RU2635338C2 - Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа - Google Patents

Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа Download PDF

Info

Publication number
RU2635338C2
RU2635338C2 RU2014152015A RU2014152015A RU2635338C2 RU 2635338 C2 RU2635338 C2 RU 2635338C2 RU 2014152015 A RU2014152015 A RU 2014152015A RU 2014152015 A RU2014152015 A RU 2014152015A RU 2635338 C2 RU2635338 C2 RU 2635338C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
height
thermal contact
substrate
contact pad
Prior art date
Application number
RU2014152015A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014152015A (ru
Inventor
Йозеф Андреас ШУГ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014152015A publication Critical patent/RU2014152015A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2635338C2 publication Critical patent/RU2635338C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке, причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора, вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения, площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором, упомянутая несущая подложка содержит металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9), при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8). Изобретение обеспечивает возможность монтажа просто и надежно непосредственно соединить площадку теплового контакта с металлической подложкой изолированной металлической подложки. 10 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа, который содержит по меньшей мере один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке прибора или интегрированный в подложку прибора, которая имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, и одну или несколько контактных площадок электрического соединения первой высоты и по меньшей мере одну площадку теплового контакта второй высоты, обе расположенные на нижней поверхности полупроводниковой подложки. Полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа такого типа могут быть смонтированы на несущих подложках, которые содержат отводящий теплоэлемент для эффективного выведения тепла, создаваемого полупроводниковыми элементами. Примерами таких полупроводниковых приборов являются СИД (светоизлучающие диоды) высокой мощности, которые требуют выведения тепла в процессе работы.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОМУ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, для которых требуется отвод тепла, во многих случаях монтируют на изолированных металлических подложках (ИМП) для эффективного удаления тепла в процессе эксплуатации. Такая изолированная металлическая подложка (ИМП), как правило, содержит проводящий тепло металлический слой, обычно листовой металл, с нанесенным на него электроизоляционным диэлектрическим слоем. На диэлектрический слой наносят электропроводящий слой, чтобы сформировать токопроводящие дорожки для контактирования с монтируемым полупроводниковым прибором. Тем не менее, даже тонкий слой диэлектрического материала с низкой теплопроводностью вызывает высокое термическое сопротивление сборки и тем самым повышенную температуру p-n перехода. Это происходит, в частности, в случае малых приборов с отводом высокой тепловой энергии, что приводит к высокой плотности энергии. Монтаж приборов по технологии поверхностного монтажа (SMT) с изолированной площадкой теплового контакта, т.е. контактной площадкой, образованной из материала хорошо проводящего тепло, на изолированных металлических подложках (ИМП) дает возможность непосредственно приводить площадку теплового контакта в хороший тепловой контакт с металлической подложкой без обычного диэлектрического слоя. С этой целью диэлектрический слой не присутствует или удаляется на участке под площадкой теплового контакта для непосредственного теплового соединения площадки теплового контакта с металлической подложкой посредством теплопроводящего слоя межсоединений.
US 2011/0180819A1 раскрывает полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа с двумя контактными площадками электрического соединения и площадкой теплового контакта на нижней поверхности подложки, на которую монтируют СИД. Контактные площадки электрического соединения и площадки теплового контакта имеют одинаковую высоту, и их монтируют с помощью слоя межсоединений к электропроводящему и теплопроводящему слою на подложку печатной платы (ПП). Площадку теплового контакта соединяют термически через проводящий слой с элементом выведения тепла, расположенным на подложке печатной платы.
WO2004/105142A1 раскрывает кристаллодержатель светоизлучающего прибора. Кристаллодержательа имеет основание для монтажа, по меньшей мере один светодиодный кристалл, смонтированный на нем, и электропроводящие шины, сформированные на основании для монтажа, которые должны быть электрически соединены со светоизлучающим кристаллом. Нижнюю поверхность основания для монтажа конфигурируют так, чтобы быть термически связанной с несущей подложкой. Поскольку электропроводящие шины обеспечены на основании для монтажа, выбор материалов основания для монтажа ограничивается непроводящими материалами, такими как керамика. Это значительно ограничивает свободу при конструировании и приводит к недостаточному отведению тепла.
При монтаже такого полупроводникового прибора для поверхностного монтажа на ИМП с диэлектрическим слоем, локально удаленным под площадкой теплового контакта, слои межсоединений между контактной площадкой электрического соединения и электропроводящим слоем и между площадкой теплового контакта и металлической подложкой требуют разного количества материала, такого, например, как припой, из-за неровности поверхности подложки, вызванной локальным удалением диэлектрического слоя. Это может приводить к дефектам соединения при монтаже полупроводникового прибора на подложку. Кроме того, в таком случае невозможно обычное малозатратное нанесение слоя межсоединений посредством равномерного осаждения припойной пасты.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задача данного изобретения состоит в обеспечении полупроводникового прибора для поверхностного монтажа приведенного выше типа, который простым и надежным способом можно монтировать на изолированную металлическую подложку с локально удаленным диэлектрическим слоем, что в результате приводит к непосредственному тепловому соединению между площадкой теплового контакта и металлической подложкой.
Задача решена с помощью полупроводникового прибора для поверхностного монтажа согласно п. 1 формулы изобретения. Пункт 8 формулы изобретения относится к устройству с одним или несколькими полупроводниковыми приборами на ИМП или аналогичной несущей подложке с тепловыводящим элементом. Предпочтительные варианты воплощения полупроводникового прибора или устройства являются объектом патентования зависимых пунктов изобретения или описаны в соответствующих частях описания.
Предложенный полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит по меньшей мере один полупроводниковый элемент, монтируемый на подложку прибора или интегрируемый в нее, в частности в полупроводниковую подложку с верхней поверхностью и нижней поверхностью. Одну или несколько контактных площадок электрического соединения первой высоты и по меньшей мере одну площадку теплового контакта второй высоты располагают обе на нижней поверхности подложки прибора. Первая и вторая высоты относятся к толщине контактных площадок электрического соединения и площадки теплового контакта на нижней поверхности подложки прибора. Полупроводниковым элементом может быть светоизлучающий диод (СИД), в частности СИД высокой мощности. Полупроводниковым элементом может быть любой другой функциональный элемент, требующий отвода тепла через площадку теплового контакта. В предложенном полупроводниковом приборе вторая высота площадки теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки электрического соединения, для того, чтобы выровнять разницу по высоте между местоположением площадки электрического контакта и местоположением площадки теплового контакта на поверхности ИМП или аналогичной несущей подложке при монтаже прибора на таком носителе.
Эта разница по высоте позволяет монтировать предложенный прибор на ИМП с диэлектрическим и электропроводящим слоем, не присутствующим или удаленным под площадкой теплового контакта, с помощью нанесения электропроводящего и теплопроводящего слоя межсоединений равной толщины на поверхность ИМП. Поскольку слой межсоединений можно нанести, например, равномерным осаждением припойной пасты, можно простым способом получить высоконадежное соединение. Такой полупроводниковый прибор не требует никакой специальной подготовки ИМП или аналогичной несущей подложки. Процесс монтажа не вызывает специальной обработки и затрат. Примерами соединительных материалов или методов (технологических приемов) являются припои, теплопроводящий клей, спекание серебра и другие способы соединения, известные в данном уровне техники.
Полупроводниковый прибор может содержать больше чем одну площадку теплового контакта и также может содержать две или больше чем две контактные площадки электрического соединения. Предпочтительно площадка теплового контакта и площадки электрического контакта отделены друг от друга канавками или зазорами. В варианте воплощения прибора эти канавки или зазоры заполняют электроизоляционным материалом.
Обычные общие толщины диэлектрического слоя и электропроводящего слоя на металлической подложке ИМП находятся в диапазоне между 20 и 300 мкм, более типично находятся между 40 и 100 мкм. Следовательно, в предпочтительном варианте воплощения полупроводникового прибора для поверхностного монтажа разница между первой высотой и второй высотой находится между 20 и 300 мкм, более предпочтительно между 40 и 100 мкм. Площадка (площадки) теплового контакта и площадка (площадки) электрического контакта полупроводникового прибора могут быть выполнены из одного и того же материала, предпочтительно из металла, такого как медь или алюминий. Тем не менее, можно использовать другие материалы, хорошо проводящие электричество и/или тепло, известные в данном уровне техники.
Предложенный полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа может быть сформирован по технологии WL-CSP (корпус с размерами кристалла, корпусированного на уровне пластины). По этой технологии электрические, а также необязательно площадки теплового контакта наносят на уровне пластины на матрицу полупроводниковых приборов, например прибор СИД.
Предложенный прибор для поверхностного монтажа может быть смонтирован на несущей подложке, образованной металлической пластиной или слоем металлической основы, с нанесенным диэлектрическим слоем, на котором располагают электропроводящий слой. Электропроводящий слой соответственно структурируют/формируют из него рисунок для обеспечения токопроводящих дорожек и контактных площадок для электрического контактирования с контактными площадками электрического соединения полупроводникового прибора. Диэлектрический слой и электропроводящий слой не присутствуют или удалены под площадкой (площадками) теплового контакта для того, чтобы непосредственно термически соединить площадку(площадки) теплового контакта посредством слоя межсоединений теплового контакта с металлической пластиной или слоем основы. Контактные площадки электрического соединения присоединены электрически с помощью слоя межсоединений электрического контакта к электропроводящему слою. Такой несущей подложкой может быть ИМП, в которой металлическая пластина является металлической подложкой. Другим кандидатом для такой несущей подложки является печатная плата с металлической основой (MC-PCB). На такой несущей подложке можно смонтировать несколько полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа описанным выше способом.
Предложенный полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа и соответствующее устройство можно предпочтительно использовать в архитектуре СИД высокой мощности, например, для переднего света автомобиля и других применений освещения.
Эти и другие аспекты изобретения будут очевидны и разъяснены со ссылкой на варианты воплощения, описанные далее в данном документе.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Предложенный полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа и устройство описаны далее более подробно со ссылкой на прилагаемые чертежи. Фигуры показывают:
Фиг. 1 схематичное сечение полупроводникового прибора для поверхностного монтажа согласного настоящему изобретению; и
Фиг. 2 полупроводниковый прибор фиг. 1, смонтированный на ИМП.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ВОПЛОЩЕНИЯ
Пример предложенного полупроводникового прибора для поверхностного монтажа схематично показан в сечении на Фиг. 1. На Фигуре показана подложка 1 прибора, которая содержит интегрированный полупроводниковый элемент (явно не показан на Фиг. 1). Такой подложкой 1 прибора может быть кристалл СИД высокой мощности. Две контактные площадки 2 электрического соединения присоединяют к нижней поверхности подложки 1 прибора, отделенные от площадки 3 теплового контакта. Площадки 2 электрического контакта и площадка 3 теплового контакта могут быть выполнены из одинакового материала, например из меди. Мы не показываем необязательные покрытия или металлизацию (гальванические покрытия) для предотвращения окисления и/или для того, чтобы обеспечить возможность надежного (паяного) соединения, например гальваническое покрытие золотом, известное в данном уровне техники. Площадка 3 теплового контакта служит в качестве теплопроводящего элемента для выведения тепла из подложки 1 прибора к тепловыделяющему элементу на несущей подложке, на которую будет смонтирован полупроводниковый прибор. Площадки 2 электрического контакта и площадка 3 теплового контакта отделены зазором, который заполняют изоляционным материалом, например эпоксидным формовочным компаундом (ЭФК), силиконовым формовочным компаундом (СФК) или другими изоляционными материалами, известными в данном уровне техники.
Высота H1 площадок 2 электрического контакта ниже, чем высота H2 площадки 3 теплового контакта, для того, чтобы выровнить разницу высоты поверхности подложки ИМП-подложки 6, на которую будет монтироваться этот прибор. Это показано на Фиг. 2. ИМП-подложка 6 содержит металлическую пластину 7 с диэлектрическим слоем 8 сверху. Электропроводящий слой 9 располагают на диэлектрическом слое для того, чтобы обеспечить электрический контакт полупроводникового прибора, монтируемого на эту ИМП-подложку 6. Как можно видеть на Фиг. 2, диэлектрический слой 8 не присутствует или удален на участке под площадкой 3 теплового контакта монтируемого прибора. Обеспечивая толщину площадки 3 теплового контакта приблизительно такой же, как общая толщина диэлектрического слоя 8 и электропроводящего слоя 9 ИМП-подложки 6, можно присоединить прибор к ИМП подложке 6, используя такую же толщину материала 5 для межсоединения/присоединения, обычно припоя. Это позволяет просто и надежно выполнить процесс монтажа.
При использовании WL-CSP технологий для изготовления приборов СИД площадки электрического контакта также как и площадки теплового контакта можно нанести на уровне пластины на матрицу приборов СИД. Например, толстые медные слои, обычно от одного до нескольких сотен микрон, должны быть нанесены гальванически на пластину для того, чтобы получить площадки электрического и теплового контакта. Поскольку нанесение гальванического покрытия можно выполнить избирательно на различных участках, т.е. для разных контактных площадок, то вариация толщины может быть осуществлена достаточно просто. Медный слой можно нанести гальванически во время первой фазы до толщины площадок электрического контакта. Площадки электрического контакта затем защищают или наносят на них фоторезист во время второй фазы процесса. Затем во время третьей фазы процесса продолжают гальваническую металлизацию для формирования площадок теплового контакта до требуемой толщины. После этого слой защитного покрытия удаляют, получая в результате площадки электрического контакта и площадки теплового контакта разных толщин.
Несмотря на то что изобретение было проиллюстрировано и описано подробно на чертежах и в изложенном выше описании, эти иллюстрации и описание должны рассматриваться как иллюстративные и являющиеся примером, а не ограничительные; изобретение не ограничено раскрытыми вариантами воплощения. Другие вариации раскрытых вариантов воплощения могут быть понятны и могут быть осуществлены специалистом в данной области техники при применении на практике заявленного изобретения, при изучении чертежей, раскрытия и прилагаемых пунктов формулы изобретения. В формуле изобретения слово “содержащий” не исключает других элементов или этапов, а термин в единственном числе не исключает множества. Тот факт, что определенные меры перечисляют в разных взаимозависимых пунктах формулы изобретения, не означает, что такие меры не могут быть предпочтительно использованы. Признаки всех пунктов формулы изобретения для прибора можно свободно объединить. Любые ссылочные позиции в формуле изобретения не следует истолковывать как ограничивающие объем изобретения.
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОЧНЫХ ПОЗИЦИЙ
1 - подложка прибора с интегрированным полупроводниковым элементом
2 - площадки электрического контакта
3 - площадка теплового контакта
4 - изоляционный материал
5 - материал присоединения/межсоединения
6 - ИМП (изолированная металлическая подложка)
7 - металлическая пластина
8 - диэлектрический слой
9 - электропроводящий слой

Claims (16)

1. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке,
причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит по меньшей мере один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и по меньшей мере одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора,
причем вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения,
причем площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором,
причем упомянутая несущая подложка содержит по меньшей мере металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под по меньшей мере частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9),
при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8).
2. Устройство по п. 1, в котором канавка или зазор заполнены электроизоляционным материалом (4).
3. Устройство по п. 1, в котором площадка (3) теплового контакта расположена в центральной части упомянутой нижней поверхности.
4. Устройство по п. 1, в котором разница между упомянутой первой высотой и упомянутой второй высотой находится между 20 и 300 мкм.
5. Устройство по п. 1, в котором разница между упомянутой первой высотой и упомянутой второй высотой находится между 40 и 100 мкм.
6. Устройство по п. 1, в котором упомянутым полупроводниковым элементом является светоизлучающий диод.
7. Устройство по п. 1, в котором несущей подложкой является изолированная металлическая подложка (ИМП) (6) или печатная плата с металлической основой (MC-PCB).
8. Устройство по п. 1, в котором слой (5) межсоединений теплового контакта на металлической пластине (7) или слое металлической основы и слой (5) межсоединений электрического контакта контактных площадок (2) электрического соединения и электропроводящий слой (9) являются слоями равномерного покрытия.
9. Устройство по п. 1, в котором упомянутым слоем (5) межсоединений является покрытие из припойной пасты.
10. Устройство по п. 1, в котором слой (5) межсоединений теплового контакта на металлической пластине или слое металлической основы имеет поверхность для площадки (3) теплового контакта на уровне поверхности диэлектрического слоя (8), обращенной к упомянутому прибору для поверхностного монтажа.
11. Устройство по п. 1, в котором слой (5) межсоединений теплового контакта на металлической пластине или слое металлической основы имеет поверхность для площадки (3) теплового контакта на уровне поверхности электропроводящего слоя (9), обращенной к упомянутому прибору для поверхностного монтажа.
RU2014152015A 2012-05-23 2013-05-07 Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа RU2635338C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261650522P 2012-05-23 2012-05-23
US61/650,522 2012-05-23
PCT/IB2013/053665 WO2013175333A1 (en) 2012-05-23 2013-05-07 Surface mountable semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014152015A RU2014152015A (ru) 2016-07-20
RU2635338C2 true RU2635338C2 (ru) 2017-11-10

Family

ID=48628758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014152015A RU2635338C2 (ru) 2012-05-23 2013-05-07 Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9614128B2 (ru)
EP (1) EP2852975B1 (ru)
JP (2) JP2015517743A (ru)
CN (2) CN104303291A (ru)
RU (1) RU2635338C2 (ru)
WO (1) WO2013175333A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6516212B2 (ja) * 2014-11-27 2019-05-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板装置および電子機器
CN109314170B (zh) * 2015-12-02 2023-05-09 亮锐控股有限公司 用于优化的热阻、焊接可靠性和smt加工良率的led金属焊盘配置
US20220057060A1 (en) * 2020-08-21 2022-02-24 Lumileds Llc Multi-color lighting device
TWI782601B (zh) * 2021-06-30 2022-11-01 旭豐半導體股份有限公司 表面安裝微型元件、組件及批次生產元件或組件的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
WO2008040296A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
WO2009039825A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung umfassend ein optoelektronisches bauelement
RU2416840C2 (ru) * 2006-02-01 2011-04-20 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002089221A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device comprising led chip
JP4122784B2 (ja) * 2001-09-19 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
JP4305896B2 (ja) * 2002-11-15 2009-07-29 シチズン電子株式会社 高輝度発光装置及びその製造方法
CN100391017C (zh) * 2003-05-26 2008-05-28 松下电工株式会社 发光器件
WO2005067063A1 (en) * 2004-01-12 2005-07-21 Asetronics Ag Arrangement with a light emitting device on a substrate
JP2006100687A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Nippon Seiki Co Ltd 発光ダイオードの実装構造
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same
US7296916B2 (en) * 2004-12-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
JP5212532B2 (ja) * 2005-10-31 2013-06-19 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
EP2337986A1 (en) 2008-09-16 2011-06-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting arrangement
JP5286045B2 (ja) * 2008-11-19 2013-09-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
US8207554B2 (en) 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US8319247B2 (en) 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
DE102010029529A1 (de) * 2010-05-31 2011-12-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelementeträger für eine Leuchtvorrichtung, Leuchtvorrichtung, Verfahren zum Herstellen eines Bauelementeträgers und Verfahren zum Bestücken eines Bauelementeträgers
US8637887B2 (en) * 2012-05-08 2014-01-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced semiconductor packages and related methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
RU2416840C2 (ru) * 2006-02-01 2011-04-20 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера
WO2008040296A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
WO2009039825A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung umfassend ein optoelektronisches bauelement

Also Published As

Publication number Publication date
CN111048650A (zh) 2020-04-21
EP2852975A1 (en) 2015-04-01
EP2852975B1 (en) 2020-04-29
JP2015517743A (ja) 2015-06-22
CN104303291A (zh) 2015-01-21
RU2014152015A (ru) 2016-07-20
JP2018117149A (ja) 2018-07-26
US20150287889A1 (en) 2015-10-08
WO2013175333A1 (en) 2013-11-28
US9614128B2 (en) 2017-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10446726B2 (en) Wafer level packaging of electronic devices
US8217509B2 (en) Semiconductor device
US8248803B2 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
TWI707410B (zh) 具散熱功能的晶片封裝模組及其製造方法
TWI586004B (zh) 用於發光組件之電路及其製造方法
KR20110074642A (ko) 열전기 분리형 금속코어 칩 온 보드
US9780015B2 (en) Integrated circuit chip assembled on an interposer
TW201428908A (zh) 晶片埋入式印刷電路板及應用印刷電路板之半導體封裝及其製造方法
US20130062656A1 (en) Thermally enhanced optical package
RU2635338C2 (ru) Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа
KR20160072822A (ko) 전자 모듈 및 전자 모듈의 제조 방법
KR100923784B1 (ko) 방열 특성이 우수한 금속 회로 기판 및 그 제조 방법
CN114551373A (zh) 半导体封装件及其制造方法
TWI237858B (en) Electrical device with elastic bumps and method for forming the elastic bumps
CN106931318B (zh) 发光组件及其制作方法
US20140116613A1 (en) Method of Forming Thermal Conductive Pillar in Metal Core Printed Circuit Board
RU2641545C1 (ru) Светодиодный чип
KR20140078104A (ko) 광소자 패키지 및 그 제조방법
US9713263B2 (en) Circuit-and-heat-dissipation assembly and method of making the same
KR20130036737A (ko) 금속계 전자 구성요소 및 그 제조 방법
CN114424351A (zh) 电子部件搭载用基体以及电子装置
KR20130141175A (ko) 칩 패키지 및 그 제조 방법
KR20130068654A (ko) 라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner