JPS586151A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS586151A JPS586151A JP10430381A JP10430381A JPS586151A JP S586151 A JPS586151 A JP S586151A JP 10430381 A JP10430381 A JP 10430381A JP 10430381 A JP10430381 A JP 10430381A JP S586151 A JPS586151 A JP S586151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tungsten
- polycrystalline silicon
- wiring
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高融点金属配線の形成方法に関する。
本発明の目的は、高融点金属配線の形成を容易にする事
により半導体装置の応答速度を改善する事にある。
により半導体装置の応答速度を改善する事にある。
半導体装置の微細化、高集積化に伴って従来の多結晶シ
リコン膜でｗｆｌされた配線の抵抗が大きな間曜となっ
て来ている。これに対して高融点金属配線が上記の問題
を解決する手段として注目されていゐ、高融点会ｊＩＩ
Ｉｔ）形成方法としてはスパッタ蒸着法、電子ビーム蒸
着法、気相−憂法があるが、その中で原材料の純変及び
学童性の面から気相成長法が最も優れている。
リコン膜でｗｆｌされた配線の抵抗が大きな間曜となっ
て来ている。これに対して高融点金属配線が上記の問題
を解決する手段として注目されていゐ、高融点会ｊＩＩ
Ｉｔ）形成方法としてはスパッタ蒸着法、電子ビーム蒸
着法、気相−憂法があるが、その中で原材料の純変及び
学童性の面から気相成長法が最も優れている。
気相成長法の一例としてタングステンの気相成長法を説
明する。ホットウォール反応管の減圧チャンバー内でＷ
？・ガスを反応させると第１図に示すａＩＫシリコン表
面１及び多結晶シリコン１１２上にタングステン＃３が
成長するが、シリコン酸化膜４にはタングステン＃ｉｌ
Ｌ形成されない為、上記の方法ではタングステンによ為
配線を形成する事ができな（・。
明する。ホットウォール反応管の減圧チャンバー内でＷ
？・ガスを反応させると第１図に示すａＩＫシリコン表
面１及び多結晶シリコン１１２上にタングステン＃３が
成長するが、シリコン酸化膜４にはタングステン＃ｉｌ
Ｌ形成されない為、上記の方法ではタングステンによ為
配線を形成する事ができな（・。
本発明は上記の欠点を除去したものである。１１施例に
よって詳しく説明する。１１＋１２１１は本発明による
タングステン配線の形成方法を示す図である。
よって詳しく説明する。１１＋１２１１は本発明による
タングステン配線の形成方法を示す図である。
気相成長法によってタングステン膜を形成する前に薄い
多結晶シリコンｌＦ５を形威しフォトエッチンダ法によ
って配線パターンを形成する。しかる後領ｓ喰長法によ
ってタングステンを成長させると多結晶シリコンｌＩｓ
上に選択的にタングステン１１４＄成長する。上記多結
晶シリコンとタングステンは螢工容の熱処１１１によっ
て館３図に示す様にタングステンシリサイド７となって
抵抗が大きくなるのｔこれを防止する為にタングステン
１１６を形成するとただちに酸化算囲気中で熱処理され
る。
多結晶シリコンｌＦ５を形威しフォトエッチンダ法によ
って配線パターンを形成する。しかる後領ｓ喰長法によ
ってタングステンを成長させると多結晶シリコンｌＩｓ
上に選択的にタングステン１１４＄成長する。上記多結
晶シリコンとタングステンは螢工容の熱処１１１によっ
て館３図に示す様にタングステンシリサイド７となって
抵抗が大きくなるのｔこれを防止する為にタングステン
１１６を形成するとただちに酸化算囲気中で熱処理され
る。
第４１１Ｆｉ駿化雰囲気中での熱処理後の様子を示す図
である。タングステンｌ１６下に存在した多結晶シリコ
ン１ｌＩ５＃ｉタングステンＷｌｂ上でシリコン酸什Ｉ
Ｆ８とな秒タングステン膜の抵抗を小さくする事ができ
る０以上タングステンの例を用いて説明したが他の高融
点金属を用いても同様の事が可能ｆある。
である。タングステンｌ１６下に存在した多結晶シリコ
ン１ｌＩ５＃ｉタングステンＷｌｂ上でシリコン酸什Ｉ
Ｆ８とな秒タングステン膜の抵抗を小さくする事ができ
る０以上タングステンの例を用いて説明したが他の高融
点金属を用いても同様の事が可能ｆある。
以上述べたと＞６本発明の半導体装量の製造方法によっ
て抵抗の小さい高融点金属配線の気相成長法による形成
が容易に実現でき、半導体装ｆｑ）特性改ＩＫ大いに役
立つ。
て抵抗の小さい高融点金属配線の気相成長法による形成
が容易に実現でき、半導体装ｆｑ）特性改ＩＫ大いに役
立つ。
【図面の簡単な説明】
９１図は従来の気相成長法によりて形成されたタングス
テン膜の形状を示す図である。 ［２図は本発明Ｃ）製造方法によるタングステンｐｉ
（１１形状を示す図である。 館５図は熱処Ｗ１１の多結晶シリコンとタングステンに
よるｆｍを示す図である。 鮪４図は本発明の製造方法による多結晶シリコンとタン
グステンによる配線ＯＩＩ化！囲気中での熱処理後の様
子を示す図である。 １・・シリコン表面 ２．５・・多結晶シリコン膜 ５．６・・タングステン膜 ４．８・・シリコン酸化膜 ７・・タングステンシリサイド 以上 出願人 株式会社 諏訪精工金 １人 弁慶士 最上 務
テン膜の形状を示す図である。 ［２図は本発明Ｃ）製造方法によるタングステンｐｉ
（１１形状を示す図である。 館５図は熱処Ｗ１１の多結晶シリコンとタングステンに
よるｆｍを示す図である。 鮪４図は本発明の製造方法による多結晶シリコンとタン
グステンによる配線ＯＩＩ化！囲気中での熱処理後の様
子を示す図である。 １・・シリコン表面 ２．５・・多結晶シリコン膜 ５．６・・タングステン膜 ４．８・・シリコン酸化膜 ７・・タングステンシリサイド 以上 出願人 株式会社 諏訪精工金 １人 弁慶士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）多結晶シリコン膜によって配線を形成する工程と、
前記多結晶シリコン配線上に高融点金属誹を気相成長法
によって選択的に形成する工程を有する事を４１１１と
する半導体装置の製造方法。 ２） 高融点金属膜を形成した螢、酸化ｆｉ！！気中ｆ
熱処処理する工程を有する事を特徴とする特許請求範囲
箇１項記軟の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10430381A JPS586151A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10430381A JPS586151A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586151A true JPS586151A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14377152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10430381A Pending JPS586151A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217327A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02116735U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133983A (en) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Handotaisochi no seizohoho |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10430381A patent/JPS586151A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133983A (en) * | 1974-09-17 | 1976-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Handotaisochi no seizohoho |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217327A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02116735U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 |
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