RU2528602C2 - Способ изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры посредством испарения электрической дугой - Google Patents

Способ изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры посредством испарения электрической дугой Download PDF

Info

Publication number
RU2528602C2
RU2528602C2 RU2010147448/02A RU2010147448A RU2528602C2 RU 2528602 C2 RU2528602 C2 RU 2528602C2 RU 2010147448/02 A RU2010147448/02 A RU 2010147448/02A RU 2010147448 A RU2010147448 A RU 2010147448A RU 2528602 C2 RU2528602 C2 RU 2528602C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
components
alloy
temperature
oxide
Prior art date
Application number
RU2010147448/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010147448A (ru
Inventor
РАММ Юрген
Original Assignee
Ёрликон Трейдинг Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ёрликон Трейдинг Аг, Трюббах filed Critical Ёрликон Трейдинг Аг, Трюббах
Publication of RU2010147448A publication Critical patent/RU2010147448A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2528602C2 publication Critical patent/RU2528602C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0408Light metal alloys
    • C22C1/0416Aluminium-based alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/081Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/083Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Drilling Tools (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения стабильных при высоких температурах оксидных слоев. Способ осуществляют посредством испарения мишени из сплава металлических и/или полуметаллических компонентов электрической дугой с формированием оксида, содержащего три или более компонентов. При этом температуру образования оксида регулируют посредством выбора состава сплава мишени, содержащей два или более указанных компонентов на основании фазовой диаграммы двойной системы или системы с большим количеством компонентов. Указанная система характеризует переход из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу при температуре, соответствующей требуемой температуре образования оксида. Технический результат - повышение качества осаждаемых слоев. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Изобретение относится к способу изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения.
В частности, изобретение относится к изготовлению, отбору и функционированию так называемых «мишеней из сплава», то есть мишеней, состоящих по меньшей мере из двух металлических и/или полуметаллических компонентов и которые служат в качестве источников испарения при катодном испарении электрической дугой.
Изобретение имеет особое значение для «мишеней из сплава», состоящих из металлов с очень разными температурами плавления.
Эти мишени из сплава определены как имеющие по меньшей мере два металлических компонента, но которые также могут существовать в виде интерметаллических соединений и/или смешанных кристаллов.
В этом случае порошково-металлургическая мишень является мишенью, которая изготавливается из порошков металлов, полуметаллов, интерметаллических соединений, смешанных кристаллов, и при этом после процесса изготовления (например, процесса горячего изостатического прессования (HIP) частицы порошка все еще могут быть различимы при микроскопном разрешении. Поэтому порошково-металлургическая мишень из сплава может быть изготовлена из смеси порошков металлов и/или полуметаллов, из порошка интерметаллического соединения или смеси порошков металла и/или полуметалла и/или интерметаллических соединений. В противоположность этому мишень для пирометаллургического легирования является мишенью, в которой первичные металлы или же полуметаллы образуют интерметаллическую фазу. Характерным для этого является то, что частицы первичного материала более нельзя увидеть при микроскопном разрешении, то есть они более не существуют.
Кроме того, существует так называемые распыленные в плазменной дуге мишени. Это мишени, которые изготовлены за счет плазменного напыления. В этих мишенях может происходить частичное или полное образование интерметаллических компонентов первичных материалов. Однако в целом изготовленная посредством плазменного напыления мишень может содержать как частицы, так и интерметаллические фазы.
Катодное испарение электрической дугой является общепризнанным в течение многих лет способом, который находит применение в покрытии инструментов и компонентов, и с помощью которого осаждается широкий диапазон металлических слоев, а также металлических нитридов и карбонитридов металла. Для всех этих применений мишени являются катодом искрового разряда, функционирующие при низких напряжениях и высоких токах, и с помощью которых испаряется материал мишени (катода). В качестве самого простого и экономичного энергопитания для функционирования искровых разрядов применяют источник напряжения постоянного тока.
Более проблематичным является изготовление металлических оксидов посредством испарения электрической дугой. Функционирование искрового разряда постоянного тока в кислородной или же кислородосодержащей атмосфере для осаждения оксидных слоев на инструменты или компоненты является трудно осуществимым. Существует риск того, что оба электрода разрядов постоянного тока (с одной стороны, мишень в виде катода, а также, с другой стороны, анод, который часто функционирует на потенциале «земли») покрываются изолирующими слоями. В зависимости от конструкции источника (магнитное поле, расположение и типа газовпускного патрубка) на мишени (катоде) это приводит к электрически проводимой зоне, на которой проходит искра, сжимается и, наконец, приводит к прерыванию искрового разряда.
Т.Д. Шеммель, Р.Л. Каннингхэм и X. Рандхава в «Твердофазных пленках» 191 (1989) 597 (T.D. Schemmel, R.L. Cunningham и H.Randhawa, Thin Solid Films 181 (1989) 597) описывают высокоскоростной процесс нанесения покрытия для Al2O3. Газовпускной патрубок для кислорода был введен рядом с подложкой после фильтрации искры. Упоминается, что впуск кислорода после фильтра рядом с подложкой является важным для уменьшения окисления мишени и стабилизации искрового разряда.
В патенте США 5,518,597 также описано изготовление оксидных слоев. Патент содержит информацию об осаждении слоев при повышенных температурах и основан на том, что анод также нагревается (800°-1200°C) и химически активный газ не вводится напрямую у мишени. Высокие температуры анода сохраняют анод проводящим и позволяют осуществить стабильное функционирование искрового разряда.
В US 2007/0,000,772 A1, WO 2006/099,760 A2 и WO 2008/009,619 A1 функционирование искрового разряда в атмосфере кислорода описано более подробно и предлагается способ, с помощью которого можно избежать на катоде полного нанесения изоляционного слоя, непроницаемого для постоянного тока (DC).
US 2007/0,000,772 A1 и WO 2006/099,760 A2 описывают, главным образом, функционирование искрового источника с импульсным током в качестве существенного фактора для удержания поверхности катода свободной от непроницаемых оксидных слоев и обеспечивают стабильный искровой разряд. За счет пульсации тока искры, для которой необходим специальный источник электропитания, искру постоянно направляют на новые дорожки над мишенью, и перемещение предотвращается только в предпочтительных зонах, а остающиеся области мишени покрываются толстым оксидом (как в случае с «направленной искрой»).
В WO 2008/009,619 A1 описано функционирование искрового разряда в атмосфере кислорода, в которой катод снабжен предпочтительно небольшим магнитным полем, перпендикулярным поверхности мишени. Это позволяет осуществить регулярный ход искры над поверхностью мишени и тем самым предотвращает образование толстого окисления мишени, непроницаемого для постоянного тока.
На основе этих трех документов известного уровня техники является возможным обеспечивать стабильный искровой разряд в течение нескольких часов в атмосфере чистого кислорода. Эти способы работают стабильно и воспроизводимо для элементарных мишеней и для мишеней для пирометаллургического легирования.
Характерными для изготовленных посредством испарения электрической дугой слоев являются капли металла, которые окислились неполностью и которые образуют в слое трудно предотвращаемые металлические конгломераты. В случае мишени из сплава эти капли образуются в основном из более тугоплавкого металла или из сплава, соответствующего по существу составу мишени. Для предотвращения таких капель существуют трудоемкие технические меры, например посредством фильтрации. Это означает, что не все изготовленные испарением электрической дугой слои имеют капли. Но все слои, которые имеют капли, были изготовлены путем испарения с использованием искрового разряда.
Растущее применение испарения электрической дугой для изготовления самых разных оксидов металлов требует гибкого и экономичного изготовления мишени. Многие мишени изготавливаются известным специалисту способом посредством горячего изостатического прессования (HIP). Если, например, необходимо изготовить Al-Cr мишень, порошок или порошковая смесь желаемого состава из элементов (здесь, в качестве примера и без ограничения: Al и Cr) герметически заключается в контейнер, который подвергается воздействию высоких температур в вакууме для того, чтобы уменьшить содержание воздуха и влажности в порошке. Затем контейнер герметизируется и при высокой температуре подвергается воздействию высокого давления. Этот способ уменьшает внутренние полости и создает определенное связывание порошка. Полученный материал имеет однородное распределение относительно размера частиц и почти 100% плотность.
Целью изобретения является предложение способа изготовления слоев оксида металла посредством испарения электрической дугой, с помощью которого слои оксида металла заданной кристаллической структуры могли бы надежно осаждаться и с помощью которого требуемым образом могла бы быть установлена температура образования оксидов металла, которые осаждаются на подложку.
Данная цель достигнута посредством способа, имеющего признаки согласно пункту 1 формулы изобретения.
Предпочтительные усовершенствования приведены в зависимых пунктах формулы изобретения.
Другой целью является предложение мишени для изготовления слоев оксида металла, с помощью которого слои оксида металла могут надежно осаждаться заданной кристаллической структурой и с помощью которого согласно пожеланию могла бы быть установлена температура образования оксидов металлов, которые осаждаются на подложку.
Данная цель достигнута посредством мишени, имеющей признаки пункта 9 формулы изобретения.
Предпочтительные усовершенствования приведены в зависимых пунктах формулы изобретения.
Следующей целью является предложение слоев оксидов металлов, которые могли бы экономично и надежно осаждаться при любой составе.
Эта цель достигнута посредством слоев оксидов металлов, имеющих свойства пункта 13 и 15 формулы изобретения.
Предпочтительные дальнейшие усовершенствования приведены в зависимых пунктах формулы изобретения.
Наблюдалось, что слои оксидов металла, синтезированные на подложке с помощью испарения электрической дугой, при использовании мишеней из сплава относительно металлических частей по существу имеют состав, который, как неудивительно, соответствует составу мишени из сплава. Однако неожиданно на кристаллическую структуру осажденных слоев также может оказываться сильное и управляемое влияние посредством состава мишени из сплава. Это было особенно удивительно для порошково-металлургических мишеней, так как в этих случаях в мишени все еще имеются отдельные частицы легирующих материалов. Далее можно наблюдать влияние кристаллической структуры и/или фазового состава синтезированного слоя оксида металла на подложку в зависимости от состава сплава мишени. Поэтому объяснение этому было бы то, что синтез материалов, образующих слои оксида металла с помощью испарения электрической дугой, существенной частью происходит уже на поверхности мишени, что полностью находится в противоречии с обычными представлениями о производстве слоев посредством нанесения покрытия осаждением паров, которое скорее предполагает синтез материалов на подложке.
Согласно изобретению посредством использования фазовых диаграмм является возможным установить температуру образования для оксида, который синтезирован во время испарения электрической дугой, хотя принципиально не важно, является ли мишень порошково-металлургическим (с малым размером частиц менее 300 мкм) или была изготовлена другим способом (пирометаллургическое легирование, посредством ковки или плазменного напыления).
Как правило, фазовые диаграммы получают за счет того, что исходя из высокой температуры, охлаждают смесь жидкостей и измеряют образование различных фаз и фазовых переходов.
В отличие от этого процессом испарения электрической дугой является процесс, посредством которого твердый материал переходит в паровую фазу с типичной продолжительностью искры менее чем одна мкс, и диаметр кратера находится в микрометровом диапазоне или даже только в нанометровом диапазоне. Испарение электрической дугой также является очень коротким процессом, и искра находит место на поверхности, которое мало по сравнению с размерами частиц в изготовленной порошково-металлургическим способом мишени. Поэтому намерение привлечь фазовые диаграммы в качестве вспомогательного средства для образования слоев оксида металла с помощью испарения электрической дугой является скорее странным. Однако согласно данному изобретению оказалось, что температура образования оксидов во время испарения электрической дугой может быть определена на основании перехода, который можно прочитать в фазовой диаграмме из полностью жидкой фазы в содержащую твердые составные элементы фазу. На основании этого рецепта является возможным направленно выбрать температуру образования оксидов. Так как температура образования оксидов оказывает значительное влияние, например, на кристаллическую структуру образующихся с этими оксидами слоев, тем самым является возможным характерный синтез желаемой кристаллической структуры с помощью испарения электрической дугой. Изобретатель не смог до сих пор объяснить, почему этот переход из жидкой фазы определяет эту температуру образования.
В объяснениях будут приведены ссылки на мишени из сплава, состоящие из двух металлических или полуметаллических компонентов, однако все сказанное аналогично также применимо к мишеням с более чем двумя компонентами („более высокое легирование"), независимо от способа изготовления.
Изобретение будет пояснено с помощью примера на основании чертежей, на которых показано:
Фиг.1 - двоичная фазовая диаграмма Al-Cr,
Фиг.2 - третичная фазовая диаграмма Al-Cr-O,
Фиг.3 - двоичная диаграмма Al-Nb,
Фиг.4 - часть третичной фазовой диаграммы Al-Nb-O,
Фиг.5 - часть модифицированной третичной фазовой диаграммы Al-Nb-O согласно Misra,
Фиг.6 - результат анализа с помощью дифракции электронов на слое Al-Nb-O.
Согласно изобретению структура осаждаемого оксида может быть считана на основании фазовой диаграммы металлических или полуметаллических компонентов, из которых синтезирован оксид. Это означает, например, что для третичного Al-Cr-O обращаются за справкой к двоичной диаграмме Al-Cr-O. Соответственно для четвертичного оксида обращаются за справкой к третичной фазовой диаграмме образующих оксид металлов или полуметаллов. Мишень для испарения электрической дугой тогда образована из металлов или полуметаллов, из которых должен образовываться оксид соответствующей структуры. Состав мишени выбирается таким образом, что температура на переходе в жидкую фазу согласно фазовой диаграмме выполняет условия для температуры образования оксида желаемой структуры. Тогда образование оксида достигается посредством реакции превратившейся в пар мишени или мишени, которые должны быть превращены в пар, с кислородом.
Это означает, что при необходимости для того, чтобы сформировать определенную желаемую структуру, целенаправленно изготавливаются мишени из сплава, которые согласно фазовой диаграмме обещают осаждение основного элемента мишени из сплава в виде оксида в соответствующей структуре, например с Al в качестве основного элемента в Al2O3 в структуре корунда.
Достигнутый посредством синтеза оксида результат будет зависеть от участвующих металлических или полуметаллических компонентов, которые составляют мишень из сплава. В случае Al-Cr мишени за счет больших зон концентрации достигают образования смешанных кристаллов, как это показано посредством сравнения двоичной фазовой диаграммы материальной системы Al-Cr (смотри фигуру 1) с фазовой диаграммой третичного Al-Cr-O, как изображено на фигуре 2, и что должно быть объяснено здесь более подробно.
Предлагаемая в изобретении предпочтительно выполнена из сплава алюминия, содержащего не менее 70 атомных процентов алюминия и по меньшей мере один компонент, выбранный из приведенной ниже группы, в атомных процентах:
Au: 20-30
B: менее 3
Be: 20-30
C: менее 3
Cr: от более 10 до 25
Fe: 2-15
Hf: 5-10
Ir: 10-15
La: 10-15
Mo: 2-5
Nb: 1-3
Na: 1-3
Ti: 2-6
V: 3-8
W: 5-8
Y: 12-16
Zr: 2-4
Сравнение фигуры 2 и фигуры 3 показывает, что для мишеней, имеющих менее чем 75 атомных процентов Al, температура для перехода в жидкую фазу (фигура 1) всегда находится выше температуры для образования смешанных кристаллов с соответствующей составом мишени. Из этого изобретатель сделал вывод, что для мишеней, имеющих менее чем 75 атомных процентов Al, температура образования (переход в жидкую фазу) для оксида всегда находится выше температуры, которая необходима для изготовления смешанных кристаллов Al-Cr-O (область над кривой на фигуре 2).
Однако, например, для 90 атомных процентов Al это более не так. Для этой концентрации переход в жидкую фазу происходит при температуре менее чем 1000°C, как показано посредством двоичной фазовой диаграммы (фигура 1). Однако из фигуры 2 становится понятно, что при этой пропорции сплава смешанный кристалл существует только при температуре выше 1100°C. Поэтому во время испарения электрической дугой из мишени из сплава, состоящей из 90 атомных процентов Al и 10 атомных процентов Cr, синтезируется слой, который не образует никакой смешанный кристалл, но который состоит из отдельных фаз Al-O и Cr-O. Однако, как неожиданно установил изобретатель, температура во время перехода в жидкую фазу (фигура 1) определяет кристаллическую структуру также для этих отдельных фаз. Но так как образование оксида алюминия в корундовой фазе потребует температуру более чем 1000°C, такой состав мишени также не приведет к образованию корундовой фазы оксида алюминия.
При менее чем 90 атомных процентов Al согласно фигуре 1 переход в жидкую фазу будет происходить только при температуре выше 1000°C. Но до тех пор, пока доля Al в мишени держится выше 75 атомных процентов, образование смешанного кристалла не может быть достигнуто, как описано выше. Поэтому является возможным изготавливать оксид алюминия в структуре корунда без образования паразитного смешанного кристалла за счет использования мишеней из сплава для испарения электрической дугой, которое имеет содержание алюминия между 75 атомными процентами и менее чем 90 атомными процентами Al.
В отличие от US 2008/0,090,099, в котором обсуждалось изготовление смешанных кристаллов с Al2O3 в структуре корунда на основе мишеней из сплава с составом Al/Cr 30/70 или еще меньшим содержанием алюминия, в данном примере таким образом эффективно предотвращают образование смешанных кристаллов.
В таблице 1 US 2008/0,090,099 упомянута мишень из сплава Al/Cr с составом 90/10 и обозначены соответствующие постоянные решетки корундовой структуры. В этом отношении следует обратить внимание, что это не экспериментальные значения, а интерполированные значения. Как подробно обсуждалось выше, эта концентрация не приводит точно к Al2O3 в структуре корунда или к образованию смешанного кристалла. Поэтому US 2008/0,090,099 ведет прямиком в неправильное направление, то есть отданного изобретения.
Конкретно согласно данному изобретению можно использовать, например, 80 атомных процентов доли алюминия в мишени. С такой пропорцией сплава переход в жидкую фазу происходит примерно при 1000°C. Однако для того, чтобы изготавливать оксид смешанных кристаллов, необходимы температуры не менее чем 1200°C с такой пропорцией сплава (смотри фигуру 2). В результате оксиды сплавов синтезируются не в виде смешанных кристаллов, а отдельно, но возникающий в этом процессе оксид алюминия образуется при температуре 1100°C и соответственно имеется в термодинамически стабильной корундовой фазе.
Это в противовес тому, что заявлено в пункте 6 формулы изобретения патента США 2008/0,090,099, в котором провозглашается образование смешанного кристалла при содержании, кроме прочего, алюминия 80%.
Определение кристаллической структуры, как это известно специалисту, может происходить с помощью рентгеновской дифракции. В некоторых случаях, особенно зачастую при желательных низких температурах подложки, размеры кристаллитов, однако, слишком малы для рентгеновской дифракции. В данном случае анализ был проведен с помощью дифракции электронов, и с помощью этих способов была без сомнения продемонстрирована структура корунда для кристаллитов с размером примерно 10 нанометров.
Следует упомянуть еще другой пример, в котором относительно металлических или полуметаллических компонентов во время синтеза слоя это не приведет к свободно смешиваемому оксиду (образование смешанного кристалла), как в случае с системой Ak-Cr-O и в котором, прежде всего, образуются фазовые смеси оксидов. Для этого была выбрана Al-Nb материальная система, двоичная фазовая диаграмма которой представлена на фигуре 3. Здесь также было показано, что состав мишени относительно ее металлических и полуметаллических компонентов определяет температуру перехода из жидкой фазы и тем самым согласно идее изобретателя определяет температуру образования оксида металла.
Согласно изобретению и следуя рецепту, от задействованных металлических или полуметаллических компонентов, составляющих мишень из сплава, снова зависит то, к какому результату приведет синтез оксида. В случае Al мишени, к которой примешивают 10 атомных процентов Nb, температура образования синтезированного оксида металла на подложке изменяется примерно от 680°C (элементарная алюминиевая мишень) примерно до 1300°C (сплав с 10 атомными процентами Nb, фигура 3). Для этой температуры фазовая диаграмма третичного Al-Nb-O Misra (фигура 5) обеспечивает фазовую смесь, которая наряду с Nb2O5 и NbAlO4 также содержит Al2O3. Так как этот Al2O3 согласно изобретению образуется при температуре 1300°, он присутствует в структуре корунда, что может быть продемонстрировано посредством дифракции электронов.
В то время как фазовые диаграммы для двоичных систем в основном хорошо исследованы, может произойти так, что фазовые диаграммы соответствующих третичных оксидов не исследованы для всех температурных диапазонов, и что поэтому они не доступны, как в случае с материальной системой Al-Cr-O. Также фазовые диаграммы третичных оксидов являются, в основном, более сложными, чем фазовая диаграмма для Al-Cr-O, которая по существу содержит область образования смешанных кристаллов и отдельных двоичных оксидных фаз. Однако для оценки могут быть привлечены фазовые диаграммы из соседних температурных диапазонов.
В случае с Al-Nb-O изобретатель смог с составом мишени 80 атомных процентов Al и 20 атомных процентов Nb оценить из двухфазной диаграммы, как представлено на фигуре 3, температуру образования оксида примерно 1600°C, но не смог найти фазовую диаграмму третичного оксида при этой температуре.
Фигура 4 (Лейден) теперь представляет температурный диапазон до 1500°C для третичной системы. Модифицированная фазовая диаграмма Misra для третичной системы из 2005 года (фигура 5) для той же материальной системы была также измерена только для температуры 1300°C.
Как объяснялось выше, увеличение содержания Nb в мишени из сплава согласно фигуре 3 приводит к увеличению температуры образования оксида металла примерно до 1600°C. Однако на основании обеих имеющихся диаграмм для третичной системы (фигуры 4 и 5) можно предположить, что при 1600°C без сомнения может произойти образование AlNbO4 с возможными частями Nb2O5 и по меньшей мере 60 молярными процентами оксида алюминия. Так как температура образования оксида составляет примерно 1600°C, весь оксид алюминия по существу имеет высокую температурную фазу, то есть присутствует в структуре корунда. Снова была осуществлена дифракция электронов на синтезированных таким образом слоях. На фигуре 6 распределение интенсивности дифракции электронов представлено непрерывными толстыми линиями. Расположение пиков интенсивности для AlNbO4 (вертикально пунктирная линия с двумя выраженными пиками), Nb2O5 (горизонтально пунктирная линия только с одним максимумом, находящимся примерно при длине рассеяния 2,4 нм) и Al2O3 в структуре корунда (пунктирная линия с максимумом при длине рассеяния примерно 6 нм) являются в противоположность этому симулированными кривыми. Также воздерживались от симуляции интенсивности математическим путем, так как это было бы связано со слишком большим количеством предположений. Однако расположение пиков интенсивности четко показывает, что синтезированный слой состоит по существу из смеси AlNbO4 и оксида алюминия в структуре корунда, что может распознаваться в том, что положение двух локальных максимумов интенсивности в измеренной кривой появляется для тех длин рассеяния, для которых также расположены максимы интенсивности симулированных (вычисленных) кривых для AlNbO4 и Al2O3 (корунд). В противоположность этому, максимумы интенсивности вычисленного Nb2O5 немного смещены относительно длин рассеяния, однако, конечно, нельзя исключать, что в синтезированном слое также содержаться части Nb2O5.
Возможность определения температуры образования оксида во время синтеза слоя и результаты дифракции электронов приводят к неожиданной возможности с помощью вышеуказанного рецепта создать способ, с помощью которого могли бы изготавливаться высокотемпературные оксиды из легкоплавких материалов. Другими словами, с помощью этого способа точка плавления легкоплавких материалов может быть увеличена настолько, что достигаются необходимые температуры для образования целенаправленной оксидной фазы, которые иначе не могли быть достигнуты во время испарения электрической дугой, так как точка плавления легкоплавкого материала находится ниже температуры образования высокотемпературного оксида.
Хотя все это применяется в целом, здесь, прежде всего, снова и без ограничения, необходимо подробно рассмотреть еще раз важный пример изготовления алюминиевого оксида в структуре корунда, который очевидно невозможен посредством испарения электрической дугой элементарной алюминиевой мишени, так как точка плавления алюминия 660°C значительно ниже температуры образования корунда (примерно 1000°C). На основании существовавших до сих пор объяснений процедура проходит следующим образом.
Для того чтобы увеличить температуру образования оксида алюминия примерно до 1000°C, ищут подходящий тугоплавкий материал и изготавливают мишень из сплава (без ограничений в производственном процессе), процентное содержание компонента тугоплавкого материала регулируется таким образом, что согласно двухфазной диаграмме достигается по меньшей мере температура образования оксида 1000°C. При этом уже очень малые примеси к мишени могут привести к такому увеличению температуры образования оксида. В случае с Nb (фигура 3) достаточными являются 3 атомных процента. Изготовленные таким способом слои были снова исследованы с помощью дифракции электронов, и смогла быть доказана корундовая фаза алюминиевого оксида.
Изобретение также делает возможным оказание дальнейшего существенного влияния подлежащего синтезу слоя. Это означает влияние размера кристаллита от 10 нм до 500 нм посредством температуры образования оксида металла. Процессы нанесения покрытия осаждением паров среди всего прочего отличаются тем, что осаждение слоя главным образом происходит далеко от термического равновесия, то есть при низких температурах подложки. Таким образом, выпаренный материал быстро охлаждается при осаждении на подложку. Это быстрое охлаждение влечет за собой то, что в слое могут образовываться только малые кристаллиты.
Частично это является желательным для изготовления аморфных слоистых структур. Но в некоторых случаях предпочтительными являются более крупные кристаллиты. Согласно уровню техники в процессах нанесения покрытия осаждением паров затем, либо увеличивается температура подложки посредством нагрева, либо пытаются ввести дополнительную энергию посредством ионной бомбардировки в растущий слой. На основании данного изобретения, таким образом, можно изменить состав мишени из сплава, что достигают более высокие температуры слоев оксида металла, то есть, например, Al2O3 образуется не при 1100°C, а при 1300°C. За счет увеличенной температуры образования оксида также увеличивается ввод энергии в слой, что приводит к более крупным кристаллам. Рецепт здесь снова описывает порядок действий.
Разумеется, эти соображения, как уже упомянуто выше, применяются не только для двоичных сплавов, но также для тройных, четверных и более высоколегированных сплавов, на основе которых желают синтезировать оксидные слои.
Наконец, следует упомянуть, что изобретательский рецепт может быть использован в обратном направлении и тем самым в определенном смысле даже возможно синтезировать слои, анализ которых может способствовать установлению фазовых диаграмм. Это означает, что раскрыт способ для установки фазовых диаграмм.
Понимание изготовления высокотемпературных оксидов посредством состава мишени согласно фазовым диаграммам применяется не только для реактивного катодного испарения электрической дугой, но также для реактивного распыления и реактивного импульсного распыления (высокомощная и модулированная пульсация), однако тогда технологический процесс не является несложным, как в случае с катодным испарением электрической дугой (регулирование кислорода).

Claims (16)

1. Способ получения стабильного при высоких температурах оксидного слоя посредством испарения мишени из сплава металлических и/или полуметаллических компонентов электрической дугой с формированием оксида, содержащего три или более компонентов, отличающийся тем, что температуру образования оксида регулируют посредством выбора состава сплава мишени, содержащей два или более указанных компонентов на основании фазовой диаграммы двойной системы или системы с большим количеством компонентов, характеризующей переход из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу при температуре, соответствующей требуемой температуре образования оксида.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру плавления легкоплавких компонентов материала мишени увеличивают добавлением в материал мишени более тугоплавких металлических или полуметаллических компонентов для регулировки температуры образования оксида.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что получают слой, содержащий более 70 атомных процентов оксида алюминия и имеющий структуру корунда, путем испарения по меньшей мере одной мишени из алюминиевого сплава, содержащего по меньшей мере один другой металлический или полуметаллический компонент, при этом сплав имеет температуру перехода из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу между 1000 и 1200°С.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что получают слой, содержащий более 70 атомных процентов оксида алюминия и имеющий структуру корунда, путем испарения по меньшей мере одной мишени из алюминиевого сплава, содержащего по меньшей мере один другой металлический или полуметаллический компонент, при этом сплав имеет температуру перехода из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу между 1000 и 1200°С.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют мишень, выполненную из сплава, имеющего температуру перехода из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу выше 1000°С.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что используют мишень, выполненную из сплава, имеющего температуру перехода из полностью жидкой фазы в содержащую твердые компоненты фазу выше 1000°С.
7. Способ по одному из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что получают слой, содержащий более 70 атомных процентов оксида алюминия, имеющего структуру корунда, путем испарения по меньшей мере одной мишени из сплава алюминия и по меньшей мере одного другого металлического или полуметаллического компонента, предпочтительно одного указанного компонента, при этом слой содержит не менее 70 атомных процентов Al и один или более компонентов, выбранных из приведенной ниже группы, в атомных процентах:
Аu: 20-30 В: менее 3 Be: 20-30 С: менее 3 Сr: от более 10 до 25 Fe: 5-15 Hf: 5-10 Ir: 10-15 La: 10-15 Mo: 2-5 Nb: 1-3 Та: 1-3 Ti: 2-6 V: 3-8 W: 5-8 Y: 12-16 Zr: 2-4
8. Способ по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что получают слой, содержащий более 70 атомных процентов оксида алюминия, имеющего структуру корунда, путем испарения по меньшей мере одной мишени из алюминиевого сплава, полученной методом порошковой металлургии или пирометаллургическим легированием, при этом сплав дополнительно содержит по меньшей мере один металлический или полуметаллический компонент в количестве менее 20 атомных процентов, имеющий более высокую температуру плавления, обеспечивающий температуру плавления сплава по меньшей мере 1000°С.
9. Мишень из сплава алюминия и другого металлического или полуметаллического компонента для получения стабильного при высоких температурах оксидного слоя способом по любому из пп.1-8, в которой сплав материала мишени согласно фазовой диаграмме имеет переход из жидкой фазы выше 1000°С, предпочтительно ниже 1200°С.
10. Мишень по п.9, которая выполнена из сплава алюминия, содержащего не менее 70 атомных процентов алюминия и по меньшей мере один компонент, выбранный из приведенной ниже группы, в атомных процентах:
Аu: 20-30 В: менее 3 Be: 20-30 С: менее 3 Сr: от более 10 до 25 Fe: 2-15 Hf: 5-10 Ir: 10-15 La: 10-15 Mo: 2-5 Nb: 1-3 Та: 1-3 Ti: 2-6 V: 3-8 W: 5-8 Y: 12-16 Zr: 2-4
11. Мишень по п.9, в которой по меньшей мере два металлических или полуметаллических компонента различаются по температуре на 100- 500°С.
12. Мишень по п.10, в которой по меньшей мере два металлических или полуметаллических компонента различаются по температуре на 100- 500°С.
13. Слой оксида, стабильного при высоких температурах, имеющий структуру корунда, содержащий оксид алюминия и полученный способом по любому из пп.1-8 с использованием мишени по любому из пп.9-12, при этом слой оксида содержит примеси более тугоплавких металлических или полуметаллических компонентов в количестве менее 25 атомных процентов без образования смешанного кристалла.
14. Слой по п.13, содержащий в качестве примеси один или несколько следующих компонентов, в атомных процентах:
Au: 20-30 В: менее 3 Be: 20-30 С: менее 3 Сr: от более 10 до 25 Fe: 2-15 Hf: 5-10 Ir: 10-15 La: 10-15 Mo: 2-5 Nb: 1-3 Та: 1-3 Ti: 2-6 V: 3-8 W: 5-8 Y: 12-16 Zr: 2-4
15. Слой оксида, стабильного при высоких температурах, содержащего три или более компонентов, с выбранным температурным диапазоном образования и стабильностью, изготовленный способом по любому из пп.1-8 с использованием мишени по любому из пп.9-12.
16. Слой по п.15, выполненный из смесей оксидных фаз посредством осаждения паров требуемого фазового состава.
RU2010147448/02A 2008-04-24 2009-02-06 Способ изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры посредством испарения электрической дугой RU2528602C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4759108P 2008-04-24 2008-04-24
US61/047,591 2008-04-24
EP08016572.3 2008-09-19
EP08016572A EP2166128B1 (de) 2008-09-19 2008-09-19 Verfahren zum Herstellen von Metalloxidschichten durch Funkenverdampfung
PCT/EP2009/000852 WO2009129880A1 (de) 2008-04-24 2009-02-06 Verfahren zum herstellen von metalloxidschichten vorbestimmter struktur durch funkenverdampfung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010147448A RU2010147448A (ru) 2012-05-27
RU2528602C2 true RU2528602C2 (ru) 2014-09-20

Family

ID=40297780

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010147450/02A RU2525949C2 (ru) 2008-04-24 2009-02-06 Способ изготовления слоев оксида металла посредством испарения электрической дугой
RU2010147448/02A RU2528602C2 (ru) 2008-04-24 2009-02-06 Способ изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры посредством испарения электрической дугой

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010147450/02A RU2525949C2 (ru) 2008-04-24 2009-02-06 Способ изготовления слоев оксида металла посредством испарения электрической дугой

Country Status (16)

Country Link
US (2) US10323320B2 (ru)
EP (2) EP2166128B1 (ru)
JP (3) JP2011522960A (ru)
KR (2) KR101629905B1 (ru)
CN (2) CN102016108B (ru)
AT (1) ATE532886T1 (ru)
AU (2) AU2009240321B2 (ru)
BR (2) BRPI0907264A2 (ru)
CA (2) CA2722380A1 (ru)
ES (2) ES2377225T3 (ru)
MX (2) MX2010011502A (ru)
PL (2) PL2166128T3 (ru)
PT (2) PT2166128E (ru)
RU (2) RU2525949C2 (ru)
TW (2) TWI410506B (ru)
WO (2) WO2009129880A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8652589B2 (en) * 2008-01-25 2014-02-18 Oerlikon Trading Ag, Truebbach Permeation barrier layer
EP2166128B1 (de) 2008-09-19 2011-11-09 Oerlikon Trading AG, Trübbach Verfahren zum Herstellen von Metalloxidschichten durch Funkenverdampfung
PL2294241T3 (pl) * 2008-07-08 2012-05-31 Bekaert Advanced Coatings Sposób wytwarzania tarczy tlenkowej do rozpylania jonowego, zawierającej pierwszą i drugą fazę
JP2011084804A (ja) * 2009-09-18 2011-04-28 Kobelco Kaken:Kk 金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲット
EP2363509A1 (en) * 2010-02-28 2011-09-07 Oerlikon Trading AG, Trübbach Synthesis of metal oxides by reactive cathodic arc evaporation
DE102010053751A1 (de) * 2010-10-28 2012-05-03 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Molybdänmonoxidschichten und deren Herstellung mittels PVD
SG11201501437YA (en) * 2012-08-29 2015-03-30 Oerlikon Surface Solutions Ag Trübbach Arc pvd coating with enhanced reducing friction and reducing wear properties
DE102012023260A1 (de) * 2012-11-29 2014-06-05 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Verfahren zur Strukturierung von Schichtoberflächen und Vorrichtung dazu
EP2954091B1 (en) * 2013-01-18 2022-08-10 Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon Coating method for producing (al,cr)2o3-based coatings with enhanced properties
DE102013006633A1 (de) * 2013-04-18 2014-10-23 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Funkenverdampfen von metallischen, intermetallischen und keramischen Targetmaterialien um Al-Cr-N Beschichtungen herzustellen
SG11201510706UA (en) * 2013-07-09 2016-01-28 Oerlikon Surface Solutions Ag Trübbach Target for the reactive sputter deposition of electrically insulating layers
DE102014104672A1 (de) * 2014-04-02 2015-10-08 Kennametal Inc. Beschichtetes Schneidwerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2980267B1 (en) 2014-07-28 2019-05-01 Oerlikon Surface Solutions AG, Trübbach Corundum-type fe-doped cathodic arc evaporated al-cr-o coatings
PL3184663T3 (pl) * 2015-12-23 2020-11-16 Materion Advanced Materials Germany Gmbh Tarcza do napylania na bazie tlenku cyrkonu
DE102016125042A1 (de) * 2015-12-28 2017-06-29 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Infrarotspiegel mit einer thermisch stabilen Schicht
DE102016212874A1 (de) * 2016-07-14 2018-01-18 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Schutzbeschichtung für eine thermisch beanspruchte Struktur
WO2019025106A1 (en) * 2017-07-31 2019-02-07 Walter Ag COATED CUTTING TOOL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
US11249234B2 (en) * 2019-07-29 2022-02-15 Moxtek, Inc. Polarizer with composite materials

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522331A1 (de) * 1994-06-24 1996-01-04 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Beschichten mindestens eines Werkstückes, Anlage hierfür sowie Verfahren zum Betrieb einer kathodischen Bogenentladung und Verwendung desselben
RU2163942C2 (ru) * 1996-07-25 2001-03-10 Сименс Акциенгезелльшафт Металлическая подложка с оксидным слоем и улучшенным крепежным слоем
EP1391533A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-25 General Electric Company Method for protecting articles, and related compositions
EP1700928A1 (en) * 2005-02-15 2006-09-13 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho AL-Ni-rare earth element alloy sputtering target

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5246787A (en) * 1989-11-22 1993-09-21 Balzers Aktiengesellschaft Tool or instrument with a wear-resistant hard coating for working or processing organic materials
US6099457A (en) * 1990-08-13 2000-08-08 Endotech, Inc. Endocurietherapy
US5342283A (en) * 1990-08-13 1994-08-30 Good Roger R Endocurietherapy
US5500301A (en) * 1991-03-07 1996-03-19 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films
US5415829A (en) * 1992-12-28 1995-05-16 Nikko Kyodo Co., Ltd. Sputtering target
US5518597A (en) 1995-03-28 1996-05-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cathodic arc coating apparatus and method
JP3484861B2 (ja) 1995-03-31 2004-01-06 セイコーエプソン株式会社 画像形成装置用のローラ及びその成形用金型
US6268284B1 (en) * 1998-10-07 2001-07-31 Tokyo Electron Limited In situ titanium aluminide deposit in high aspect ratio features
JP4155641B2 (ja) * 1998-10-27 2008-09-24 住友電工ハードメタル株式会社 耐摩耗性被膜およびその製造方法ならびに耐摩耗部材
DE60038783D1 (de) * 2000-03-09 2008-06-19 Sulzer Metaplas Gmbh Hartschichten auf Komponenten
JP4502475B2 (ja) * 2000-08-04 2010-07-14 株式会社神戸製鋼所 硬質皮膜および耐摩耗部材並びにその製造方法
US6835414B2 (en) * 2001-07-27 2004-12-28 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Method for producing coated substrates
US6709557B1 (en) * 2002-02-28 2004-03-23 Novellus Systems, Inc. Sputter apparatus for producing multi-component metal alloy films and method for making the same
JP4216518B2 (ja) * 2002-03-29 2009-01-28 株式会社神戸製鋼所 カソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットおよびその製造方法
FR2838752B1 (fr) * 2002-04-22 2005-02-25 Snecma Moteurs Procede de formation d'un revetement ceramique sur un substrat par depot physique en phase vapeur sous faisceau d'electrons
US20040185182A1 (en) 2002-07-31 2004-09-23 General Electric Company Method for protecting articles, and related compositions
US6767627B2 (en) * 2002-12-18 2004-07-27 Kobe Steel, Ltd. Hard film, wear-resistant object and method of manufacturing wear-resistant object
FR2860790B1 (fr) * 2003-10-09 2006-07-28 Snecma Moteurs Cible destinee a etre evaporee sous faisceau d'electrons, son procede de fabrication, barriere thermique et revetement obtenus a partir d'une cible, et piece mecanique comportant un tel revetement
EP1536041B1 (en) * 2003-11-25 2008-05-21 Mitsubishi Materials Corporation Coated cermet cutting tool with a chipping resistant, hard coating layer
US7381282B2 (en) * 2004-04-07 2008-06-03 Hitachi Metals, Ltd. Co alloy target and its production method, soft magnetic film for perpendicular magnetic recording and perpendicular magnetic recording medium
US7247529B2 (en) * 2004-08-30 2007-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
TWI282385B (en) * 2004-12-02 2007-06-11 Taiwan Textile Res Inst Method for producing durably anti-microbial fibers
US9997338B2 (en) 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source
MX2007011703A (es) 2005-03-24 2008-03-10 Oerlikon Trading Ag Capa de material duro.
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
TWI411696B (zh) 2006-07-19 2013-10-11 Oerlikon Trading Ag 沉積電絕緣層之方法
US7857948B2 (en) * 2006-07-19 2010-12-28 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Method for manufacturing poorly conductive layers
US7939181B2 (en) * 2006-10-11 2011-05-10 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Layer system with at least one mixed crystal layer of a multi-oxide
US8436051B2 (en) 2007-06-08 2013-05-07 Aptalis Pharma Canada Inc. Mesalamine suppository
EP2166128B1 (de) 2008-09-19 2011-11-09 Oerlikon Trading AG, Trübbach Verfahren zum Herstellen von Metalloxidschichten durch Funkenverdampfung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522331A1 (de) * 1994-06-24 1996-01-04 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Beschichten mindestens eines Werkstückes, Anlage hierfür sowie Verfahren zum Betrieb einer kathodischen Bogenentladung und Verwendung desselben
RU2163942C2 (ru) * 1996-07-25 2001-03-10 Сименс Акциенгезелльшафт Металлическая подложка с оксидным слоем и улучшенным крепежным слоем
EP1391533A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-25 General Electric Company Method for protecting articles, and related compositions
EP1700928A1 (en) * 2005-02-15 2006-09-13 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho AL-Ni-rare earth element alloy sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
EP2166128A1 (de) 2010-03-24
TWI410506B (zh) 2013-10-01
EP2265744A1 (de) 2010-12-29
KR20100135946A (ko) 2010-12-27
AU2009240320B2 (en) 2014-03-20
KR20110010737A (ko) 2011-02-07
ES2377225T3 (es) 2012-03-23
CN102016108A (zh) 2011-04-13
PL2265744T3 (pl) 2014-10-31
TW200946698A (en) 2009-11-16
CN102016104A (zh) 2011-04-13
BRPI0907264A2 (pt) 2015-11-17
MX2010011496A (es) 2011-03-02
AU2009240321A1 (en) 2009-10-29
AU2009240320A1 (en) 2009-10-29
PT2265744E (pt) 2014-07-04
KR101629909B1 (ko) 2016-06-13
ATE532886T1 (de) 2011-11-15
WO2009129879A1 (de) 2009-10-29
EP2166128B1 (de) 2011-11-09
RU2010147448A (ru) 2012-05-27
MX2010011502A (es) 2010-11-30
ES2485909T3 (es) 2014-08-14
AU2009240321B2 (en) 2013-10-24
TWI390061B (zh) 2013-03-21
TW201000657A (en) 2010-01-01
RU2010147450A (ru) 2012-05-27
JP2015038248A (ja) 2015-02-26
WO2009129880A1 (de) 2009-10-29
PT2166128E (pt) 2012-01-17
PL2166128T3 (pl) 2012-05-31
US9611538B2 (en) 2017-04-04
BRPI0907265A2 (pt) 2015-11-17
KR101629905B1 (ko) 2016-06-13
JP2011518949A (ja) 2011-06-30
EP2265744B1 (de) 2014-05-07
CN102016104B (zh) 2016-08-03
JP5876123B2 (ja) 2016-03-02
CN102016108B (zh) 2017-03-15
RU2525949C2 (ru) 2014-08-20
US20090269615A1 (en) 2009-10-29
CA2722520A1 (en) 2009-10-29
CA2722380A1 (en) 2009-10-29
JP2011522960A (ja) 2011-08-04
US20090269600A1 (en) 2009-10-29
US10323320B2 (en) 2019-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2528602C2 (ru) Способ изготовления слоев оксида металла заранее заданной структуры посредством испарения электрической дугой
JP7480098B2 (ja) 改善された熱安定性を示すチタン-アルミニウム-タンタルベースの被覆物
EP2082079B1 (de) Schichtsystem mit zumindest einer mischkristallschicht eines mehrfachoxids
US9702036B2 (en) Layer system with at least one mixed crystal layer of a multi-oxide
WO2011036246A2 (de) Verfahren zur herstellung von kubischen zirkonoxidschichten
KR101284003B1 (ko) 전기선폭발법을 이용한 (Ti,Cr)N 나노분말의 제조방법
Kostrin Single‐layer and multi‐layer wear‐resistant coatings: Deposition by vacuum arc plasma source
Todaka et al. Growth of Fe3O4 whiskers from solid solution nanoparticles of Fe–Cu and Fe–Ag systems produced by DC plasma jet method
Tanemura et al. Fabrication and structural characterization of TiO nanoparticle soft-landed on substrate by the magnetron sputtering-gas aggregation method
JP3622621B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180207