JPH02166730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02166730A JPH02166730A JP32272688A JP32272688A JPH02166730A JP H02166730 A JPH02166730 A JP H02166730A JP 32272688 A JP32272688 A JP 32272688A JP 32272688 A JP32272688 A JP 32272688A JP H02166730 A JPH02166730 A JP H02166730A
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- metal wiring
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- semiconductor device
- semiconductor
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属配線を有する半導体装置の製造方法に関
するものである。
するものである。
本発明は、上記の様な半導体装置の製造方法において、
半導体基体上に形成した金属配線を間欠的に熱処理する
ことによって、寿命が長（信頼性が高い金属配線を有す
る半導体装置を製造することができる様にしたものであ
る。
半導体基体上に形成した金属配線を間欠的に熱処理する
ことによって、寿命が長（信頼性が高い金属配線を有す
る半導体装置を製造することができる様にしたものであ
る。
半導体装置には、Ａｌやシリサイド等から成る金属配線
が多く用いられている。この金属配線は、半導体基体上
への１着やスパッタリング等による被着、パターニング
、及び熱処理等を経て形成される。
が多く用いられている。この金属配線は、半導体基体上
への１着やスパッタリング等による被着、パターニング
、及び熱処理等を経て形成される。
この熱処理は、半導体基体とのオーミックコンタクト、
層間絶縁膜との密着、及び結晶粒径の増大や結晶質の改
善等のために行われる。
層間絶縁膜との密着、及び結晶粒径の増大や結晶質の改
善等のために行われる。
第４図は、この様な熱処理方法の一従来例を示している
。即ち、４００℃程度で６０分間程度の定温熱処理であ
る。
。即ち、４００℃程度で６０分間程度の定温熱処理であ
る。
ところが上述の様な熱処理方法では、多数の結晶粒界が
形成されて、結晶粒径が十分には大きくならない。また
、結晶粒界を形成する原因である転位も十分には少なく
ならず、結晶質の改善も十分には行われない。
形成されて、結晶粒径が十分には大きくならない。また
、結晶粒界を形成する原因である転位も十分には少なく
ならず、結晶質の改善も十分には行われない。
このため、特に、半導体装置の集積度が高くなって金属
配線が細く且つ長くなると、エレクトロマイグレーショ
ンやスＩ・レスマイグレーションが発生し易くなる。従
って、上述の様な熱処理方法では、寿命が長く信頼性が
高い金属配線を有する半導体装置を製造することができ
ない。
配線が細く且つ長くなると、エレクトロマイグレーショ
ンやスＩ・レスマイグレーションが発生し易くなる。従
って、上述の様な熱処理方法では、寿命が長く信頼性が
高い金属配線を有する半導体装置を製造することができ
ない。
本発明による半導体装置の製造方法では、半導体基体Ｉ
Ｉ上に形成した金属配線を間欠的に熱処理する。
Ｉ上に形成した金属配線を間欠的に熱処理する。
本発明による半導体装置の製造方法では、金属配線の間
欠的熱処理に伴って、金属配線中の結晶粒界や転位等が
運動する。この結果、これらの結晶粒界や転位等が互い
に衝突して相殺されたり金属配線の表面に浮上して金属
配線中から消失したりして、金属配線の結晶粒径が増大
すると共に結晶質が改善される。
欠的熱処理に伴って、金属配線中の結晶粒界や転位等が
運動する。この結果、これらの結晶粒界や転位等が互い
に衝突して相殺されたり金属配線の表面に浮上して金属
配線中から消失したりして、金属配線の結晶粒径が増大
すると共に結晶質が改善される。
以下、本発明の第１〜第４実施例を、第１図〜第３図を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図が、第１実施例を示している。この第１実施例で
は、第４図に示した熱処理の代りに第１図に示す熱処理
を行う。即ち、Ｓｉウェハ等の半導体ウェハの加熱炉の
温度を、４００〜４５０℃程度と２００℃程度との間で
周期的に変化させる。
は、第４図に示した熱処理の代りに第１図に示す熱処理
を行う。即ち、Ｓｉウェハ等の半導体ウェハの加熱炉の
温度を、４００〜４５０℃程度と２００℃程度との間で
周期的に変化させる。
なおこの変化は、１周期を２〜３分間程度とし、周期数
を５０程度として、加熱量の積分値が第４図に示したー
従来例と同等程度になる様に行う。
を５０程度として、加熱量の積分値が第４図に示したー
従来例と同等程度になる様に行う。
この様な間欠的熱処理を行うと、Ａｌ −５ｉ配線等の
金属配線中の結晶粒界や転位等が運動する。
金属配線中の結晶粒界や転位等が運動する。
この結果、これらの結晶粒界や転位等が互いに衝突して
相殺されたり金属配線の表面に浮上して金属配線中から
消失したりして、金属配線の結晶粒径が増大すると共に
結晶質が改善される。
相殺されたり金属配線の表面に浮上して金属配線中から
消失したりして、金属配線の結晶粒径が増大すると共に
結晶質が改善される。
これに対して、第４図に示した様な定温熱処理では、金
属配線中の結晶粒界や転位等が運動しない。このため、
既述の様に、結晶粒径が十分には大きくならず、結晶質
の改善も十分には行われない。
属配線中の結晶粒界や転位等が運動しない。このため、
既述の様に、結晶粒径が十分には大きくならず、結晶質
の改善も十分には行われない。
第２図は、第２実施例を示している。この第２実施例で
も加熱炉中で第１図に示した様な間欠的７）ｃ処理を行
うが、第１実施例の様に半導体ウェハの加熱炉自体の温
度は変化させない。
も加熱炉中で第１図に示した様な間欠的７）ｃ処理を行
うが、第１実施例の様に半導体ウェハの加熱炉自体の温
度は変化させない。
その代り、第２図に示す様に半導体ウェハＩＩを支持し
ているボート１２と加熱炉１３とを相対的に移動させて
、加熱炉１３中の高温部と低温部との間で半導体ウェハ
１１を往復させる。
ているボート１２と加熱炉１３とを相対的に移動させて
、加熱炉１３中の高温部と低温部との間で半導体ウェハ
１１を往復させる。
第３図は、第３実施例を示している。この第３実施例で
は、半導体ウェハ１１とこの半導体ウェハ１１の径より
も十分に細いヒータ１４とを相対的に移動させる。
は、半導体ウェハ１１とこの半導体ウェハ１１の径より
も十分に細いヒータ１４とを相対的に移動させる。
従ってこの第３実施例では、第１及び第２実施例の様に
半導体ウェハ１１の全体に対して同時に第１図の様な間
欠的熱処理を行うのではなく、半導体ウェハ１１の各々
の部分に対して時間をずらせて第１図の様な間欠的熱処
理を行う。
半導体ウェハ１１の全体に対して同時に第１図の様な間
欠的熱処理を行うのではなく、半導体ウェハ１１の各々
の部分に対して時間をずらせて第１図の様な間欠的熱処
理を行う。
次に、第４実施例を説明する。この第４実施例では、第
１及び第２実施例と同様に半導体ウェハの全体に対して
同時に第１図の様な間欠的熱処理を行うが、第１及び第
２実施例の様に加熱炉を用いるのではなく、温度を周期
的に変化させる赤外線アニールによって行う。
１及び第２実施例と同様に半導体ウェハの全体に対して
同時に第１図の様な間欠的熱処理を行うが、第１及び第
２実施例の様に加熱炉を用いるのではなく、温度を周期
的に変化させる赤外線アニールによって行う。
本発明による半導体装置の製造方法では、金属配線の結
晶粒径が増大すると共に結晶質が改善されるので、寿命
が長く信頼性が高い金属配線を有する半導体装置を製造
することができる。
晶粒径が増大すると共に結晶質が改善されるので、寿命
が長く信頼性が高い金属配線を有する半導体装置を製造
することができる。
第１図は本発明の第１〜第４実施例における時間と温度
との関係を示すグラフ、第２図及び第３図は夫々第２及
び第３実施例の方法を示す側断面図及び斜視図である。 第４図は本発明の一従来例における時間と温度との関係
を示すグラフであり第１図に対応している。 なお図面に用いた符号において、 ■ ・半導体ウェハ である。 代 理 人 土 屋 勝
との関係を示すグラフ、第２図及び第３図は夫々第２及
び第３実施例の方法を示す側断面図及び斜視図である。 第４図は本発明の一従来例における時間と温度との関係
を示すグラフであり第１図に対応している。 なお図面に用いた符号において、 ■ ・半導体ウェハ である。 代 理 人 土 屋 勝
Claims (1)
- 半導体基体上に形成した金属配線を間欠的に熱処理する
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32272688A JPH02166730A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32272688A JPH02166730A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166730A true JPH02166730A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18146936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32272688A Pending JPH02166730A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645339A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-02-18 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウェーハの熱処理方法 |
| US5369245A (en) * | 1991-07-31 | 1994-11-29 | Metron Designs Ltd. | Method and apparatus for conditioning an electronic component having a characteristic subject to variation with temperature |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP32272688A patent/JPH02166730A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645339A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-02-18 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウェーハの熱処理方法 |
| US5369245A (en) * | 1991-07-31 | 1994-11-29 | Metron Designs Ltd. | Method and apparatus for conditioning an electronic component having a characteristic subject to variation with temperature |
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