促進される。
キャリア密度を制御できる酸化物超電導薄膜が提供され
る。本発明の酸化物超電導薄膜は、例えば、超電導電界
効果型素子の超電導チャネルに使用すると、従来は得ら
れなかった特性の素子を実現することが可能である。本
発明により、超電導技術の電子デバイスへの応用がさら
に促進される。
【図１】本発明の酸化物超電導薄膜の一例の断面図であ
る。
る。
【図２】超電導電界効果型素子の構成を説明する図であ
る。
る。
【図３】Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶の構造図で
ある。
ある。
４ 基板 11、12 酸化物超電導体結晶層 31、32、33 酸化物層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 本発明の酸化物超電導薄膜では、１単位
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層の上下に酸化物超
電導体に類似の結晶構造を有する酸化物層が配置されて
いることが好ましい。図３に代表的な酸化物超電導体で
あるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶の構造図を示
す。図３に示すよう、一般に酸化物超電導体は、結晶の
最上部と最下部にCu−Ｏチェーン（図３のＡで示す）が
存在する。酸化物超電導体で、Cu−Ｏ面が完全な状態で
あるためには、このCu−Ｏチェーンにおいて、１個のCu
原子に４個のＯ原子が配位されなければならず、この場
合にのみ酸化物超電導体に超電導電流が流れる。
格子分の厚さの酸化物超電導体結晶層の上下に酸化物超
電導体に類似の結晶構造を有する酸化物層が配置されて
いることが好ましい。図３に代表的な酸化物超電導体で
あるＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導体結晶の構造図を示
す。図３に示すよう、一般に酸化物超電導体は、結晶の
最上部と最下部にCu−Ｏチェーン（図３のＡで示す）が
存在する。酸化物超電導体で、Cu−Ｏ面が完全な状態で
あるためには、このCu−Ｏチェーンにおいて、１個のCu
原子に４個のＯ原子が配位されなければならず、この場
合にのみ酸化物超電導体に超電導電流が流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】 一方、本発明者等の低速イオン散乱分析
（ＩＳＳ）法による分析によれば、酸化物超電導薄膜の
表面には、上記のCu−Ｏチェーンが露出している。この
露出しているCu−ＯチェーンのCu原子に配位されるＯ原
子の数は４個にならず、超電導電流が流れない。Cu−Ｏ
チェーンが露出していなくても、上層に積層された物質
の結晶構造が酸化物超電導体のそれと異なっていたり、
Cu−Ｏチェーンを有さない場合も同様である。１単位格
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層には、そのままでは
上記の完全なCu−Ｏ面が存在しないので超電導電流が流
れない。
（ＩＳＳ）法による分析によれば、酸化物超電導薄膜の
表面には、上記のCu−Ｏチェーンが露出している。この
露出しているCu−ＯチェーンのCu原子に配位されるＯ原
子の数は４個にならず、超電導電流が流れない。Cu−Ｏ
チェーンが露出していなくても、上層に積層された物質
の結晶構造が酸化物超電導体のそれと異なっていたり、
Cu−Ｏチェーンを有さない場合も同様である。１単位格
子分の厚さの酸化物超電導体結晶層には、そのままでは
上記の完全なCu−Ｏ面が存在しないので超電導電流が流
れない。
Claims (1)
- 【請求項１】 １単位格子分の厚さの酸化物超電導体結
晶層と、該酸化物超電導体と類似の結晶構造を有する酸
化物層とが積層されて構成されていることを特徴とする
酸化物超電導薄膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274717A JPH0585705A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 酸化物超電導薄膜 |
| EP92402547A EP0533568A1 (en) | 1991-09-17 | 1992-09-17 | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting device utilizing the superconducting thin film and method for manufacturing thereof |
| US07/946,086 US5430011A (en) | 1991-09-17 | 1992-09-17 | Crystal compensated superconducting thin film formed of oxide superconductor material |
| CA002078540A CA2078540A1 (en) | 1991-09-17 | 1992-09-17 | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting device utilizing the superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3274717A JPH0585705A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 酸化物超電導薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585705A true JPH0585705A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17545593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3274717A Pending JPH0585705A (ja) | 1991-09-17 | 1991-09-26 | 酸化物超電導薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0585705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066598A (en) * | 1995-03-27 | 2000-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Superconducting multilayer electrode and method of producing same |
| US6148221A (en) * | 1993-08-27 | 2000-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thin film multilayered electrode of high frequency electromagnetic field coupling |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6413777A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Sharp Kk | Josephson element |
| JPH01272171A (ja) * | 1988-02-02 | 1989-10-31 | Thomson Csf | 超伝導材料でできた薄層をもつ素子及びその製造方法 |
| JPH0221676A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超伝導体のトンネル接合 |
| JPH0278282A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン素子 |
| JPH02125672A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sanyo Electric Co Ltd | ジョセフソン接合素子及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3274717A patent/JPH0585705A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02125672A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sanyo Electric Co Ltd | ジョセフソン接合素子及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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