RU93005343A - Полупроводниковое устройство, обладающее двуслойной силицидной структурой, и способы его изготовления (варианты) - Google Patents
Полупроводниковое устройство, обладающее двуслойной силицидной структурой, и способы его изготовления (варианты)Info
- Publication number
- RU93005343A RU93005343A RU93005343/25A RU93005343A RU93005343A RU 93005343 A RU93005343 A RU 93005343A RU 93005343/25 A RU93005343/25 A RU 93005343/25A RU 93005343 A RU93005343 A RU 93005343A RU 93005343 A RU93005343 A RU 93005343A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicide
- semiconductor device
- temperature
- owned
- options
- Prior art date
Links
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 2
- 230000001376 precipitating Effects 0.000 claims 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 claims 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (1)
- Полупроводниковое устройство и способы его изготовления улучшают высокотемпературную стабильность силицида титана за счет сохранения однородности поверхности силицида титана во время печного отжига. Двухслойный силицид получают осаждением металла, образующего силицид при предопределенной первой температуре, на поликристаллический кремний для образования первого слоя силицида металла и последующим осаждением металла, образующего силицид при второй температуре, которая ниже первой температуры, для образования второго слоя силицида металла; поскольку нестабильность известного полупроводникового устройства, построенного на силициде титана, начинает проявляться при более высокой температуре последующего отжига в печи, то можно избежать роста зерен, пластической деформации и агломерации.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR9414/1992 | 1992-05-30 | ||
| KR1019920009414A KR950003233B1 (ko) | 1992-05-30 | 1992-05-30 | 이중층 실리사이드 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93005343A true RU93005343A (ru) | 1995-06-19 |
| RU2113034C1 RU2113034C1 (ru) | 1998-06-10 |
Family
ID=19333972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93005343A RU2113034C1 (ru) | 1992-05-30 | 1993-05-28 | Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6774023B1 (ru) |
| EP (1) | EP0573241B1 (ru) |
| JP (1) | JP2503187B2 (ru) |
| KR (1) | KR950003233B1 (ru) |
| CN (2) | CN1034198C (ru) |
| RU (1) | RU2113034C1 (ru) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156630A (en) * | 1997-08-22 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Titanium boride gate electrode and interconnect and methods regarding same |
| SE515783C2 (sv) * | 1997-09-11 | 2001-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning |
| US7282443B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming metal silicide |
| US7112483B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-09-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming a device having multiple silicide types |
| US7105440B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-09-12 | International Business Machines Corporation | Self-forming metal silicide gate for CMOS devices |
| US20100052072A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dual gate structure on a same chip for high-k metal gate technology |
| US8652914B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-02-18 | International Business Machines Corporation | Two-step silicide formation |
| CN105541337B (zh) * | 2015-12-25 | 2017-12-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种多金属硅化物粉体及其制备方法 |
| US9837357B1 (en) | 2017-02-06 | 2017-12-05 | International Business Machines Corporation | Method to reduce variability in contact resistance |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4180596A (en) * | 1977-06-30 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for providing a metal silicide layer on a substrate |
| US4285761A (en) * | 1980-06-30 | 1981-08-25 | International Business Machines Corporation | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices |
| DE3326142A1 (de) * | 1983-07-20 | 1985-01-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte halbleiterschaltung mit einer aus aluminium oder aus einer aluminiumlegierung bestehenden aeusseren kontaktleiterbahnebene |
| JP2522924B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1996-08-07 | 三洋電機株式会社 | 金属シリサイド膜の形成方法 |
| US4782380A (en) * | 1987-01-22 | 1988-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multilayer interconnection for integrated circuit structure having two or more conductive metal layers |
| US4974056A (en) * | 1987-05-22 | 1990-11-27 | International Business Machines Corporation | Stacked metal silicide gate structure with barrier |
| JPS6417470A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS6417471A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPH0234967A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH02262371A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-25 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5194405A (en) * | 1989-07-06 | 1993-03-16 | Sony Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device having a silicide layer |
| JP2616034B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US5203957A (en) * | 1991-06-12 | 1993-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Contact sidewall tapering with argon sputtering |
-
1992
- 1992-05-30 KR KR1019920009414A patent/KR950003233B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-05-28 US US08/068,708 patent/US6774023B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-28 RU RU93005343A patent/RU2113034C1/ru active
- 1993-05-29 CN CN93106512A patent/CN1034198C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-31 JP JP5128658A patent/JP2503187B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-01 EP EP93304216A patent/EP0573241B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-31 CN CN95109584A patent/CN1076866C/zh not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU93005343A (ru) | Полупроводниковое устройство, обладающее двуслойной силицидной структурой, и способы его изготовления (варианты) | |
| JP2001298186A5 (ru) | ||
| EP1209726A3 (en) | Semiconductor device using a polysilicon thin film and method for fabrication thereof | |
| US5236872A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor body with a buried silicide layer | |
| JPS62102559A (ja) | 半導体装置及び製造方法 | |
| JP2001127308A5 (ru) | ||
| JPS6477122A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| EP0539233A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS63119576A (ja) | 薄膜トランジスターの活性領域の形成方法 | |
| JPS63108729A (ja) | 半導体ウエ−フア | |
| JP3078070B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR920018929A (ko) | 반도체장치의 폴리사이드 게이트전극구조 및 그 제조방법 | |
| JPH02166730A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS586151A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS57192017A (en) | Epitaxial growing method | |
| JPS644069A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5210673A (en) | Manufacturing method of silicon semi-conductor device | |
| JPH01143359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Borodyanskaya et al. | Forming the dislocation structures and mechanical properties of alpha-Ti in the temperature interval from-196 to 850 deg C | |
| Scovell et al. | Metallic Silicide Production | |
| JPS6088474A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0330293B2 (ru) | ||
| JPH0320084A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS57196522A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| RU96120054A (ru) | Способ изготовления интегрального датчика |