RU2488195C2 - Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group - Google Patents

Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group Download PDF

Info

Publication number
RU2488195C2
RU2488195C2 RU2011134604/28A RU2011134604A RU2488195C2 RU 2488195 C2 RU2488195 C2 RU 2488195C2 RU 2011134604/28 A RU2011134604/28 A RU 2011134604/28A RU 2011134604 A RU2011134604 A RU 2011134604A RU 2488195 C2 RU2488195 C2 RU 2488195C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
led
sealing layer
phosphor
led group
Prior art date
Application number
RU2011134604/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2011134604A (en
Inventor
Тхе Тран НГУЙЕН
Original Assignee
Непес Лед Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/381,408 external-priority patent/US8058667B2/en
Priority claimed from US12/381,409 external-priority patent/US8039862B2/en
Application filed by Непес Лед Корпорейшн filed Critical Непес Лед Корпорейшн
Publication of RU2011134604A publication Critical patent/RU2011134604A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2488195C2 publication Critical patent/RU2488195C2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

FIELD: electrical engineering.
SUBSTANCE: invention is referred to assembly of light-emitting diode (LED) lead-frame unit, LED group using this lead-frame unit and method for manufacturing of LED group. Assembly of lead-frame unit contains: heat-dissipating base; variety of electrodes located around heat-dissipating base; insulating supporting unit which surrounds and heat-dissipating base and variety of electrodes thus connecting heat-dissipating base with variety of electrodes; at least two collars formed along circumferential perimeter at the upper surface of insulating supporting unit and at least one annular groove formed between at least two collars; at that each of at least two collars contains sharp upper edge and inclined lateral sides.
EFFECT: easy manufacturing with low manufacturing costs of frame and LED group using this frame, capability for manufacturing of LED group where light is emitted by luminiferous material to LED matrix and is absorbed there thus reducing absorption losses.
24 cl, 9 dwg

Description

Область техникиTechnical field

[1] Настоящее изобретение относится к комплекту светодиодной (LED) выводной рамки, светодиодной группе, использующей светодиодную выводную рамку, и способу изготовления светодиодной группы, и, в частности, к комплекту светодиодной выводной рамки, который может быть легко изготовлен со сниженными затратами на производство, светодиодной группе, использующей комплект светодиодной выводной рамки, и способу изготовления светодиодной группы.[1] The present invention relates to a set of LED output frames, an LED group using an LED output frame, and a method for manufacturing an LED group, and in particular, to a set of LED output frame that can be easily manufactured with reduced manufacturing costs an LED group using the LED output frame kit, and a method for manufacturing the LED group.

Уровень техникиState of the art

[2] Светодиод (LED) является осветительным полупроводниковым устройством, имеющим различные преимущества, по сравнению с обычными осветительными устройствами. Например, светодиод имеет длительный срок службы, компактные размеры, малое энергопотребление и не приводит к загрязнению ртутью. Соответственно, светодиоды часто используются в качестве новых осветительных устройств вместо обычных осветительных устройств.[2] A light emitting diode (LED) is a semiconductor lighting device having various advantages over conventional lighting devices. For example, the LED has a long life, compact size, low power consumption and does not lead to mercury pollution. Accordingly, LEDs are often used as new lighting devices instead of conventional lighting devices.

[3] В целях повышения светоотдачи светодиодной группы, обычно используется структура в форме выпуклой линзы на внешнем оптическом слое светодиодной группы. В обычных светодиодных группах, структуру в форме выпуклой линзы изготавливают заранее, а затем монтируют на обычную светодиодную группу. Из-за этого дополнительного производства структуры в форме выпуклой линзы и процесса ее сборки, требуется дополнительный производственный процесс и монтажное устройство. Более того, при монтаже структуры в форме выпуклой линзы, изготовленной заранее, на обычную светодиодную группу, может образоваться нежелательный слой воздуха между структурой в форме выпуклой линзы и герметизирующим слоем, который уже выполнен на светодиодной группе. Кроме того, в соответствии с обычными технологиями, при формировании герметизирующего слоя на светодиодной матрице, для защиты светодиодной матрицы, трудно сформировать выпуклый изгиб на внешней поверхности герметизирующего слоя. Соответственно, производительность способа изготовления светодиодной группы в соответствии с обычными технологиями является относительно низкой, а себестоимость высокой.[3] In order to increase the light output of the LED group, a convex lens-like structure is usually used on the external optical layer of the LED group. In conventional LED groups, a convex lens-shaped structure is prefabricated and then mounted on a conventional LED group. Because of this additional production of the structure in the form of a convex lens and its assembly process, an additional manufacturing process and mounting device are required. Moreover, when mounting a structure in the form of a convex lens made in advance on a conventional LED group, an undesirable layer of air may form between the structure in the form of a convex lens and a sealing layer that is already made on the LED group. In addition, in accordance with conventional technologies, when forming a sealing layer on the LED matrix to protect the LED matrix, it is difficult to form a convex bend on the outer surface of the sealing layer. Accordingly, the productivity of the method of manufacturing the LED group in accordance with conventional technologies is relatively low, and the cost is high.

[4] В целях обеспечения белого светодиода для излучения белого света, на матрицу синего светодиода или ультрафиолетового (УФ) светодиода, как правило, непосредственно наносят люминофорный слой. Например, когда используют синюю светодиодную матрицу, света различной длины волны, генерируемые в люминофорном материале, могут быть смешаны друг с другом, или света с различной длиной волны могут быть смешаны с возбужденным синим светом, излучаемым синей светодиодной матрцей, таким образом, излучая белый свет. Однако, когда светодиодная матрица непостредственно покрыта люминофорным слоем, так как светодиодная матрица и люминофорный слой очень близки друг к другу, свет, излучаемый люминофорным материалом, переходит к светодиодной матрице и поглощается светодиодной матрицей.[4] In order to provide a white LED for emitting white light, a phosphor layer is typically directly applied to the matrix of a blue LED or an ultraviolet (UV) LED. For example, when a blue LED matrix is used, lights of different wavelengths generated in the phosphor material can be mixed with each other, or lights with different wavelengths can be mixed with the excited blue light emitted by the blue LED matrix, thereby emitting white light . However, when the LED matrix is directly coated with the phosphor layer, since the LED matrix and the phosphor layer are very close to each other, the light emitted by the phosphor material passes to the LED matrix and is absorbed by the LED matrix.

[5] Таким образом, было предложено поместить прозрачную вставку между светодиодной матрицей и люминофорным слоем, чтобы свет, излучаемый из люминофорного слоя, не падал на светодиодную матрицу или основу возле светодиодной матрицы, тем самым снижая вероятность поглощения света. Фиг.1 иллюстрирует пример вышеуказанной технологии, раскрытой в патенте США №5,959,316. Обратимся к фиг.1, светодиодная матрица 60 устанавлена на основе 62, и люминофорный слой 66 отделен от светодиодной матрицы 60 вставкой 64, покрывающей светодиодную матрицу 60. Кроме того, защитный слой 68 выполнен за пределами люминофорного слоя 66. Однако и в этой структуре свет, излучаемый люминофорным слоем 66, может падать обратно на светодиодную матрицу 60 и на основу 62 и, таким образом, поглощаться практически без помех.[5] Thus, it was proposed to place a transparent insert between the LED matrix and the phosphor layer so that the light emitted from the phosphor layer does not fall on the LED matrix or base near the LED matrix, thereby reducing the likelihood of light absorption. Figure 1 illustrates an example of the above technology disclosed in US patent No. 5,959,316. Referring to FIG. 1, the LED matrix 60 is mounted on the base 62, and the phosphor layer 66 is separated from the LED matrix 60 by an insert 64 covering the LED matrix 60. In addition, the protective layer 68 is formed outside of the phosphor layer 66. However, light is also in this structure emitted by the phosphor layer 66 may fall back onto the LED array 60 and onto the base 62 and thus be absorbed with little or no interference.

Описание изобретенияDescription of the invention

Техническая проблемаTechnical problem

[6] Настоящее изобретение предлагает выводную рамку для светодиодной (LED) группы и светодиодную группу, использующую данную рамку, которые могут быть легко изготовлены с низкими производственными затратами.[6] The present invention provides an output frame for an LED group and an LED group using this frame, which can be easily manufactured with low production costs.

Решение проблемыSolution

[7] Настоящее изобретение также обеспечивает светодиодную группу, в которой свет, исходящий из люминофорного материала, падает на светодиодную матрицу и там поглощается, снижая тем самым потери от поглощения света.[7] The present invention also provides an LED array in which light emanating from a phosphor material is incident on an LED array and is absorbed therein, thereby reducing losses from light absorption.

[8] Настоящее изобретение также предлагает способ изготовления светодиодной группы, при котором светодиодная группа легко изготавливается со сниженными затратами на производство.[8] The present invention also provides a method for manufacturing an LED group, wherein the LED group is easily manufactured with reduced manufacturing costs.

[9] По одному из аспектов настоящего изобретения, предлагается выводная рамка в комплекте, включающем:[9] In one aspect of the present invention, there is provided an output frame in a kit including:

[10] теплорассеивающую базу;[10] heat dissipating base;

[11] множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;[11] a plurality of electrodes located around a heat dissipating base;

[12] изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов;[12] an insulating support portion that surrounds the heat diffusion base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes;

[13] по крайней мере, два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного контура верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, а также[13] at least two annular protrusions formed along the circumferential contour of the upper surface of the insulating supporting part, and

[14] по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между, по меньшей мере, двумя кольцевыми выступами.[14] at least one annular groove formed between at least two annular protrusions.

[15] Согласно одному из аспектов настоящего изобретения, предложена светоизлучающая диодная (LED) группа, содержащая вышеупомянутый комплект выводной рамки.[15] According to one aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode (LED) group comprising the aforementioned lead frame kit.

[16] Например, светодиодная группа включает в себя:[16] For example, an LED group includes:

[17] по крайней мере, одну светодиодную матрицу, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы;[17] at least one LED matrix attached to the bottom surface of the heat dissipation base;

[18] множество проводов, электрически соединяющих, по крайней мере, одну светодиодную матрицу и множество электродов, а также[18] a plurality of wires electrically connecting at least one LED array and a plurality of electrodes, and

[19] структуру герметизирующего слоя, сформированную для покрытия светодиодной матрицы и включающую по крайней мере один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность,[19] the structure of the sealing layer formed to cover the LED matrix and comprising at least one layer having a convex outer surface,

[20] где край, по крайней мере, одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из, по меньшей мере, двух кольцевых выступов.[20] where the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer comes to the corresponding one of at least two annular protrusions.

[21] В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения, предлагается способ производства светодиодной группы, включающий шаги:[21] In accordance with another aspect of the present invention, a method for producing an LED group is provided, comprising the steps of:

[22] берут комплект выводной рамки в составе: теплорассеивающей базы; множества электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы; изоляционной поддерживающей части, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов; по крайней мере, двух кольцевых выступов, образованных вдоль окружного контура верхней поверхности изоляционной поддерживающей части; и, по крайней мере, одной кольцевой канавки, образованной между двумя из не менее двух кольцевых выступов,[22] take a set of output frames consisting of: a heat-dissipating base; a plurality of electrodes located around the heat dissipating base; an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the circumferential contour of the upper surface of the insulating supporting part; and at least one annular groove formed between two of at least two annular protrusions,

[23] присоединяют, по крайней мере, одну светодиодную матрицу к нижней поверхности теплорассеивающей базы; электрического соединения светодиодной матрицы и множества электродов, а также[23] attach at least one LED matrix to the bottom surface of the heat dissipation base; electrical connection of the LED matrix and many electrodes, as well as

[24] формируют, по крайней мере, один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность для покрытия светодиодной матрицы,[24] form at least one layer having a convex outer surface for coating the LED matrix,

[25] причем край, по крайней мере, одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.[25] and the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer reaches the corresponding one of the at least two annular protrusions.

Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings

[26] Вышеуказанные и другие особенности и преимущества настоящего изобретения станут более очевидными из более подробного описания их примерных вариантов со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:[26] The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from a more detailed description of their exemplary options with reference to the accompanying drawings, in which:

[27] Фиг.1 представляет собой поперечный разрез, иллюстрирующий пример белого светоизлучающего диода (LED) из уровня техники;[27] FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a prior art white light emitting diode (LED);

[28] Фиг.2 представляет собой аксонометрический вид структуры комплекта светодиодной выводной рамки, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[28] Figure 2 is a perspective view of the structure of a set of LED output frames, in accordance with an embodiment of the present invention;

[29] Фиг.3 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий комплект светодиодной выводной рамки на фиг.2;[29] Figure 3 is a top view illustrating a set of LED output frames in figure 2;

[30] Фиг.4 представляет собой вид в аксонометрии, показывающий расположение теплорассеивающей базы и множества электродов комплекта светодиодной выводной рамки, показанного на фиг.2, без изоляционной поддерживающей части, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[30] FIG. 4 is a perspective view showing an arrangement of a heat dissipating base and a plurality of electrodes of the LED output frame set shown in FIG. 2 without an insulating supporting part, in accordance with an embodiment of the present invention;

[31] Фиг.5 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру комплекта светодиодной выводной рамки Фиг.2;[31] Figure 5 is a cross section illustrating the structure of a set of LED output frames of Figure 2;

[32] Фиг.6 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной группы, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[32] FIG. 6 is a cross section illustrating a structure of an LED group according to an embodiment of the present invention;

[33] Фиг.7 показывает поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной выводной рамки, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения;[33] FIG. 7 shows a cross section illustrating the structure of an LED output frame in accordance with another embodiment of the present invention;

[34] фиг.8 и 9 показывают поперечное сечение, схематически иллюстрирующее принцип способа изготовления светодиодной группы, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.[34] FIGS. 8 and 9 show a cross section schematically illustrating the principle of a method for manufacturing an LED group according to an embodiment of the present invention.

Лучший вариант осуществления изобретенияThe best embodiment of the invention

[35] Настоящее изобретение будет описано более подробно со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых показыны образцовые воплощения изобретения. Одинаковые ссылочные позиции на чертежах обозначают одинаковые элементы, а размеры элементов преувеличены для удобства и ясности описания.[35] The present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown. The same reference numerals in the drawings indicate the same elements, and the dimensions of the elements are exaggerated for convenience and clarity of description.

[36] Фиг.2 представляет собой вид в аксонометрии структуры комплекта светодиодной выводной рамки 20 в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг.2, комплект светодиодной выводной рамки 20 включает теплорассеивающую базу 2, четыре электрода 1, расположенных вокруг теплорассеивающей базы 2, и изоляционную поддерживающую часть 3, которая окружает теплорассеивающую базу 2 и множество электродов 1 для соединения теплорассеивающей базы 2 и множества электродов 1. В данном варианте, светодиодная выводная рамка 20 включает четыре электрода 1, однако настоящее изобретение не ограничивается ими, и светодиодная выводная рамка 20 может включать один или более электродов 1. Изоляционная поддерживающая часть 3 может быть выполнена из пластикового изоляционного материала, такого как полифтальамид (РРА).[36] FIG. 2 is a perspective view of a structure of a set of LED output frames 20 in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, a set of LED output frame 20 includes a heat dissipation base 2, four electrodes 1 located around the heat dissipation base 2, and an insulating support part 3 that surrounds the heat dissipation base 2 and a plurality of electrodes 1 for connecting the heat dissipation base 2 and the plurality of electrodes 1 In this embodiment, the LED output frame 20 includes four electrodes 1, however, the present invention is not limited to them, and the LED output frame 20 may include one or more electrodes 1. Insulation The supporting part 3 may be made of plastic insulating material such as polyphthalamide (PPA).

[37] Фиг.3 представляет собой вид сверху светодиодной выводной рамки 20 на фиг.2. Ссылаясь на Фиг.3, светодиодная выводная рамка 20 включает в себя четыре одинаковых металлических электрода 1, которые расположены в радиальном направлении. Четыре электрода 1 могут быть соответственно расположены под углом 90 градусов вокруг центральной оси теплорассеивающей базы 2 и выступать в радиальном направлении от центра оси теплорассеивающей базы 2. Фиг.4 представляет собой аксонометрический вид, схематически иллюстрирующий расположение теплорассеивающей базы 2 и четырех электродов 1, без изоляционной поддерживающей части 3. Обратимся к фиг.4, верхние поверхности четырех электродов 1 находятся на той же высоте, что и самая высокая точка теплорассеивающей базы 2. Кроме того, как показано на фиг. с 2 по 4, первая концевая часть электродов 1 может располагаться против боковой окружности теплорассеивающей базы 2, а вторая концевая часть электродов 1 может выступать из внешней стороны изоляционной поддерживающей части 3. Верхние поверхности электродов 1 могут быть покрыты, например, хорошо отражающими материалами, такими как серебро или алюминий,[37] FIG. 3 is a plan view of the LED output frame 20 in FIG. 2. Referring to FIG. 3, the LED output frame 20 includes four identical metal electrodes 1 that are located in the radial direction. Four electrodes 1 can be respectively located at an angle of 90 degrees around the central axis of the heat dissipating base 2 and protrude in a radial direction from the center axis of the heat dissipating base 2. Figure 4 is an axonometric view schematically illustrating the location of the heat dissipating base 2 and four electrodes 1, without insulation supporting part 3. Referring to FIG. 4, the upper surfaces of the four electrodes 1 are at the same height as the highest point of the heat dissipation base 2. In addition, as shown in FIG. 2 to 4, the first end part of the electrodes 1 can be opposed to the lateral circumference of the heat dissipating base 2, and the second end part of the electrodes 1 can protrude from the outside of the insulating support part 3. The upper surfaces of the electrodes 1 can be coated, for example, with highly reflective materials such like silver or aluminum,

[38] Кроме того, ссылаясь на фиг.4, теплорассеивающая база 2 может иметь отражающую чашу 10, имеющую углубление. Нижняя поверхность отражающей чаши 10 может быть покрыта хорошо отражающими материалами, такими как серебро или алюминий. Верхняя поверхность отражающей чаши 10 находится в самой высокой точке теплорассеивающей базы 2. То есть верхняя поверхность отражающей чаши 10 может быть выполнена на той же высоте, что и верхняя поверхность электродов 1.[38] Furthermore, referring to FIG. 4, the heat dissipation base 2 may have a reflective bowl 10 having a recess. The bottom surface of the reflecting bowl 10 may be coated with well-reflecting materials such as silver or aluminum. The upper surface of the reflecting bowl 10 is located at the highest point of the heat dissipating base 2. That is, the upper surface of the reflecting bowl 10 can be made at the same height as the upper surface of the electrodes 1.

[39] Как показано на фиг.4, теплорассеивающая база 2 и множество электродов 1 фиксируются изоляционной поддерживающей частью 3, которая их окружает. Для этого электроды 1 теплорассеивающей базы 2 и изоляционная поддерживающая часть 3 могут быть выполнены как единое целое с помощью литья под давлением.[39] As shown in FIG. 4, the heat dissipation base 2 and the plurality of electrodes 1 are fixed by the insulating supporting part 3 that surrounds them. For this, the electrodes 1 of the heat dissipating base 2 and the insulating supporting part 3 can be made as a whole using injection molding.

[40] Фиг.5 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной выводной рамки 20 на фиг.2. Обратимся к фиг.5 и фиг.2, светодиодная выводная рамка 20 может дополнительно включать не менее двух кольцевых выступов, а именно кольцевые выступы 11, 12, 13 и 14, которые формируют вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3 и, по крайней мере, одну кольцевую канавку, а именно кольцевые канавки 15, 16 и 17, которые соответственно формируется между двумя кольцевыми выступами 11, 12, 13 и 14. Множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть выполнены концентрически на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3. Как показано на фиг.5, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 могут быть выполнены с острыми краями и наклонными боковыми сторонами.[40] FIG. 5 is a cross section illustrating the structure of the LED output frame 20 in FIG. 2. Referring to FIG. 5 and FIG. 2, the LED output frame 20 may further include at least two annular protrusions, namely, annular protrusions 11, 12, 13 and 14, which are formed along the circumferential perimeter on the upper surface of the insulating supporting part 3 and, according to at least one annular groove, namely the annular grooves 15, 16 and 17, which are respectively formed between the two annular protrusions 11, 12, 13 and 14. The plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and the plurality of annular grooves 15, 16 and 17 can be performed concentrically on the upper the surfaces of the insulating supporting part 3. As shown in FIG. 5, a plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 can be made with sharp edges and inclined sides.

[41] Множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть выполнены из того же пластика РРА, что и изоляционная поддерживающая часть 3, и могут быть частью изоляционной поддерживающей части 3. Например, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть образованы на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3 с помощью процесса литьевого формования. Кроме того, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть образованы путем литья под давлением, при котором множество электродов 1, теплорассеивающая база 2 и изоляционная поддерживающая часть 3 формируются вместе. На фиг.5 выполнены четыре кольцевых выступа и три кольцевых канавки, но количество кольцевых выступов и кольцевых канавок может быть выбрано в соответствии с разными вариантами осуществления настоящего изобретения.[41] The plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and the plurality of annular grooves 15, 16 and 17 may be made of the same PPA plastic as the insulating support part 3, and may be part of the insulating support part 3. For example, a plurality annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and a plurality of annular grooves 15, 16 and 17 can be formed on the upper surface of the insulating support portion 3 by an injection molding process. In addition, a plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and a plurality of annular grooves 15, 16 and 17 can be formed by injection molding, in which a plurality of electrodes 1, a heat dissipating base 2 and an insulating supporting part 3 are formed together. 5, four annular protrusions and three annular grooves are made, but the number of annular protrusions and annular grooves can be selected in accordance with various embodiments of the present invention.

[42] Когда светодиодная выводная рамка 20 описанной выше структуры, в том числе с множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множеством кольцевых канавок 15, 16 и 17, используется в производстве светодиодной группы, легко сформировать герметизирующий слой, имеющий многослойную структуру. Фиг.6 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной группы 30 светодиодной выводной рамки 20, в которой выводная рамка 20 используется в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг.6, светодиодная группа 30 включает светодиодную матрицу 4, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, множество проводов 6, электрически соединеняющих светодиодную матрицу 4 и электроды 1, герметизирующий слой 7, выполненный на отражающей чаше 10 теплорассеивающей базы 2, для покрытия светодиодной матрицы 4, люминофорного слоя 8, выполненного для покрытия герметизирующего слоя 7 и оптико-линзового слоя 9, выполненного для покрытия люминофорного слоя 8.[42] When the LED output frame 20 of the above structure, including a plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and a plurality of annular grooves 15, 16 and 17, is used in the manufacture of the LED group, it is easy to form a sealing layer having a multilayer structure . 6 is a cross section illustrating the structure of the LED group 30 of the LED output frame 20, in which the output frame 20 is used in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, the LED group 30 includes an LED matrix 4 attached to the bottom surface of the heat dissipating base 2, a plurality of wires 6 electrically connecting the LED matrix 4 and electrodes 1, a sealing layer 7 made on the reflecting bowl 10 of the heat dissipating base 2, for coating LED matrix 4, phosphor layer 8, made to cover the sealing layer 7 and the optical lens layer 9, made to cover the phosphor layer 8.

[43] Светодиодная матрица 4 может быть закреплена на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, например, с помощью клеящего материала 5, то есть на нижней поверхности отражающей чаши 10 теплорассеивающей базы 2. Примерами клеящего материала для матрицы 5, могут быть паста серебра и припой. В данном варианте, светодиодная группа 30 включает в себя одну светодиодную матрицу 4, расположенную на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, однако настоящее изобретение этим не ограничивается, и светодиодная группа 30 может включать в себя множество светодиодных матриц 4, расположенных на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2. Например, по крайней мере, один элемент выбранный из группы, состоящей из УФ-светодиода, синего светодиода, зеленого светодиода и красного светодиода, может быть расположен на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2.[43] The LED matrix 4 can be mounted on the lower surface of the heat dissipating base 2, for example, using adhesive 5, that is, on the lower surface of the reflecting bowl 10 of the heat dissipating base 2. Examples of adhesive material for the matrix 5 can be silver paste and solder. In this embodiment, the LED group 30 includes one LED matrix 4 located on the lower surface of the heat diffusion base 2, however, the present invention is not limited to this, and the LED group 30 may include a plurality of LED arrays 4 located on the lower surface of the heat dissipation base 2 For example, at least one element selected from the group consisting of a UV LED, a blue LED, a green LED, and a red LED may be located on the bottom surface of the heat sseivayuschey base 2.

[44] Герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 составляют многослойную структуру герметизирующего слоя. Для эффективного светового потока, герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут иметь выпуклые наружные поверхности. Кроме того, для того, чтобы свет, излучаемый люминофорным слоем 8, не падал на светодиодную матрицу 4 и не поглощался светодиодной матрицей 4, эффективный показатель преломления герметизирующего слоя 7 может быть меньше, чем у люминофорного слоя 8 в диапазоне длины волны видимого света.[44] The sealing layer 7, the phosphor layer 8, and the optical lens layer 9 constitute a multilayer structure of the sealing layer. For effective luminous flux, the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 may have convex outer surfaces. In addition, so that the light emitted by the phosphor layer 8 does not fall on the LED matrix 4 and is not absorbed by the LED matrix 4, the effective refractive index of the sealing layer 7 may be less than that of the phosphor layer 8 in the wavelength range of visible light.

[45] Люминофорный слой 8 излучает видимый свет, под действием ультрафиолетового света, синего света или зеленого света. Для этого люминофорный слой 8 может быть выполнен из смеси, в которой прозрачный материал, такой как стекло, поликарбонат (ПК), полиметилметакрилат (ПММА), или силиконовая смола, равномерно смешивается с люминофорным материалом. Примеры люминофорного материала включают по крайней мере один тип люминофорного материала, который излучает видимый свет с различной длиной волны, под действием ультрафиолетового света, синего света или зеленого света. Например, люминофорный материал может быть хотя бы одним элементом из группы, состоящей из различных типов люминофорных материалов, излучающих видимый свет с различной длиной волны, такой как голубой, зеленый, желтый, оранжевый или красный свет. Зеленый, желтый, оранжевый и красный люминофорный материал может частично поглощать синий свет или, по крайней мере, зеленый свет, или полностью поглощать УФ-свет, и излучать световой спектр с длиной волны пика в зеленом, желтом, оранжевом и красном цветовых диапазонах длины волны. Кроме того, синий люминофорный материал может излучать световой спектр с длиной волны пика в голубой цветовой гамме, полностью поглощающий ультрафиолетовый свет.[45] The phosphor layer 8 emits visible light under the influence of ultraviolet light, blue light or green light. For this, the phosphor layer 8 can be made of a mixture in which a transparent material, such as glass, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or silicone resin, is uniformly mixed with the phosphor material. Examples of the phosphor material include at least one type of phosphor material that emits visible light of different wavelengths under the influence of ultraviolet light, blue light or green light. For example, a phosphor material may be at least one element from the group consisting of various types of phosphor materials emitting visible light with different wavelengths, such as blue, green, yellow, orange or red light. Green, yellow, orange, and red phosphor material can partially absorb blue light, or at least green light, or completely absorb UV light, and emit a light spectrum with a peak wavelength in the green, yellow, orange, and red color wavelength ranges . In addition, the blue phosphor material can emit a light spectrum with a peak wavelength in cyan, which completely absorbs ultraviolet light.

[46] Светодиодная группа 30, излучающая белый свет, может быть выполнена с использованием люминофорного слоя 8. Например, когда светодиодная матрица 4 излучает голубой свет в диапазоне длины волны от 450 нм до 480 нм, люминофорный слой 8 может быть возбужден синим светом, излучая свет с длиной волны желтого пика. Затем желтый свет и остаточный синий свет смешиваются, образуя белый свет. Кроме того, люминофорный слой 8 может включать в себя различные виды люминофорных материалов, которые излучают свет с различной длиной волны, под действием света с длиной волны возбуждения, излучаемого светодиодной матрицей 4. В данном случае, белый свет излучается как свет с различной длиной волны и носит смешанный характер. Например, когда светодиодная матрица 4 излучает близкие к УФ лучи в диапазоне от 380 нм до 450 нм, люминофорный слой 8 может включать синий, зеленый и красный люминофорные материалы, которые излучают свет, соответственно, имеющий синий, зеленый и красный пик длины волны, под действием близких к УФ лучей. Тогда, как синий, зеленый и красный света смешиваются, образуется белый свет.[46] The LED group 30 emitting white light may be formed using the phosphor layer 8. For example, when the LED matrix 4 emits blue light in a wavelength range from 450 nm to 480 nm, the phosphor layer 8 can be excited by blue light, emitting light with a yellow peak wavelength. Then yellow light and residual blue light mix to form white light. In addition, the phosphor layer 8 may include various types of phosphor materials that emit light with different wavelengths under the action of light with an excitation wavelength emitted by the LED matrix 4. In this case, white light is emitted as light with different wavelengths and is mixed. For example, when the LED matrix 4 emits close to UV rays in the range from 380 nm to 450 nm, the phosphor layer 8 may include blue, green and red phosphor materials that emit light, respectively, having a blue, green and red peak wavelength under action close to UV rays. Then, as blue, green and red lights mix, white light forms.

[47] В соответствии с действующим вариантом осуществления настоящего изобретения, размеры герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 и кривизну их верхних поверхностей можно легко регулировать с помощью множества кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множества кольцевых канавок 15, 16 и 17. Как показано на фиг.6, край герметизирующего слоя 7 доходит до кольцевого выступа 11, край люминофорного слоя 8 доходит до кольцевого выступа 12, а край оптико-линзового слоя 9 доходит до кольцевого выступа 13. Поскольку края герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 определяются кольцевыми выступами 11, 12 и 13, соответственно, размеры герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 могут быть легко определены. Кроме того, путем изменения количества материала герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9, определенных соответствующими кольцевыми выступами 11, 12 и 13, могут быть легко определены кривизна верхней поверхности герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9.[47] According to an embodiment of the present invention, the dimensions of the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 and the curvature of their upper surfaces can be easily adjusted using a plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14 and a plurality of annular grooves 15, 16 and 17. As shown in FIG. 6, the edge of the sealing layer 7 reaches the annular protrusion 11, the edge of the phosphor layer 8 reaches the annular protrusion 12, and the edge of the optical-lens layer 9 reaches the annular protrusion 13. Since the edges of the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 are determined by the annular protrusions 11, 12 and 13, respectively, the dimensions of the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 can be easily determined. Furthermore, by varying the amount of material of the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 defined by the respective annular protrusions 11, 12 and 13, the curvature of the upper surface of the sealing layer 7, the phosphor layer 8 and the optical lens layer can be easily determined. 9.

[48] Здесь и далее, вышеописанный способ изготовления светодиодной группы 30 будет описан подробно. Во-первых, комплект светодиодной выводной рамки 20, в том числе теплорассеивающая база 2, множество электродов 1, расположенных вокруг теплорассеивающей базы 2, изоляционная поддерживающая часть 3, которая окружает теплорассеивающую базу 2 со множеством электродов 1, закрепляющих таковую, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, выполненных на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3, и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17, соответственно, выполненных между двумя из множества кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, изготавливают с использованием, например, процесса литья под давлением. Тогда, по крайней мере, одна светодиодная матрица 4 крепится на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2 с помощью матричного клеящего материала 5, а светодиодная матрица 4 и множество электродов 1 электрически соединяются друг с другом через множество проводов 6.[48] Hereinafter, the above-described method for manufacturing the LED group 30 will be described in detail. Firstly, a set of LED output frame 20, including a heat-dissipating base 2, a plurality of electrodes 1 located around the heat-dissipating base 2, an insulating supporting part 3 that surrounds the heat-dissipating base 2 with a plurality of electrodes 1 fixing it, a plurality of ring protrusions 11, 12, 13 and 14, made on the upper surface of the insulating supporting part 3, and a plurality of annular grooves 15, 16 and 17, respectively, made between two of the plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14, are made using calling, for example, the injection molding process. Then, at least one LED matrix 4 is mounted on the lower surface of the heat dissipating base 2 using matrix adhesive material 5, and the LED matrix 4 and the plurality of electrodes 1 are electrically connected to each other via a plurality of wires 6.

[49] Далее, жидкий прозрачный полимер используется для заполнения отражающей чаши 10 теплорассеивающей базы 2 для покрытия светодиодной матрицы 4. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер может быть предоставлен в достаточном количестве, будучи определяемым кольцевым выступом 11. Затем наружная поверхность жидкого прозрачного полимера образуется выпуклой формы из-за поверхностного натяжения в верхнем остром крае кольцевого выступа 11. Например, как показано на фиг.8, когда прозрачный полимер 18 предоставлен в достаточном количестве в пределах кольцевого выступа 11, в результате поверхностного натяжения образуется выпуклая внешняя поверхность. Кривизна выпуклой внешней поверхности может быть определена количеством прозрачного полимера 18. Даже если используется слишком много прозрачного полимера 18 и, таким образом, прозрачный полимер 18 переполняет кольцевой выступ 11, прозрачный полимер 18 может быть вновь определен в пределах кольцевого выступа 12, как показано на фиг.9. Когда внешняя поверхность прозрачного полимера достигает желаемой кривизны таким образом, жидкий прозрачный полимер 18 подвергается затвердеванию с помощью нагревания или облучения УФ-лучами, тем самым образуя герметизирующий слой 7. Соответственно, размер и кривизна герметизирующего слоя 7 могут быть легко определены.[49] Further, a liquid transparent polymer is used to fill the reflective bowl 10 of the heat diffusion base 2 to coat the LED matrix 4. For example, the liquid transparent polymer may be a silicone resin. The liquid transparent polymer can be provided in sufficient quantity, being defined by the annular protrusion 11. Then, the outer surface of the liquid transparent polymer is formed convex due to surface tension in the upper sharp edge of the annular protrusion 11. For example, as shown in Fig. 8, when the transparent polymer 18 is provided in sufficient quantity within the annular protrusion 11, as a result of surface tension, a convex outer surface is formed. The curvature of the convex outer surface can be determined by the amount of the transparent polymer 18. Even if too much of the transparent polymer 18 is used and thus the transparent polymer 18 overflows the annular protrusion 11, the transparent polymer 18 can be redefined within the annular protrusion 12, as shown in FIG. .9. When the outer surface of the transparent polymer reaches the desired curvature in this way, the liquid transparent polymer 18 is solidified by heating or irradiation with UV rays, thereby forming a sealing layer 7. Accordingly, the size and curvature of the sealing layer 7 can be easily determined.

[50] Затем, другой жидкий прозрачный полимер, с которым равномерно смешивается люминофорный материал, формируется над герметизирующим слоем 7 для покрытия герметизирующего слоя 7. Например, смесь, в которой жидкая силиконовая смола и люминофорный материал равномерно смешаны, может быть сформирована над герметизирующим слоем 7. Смесь ограничивается кольцевым выступом 12 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае кольцевого выступа 12 из-за поверхностного натяжения. После того, как внешняя поверхность смеси достигает желаемой кривизны, жидкая смесь подвергается затвердеванию нагреванием или облучению УФ-лучами, тем самым образуя люминофорный слой 8.[50] Then, another liquid transparent polymer with which the phosphor material is uniformly mixed is formed over the sealing layer 7 to cover the sealing layer 7. For example, a mixture in which the liquid silicone resin and the phosphor material are uniformly mixed can be formed over the sealing layer 7 The mixture is limited to the annular protrusion 12 and has a convex outer surface in the sharp upper edge of the annular protrusion 12 due to surface tension. After the outer surface of the mixture reaches the desired curvature, the liquid mixture undergoes solidification by heating or irradiation with UV rays, thereby forming a phosphor layer 8.

[51] Наконец, еще один жидкий прозрачный полимер формируется над люминофорным слоем 8 для покрытия люминофорного слоя 8. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер поверх люминофорного слоя 8 ограничивается третьим кольцевым выступом 13 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае третьего кольцевого выступа 13 из-за поверхностного натяжения. Затем жидкий прозрачный полимер, поверх люминофорного слоя 8, подвергается затвердеванию в форме оптико-линзового слоя 9. Таким образом, могут быть выполнены герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 желаемых размеров и желаемой внешней кривизны поверхности.[51] Finally, another liquid transparent polymer is formed over the phosphor layer 8 to cover the phosphor layer 8. For example, the liquid transparent polymer may be a silicone resin. The liquid transparent polymer on top of the phosphor layer 8 is limited to the third annular protrusion 13 and has a convex outer surface in the sharp upper edge of the third annular protrusion 13 due to surface tension. Then, the liquid transparent polymer, on top of the phosphor layer 8, is solidified in the form of an optical lens layer 9. Thus, a sealing layer 7, a phosphor layer 8 and an optical lens layer 9 of the desired size and desired external surface curvature can be made.

[52] Фиг.7 показывает поперечное сечение, иллюстрирующие структуру светодиодной выводной рамки 40, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения. В отличие от светодиодной группы 30 на фиг.6, светодиодная группа 40 на фиг.7 включает в себя два герметизирующих слоя, а именно первый и второй герметизирующие слои 7 и 7а, под люминофорным слоем 8. То есть второй герметизирующий слой 7а, который будет являться прозрачным, образуется между люминофорным слоем 8 и первым герметизирующим слоем 7. Остальные элементы структуры светодиодной группы 40 на фиг.7 такие же, как у светодиодной группы 30 на фиг.6. Таким образом, описание остальных элементов структуры светодиодной группы 40 будет опущено.[52] FIG. 7 shows a cross section illustrating the structure of an LED output frame 40 according to another embodiment of the present invention. Unlike the LED group 30 in FIG. 6, the LED group 40 in FIG. 7 includes two sealing layers, namely, the first and second sealing layers 7 and 7a, under the phosphor layer 8. That is, the second sealing layer 7a, which will be being transparent, is formed between the phosphor layer 8 and the first sealing layer 7. The remaining structural elements of the LED group 40 in Fig. 7 are the same as that of the LED group 30 in Fig. 6. Thus, a description of the remaining structural elements of the LED group 40 will be omitted.

[53] На фиг.7, первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 вместе образуют многослойную структуру герметизирующего слоя. Для эффективного светового потока, первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут иметь выпуклые наружные поверхности. Кроме того, для того, чтобы свет излучаемый люминофорным слоем 8 не падал на светодиодную матрицу 4 и не поглощался светодиодной матрицей 4, эффективный показатель преломления второго герметизирующего слоя 7а меньше, чем у люминофорного слоя 8 в диапазоне длины волны видимого света, а также меньше, чем у первого герметизирующего слоя 7.[53] In FIG. 7, the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 together form a multilayer structure of the sealing layer. For efficient luminous flux, the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 may have convex outer surfaces. In addition, so that the light emitted by the phosphor layer 8 does not fall on the LED matrix 4 and is not absorbed by the LED matrix 4, the effective refractive index of the second sealing layer 7a is less than that of the phosphor layer 8 in the wavelength range of visible light, and also less than the first sealing layer 7.

[54] Как показано на фиг.7, край первого герметизирующего слоя 7 доходит до кольцевого выступа 11, край второго герметизирующего слоя 7а доходит до кольцевого выступа 12, край люминофорного слоя 8 доходит до кольцевого выступа 13, а край оптико-линзового слоя 9 доходит до четвертого кольцевого выступа 14. После сопоставления краев первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 с множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, соответственно, могут быть легко определены размеры первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9. Кроме того, путем подбора количества материала, соответственно, для первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9, определяемых множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, может быть легко определена кривизна верхней поверхности первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9.[54] As shown in FIG. 7, the edge of the first sealing layer 7 extends to the annular protrusion 11, the edge of the second sealing layer 7a extends to the annular protrusion 12, the edge of the phosphor layer 8 reaches the annular protrusion 13, and the edge of the optical lens layer 9 extends to the fourth annular protrusion 14. After matching the edges of the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 with the plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14, respectively, the dimensions of the first herme can be easily determined a sealing layer 7, a second sealing layer 7a, a phosphor layer 8 and an optical lens layer 9. In addition, by selecting the amount of material, respectively, for the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9, defined by the plurality of annular protrusions 11, 12, 13 and 14, the curvature of the upper surface of the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 can be easily determined.

[55] Структура герметизирующего слоя светодиодной группы 40 на фиг.7 может быть выполнена с помощью описанного выше способа изготовления светодиодной группы 30. Разница между светодиодными группами 40 и 30 заключается в том, что второй герметизирующий слой 7а формируется до формирования люминофорного слоя 8 над первым герметизирующим слоем 7. То есть первый герметизирующий слой 7 формируется первым с помощью описанного выше метода, а затем жидкий прозрачный полимер наносится на первый герметизирующий слой 7 для покрытия первого герметизирующего слоя 7. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер имеет меньший эффективный показатель преломления, чем у первого герметизирующего слоя 7. Например, добавкой для регулирования эффективного показателя преломления может быть силиконовая смола, которая является жидкостью. Жидкий прозрачный полимер на первом герметизирующем слое 7 заключается в пределах кольцевого выступа 12 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае кольцевого выступа 12 из-за поверхностного натяжения. Затем, после выполнения затвердевания жидкого прозрачного смоляного материала поверх первого герметизирующего слоя 7 с помощью высокой температуры или УФ-облучения, может быть образован второй герметизирующий слой 7а. Затем таким же образом, как описано выше, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 последовательно формируется на втором герметизирующем слое 7а. Тем не менее, материал люминофорного слоя 8 наносится таким образом, чтобы иметь границы внутри кольцевого выступа 13, и материал оптико-линзового слоя 9 таким образом, чтобы заключаться внутри кольцевого выступа 14.[55] The structure of the sealing layer of the LED group 40 in Fig. 7 can be made using the above-described method of manufacturing the LED group 30. The difference between the LED groups 40 and 30 is that the second sealing layer 7a is formed before the phosphor layer 8 is formed above the first the sealing layer 7. That is, the first sealing layer 7 is formed first using the method described above, and then a liquid transparent polymer is applied to the first sealing layer 7 to cover the first sealing layer on layer 7. For example, the liquid polymer can be a transparent silicone resin. The liquid transparent polymer has a lower effective refractive index than the first sealing layer 7. For example, the silicone resin, which is a liquid, can be an additive to control the effective refractive index. The liquid transparent polymer on the first sealing layer 7 is located within the annular protrusion 12 and has a convex outer surface in the sharp upper edge of the annular protrusion 12 due to surface tension. Then, after solidification of the liquid transparent resin material over the first sealing layer 7 by high temperature or UV irradiation, a second sealing layer 7a can be formed. Then, in the same manner as described above, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 are sequentially formed on the second sealing layer 7a. However, the material of the phosphor layer 8 is applied so as to have boundaries inside the annular protrusion 13, and the material of the optical-lens layer 9 so as to be contained inside the annular protrusion 14.

[56] Первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9, описанные выше, последовательно формируется с помощью жидкого материала, но некоторые из слоев также могут быть предварительно выполнены с использованием отдельных процессов.[56] The first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 described above are sequentially formed using a liquid material, but some of the layers can also be preliminarily performed using separate processes.

[57] Например, люминофорный слой 8 может быть выполнен заранее. В этом случае первый герметизирующий слой 7 формируется в отражающей чаше 10 для покрытия светодиодной матрицы 4. Затем жидкая прозрачная смола, используемая для формирования второго герметизирующего слоя 7а, используется для заполнения вогнутой внутренней части люминофорного слоя 8, предварительно изготовленной с вогнутой внутренней частью и выпуклой внешней частью. Затем люминофорный слой 8, в который добавлен прозрачный полимер, переворачивается и наносится на первый герметизирующий слой 7, а затем прозрачный полимер подвергается затвердеванию при помощи высокой температуры или УФ-облучения. Тогда второй герметизирующий слой 7а формируется между первым герметизирующим слоем 7 и люминофорным слоем 8, и люминофорный слой 8 может быть плотно закреплен на первом герметизирующем слое 7. Тогда, как описано выше, оптико-линзовый слой 9 может быть нанесен на люминофорный слой 8.[57] For example, the phosphor layer 8 may be performed in advance. In this case, the first sealing layer 7 is formed in the reflecting bowl 10 to cover the LED matrix 4. Then, the liquid transparent resin used to form the second sealing layer 7a is used to fill the concave inner part of the phosphor layer 8, prefabricated with a concave inner part and convex outer part. Then, the phosphor layer 8, into which the transparent polymer is added, is turned over and applied to the first sealing layer 7, and then the transparent polymer is solidified by high temperature or UV radiation. Then, the second sealing layer 7a is formed between the first sealing layer 7 and the phosphor layer 8, and the phosphor layer 8 can be tightly fixed to the first sealing layer 7. Then, as described above, the optical lens layer 9 can be applied to the phosphor layer 8.

[58] Кроме того, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут быть выполнены предварительно. В этом случае, готовый люминофорный слой 8 закрепляется на первом герметизирующем слое 7, как в описанном выше способе. Затем, оптико-линзовый слой 9, который является подготовленным заранее, может быть прикреплен к люминофорному слою 8. Кроме того, только оптико-линзовый слой 9 может быть выполнен предварительно. В этом случае первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, и люминофорный слой 8 формируются последовательно с использованием жидкого материала, а затем готовый оптико-линзовый слой 9 крепится на люминофорный слой 8.[58] In addition, the phosphor layer 8 and the optical lens layer 9 may be preformed. In this case, the finished phosphor layer 8 is fixed on the first sealing layer 7, as in the method described above. Then, the optical lens layer 9, which is prepared in advance, can be attached to the phosphor layer 8. In addition, only the optical lens layer 9 can be preformed. In this case, the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, and the phosphor layer 8 are formed sequentially using liquid material, and then the finished optical-lens layer 9 is attached to the phosphor layer 8.

[59] Для изготовления светодиодной группы белого света может быть использована многослойная структура герметизирующего слоя, включающая люминофорный слой 8, как описано выше. Тем не менее, при производстве цветной светодиодной группы, излучающей волны определенного света, светодиодная матрица 4, излучающая свет с данной длиной волны, может быть прикреплена к нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, и только один прозрачный герметизирующий слой может быть образован на светодиодной матрице 4. Например, как показано на фиг.8, один прозрачный полимер 18 может быть использован для заполнения одного из первого по четвертый кольцевых выступов с 11 по 14, а затем подвергнут затвердеванию, завершая тем самым цветную светодиодную выводную рамку 20.[59] For the manufacture of a white light-emitting diode group, a multilayer structure of a sealing layer including a phosphor layer 8 as described above can be used. However, in the production of a color LED group emitting waves of a certain light, the LED matrix 4 emitting light with a given wavelength can be attached to the bottom surface of the heat dissipating base 2, and only one transparent sealing layer can be formed on the LED matrix 4. For example, as shown in FIG. 8, one transparent polymer 18 can be used to fill one of the first to fourth annular protrusions 11 to 14, and then solidify, thereby completing the color light LED diode output frame 20.

[60] Хотя данное изобретение было конкретно показано и описано со ссылкой на свои типичные варианты, специалистам в данной области будет понятно, что в нем могут быть сделаны различные изменения в форме и деталях, не отходя от сути и объема изобретения, как это определено следующими пунктами.[60] Although the invention has been specifically shown and described with reference to its typical variations, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail can be made therein without departing from the spirit and scope of the invention, as defined by the following points.

Claims (24)

1. Комплект выводной рамки, содержащий: теплорассеивающую базу;
множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы; изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов, соединяя теплорассеивающую базу со множеством электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между по меньшей мере двумя кольцевыми выступами, причем каждый из по крайней мере двух кольцевых выступов содержит острый верхний край и наклонные боковые стороны.
1. A set of output frames, containing: heat dissipating base;
many electrodes located around the heat dissipating base; an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes, connecting the heat dissipation base to the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the circumferential perimeter on the upper surface of the insulating supporting part, and at least one annular groove formed between at least two annular protrusions, each of at least two annular protrusions containing a sharp upper edge and inclined the sides.
2. Комплект выводной рамки по п.1, в котором изоляционная поддерживающая часть состоит из полифтальамидного (РРА) пластика.2. The set of the output frame according to claim 1, in which the insulating support part consists of polyphthalamide (PPA) plastic. 3. Комплект выводной рамки по п.1, в котором множество электродов расположены так, что первая концевая часть электродов находится против стороны теплорассеивающей базы, а вторая концевая часть электродов выступает из внешней стороны изоляционной поддерживающей части.3. The lead frame kit according to claim 1, wherein the plurality of electrodes are arranged so that the first end portion of the electrodes is opposite the side of the heat dissipating base, and the second end portion of the electrodes protrudes from the outside of the insulating supporting part. 4. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база включает в себя отражающую чашу, причем нижняя поверхность отражающей чаши покрыта светоотражающим материалом.4. The set of the output frame according to claim 1, in which the heat-dissipating base includes a reflective bowl, and the lower surface of the reflective bowl is covered with reflective material. 5. Комплект выводной рамки по п.1, в котором теплорассеивающая база, множество электродов и изоляционная поддерживающая часть формируются как единое целое с помощью литья под давлением.5. The set of the output frame according to claim 1, in which the heat dissipating base, a plurality of electrodes and an insulating supporting part are formed as a whole using injection molding. 6. Комплект выводной рамки по п.1, в котором кольцевые выступы и кольцевая канавка сформированы на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части с помощью процесса литьевого формования.6. The lead frame kit according to claim 1, wherein the annular protrusions and the annular groove are formed on the upper surface of the insulating support portion by an injection molding process. 7. Светодиодная группа, содержащая комплект выводной рамки по любому из пп.1-6.7. LED group containing a set of output frames according to any one of claims 1 to 6. 8. Светодиодная группа по п.7, в которой светодиодная группа включает в себя: по крайней мере одну светодиодную матрицу, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы; множество проводов, электрически соединяющих, по крайней мере, одну светодиодную матрицу со множеством электродов; а также структуру герметизирующего слоя, которая формируется для покрытия светодиодной матрицы и содержит, по меньшей мере, один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность, причем по крайней мере один край слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.8. The LED group according to claim 7, in which the LED group includes: at least one LED matrix attached to the lower surface of the heat dissipating base; a plurality of wires electrically connecting at least one LED array with a plurality of electrodes; and also the structure of the sealing layer, which is formed to cover the LED matrix and contains at least one layer having a convex outer surface, and at least one edge of the layer of the structure of the sealing layer reaches the corresponding one of the at least two annular protrusions. 9. Светодиодная группа по п.8, в которой светодиодная матрица содержит по меньшей мере один элемент из группы, состоящей из УФ-светодиода, синего светодиода, зеленого светодиода и красного светодиода.9. The LED group of claim 8, in which the LED matrix contains at least one element from the group consisting of a UV LED, a blue LED, a green LED and a red LED. 10. Светодиодная группа по п.8, в которой структура герметизирующего слоя содержит, по меньшей мере, один прозрачный герметизирующий слой.10. The LED group of claim 8, in which the structure of the sealing layer contains at least one transparent sealing layer. 11. Светодиодная группа по п.8, в которой кривизна верхней поверхности по крайней мере одного слоя определяется путем корректировки количества материала, наносимого на по крайней мере один слой структуры герметизирующего слоя.11. The LED group of claim 8, in which the curvature of the upper surface of at least one layer is determined by adjusting the amount of material applied to at least one layer of the structure of the sealing layer. 12. Светодиодная группа по п.8, в которой структура герметизирующего слоя включает в себя: первый герметизирующий слой, который является прозрачным и формируется для непосредственного покрытия светодиодной матрицы; люминофорный слой, покрывающего первый герметизирующий слой, а также оптико-линзовый слой, покрывающий люминофорный слой.12. The LED group of claim 8, in which the structure of the sealing layer includes: a first sealing layer, which is transparent and is formed to directly cover the LED matrix; a phosphor layer covering the first sealing layer, as well as an optical lens layer covering the phosphor layer. 13. Светодиодная группа по п.12, в которой эффективный показатель преломления первого герметизирующего слоя меньше, чем эффективный показатель преломления люминофорного слоя в диапазоне длины волны видимого света.13. The LED group according to item 12, in which the effective refractive index of the first sealing layer is less than the effective refractive index of the phosphor layer in the wavelength range of visible light. 14. Светодиодная группа по п.12, в которой структура герметизирующего слоя дополнительно содержит второй герметизирующий слой, который является прозрачным и образован между первым герметизирующим слоем и люминофорным слоем.14. The LED group of claim 12, wherein the structure of the sealing layer further comprises a second sealing layer, which is transparent and is formed between the first sealing layer and the phosphor layer. 15. Светодиодная группа по п.14, в которой эффективный показатель преломления второго герметизирующего слоя меньше, чем эффективный показатель преломления первого герметизирующего слоя и эффективного показателя преломления люминофорного слоя в диапазоне длины волны видимого света.15. The LED group of claim 14, wherein the effective refractive index of the second sealing layer is less than the effective refractive index of the first sealing layer and the effective refractive index of the phosphor layer in the wavelength range of visible light. 16. Светодиодная группа по п.15, в которой люминофорный слой сформирован путем равномерного подмешивания люминофорного материала в стекло, поликарбонат (ПК), полиметилметакрилат (ПММА) или силиконовую смолу.16. The LED group of claim 15, wherein the phosphor layer is formed by uniformly mixing the phosphor material into glass, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or silicone resin. 17. Светодиодная группа по п.16, в которой люминофорный материал излучает видимый свет под действием ультрафиолетового света, синего света, или зеленого света.17. The LED group according to clause 16, in which the phosphor material emits visible light under the influence of ultraviolet light, blue light, or green light. 18. Светодиодная группа по п.17, в которой люминофорный материал содержит, по меньшей мере, один люминофорный материал, который излучает видимый свет различной длины волны, под действием ультрафиолетового света, синего света, или зеленого света.18. The LED group according to claim 17, wherein the phosphor material comprises at least one phosphor material that emits visible light of various wavelengths under the influence of ultraviolet light, blue light, or green light. 19. Способ изготовления светодиодной группы, включающий шаги:
берут комплект светодиодной рамки, содержащий: теплорассеивающую базу;
множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;
изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль периметра верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и, по крайней мере, одну кольцевую канавку, образованную между двумя из по меньшей мере двух кольцевых выступов;
присоединяют, по меньшей мере, одну светодиодную матрицу к нижней поверхности теплорассеивающей базы; электрически подсоединеняют светодиодную матрицу и множество электродов, а также формируют по крайней мере один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность, для покрытия светодиодной матрицы, где край по крайней мере одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.
19. A method of manufacturing an LED group, including the steps:
take a set of LED frames containing: heat dissipating base;
many electrodes located around the heat dissipating base;
an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the perimeter of the upper surface of the insulating supporting part, and at least one annular groove formed between two of at least two annular protrusions;
attaching at least one LED matrix to the lower surface of the heat dissipating base; electrically connect the LED matrix and a plurality of electrodes, and also form at least one layer having a convex outer surface to cover the LED matrix, where the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer reaches the corresponding one of the at least two annular protrusions.
20. Способ по п.19, в котором формирование структуры герметизирующего слоя включает в себя шаги:
наносят прозрачный жидкий полимер на теплорассеивающую базу для покрытия светодиодной матрицы; и
формируют первый герметизирующий слой, подвергая затвердеванию прозрачный жидкий полимер, в котором первый герметизирующий слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.
20. The method according to claim 19, in which the formation of the structure of the sealing layer includes the steps:
apply a transparent liquid polymer to a heat dissipating base to cover the LED matrix; and
forming the first sealing layer by solidifying a transparent liquid polymer in which the first sealing layer has a convex outer surface formed by surface tension in the sharp upper edge of the annular protrusion among the plurality of annular protrusions.
21. Способ по п.20, дополнительно включающий шаги:
наносят прозрачный жидкий полимер поверх первого герметизирующего слоя для покрытия первого герметизирующего слоя;
формируют второй герметизирующий слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер первого герметизирующего слоя;
наносят прозрачный жидкий полимер на второй герметизирующий слой для покрытия второго герметизирующего слоя, в котором люминофорный материал равномерно смешан с жидким прозрачным полимером;
формируют люминофорный слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер, к которому подмешан люминофорный материал;
наносят прозрачный жидкий полимер на люминофорный слой для покрытия люминофорного слоя; и формируют оптико-линзовый слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный смоляной материал на люминофорном слое.
21. The method according to claim 20, further comprising the steps of:
applying a transparent liquid polymer over the first sealing layer to cover the first sealing layer;
forming a second sealing layer by subjecting the liquid transparent polymer to the first sealing layer to solidify;
applying a transparent liquid polymer to a second sealing layer to cover the second sealing layer, in which the phosphor material is uniformly mixed with the liquid transparent polymer;
forming a phosphor layer, solidifying a liquid transparent polymer to which the phosphor material is mixed;
applying a transparent liquid polymer to the phosphor layer to coat the phosphor layer; and form an optical-lens layer, solidifying a liquid transparent resin material on the phosphor layer.
22. Способ по п.21, в котором второй герметизирующий слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае одного кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, люминофорный слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, и оптико-линзовый слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.22. The method according to item 21, in which the second sealing layer has a convex outer surface formed by surface tension in the sharp upper edge of one annular protrusion among the plurality of annular protrusions, the phosphor layer has a convex external surface formed by surface tension in the sharp upper edge of the other annular protrusion among the plurality of annular protrusions, and the optical lens layer has a convex outer surface formed by surface tension in the sharp upper edge of another annular protrusion among the many annular protrusions. 23. Способ по п.20, дополнительно включающий шаги: наносят прозрачный жидкий полимер, в который равномерно подмешан люминофорный материал, поверх первого герметизирующего слоя для покрытия первого герметизирующего слоя; формируют люминофорный слой путем подвергания затвердеванию жидкий прозрачный полимер, в который подмешан люминофорный материал; наносят прозрачный жидкий полимер на люминофорный слой для покрытия люминофорного слоя; и формируют оптико-линзовый слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер на люминофорном слое.23. The method according to claim 20, further comprising the steps of: applying a transparent liquid polymer, into which the phosphor material is uniformly mixed, over the first sealing layer to cover the first sealing layer; form the phosphor layer by subjecting the liquid to transparent polymer to solidification, into which the phosphor material is mixed; applying a transparent liquid polymer to the phosphor layer to coat the phosphor layer; and form an optical-lens layer, subjecting to solidification of a liquid transparent polymer on the phosphor layer. 24. Способ по п.23, в котором люминофорный слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов, и оптико-линзовый слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае другого кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов. 24. The method according to item 23, in which the phosphor layer has a convex outer surface formed by surface tension in the sharp upper edge of another annular protrusion among the many annular protrusions, and the optical lens layer has a convex external surface formed by surface tension in the sharp upper edge of the other an annular protrusion among a plurality of annular protrusions.
RU2011134604/28A 2009-03-10 2010-02-24 Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group RU2488195C2 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/381,409 2009-03-10
US12/381,408 US8058667B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 Leadframe package for light emitting diode device
US12/381,409 US8039862B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
US12/381,408 2009-03-10
PCT/KR2010/001134 WO2010104276A2 (en) 2009-03-10 2010-02-24 Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011134604A RU2011134604A (en) 2013-04-20
RU2488195C2 true RU2488195C2 (en) 2013-07-20

Family

ID=42728911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011134604/28A RU2488195C2 (en) 2009-03-10 2010-02-24 Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP2406835A4 (en)
JP (1) JP2012520565A (en)
KR (1) KR101111256B1 (en)
CN (1) CN102318091A (en)
AU (1) AU2010221920A1 (en)
RU (1) RU2488195C2 (en)
SG (1) SG173518A1 (en)
TW (1) TW201044646A (en)
WO (1) WO2010104276A2 (en)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130236A (en) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 Packaging method of LED (light-emitting diode) chip and packaging device
TW201238086A (en) * 2011-03-03 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Chip package structure
CN102185042A (en) * 2011-03-28 2011-09-14 北京大学深圳研究生院 Light-emitting diode (LED) packaging method, packaging device and light adjusting method and system
US9159886B2 (en) 2011-04-19 2015-10-13 Intellectual Discovery Co., Ltd. Lighting apparatus with a carrier layer
US8721097B2 (en) * 2011-05-19 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED lamp with improved light output
TWI418742B (en) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp Optical brightening led package
KR101148780B1 (en) * 2011-11-16 2012-05-24 김종율 A led package and a manufacturing method therefor
KR101287484B1 (en) * 2012-03-07 2013-07-19 삼성전자주식회사 Light emitting diode package
KR20130103080A (en) * 2012-03-09 2013-09-23 서울반도체 주식회사 Led illumination apparatus
KR20130110997A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 서울반도체 주식회사 Lens for light emitting diode and method for manufacturing the same
TWI489657B (en) * 2012-04-12 2015-06-21 Lextar Electronics Corp Light-emitting diode package
TWI474517B (en) * 2012-05-28 2015-02-21 Lextar Electronics Corp Illumination apparatus and manufacturing method thereof
KR101321101B1 (en) * 2012-06-01 2013-10-23 주식회사 코스텍시스 Substrate and semiconductor device package using the same
CN103515517B (en) * 2012-06-20 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 Light emitting diode module
CN103515502A (en) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 Light emitting diode device
KR101504309B1 (en) * 2013-08-27 2015-03-20 주식회사 루멘스 Light emitting device package and backlight unit having it
US9608177B2 (en) 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
KR102188500B1 (en) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 Light emitting diode package and lighting device using the same
JP6730017B2 (en) * 2014-11-10 2020-07-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting device package and lighting system including the same
KR20160149363A (en) * 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device
CN106784260A (en) * 2016-11-30 2017-05-31 深圳市聚飞光电股份有限公司 A kind of preparation method of direct LED backlight
KR102261288B1 (en) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 Light emitting diode package for automobile exterior
CN109585632B (en) * 2019-02-14 2019-07-30 旭宇光电(深圳)股份有限公司 High-power long-distance fluorescent powder type white light LEDs cooling encapsulation
JP7445120B2 (en) 2020-02-21 2024-03-07 日亜化学工業株式会社 light emitting device
CN112467010B (en) * 2020-11-13 2022-03-22 中山市聚明星电子有限公司 Diode packaging process and packaged diode
KR102338707B1 (en) * 2021-06-14 2021-12-13 주식회사 소룩스 Light source and Lighting device
KR102634521B1 (en) 2023-10-31 2024-02-07 장연식 Medicine injection system

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2231951C2 (en) * 2001-10-31 2004-07-10 Салдаев Александр Макарович Drop irrigation system
RU2267188C2 (en) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US20070045646A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-01 Low Tek B Surface mount optoelectronic component with lens
US7187010B2 (en) * 2003-03-27 2007-03-06 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US20070063321A1 (en) * 2003-05-28 2007-03-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
US20080012036A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Loh Ban P Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices
KR20080033496A (en) * 2005-08-04 2008-04-16 크리 인코포레이티드 Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same
US7361940B2 (en) * 2004-12-16 2008-04-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe and packaged light emitting diode
RU2007126821A (en) * 2004-12-16 2009-01-27 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. (Kr) OUTPUT FRAME WITH SUPPORTING HEAT REMOVAL RING, METHOD FOR MANUFACTURING THE CASE OF THE LIGHT-EMERGING DIODE WITH ITS USE AND THE CASE OF LIGHT-Emitting DIODEUMO, ILLUMINATED FROM IT

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4211359B2 (en) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP2005026400A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting device and fabricating process therefor
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20060012298A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED chip capping construction
KR100709890B1 (en) * 2004-09-10 2007-04-20 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package having multiple molding resins
KR100579397B1 (en) * 2004-12-16 2006-05-12 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package employing a heat sink having a direct connection to a lead frame
EP1840977A4 (en) * 2004-12-24 2009-07-29 Kyocera Corp Light-emitting device and illuminating device
KR101161384B1 (en) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 Led package mounting a led having an array of light emitting cells coupled in series
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd Led package having an array of light emitting cells coupled in series
CN100435361C (en) * 2005-05-31 2008-11-19 新灯源科技有限公司 Semiconductor luminous element packing structure
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
EP2120271A4 (en) * 2007-03-01 2015-03-25 Nec Lighting Ltd Led device and illuminating apparatus
JP4689637B2 (en) * 2007-03-23 2011-05-25 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2231951C2 (en) * 2001-10-31 2004-07-10 Салдаев Александр Макарович Drop irrigation system
US7187010B2 (en) * 2003-03-27 2007-03-06 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US20070063321A1 (en) * 2003-05-28 2007-03-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
RU2267188C2 (en) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring
US7361940B2 (en) * 2004-12-16 2008-04-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe and packaged light emitting diode
RU2007126821A (en) * 2004-12-16 2009-01-27 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. (Kr) OUTPUT FRAME WITH SUPPORTING HEAT REMOVAL RING, METHOD FOR MANUFACTURING THE CASE OF THE LIGHT-EMERGING DIODE WITH ITS USE AND THE CASE OF LIGHT-Emitting DIODEUMO, ILLUMINATED FROM IT
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
KR20080033496A (en) * 2005-08-04 2008-04-16 크리 인코포레이티드 Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same
US20070045646A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-01 Low Tek B Surface mount optoelectronic component with lens
US20080012036A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Loh Ban P Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
AU2010221920A1 (en) 2011-09-29
WO2010104276A2 (en) 2010-09-16
KR101111256B1 (en) 2012-02-22
CN102318091A (en) 2012-01-11
WO2010104276A3 (en) 2010-11-25
KR20100106297A (en) 2010-10-01
JP2012520565A (en) 2012-09-06
EP2406835A4 (en) 2013-09-18
EP2406835A2 (en) 2012-01-18
SG173518A1 (en) 2011-09-29
TW201044646A (en) 2010-12-16
RU2011134604A (en) 2013-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2488195C2 (en) Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group
US8039862B2 (en) White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
JP5318976B2 (en) Lamp cover and LED lamp using the same
JP5947478B2 (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
JP4744178B2 (en) Light emitting diode
JP3349109B2 (en) Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same
KR100648628B1 (en) Light emitting diode
CA2451808A1 (en) High power light emitting diode
KR20090031446A (en) Lighting device package
JP2007036251A (en) Led package with diffuser and method of manufacturing the same
KR20130104628A (en) Led illumination module
KR101575366B1 (en) Light emitting device package
JP2004128434A (en) Light emitter and lighting fixture
KR100585916B1 (en) Light emitting diode
JP5350947B2 (en) Light emitting diode
CN208460801U (en) A kind of luminescent device
CN110828642B (en) Light-emitting device and preparation method thereof
JP4221649B2 (en) Wavelength conversion element and manufacturing method thereof
KR100630226B1 (en) Three wavelength white light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101334315B1 (en) Light emitting diode lamp and method of fabricating the same
KR20130025753A (en) Light emitting device package, back light unit and display unit
JP4226338B2 (en) Light emitting diode and LED light
TWI459600B (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US20170211758A1 (en) Light source, luminaire, and method of manufacturing light source
TW200947748A (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE

Effective date: 20140121

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190225