RU2666431C2 - Смешаннооксидные материалы - Google Patents
Смешаннооксидные материалы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2666431C2 RU2666431C2 RU2015145461A RU2015145461A RU2666431C2 RU 2666431 C2 RU2666431 C2 RU 2666431C2 RU 2015145461 A RU2015145461 A RU 2015145461A RU 2015145461 A RU2015145461 A RU 2015145461A RU 2666431 C2 RU2666431 C2 RU 2666431C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- scintillator
- mixed oxide
- detector
- ionizing radiation
- scintillation
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- -1 Tb4O7 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical group [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/032—Transmission computed tomography [CT]
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
- C09K11/69—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing vanadium
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
- G01T1/2016—Erasing of stimulable sheets, e.g. with light, heat or the like
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Surgery (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Public Health (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Pulmonology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано в детекторах ионизирующего излучения и КТ-сканерах. Сначала смешивают YO, CeO, TbO, AlOи GaO, пропитывают один из них или несколько источником V. Затем диспергируют с получением суспензии, которую высушивают с получением смешанного порошка. Полученный порошок спекают при температуре не менее 1400 °С в течение не менее 1 ч. Сцинтиллятор содержит монокристаллический или поликристаллический смешаннооксидный материал с формулой (YTb)AlGaO:Ce, где 0,01 ≤ w ≤ 0,99, 0,01 ≤ x ≤ 0,99, 0 ≤ y ≤ 3,5 и 0,001 ≤ z ≤ 0,10; w + x + 3×z = 1, причем смешаннооксидный материал легирован по меньшей мере 10 млнV. Полученный материал характеризуется повышенным световым выходом и прозрачностью для видимого света, а также сниженным послесвечением. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 табл., 4 пр.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к смешаннооксидным материалам, способам их получения, детекторам ионизирующего излучения и КТ-сканерам (для компьютерной томографии).
ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Детекторы ионизирующего излучения и, в частности, твердотельные детекторы ионизирующего излучения, широко применяются, например, в КТ-сканерах. Такие твердотельные детекторы ионизирующего излучения содержат, в общих чертах, две основные сборочные единицы. Первая сборочная единица содержит флуоресцентный компонент, который обычно называют сцинтиллятором или люминофором, который поглощает излучение и в ответ излучает фотоны в УФ-, видимой или ИК-области спектра. Вторая сборочная единица содержит фотодетектор, который может регистрировать фотоны, излученные сцинтиллятором или люминофором, и выдает соответствующие электрические сигналы.
В отношении вышеуказанных выражений «сцинтиллятор» и «люминофор» необходимо отметить, что оба представляют собой взаимозаменяемые понятия, и должны пониматься в пределах области изобретения как обозначающие твердотельные люминесцентные материалы, которые, в ответ на возбуждение ионизирующим излучением, таким как рентгеновские лучи, β- или γ-излучение, излучают фотоны со значительно более низкой энергией.
Выражение «ионизирующее излучение» в пределах области изобретения относится к электромагнитному излучению, имеющему более высокую энергию, чем ультрафиолетовое излучение.
Детекторы ионизирующего излучения находят широкое применение в системах регистрации и формирования изображений на основе рентгеновского излучения. Одним из главных вариантов применения таких детекторов и сцинтилляторов в медицине являются КТ-сканеры.
В частности, для их применения в КТ-сканерах предпочтительно, если эти сцинтилляторы демонстрируют высокий световой выход, так что КТ-сканер может быть запущен при как можно меньшей дозе облучения для пациента. Кроме того, сцинтилляторы, используемые в современных КТ-сканерах, должны обладать как можно более низким послесвечением, поскольку в противном случае процесс сканирования нужно замедлять (например, снижением частоты вращения), чтобы снизить влияние послесвечения на последующее формирование изображения, что неблагоприятно действует на скорость исследования.
Наконец, также желательно, чтобы сцинтилляторы были как можно более прозрачными для видимого света, поскольку в противном случае происходит рассеяние фотонов, полученных при взаимодействии между ионизирующим излучением и сцинтиллятором, которое приводит к значительному фоновому шуму во время процесса формирования изображения вследствие оптического поглощения сцинтилляционного света в сцинтилляторе.
Два материала, которые в настоящее время обычно используют в качестве сцинтилляторов для КТ-сканеров, представляют собой сцинтилляционные материалы на основе Gd2O2S, легированного празеодимом (Pr) (GOS, оксисульфид гадолиния) и (Y,Gd)2O3, легированного европием (Eu). В то время как эти два материала уже дают приемлемые результаты, было показано, что GOS вследствие того обстоятельства, что он непрозрачен для видимого света, а лишь полупрозрачен, показывает довольно высокое рассеяние, приводящее к нежелательному существенному шуму, тогда как системы на основе (Y,Gd)2O3:Eu демонстрируют значительное послесвечение, что могло бы быть усовершенствовано в следующем поколении КТ-сканеров при замене этого сцинтиллятора.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Одна цель настоящего изобретения состоит в обеспечении смешаннооксидного материала, способа его получения, сцинтиллятора, детектора ионизирующего излучения и КТ-сканера, причем сцинтиллятор демонстрирует высокий световой выход, очень низкое послесвечение и высокую прозрачность.
В первом аспекте настоящего изобретения представлен смешаннооксидный материал, имеющий формулу (YwTbx)3Al5-yGayO12:Cez, в которой 0,01 ≤ w ≤ 0,99, 0,01 ≤ x ≤ 0,99, 0 ≤ y ≤ 3,5 и 0,001 ≤ z ≤ 0,10 и в которой w + x + 3×z = 1, причем смешаннооксидный материал легирован по меньшей мере 10 млн-1 ванадия (V), предпочтительно по меньшей мере 25 млн-1 V.
В дополнительном аспекте настоящего изобретения представлен способ получения оксидного материала, который описан выше, содержащий следующие этапы: а) обеспечение Y2O3, CeO2, Tb4O7, Al2O3 и Ga2O3 в пропорциях, пригодных для получения требуемого смешанного оксида, b) пропитывание одного или нескольких из твердых веществ по этапу а) источником ванадия (V) в требуемом количестве, с) объединение и измельчение твердых веществ по этапу а) и этапу b) в присутствии подходящего диспергатора с получением суспензии, d) высушивание суспензии по этапу с) с получением смешанного порошка и е) спекание смешанного порошка по этапу d) при температуре по меньшей мере 1400°С в течение по меньшей мере 1 ч.
В дополнительном аспекте настоящего изобретения представлен сцинтиллятор, который содержит вышеупомянутый смешаннооксидный материал.
В дополнительном аспекте настоящего изобретения представлен детектор ионизирующего излучения, который содержит вышеупомянутый смешаннооксидный материал или вышеуказанный сцинтиллятор в сочетании с по меньшей мере одним фотодетектором.
В дополнительном аспекте настоящего изобретения представлен КТ-сканер, который содержит по меньшей мере один детектор, как описанный выше.
Материалы на основе (YWTbx)3Al5-yGayO12:Cez с некоторых пор были известны как способные взаимодействовать с ионизирующим излучением и, в результате, испускать фотоны, т.е. иметь сцинтилляционные свойства. Однако известные до настоящего времени материалы демонстрируют послесвечение, которое является настолько сильным, что они считались непригодными для современных КТ-сканеров. Теперь же было обнаружено, что при легировании вышеуказанных смешаннооксидных материалов мельчайшими количествами ванадия послесвечение может быть значительно снижено без слишком существенного ущерба величинам светового выхода, и поэтому обеспечено создание сцинтилляционного материала, который пригоден для применения в современных КТ-сканерах.
В варианте осуществления смешаннооксидный материал легирован ванадием (V) от 10 до 250 млн-1, предпочтительно от 25 до 200 млн-1 V.
Было показано, что добавление ванадия к смешаннооксидному материалу в вышеуказанных диапазонах количества приводит к хорошему балансу между улучшениями характеристик послесвечения без значительных потерь светового выхода.
В другом варианте осуществления смешаннооксидного материала 0,1 ≤ w ≤ 0,9, предпочтительно 0,2 ≤ w ≤ 0,8, более предпочтительно 0,3 ≤ w ≤ 0,6 и еще более предпочтительно 0,35 ≤ w ≤ 0,5.
В другом варианте осуществления смешаннооксидного материала 0,1 ≤ x ≤ 0,9, предпочтительно 0,2 ≤ x ≤ 0,8, более предпочтительно 0,4 ≤ x ≤ 0,7 и еще более предпочтительно 0,5 ≤ x ≤ 0,65.
В другом варианте осуществления смешаннооксидного материала 1 ≤ y ≤ 3,5, предпочтительно 2 ≤ y ≤ 3,5 и более предпочтительно 2,5 ≤ y ≤ 3,5.
В еще одном дополнительном варианте осуществления смешаннооксидного материала 0,005 ≤ z ≤ 0,05, предпочтительно 0,005 ≤ z ≤ 0,02 и более предпочтительно z = 0,01.
В дополнительном варианте осуществления смешаннооксидный материал имеет формулу (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01 и легирован по меньшей мере 10 млн-1 V, предпочтительно от 10 до 250 млн-1 V и, в частности, от 25 до 200 млн-1 V.
Было показано, что смешаннооксидные материалы в вышеуказанных диапазонах состава приводят к особенно эффективным сцинтилляционным материалам, имеющим высокий световой выход и низкое послесвечение.
В дополнительном варианте осуществления смешаннооксидный материал представляет собой монокристаллический или поликристаллический материал.
В варианте осуществления вышеуказанного способа на этапе с) добавляют флюс при объединении твердых веществ по этапу b) из этапа a).
При добавлении флюса на этапе с) может быть улучшена диффузия различных ионов во время спекания по этапу d), приводя к материалу более высокого качества при более низких температурах спекания.
В дополнительном варианте осуществления детектор дополнительно содержит второй смешаннооксидный материал или сцинтиллятор, причем второй смешаннооксидный материал или второй сцинтиллятор имеет более высокую плотность, чем вышеописанный смешаннооксидный материал или сцинтиллятор.
Благодаря комбинации двух различных сцинтилляционных материалов, имеющих различную плотность, может быть зарегистрировано рентгеновское излучение с различными уровнями энергии, причем материал с более низкой плотностью, как правило, регистрирует рентгеновское излучение с более низкой энергией, а материал с более высокой плотностью, как правило, регистрирует рентгеновское излучение с более высокой энергией. При создании детекторов, которые содержат два различных сцинтиллятора или сцинтилляционных материала, может быть создан детектор, который регистрирует рентгеновское излучение двух различных видов, что, например, в КТ-сканерах дает больше информации об обследуемом организме или части тела.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Эти и другие аспекты изобретения будут очевидны из и разъяснены со ссылкой на описанные здесь далее варианты осуществления и примеры. На нижеследующих чертежах:
Фиг.1 показывает схематическое изображение КТ-сканера согласно настоящему изобретению,
Фиг.2 показывает схематическое изображение первого варианта осуществления детектора ионизирующего излучения согласно настоящему изобретению,
Фиг.3 показывает схематическое изображение второго варианта осуществления детектора ионизирующего излучения согласно настоящему изобретению, и
Фиг.4 показывает схематическое изображение третьего варианта осуществления детектора ионизирующего излучения согласно настоящему изобретению.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ПРИМЕРЫ
Примеры 1-4
Отвешивали стехиометрические количества Y2O3 (фирмы Rhodia), CeO2 (Neo Materials), Tb4O7 (Guangdong и Neo Materials), Al2O3 (Baikowski) в пропорциях для создания смешаннооксидных материалов, имеющих формулу (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01. Чтобы легировать эти материалы ванадием (V) соответственно на уровне 25 млн-1, 50 млн-1, 100 млн-1 и 200 млн-1, растворяли в этаноле соответствующее количество NH4VO3, смешивали с Al2O3, осаждали и высушивали на роторном испарителе. Затем полученный этим путем модифицированный Al2O3 применяли в твердофазном синтезе требуемых смешанных оксидов. Твердые исходные материалы смешивали и измельчали в гептане в агатовых сосудах. После процесса смешивания образцы высушивали в трубчатой печи для удаления жидкости для смешивания, и образцы спекали в горизонтальной трубчатой печи (Entech серии 01820) при 1550°C в алюминиевом тигле в течение 4 часов в потоке H2/N2, чтобы восстановить Ce4+ до Ce3+, а Tb4+ до Tb3+.
Полученные образцы испытывали на фотолюминесценцию, при этом фотолюминесцентные эмиссионные спектры регистрировали при комнатной температуре с использованием ксеноновой лампы со спектрометром FLSP920 фирмы Edinburgh Instruments, оснащенным двойными монохроматорами для улучшения разрешения и снижения рассеянного света. Измерения послесвечения выполняли с использованием возбуждения рентгеновским излучением и фотодиода. Световой выход измеряли определением площади под кривой эмиссии и выражали в виде процентного выхода по сравнению со Сравнительным Примером 1 в каждой из таблиц.
Результаты измерений по сравнению с (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01 без ванадия показаны ниже в Таблицах 1 и 2.
| Таблица 1 Световые выходы для Примеров 1-4 по сравнению с (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01 без добавления ванадия. Процентные значения приведены относительно Сравнительного Примера 1. |
|||||||
| Полоса возбуждения 280 нм, Tb 3+ | Полоса возбуждения 345 нм, Се 3+ | Возбуждение, переход 7 F 6 - 5 D 3 378,5 нм, Tb 3+ | |||||
| Содержание V | Площадь | Световой выход, % | Площадь | Световой выход, % | Площадь | Световой выход, % | |
| Сравнительный Пример 1 | 0 млн-1 | 2,26Е+08 | 100,0 | 8,33Е+07 | 100,0 | 7,28Е+07 | 100,0 |
| Пример 1 | 25 млн-1 | 2,14Е+08 | 94,9 | 8,75Е+07 | 105,0 | 8,24Е+07 | 113,2 |
| Пример 2 | 50 млн-1 | 1,97Е+08 | 87,1 | 7,95Е+07 | 95,4 | 7,37Е+07 | 101,2 |
| Пример 3 | 100 млн-1 | 1,87Е+08 | 82,6 | 7,41Е+07 | 88,9 | 6,43Е+07 | 88,3 |
| Пример 4 | 200 млн-1 | 1,59Е+08 | 70,5 | 7,02Е+07 | 84,3 | 5,99Е+07 | 82,3 |
| Таблица 2 Послесвечение для Примеров 1-4 по сравнению с (Y 0,395 Tb 0,595 ) 3 Al 5 O 12 :Ce 0,01 без добавления ванадия. Процентные значения приведены относительно Сравнительного Примера 1. Значения в млн -1 указаны относительно начальной интенсивности соответствующего материала. |
|||||||
| Послесвечение, %, после 5 мс (относительно Сравнительного Примера 1) | μ | σ | μ | σ | μ | σ | |
| Сравнительный Пример 1 | 100,0 | 4628 | 15 | 122 | 1 | 43 | 1 |
| Пример 1 | 5,7 | 263 | 9 | <10 | <10 | ||
| Пример 2 | 8,2 | 380 | 65 | 31 | 1 | <10 | |
| Фотодиод 5 мс [млн -1 ] |
Фотодиод 500 мс [млн -1 ] | Фотодиод 2100 мс [млн -1 ] | |||||
| Пример 3 | 10,3 | 476 | 42 | 10 | 2 | 12 | 3 |
| Пример 4 | 2,3 | 108 | 7 | <10 | <10 | ||
Сравнительные Примеры 1-4
В качестве сравнительных примеров приготавливали составы (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01, легированные Ti, Cr и Mn, а также (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01 без добавления какой-либо легирующей примеси.
Синтез по Сравнительным Примерам проводили аналогично синтезу по Примерам 1-4, причем NH4VO3 не применяли или заменяли н-бутоксидом титана, Cr(NO3)3∙9H2O и Μn(ΝO3)2∙4Η2O соответственно. Для всех Сравнительных Примеров, содержащих легирующую примесь, использовали уровень легирующей примеси 50 млн-1.
Анализ материалов, полученных согласно Сравнительным Примерам 1-4, проводили в соответствии с условиями, описанными выше для Примеров 1-4, и результаты показаны ниже в Таблицах 3 и 4.
| Таблица 3 Световые выходы для Сравнительных Примеров 1-4. Процентные значения приведены относительно Сравнительного Примера 1. |
|||
| Полоса возбуждения 280 нм, Tb3+ | |||
| Легирующая примесь | Площадь | Световой выход, % | |
| Сравнительный Пример 1 | нет | 6429590 | 100,0 |
| Пример 1 | Ti | 5734990 | 89,2 |
| Пример 2 | Cr | 5907660 | 91,9 |
| Пример 3 | Mn | 6055820 | 94,2 |
| Таблица 4 Послесвечение для Сравнительных Примеров 1-4. Процентные значения приведены относительно Сравнительного Примера 1. Значения в млн -1 указаны относительно начальной интенсивности соответствующего материала. |
|||||||
| Фотодиод 5 мс [млн -1 ] |
Фотодиод 500 мс [млн -1 ] | Фотодиод 2100 мс [млн -1 ] | |||||
| Послесвечение, %, после 5 мс (относительно Сравнительного Примера 1) | μ | σ | μ | σ | μ | σ | |
| Сравнительный Пример 1 | 100,0 | 4628 | 15 | 122 | 1 | 43 | 1 |
| Сравнительный Пример 2 | 49,4 | 2285 | 17 | 147 | 1 | 52 | 1 |
| Сравнительный Пример 3 | 94,1 | 4355 | 40 | 115 | 1 | 39 | 1 |
| Сравнительный Пример 4 | 268,1 | 12406 | 12 | 392 | 2 | 85 | 1 |
Данные из Примеров и Сравнительных Примеров ясно показывают, что добавление ванадия к смешаннооксидному материалу (Y0,395Tb0,595)3Al5O12:Ce0,01 значительно снижает послесвечение без чрезмерного влияния на световой выход. Кроме того, Сравнительные Примеры показывают, что это представляется очень специфичным эффектом для ванадия, так как родственные металлы d-группы, такие как титан, хром или марганец, такого эффекта не проявляют.
На Фиг.1 КТ-сканер в целом обозначен ссылочной позицией 10. КТ-сканер 10 содержит вращающуюся гентри 12, на которой на противоположных сторонах размещены источник 14 рентгеновского излучения и детекторная матрица 16. Детекторная матрица 16 состоит из ряда отдельных детекторов рентгеновского излучения, один из которых с целью примера обозначен здесь ссылочной позицией 18. Вращающуюся гентри 12 размещают таким образом, что источник 14 рентгеновского излучения и детекторная матрица 16 находятся на противоположных сторонах зоны 20 исследования, в которую помещен пациент 22. При использовании источник рентгеновского излучения излучает клиновидный, конусообразный или иным образом сформированный рентгеновский пучок, направленный в зону 20 исследования, в данном случае в направлении пациента 22. Пациент 22 может линейно перемещаться в направлении «z» (перпендикулярно плоскости чертежа), тогда как источник 14 рентгеновского излучения и, соответственно, детекторная матрица 16 вращаются вокруг оси «z». Как правило, вращающаяся гентри 12 поворачивается одновременно с линейным продвижением пациента 22, приводя в целом к спиральной траектории источника 14 рентгеновского излучения и, соответственно, детекторной матрицы 16 вокруг зоны 20 исследования. Однако также могут быть применены иные режимы формирования изображений, такие как режим одно- или многослойного формирования изображений, в котором гентри вращается, по мере того как опора для объекта остается неподвижной, с получением перемещения источника 14 рентгеновского излучения и, соответственно, детекторной матрицы 16 в целом по круговому направлению, вокруг которого улавливается аксиальное изображение.
Как можно видеть на рисунке, детекторная матрица 16 размещена на гентри 12 на противоположной источнику 14 рентгеновского излучения стороне, так что при использовании рентгеновские лучи, излучаемые источником 14 рентгеновского излучения, проходят, например, через пациента 22 и затем регистрируются детекторной матрицей 16. Как правило, детекторная матрица 16 содержит большое число детекторов 18, посредством чего детекторная матрица 16 может представлять собой выстроенные в одну линию детекторы 18 или же двумерную матрицу из детекторов 18. Более подробное разъяснение функционирования детекторов 18 внутри детекторных матриц 16 приведено ниже в отношении разнообразных вариантов осуществления детекторов, показанных на Фигурах 2-4.
На Фиг.2 детектор ионизирующего излучения согласно первому варианту осуществления в целом обозначен ссылочной позицией 30. Детектор 30 содержит две сборочные единицы, а именно, сцинтиллятор 32 и фотодетектор 34. Фотодетектор 34 содержит фотодиод 36, который размещен так, что активная область фотодиода 36 обращена к сцинтиллятору 32.
При использовании детектор размещают таким образом, что сцинтиллятор 32 ориентирован в сторону источника потенциального источника регистрируемого излучения. При этом сцинтиллятор 32 состоит, например, из материала, описанного выше в Примере 1. Если теперь на сцинтиллятор 32 падает ионизирующее излучение, например, рентгеновские лучи, сцинтиллятор 32 взаимодействует с этими рентгеновскими лучами и в ответ испускает один или многочисленные фотоны, которые излучаются из сцинтиллятора 32 и могут быть зарегистрированы фотодиодом 34, генерирующим электрический сигнал, указывающий на наличие рентгеновского излучения. Чтобы повысить выход фотонов, регистрируемых диодом 34, сцинтиллятор 32 может быть покрыт с одной или нескольких не обращенных к фотодетектору сторон материалом, отражающим излучаемые фотоны.
На Фиг.3 детектор ионизирующего излучения согласно второму варианту осуществления в целом обозначен ссылочной позицией 40. И в этом случае этот детектор 40 содержит два конструкционных элемента, а именно, сцинтиллятор 42 и фотодетектор 44. В отличие от варианта осуществления по Фиг.1, в этом случае сцинтиллятор 42 состоит из двух различных сцинтилляционных материалов, первого сцинтилляционного материала 46 и второго сцинтилляционного материала 48. Первый сцинтилляционный материал 46 в данном случае представляет собой материал из вышеупомянутого Примера 2, а второй сцинтилляционный материал 48 представляет собой при этом сцинтилляционный материал, имеющий более высокую плотность, чем первый сцинтилляционный материал 46. В данном случае второй сцинтилляционный материал 48 представляет собой Gd2O2S, легированный празеодимом (Pr).
Соответственно первому сцинтилляционному материалу 46 и второму сцинтилляционному материалу 48, фотодетектор 42 содержит два фотодиода, первый фотодиод 50 и второй фотодиод 52. При использовании рентгеновские лучи с различными энергиями падают на детектор 40 сверху, то есть в направлении первого сцинтилляционного материала 46. Вследствие своей более низкой плотности первый сцинтилляционный материал 46 поглощает рентгеновское излучение более низкой энергии и в ответ на него излучает фотоны с первой частотой. После прохождения через первый сцинтилляционный материал 46 рентгеновские лучи попадают на второй сцинтилляционный материал 48, в результате чего при взаимодействии со вторым сцинтилляционным материалом 48 излучаются фотоны со второй длиной волны.
Первый фотодиод 50 теперь снабжен первым фильтром 54, который отфильтровывает фотоны со второй длиной волны, обеспечивая то, что только фотоны с первой длиной волны, то есть фотоны, сгенерированные первым сцинтилляционным материалом 46, регистрируются первым фотодиодом 50.
Соответственно, второй фотодиод 52 снабжен вторым фильтром 56, который задерживает фотоны с первой длиной волны, обеспечивая то, что только фотоны со второй длиной волны, то есть фотоны, сгенерированные вторым сцинтилляционным материалом 48, достигают второго фотодиода 52 и регистрируются им.
В результате вышеуказанной схемы можно с помощью детектора 40 регистрировать и дифференцировать рентгеновское излучение с двумя различными уровнями энергии и формировать соответствующие сигналы, увеличивая количество информации, доступной при КТ-сканировании.
На Фиг.4 детектор ионизирующего излучения согласно третьему варианту осуществления в целом обозначен ссылочной позицией 60. Детектор 60 ионизирующего излучения по функционированию подобен детектору 40 по Фиг.3, но имеет иную конструкцию.
И в этом случае детектор 60 состоит из сцинтиллятора 62 и фотодетектора 64. В этом случае сцинтиллятор 62 опять состоит из первого сцинтилляционного материала 66 и второго сцинтилляционного материала 68. При этом первый сцинтилляционный материал 66 представляет собой, например, материал по Примеру 3, тогда как второй сцинтилляционный материал 68 опять представляет собой Gd2O2S, легированный празеодимом (Pr), то есть материал более высокой плотности, чем первый сцинтилляционный материал 66. В отличие от варианта осуществления по Фиг.3, на Фиг.4 фотодетектор 64 размещен не под сцинтиллятором 62, а сбоку от него, тем самым первый фотодиод 70 расположен на стороне первого сцинтилляционного материала 66, а второй фотодиод 72 размещен на стороне второго сцинтилляционного материала 68, если смотреть в направлении поступления регистрируемого ионизирующего излучения, как указано стрелкой 74.
На тех сторонах, которые не обращены к первому фотодиоду 70 и второму фотодиоду 72 соответственно оба сцинтилляционных материала 66 и 68 обеспечены покрытием, которое является отражающим для фотонов в диапазоне длин волн, излучаемых первым и вторым сцинтилляционным материалом 66 и 68 соответственно, будучи тем не менее прозрачным для ионизирующего излучения.
При использовании, ионизирующее излучение проходит в направлении, обозначенном стрелкой 74, в сторону первого сцинтилляционного материала 66, причем вследствие его более низкой плотности часть ионизирующего излучения с более низкой энергией взаимодействует с первым сцинтилляционным материалом 66 и возбуждает излучение одного или нескольких фотонов. Благодаря отражающему покрытию с наружной стороны первого сцинтилляционного материала 66, фотоны могут выходить из первого сцинтилляционного материала 66 только в сторону первого фотодиода 70 и регистрируются им. После прохождения через первый сцинтилляционный материал 66 ионизирующее излучение поступает во второй сцинтилляционный материал 68, вследствие чего, благодаря тому обстоятельству, что плотность второго сцинтилляционного материала 68 выше, чем первого сцинтилляционного материала 66, поглощается излучение с более высокой энергией, и в результате этого генерируется второй набор фотонов. И в этом случае, благодаря тому обстоятельству, что второй сцинтилляционный материал 68 покрыт отражающим материалом на тех сторонах, которые не обращены ко второму фотодиоду, фотоны могут выходить из второго сцинтилляционного материала 68 только в сторону второго фотодиода 72 и регистрируются им.
Опять, ввиду того обстоятельства, что каждый сцинтилляционный материал взаимодействует с излучением конкретного уровня энергии и в ответ излучает фотоны, которые направлены к конкретным фотодиодам и регистрируются ими, детектором ионизирующего излучения могут быть зарегистрированы различные рентгеновские лучи, создавая больше информации, например, об обследуемом теле в КТ-сканере.
Хотя изобретение было проиллюстрировано и подробно описано на чертежах и вышеизложенном описании, такие иллюстрация и описание должны рассматриваться как иллюстративные или примерные, но не ограничивающие; изобретение не ограничивается раскрытыми вариантами осуществления. Другие вариации раскрытых вариантов осуществления могут быть поняты и реализованы специалистами в этой области техники при практической реализации заявленного изобретения, из изучения чертежей, раскрытия и приложенной формулы изобретения.
В формуле изобретения слово «содержащий» не исключает других элементов или этапов, а единственное число не исключает множества. Единственный элемент или другой блок могут выполнять функции нескольких элементов, перечисленных в формуле изобретения. Тот факт, что определенные меры перечислены во взаимно различных зависимых пунктах формулы изобретения, не означает, что комбинация этих мер не может быть использована с выгодой.
Любые ссылочные обозначения в формуле изобретения не должны истолковываться как ограничивающие объем.
Claims (18)
1. Сцинтиллятор, содержащий смешаннооксидный материал с формулой (YwTbx)3Al5-yGayO12:Cez, в которой 0,01 ≤ w ≤ 0,99, 0,01 ≤ x ≤ 0,99, 0 ≤ y ≤ 3,5 и 0,001 ≤ z ≤ 0,10 и в которой w + x + 3×z = 1, причем смешаннооксидный материал легирован по меньшей мере 10 млн-1 V.
2. Сцинтиллятор по п.1, причем материал легирован от 10 до 250 млн-1 V.
3. Сцинтиллятор по п.1, причем 0,1 ≤ w ≤ 0,9.
4. Сцинтиллятор по п.1, причем 0,1 ≤ x ≤ 0,9.
5. Сцинтиллятор по п.1, причем 1 ≤ y ≤ 3,5.
6. Сцинтиллятор по п.1, причем 0,005 ≤ z ≤ 0,05.
7. Сцинтиллятор по п.1, причем материал представляет собой монокристаллический или поликристаллический материал.
8. Способ получения сцинтиллятора со смешаннооксидным материалом по п.1, содержащий следующие этапы:
а) обеспечение Y2O3, CeO2, Tb4O7, Al2O3 и Ga2O3 в пропорциях, пригодных для получения требуемого смешанного оксида,
b) пропитывание одного или нескольких из твердых веществ по этапу а) источником V в требуемом количестве,
с) объединение и измельчение твердых веществ по этапу а), которые не пропитаны на этапе b), и этапу b) в присутствии подходящего диспергатора с получением суспензии,
d) высушивание суспензии по этапу с) с получением смешанного порошка,
е) спекание смешанного порошка по этапу d) при температуре по меньшей мере 1400°С в течение по меньшей мере 1 ч и
f) построение сцинтиллятора с использованием спеченного смешанного порошка по этапу е).
9. Способ по п.8, причем на этапе с) при объединении твердых веществ по этапу а) и этапу b) добавляют флюс.
10. Детектор ионизирующего излучения, содержащий сцинтиллятор (32; 42; 62) по п.1 в комбинации с по меньшей мере одним фотодетектором (34; 44; 64).
11. Детектор по п.10, дополнительно содержащий второй сцинтиллятор, имеющий более высокую плотность, чем сцинтиллятор по п.1.
12. КТ-сканер, содержащий по меньшей мере один детектор (18; 30; 40; 60) по п.10.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361805261P | 2013-03-26 | 2013-03-26 | |
| US61/805,261 | 2013-03-26 | ||
| PCT/IB2014/060019 WO2014155256A1 (en) | 2013-03-26 | 2014-03-21 | Mixed oxide materials |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015145461A RU2015145461A (ru) | 2017-05-16 |
| RU2015145461A3 RU2015145461A3 (ru) | 2018-03-22 |
| RU2666431C2 true RU2666431C2 (ru) | 2018-09-07 |
Family
ID=50439449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015145461A RU2666431C2 (ru) | 2013-03-26 | 2014-03-21 | Смешаннооксидные материалы |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9315726B2 (ru) |
| EP (1) | EP2898043B1 (ru) |
| JP (1) | JP5937287B1 (ru) |
| CN (1) | CN105073949B (ru) |
| RU (1) | RU2666431C2 (ru) |
| WO (1) | WO2014155256A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11624126B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-04-11 | Ohio State Innovation Foundation | Deposition of single phase beta-(AlxGa1-x)2O3 thin films with 0.28< =x<=0.7 on beta Ga2O3(100) or (−201) substrates by chemical vapor deposition |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6671839B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び撮像システム |
| CZ2015711A3 (cs) * | 2015-10-09 | 2016-10-19 | Crytur Spol S R O | Způsob zkrácení scintilační odezvy zářivých center scintilátoru a materiál scintilátoru se zkrácenou scintilační odezvou |
| US11000701B2 (en) * | 2017-08-01 | 2021-05-11 | Varex Imaging Corporation | Dual-layer detector for soft tissue motion tracking |
| CN108535770B (zh) * | 2018-05-09 | 2024-01-02 | 同方威视技术股份有限公司 | 余辉检测装置和余辉检测方法 |
| CN114296124A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 上海联影医疗科技股份有限公司 | 闪烁体余辉测试系统、方法、装置和电子设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043383A1 (en) * | 1997-12-24 | 2000-10-11 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same |
| US6168731B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-01-02 | Superior Micropowders Llc | Cathodoluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
| US20040084655A1 (en) * | 2001-10-11 | 2004-05-06 | Vartuli James Scott | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
| CN102241982A (zh) * | 2011-05-20 | 2011-11-16 | 电子科技大学 | 一种led荧光粉及其制备方法 |
| WO2012066425A2 (en) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2834851B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1998-12-14 | 化成オプトニクス株式会社 | タングステン酸カルシウム蛍光体及び該蛍光体を用いた放射線増感紙 |
| US5938974A (en) | 1998-09-10 | 1999-08-17 | Osram Sylvania Inc. | Yttrium tantalate x-ray phosphors with reduced persistence |
| JP4683719B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2011-05-18 | 株式会社日立メディコ | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| US6630077B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-10-07 | General Electric Company | Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation |
| JP4269880B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光ランプ及び蛍光ランプ用蛍光体 |
| US7449128B2 (en) * | 2004-06-21 | 2008-11-11 | General Electric Company | Scintillator nanoparticles and method of making |
| US7252789B2 (en) | 2005-03-31 | 2007-08-07 | General Electric Company | High-density scintillators for imaging system and method of making same |
| JP2008537001A (ja) | 2005-04-19 | 2008-09-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ＣＴのための非常に短い残光を有するＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒを得る方法。 |
| RU2009106671A (ru) | 2006-07-26 | 2010-09-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) | Керамический гранатовый материал на основе аиг, содержащий по меньшей мере один многоузельный элемент |
| US7569109B2 (en) * | 2006-08-23 | 2009-08-04 | General Electric Company | Single crystal scintillator materials and methods for making the same |
| JP5548629B2 (ja) | 2011-01-31 | 2014-07-16 | 古河機械金属株式会社 | シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 |
| JP5311241B2 (ja) | 2011-02-16 | 2013-10-09 | 日立金属株式会社 | 多結晶シンチレータ及びその製造方法並びに放射線検出器 |
| JP6066608B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2017-01-25 | キヤノン株式会社 | 相分離構造を有するシンチレータおよびそれを用いた放射線検出器 |
-
2014
- 2014-03-21 WO PCT/IB2014/060019 patent/WO2014155256A1/en active Application Filing
- 2014-03-21 RU RU2015145461A patent/RU2666431C2/ru active
- 2014-03-21 EP EP14715446.2A patent/EP2898043B1/en active Active
- 2014-03-21 CN CN201480017873.1A patent/CN105073949B/zh active Active
- 2014-03-21 US US14/773,413 patent/US9315726B2/en active Active
- 2014-03-21 JP JP2016503769A patent/JP5937287B1/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168731B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-01-02 | Superior Micropowders Llc | Cathodoluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
| EP1043383A1 (en) * | 1997-12-24 | 2000-10-11 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same |
| US20040084655A1 (en) * | 2001-10-11 | 2004-05-06 | Vartuli James Scott | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
| WO2012066425A2 (en) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same |
| CN102241982A (zh) * | 2011-05-20 | 2011-11-16 | 电子科技大学 | 一种led荧光粉及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| СОКУЛЬСКАЯ Н.Н. Синтез и исследование гранатов редкоземельных элементов и алюминия для светоизлучающих диодов. Диссертация на соискание учёной степени кандидата наук. Ставрополь, Ставропольский государственный университет, 2004, с.57-67. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11624126B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-04-11 | Ohio State Innovation Foundation | Deposition of single phase beta-(AlxGa1-x)2O3 thin films with 0.28< =x<=0.7 on beta Ga2O3(100) or (−201) substrates by chemical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014155256A1 (en) | 2014-10-02 |
| RU2015145461A3 (ru) | 2018-03-22 |
| JP2016519183A (ja) | 2016-06-30 |
| US20160024380A1 (en) | 2016-01-28 |
| US9315726B2 (en) | 2016-04-19 |
| EP2898043B1 (en) | 2016-06-01 |
| EP2898043A1 (en) | 2015-07-29 |
| JP5937287B1 (ja) | 2016-06-22 |
| RU2015145461A (ru) | 2017-05-16 |
| CN105073949B (zh) | 2018-05-22 |
| CN105073949A (zh) | 2015-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2666431C2 (ru) | Смешаннооксидные материалы | |
| US9145517B2 (en) | Rare earth garnet scintillator and method of making same | |
| JP5521412B2 (ja) | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 | |
| JP5281742B2 (ja) | シンチレータ物質及びシンチレータ物質を含む放射線検出器 | |
| JP5759374B2 (ja) | 発光物質及びそれを用いた放射線検出方法 | |
| JP5035660B2 (ja) | 蛍光材料およびそれを用いた放射線検出器 | |
| JP3777486B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 | |
| JP2011153200A (ja) | 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器 | |
| US9638807B2 (en) | Scintillating material and related spectral filter | |
| JP2001303048A (ja) | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 | |
| US8907292B2 (en) | Tungstate-based scintillating materials for detecting radiation | |
| JP4678924B2 (ja) | 放射線検出器およびこれを用いたｘ線診断装置 | |
| JP6776671B2 (ja) | 蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びに蛍光材料の製造方法 | |
| JP6343785B2 (ja) | 中性子シンチレータ | |
| WO2015008241A1 (en) | Ce3+ activated luminescent compositions for application in imaging systems | |
| JP6957422B2 (ja) | 蛍光板及びｘ線検査装置 | |
| KR101406299B1 (ko) | 방사선 영상용 형광체 및 이의 제조 및 응용 방법 | |
| JP2009046610A (ja) | シンチレータ | |
| JP7459593B2 (ja) | セラミック蛍光材料、シンチレータアレイ、放射線検出器および放射線コンピュータ断層撮影装置 | |
| JP7302706B2 (ja) | セラミックシンチレータおよび放射線検出器 | |
| JPH05279663A (ja) | シンチレータ材料 | |
| EP4080522A1 (en) | Fluor plate, x-ray detector, and x-ray inspection device | |
| JPH11166177A (ja) | シンチレータ |