RU2488195C2 - Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group - Google Patents
Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group Download PDFInfo
- Publication number
- RU2488195C2 RU2488195C2 RU2011134604/28A RU2011134604A RU2488195C2 RU 2488195 C2 RU2488195 C2 RU 2488195C2 RU 2011134604/28 A RU2011134604/28 A RU 2011134604/28A RU 2011134604 A RU2011134604 A RU 2011134604A RU 2488195 C2 RU2488195 C2 RU 2488195C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- led
- sealing layer
- phosphor
- led group
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 97
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 97
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 6
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 5
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 241000405147 Hermes Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
Область техникиTechnical field
[1] Настоящее изобретение относится к комплекту светодиодной (LED) выводной рамки, светодиодной группе, использующей светодиодную выводную рамку, и способу изготовления светодиодной группы, и, в частности, к комплекту светодиодной выводной рамки, который может быть легко изготовлен со сниженными затратами на производство, светодиодной группе, использующей комплект светодиодной выводной рамки, и способу изготовления светодиодной группы.[1] The present invention relates to a set of LED output frames, an LED group using an LED output frame, and a method for manufacturing an LED group, and in particular, to a set of LED output frame that can be easily manufactured with reduced manufacturing costs an LED group using the LED output frame kit, and a method for manufacturing the LED group.
Уровень техникиState of the art
[2] Светодиод (LED) является осветительным полупроводниковым устройством, имеющим различные преимущества, по сравнению с обычными осветительными устройствами. Например, светодиод имеет длительный срок службы, компактные размеры, малое энергопотребление и не приводит к загрязнению ртутью. Соответственно, светодиоды часто используются в качестве новых осветительных устройств вместо обычных осветительных устройств.[2] A light emitting diode (LED) is a semiconductor lighting device having various advantages over conventional lighting devices. For example, the LED has a long life, compact size, low power consumption and does not lead to mercury pollution. Accordingly, LEDs are often used as new lighting devices instead of conventional lighting devices.
[3] В целях повышения светоотдачи светодиодной группы, обычно используется структура в форме выпуклой линзы на внешнем оптическом слое светодиодной группы. В обычных светодиодных группах, структуру в форме выпуклой линзы изготавливают заранее, а затем монтируют на обычную светодиодную группу. Из-за этого дополнительного производства структуры в форме выпуклой линзы и процесса ее сборки, требуется дополнительный производственный процесс и монтажное устройство. Более того, при монтаже структуры в форме выпуклой линзы, изготовленной заранее, на обычную светодиодную группу, может образоваться нежелательный слой воздуха между структурой в форме выпуклой линзы и герметизирующим слоем, который уже выполнен на светодиодной группе. Кроме того, в соответствии с обычными технологиями, при формировании герметизирующего слоя на светодиодной матрице, для защиты светодиодной матрицы, трудно сформировать выпуклый изгиб на внешней поверхности герметизирующего слоя. Соответственно, производительность способа изготовления светодиодной группы в соответствии с обычными технологиями является относительно низкой, а себестоимость высокой.[3] In order to increase the light output of the LED group, a convex lens-like structure is usually used on the external optical layer of the LED group. In conventional LED groups, a convex lens-shaped structure is prefabricated and then mounted on a conventional LED group. Because of this additional production of the structure in the form of a convex lens and its assembly process, an additional manufacturing process and mounting device are required. Moreover, when mounting a structure in the form of a convex lens made in advance on a conventional LED group, an undesirable layer of air may form between the structure in the form of a convex lens and a sealing layer that is already made on the LED group. In addition, in accordance with conventional technologies, when forming a sealing layer on the LED matrix to protect the LED matrix, it is difficult to form a convex bend on the outer surface of the sealing layer. Accordingly, the productivity of the method of manufacturing the LED group in accordance with conventional technologies is relatively low, and the cost is high.
[4] В целях обеспечения белого светодиода для излучения белого света, на матрицу синего светодиода или ультрафиолетового (УФ) светодиода, как правило, непосредственно наносят люминофорный слой. Например, когда используют синюю светодиодную матрицу, света различной длины волны, генерируемые в люминофорном материале, могут быть смешаны друг с другом, или света с различной длиной волны могут быть смешаны с возбужденным синим светом, излучаемым синей светодиодной матрцей, таким образом, излучая белый свет. Однако, когда светодиодная матрица непостредственно покрыта люминофорным слоем, так как светодиодная матрица и люминофорный слой очень близки друг к другу, свет, излучаемый люминофорным материалом, переходит к светодиодной матрице и поглощается светодиодной матрицей.[4] In order to provide a white LED for emitting white light, a phosphor layer is typically directly applied to the matrix of a blue LED or an ultraviolet (UV) LED. For example, when a blue LED matrix is used, lights of different wavelengths generated in the phosphor material can be mixed with each other, or lights with different wavelengths can be mixed with the excited blue light emitted by the blue LED matrix, thereby emitting white light . However, when the LED matrix is directly coated with the phosphor layer, since the LED matrix and the phosphor layer are very close to each other, the light emitted by the phosphor material passes to the LED matrix and is absorbed by the LED matrix.
[5] Таким образом, было предложено поместить прозрачную вставку между светодиодной матрицей и люминофорным слоем, чтобы свет, излучаемый из люминофорного слоя, не падал на светодиодную матрицу или основу возле светодиодной матрицы, тем самым снижая вероятность поглощения света. Фиг.1 иллюстрирует пример вышеуказанной технологии, раскрытой в патенте США №5,959,316. Обратимся к фиг.1, светодиодная матрица 60 устанавлена на основе 62, и люминофорный слой 66 отделен от светодиодной матрицы 60 вставкой 64, покрывающей светодиодную матрицу 60. Кроме того, защитный слой 68 выполнен за пределами люминофорного слоя 66. Однако и в этой структуре свет, излучаемый люминофорным слоем 66, может падать обратно на светодиодную матрицу 60 и на основу 62 и, таким образом, поглощаться практически без помех.[5] Thus, it was proposed to place a transparent insert between the LED matrix and the phosphor layer so that the light emitted from the phosphor layer does not fall on the LED matrix or base near the LED matrix, thereby reducing the likelihood of light absorption. Figure 1 illustrates an example of the above technology disclosed in US patent No. 5,959,316. Referring to FIG. 1, the LED matrix 60 is mounted on the base 62, and the phosphor layer 66 is separated from the LED matrix 60 by an insert 64 covering the LED matrix 60. In addition, the protective layer 68 is formed outside of the phosphor layer 66. However, light is also in this structure emitted by the phosphor layer 66 may fall back onto the LED array 60 and onto the base 62 and thus be absorbed with little or no interference.
Описание изобретенияDescription of the invention
Техническая проблемаTechnical problem
[6] Настоящее изобретение предлагает выводную рамку для светодиодной (LED) группы и светодиодную группу, использующую данную рамку, которые могут быть легко изготовлены с низкими производственными затратами.[6] The present invention provides an output frame for an LED group and an LED group using this frame, which can be easily manufactured with low production costs.
Решение проблемыSolution
[7] Настоящее изобретение также обеспечивает светодиодную группу, в которой свет, исходящий из люминофорного материала, падает на светодиодную матрицу и там поглощается, снижая тем самым потери от поглощения света.[7] The present invention also provides an LED array in which light emanating from a phosphor material is incident on an LED array and is absorbed therein, thereby reducing losses from light absorption.
[8] Настоящее изобретение также предлагает способ изготовления светодиодной группы, при котором светодиодная группа легко изготавливается со сниженными затратами на производство.[8] The present invention also provides a method for manufacturing an LED group, wherein the LED group is easily manufactured with reduced manufacturing costs.
[9] По одному из аспектов настоящего изобретения, предлагается выводная рамка в комплекте, включающем:[9] In one aspect of the present invention, there is provided an output frame in a kit including:
[10] теплорассеивающую базу;[10] heat dissipating base;
[11] множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;[11] a plurality of electrodes located around a heat dissipating base;
[12] изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов;[12] an insulating support portion that surrounds the heat diffusion base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes;
[13] по крайней мере, два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного контура верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, а также[13] at least two annular protrusions formed along the circumferential contour of the upper surface of the insulating supporting part, and
[14] по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между, по меньшей мере, двумя кольцевыми выступами.[14] at least one annular groove formed between at least two annular protrusions.
[15] Согласно одному из аспектов настоящего изобретения, предложена светоизлучающая диодная (LED) группа, содержащая вышеупомянутый комплект выводной рамки.[15] According to one aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode (LED) group comprising the aforementioned lead frame kit.
[16] Например, светодиодная группа включает в себя:[16] For example, an LED group includes:
[17] по крайней мере, одну светодиодную матрицу, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы;[17] at least one LED matrix attached to the bottom surface of the heat dissipation base;
[18] множество проводов, электрически соединяющих, по крайней мере, одну светодиодную матрицу и множество электродов, а также[18] a plurality of wires electrically connecting at least one LED array and a plurality of electrodes, and
[19] структуру герметизирующего слоя, сформированную для покрытия светодиодной матрицы и включающую по крайней мере один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность,[19] the structure of the sealing layer formed to cover the LED matrix and comprising at least one layer having a convex outer surface,
[20] где край, по крайней мере, одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из, по меньшей мере, двух кольцевых выступов.[20] where the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer comes to the corresponding one of at least two annular protrusions.
[21] В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения, предлагается способ производства светодиодной группы, включающий шаги:[21] In accordance with another aspect of the present invention, a method for producing an LED group is provided, comprising the steps of:
[22] берут комплект выводной рамки в составе: теплорассеивающей базы; множества электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы; изоляционной поддерживающей части, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов; по крайней мере, двух кольцевых выступов, образованных вдоль окружного контура верхней поверхности изоляционной поддерживающей части; и, по крайней мере, одной кольцевой канавки, образованной между двумя из не менее двух кольцевых выступов,[22] take a set of output frames consisting of: a heat-dissipating base; a plurality of electrodes located around the heat dissipating base; an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the circumferential contour of the upper surface of the insulating supporting part; and at least one annular groove formed between two of at least two annular protrusions,
[23] присоединяют, по крайней мере, одну светодиодную матрицу к нижней поверхности теплорассеивающей базы; электрического соединения светодиодной матрицы и множества электродов, а также[23] attach at least one LED matrix to the bottom surface of the heat dissipation base; electrical connection of the LED matrix and many electrodes, as well as
[24] формируют, по крайней мере, один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность для покрытия светодиодной матрицы,[24] form at least one layer having a convex outer surface for coating the LED matrix,
[25] причем край, по крайней мере, одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.[25] and the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer reaches the corresponding one of the at least two annular protrusions.
Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings
[26] Вышеуказанные и другие особенности и преимущества настоящего изобретения станут более очевидными из более подробного описания их примерных вариантов со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:[26] The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from a more detailed description of their exemplary options with reference to the accompanying drawings, in which:
[27] Фиг.1 представляет собой поперечный разрез, иллюстрирующий пример белого светоизлучающего диода (LED) из уровня техники;[27] FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a prior art white light emitting diode (LED);
[28] Фиг.2 представляет собой аксонометрический вид структуры комплекта светодиодной выводной рамки, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[28] Figure 2 is a perspective view of the structure of a set of LED output frames, in accordance with an embodiment of the present invention;
[29] Фиг.3 представляет собой вид сверху, иллюстрирующий комплект светодиодной выводной рамки на фиг.2;[29] Figure 3 is a top view illustrating a set of LED output frames in figure 2;
[30] Фиг.4 представляет собой вид в аксонометрии, показывающий расположение теплорассеивающей базы и множества электродов комплекта светодиодной выводной рамки, показанного на фиг.2, без изоляционной поддерживающей части, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[30] FIG. 4 is a perspective view showing an arrangement of a heat dissipating base and a plurality of electrodes of the LED output frame set shown in FIG. 2 without an insulating supporting part, in accordance with an embodiment of the present invention;
[31] Фиг.5 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру комплекта светодиодной выводной рамки Фиг.2;[31] Figure 5 is a cross section illustrating the structure of a set of LED output frames of Figure 2;
[32] Фиг.6 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной группы, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;[32] FIG. 6 is a cross section illustrating a structure of an LED group according to an embodiment of the present invention;
[33] Фиг.7 показывает поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной выводной рамки, в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения;[33] FIG. 7 shows a cross section illustrating the structure of an LED output frame in accordance with another embodiment of the present invention;
[34] фиг.8 и 9 показывают поперечное сечение, схематически иллюстрирующее принцип способа изготовления светодиодной группы, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.[34] FIGS. 8 and 9 show a cross section schematically illustrating the principle of a method for manufacturing an LED group according to an embodiment of the present invention.
Лучший вариант осуществления изобретенияThe best embodiment of the invention
[35] Настоящее изобретение будет описано более подробно со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых показыны образцовые воплощения изобретения. Одинаковые ссылочные позиции на чертежах обозначают одинаковые элементы, а размеры элементов преувеличены для удобства и ясности описания.[35] The present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the invention are shown. The same reference numerals in the drawings indicate the same elements, and the dimensions of the elements are exaggerated for convenience and clarity of description.
[36] Фиг.2 представляет собой вид в аксонометрии структуры комплекта светодиодной выводной рамки 20 в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг.2, комплект светодиодной выводной рамки 20 включает теплорассеивающую базу 2, четыре электрода 1, расположенных вокруг теплорассеивающей базы 2, и изоляционную поддерживающую часть 3, которая окружает теплорассеивающую базу 2 и множество электродов 1 для соединения теплорассеивающей базы 2 и множества электродов 1. В данном варианте, светодиодная выводная рамка 20 включает четыре электрода 1, однако настоящее изобретение не ограничивается ими, и светодиодная выводная рамка 20 может включать один или более электродов 1. Изоляционная поддерживающая часть 3 может быть выполнена из пластикового изоляционного материала, такого как полифтальамид (РРА).[36] FIG. 2 is a perspective view of a structure of a set of
[37] Фиг.3 представляет собой вид сверху светодиодной выводной рамки 20 на фиг.2. Ссылаясь на Фиг.3, светодиодная выводная рамка 20 включает в себя четыре одинаковых металлических электрода 1, которые расположены в радиальном направлении. Четыре электрода 1 могут быть соответственно расположены под углом 90 градусов вокруг центральной оси теплорассеивающей базы 2 и выступать в радиальном направлении от центра оси теплорассеивающей базы 2. Фиг.4 представляет собой аксонометрический вид, схематически иллюстрирующий расположение теплорассеивающей базы 2 и четырех электродов 1, без изоляционной поддерживающей части 3. Обратимся к фиг.4, верхние поверхности четырех электродов 1 находятся на той же высоте, что и самая высокая точка теплорассеивающей базы 2. Кроме того, как показано на фиг. с 2 по 4, первая концевая часть электродов 1 может располагаться против боковой окружности теплорассеивающей базы 2, а вторая концевая часть электродов 1 может выступать из внешней стороны изоляционной поддерживающей части 3. Верхние поверхности электродов 1 могут быть покрыты, например, хорошо отражающими материалами, такими как серебро или алюминий,[37] FIG. 3 is a plan view of the
[38] Кроме того, ссылаясь на фиг.4, теплорассеивающая база 2 может иметь отражающую чашу 10, имеющую углубление. Нижняя поверхность отражающей чаши 10 может быть покрыта хорошо отражающими материалами, такими как серебро или алюминий. Верхняя поверхность отражающей чаши 10 находится в самой высокой точке теплорассеивающей базы 2. То есть верхняя поверхность отражающей чаши 10 может быть выполнена на той же высоте, что и верхняя поверхность электродов 1.[38] Furthermore, referring to FIG. 4, the
[39] Как показано на фиг.4, теплорассеивающая база 2 и множество электродов 1 фиксируются изоляционной поддерживающей частью 3, которая их окружает. Для этого электроды 1 теплорассеивающей базы 2 и изоляционная поддерживающая часть 3 могут быть выполнены как единое целое с помощью литья под давлением.[39] As shown in FIG. 4, the
[40] Фиг.5 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной выводной рамки 20 на фиг.2. Обратимся к фиг.5 и фиг.2, светодиодная выводная рамка 20 может дополнительно включать не менее двух кольцевых выступов, а именно кольцевые выступы 11, 12, 13 и 14, которые формируют вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3 и, по крайней мере, одну кольцевую канавку, а именно кольцевые канавки 15, 16 и 17, которые соответственно формируется между двумя кольцевыми выступами 11, 12, 13 и 14. Множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть выполнены концентрически на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3. Как показано на фиг.5, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 могут быть выполнены с острыми краями и наклонными боковыми сторонами.[40] FIG. 5 is a cross section illustrating the structure of the
[41] Множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть выполнены из того же пластика РРА, что и изоляционная поддерживающая часть 3, и могут быть частью изоляционной поддерживающей части 3. Например, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть образованы на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3 с помощью процесса литьевого формования. Кроме того, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17 могут быть образованы путем литья под давлением, при котором множество электродов 1, теплорассеивающая база 2 и изоляционная поддерживающая часть 3 формируются вместе. На фиг.5 выполнены четыре кольцевых выступа и три кольцевых канавки, но количество кольцевых выступов и кольцевых канавок может быть выбрано в соответствии с разными вариантами осуществления настоящего изобретения.[41] The plurality of
[42] Когда светодиодная выводная рамка 20 описанной выше структуры, в том числе с множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множеством кольцевых канавок 15, 16 и 17, используется в производстве светодиодной группы, легко сформировать герметизирующий слой, имеющий многослойную структуру. Фиг.6 представляет собой поперечное сечение, иллюстрирующее структуру светодиодной группы 30 светодиодной выводной рамки 20, в которой выводная рамка 20 используется в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Обратимся к фиг.6, светодиодная группа 30 включает светодиодную матрицу 4, прикрепленную к нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, множество проводов 6, электрически соединеняющих светодиодную матрицу 4 и электроды 1, герметизирующий слой 7, выполненный на отражающей чаше 10 теплорассеивающей базы 2, для покрытия светодиодной матрицы 4, люминофорного слоя 8, выполненного для покрытия герметизирующего слоя 7 и оптико-линзового слоя 9, выполненного для покрытия люминофорного слоя 8.[42] When the
[43] Светодиодная матрица 4 может быть закреплена на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, например, с помощью клеящего материала 5, то есть на нижней поверхности отражающей чаши 10 теплорассеивающей базы 2. Примерами клеящего материала для матрицы 5, могут быть паста серебра и припой. В данном варианте, светодиодная группа 30 включает в себя одну светодиодную матрицу 4, расположенную на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, однако настоящее изобретение этим не ограничивается, и светодиодная группа 30 может включать в себя множество светодиодных матриц 4, расположенных на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2. Например, по крайней мере, один элемент выбранный из группы, состоящей из УФ-светодиода, синего светодиода, зеленого светодиода и красного светодиода, может быть расположен на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2.[43] The
[44] Герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 составляют многослойную структуру герметизирующего слоя. Для эффективного светового потока, герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут иметь выпуклые наружные поверхности. Кроме того, для того, чтобы свет, излучаемый люминофорным слоем 8, не падал на светодиодную матрицу 4 и не поглощался светодиодной матрицей 4, эффективный показатель преломления герметизирующего слоя 7 может быть меньше, чем у люминофорного слоя 8 в диапазоне длины волны видимого света.[44] The
[45] Люминофорный слой 8 излучает видимый свет, под действием ультрафиолетового света, синего света или зеленого света. Для этого люминофорный слой 8 может быть выполнен из смеси, в которой прозрачный материал, такой как стекло, поликарбонат (ПК), полиметилметакрилат (ПММА), или силиконовая смола, равномерно смешивается с люминофорным материалом. Примеры люминофорного материала включают по крайней мере один тип люминофорного материала, который излучает видимый свет с различной длиной волны, под действием ультрафиолетового света, синего света или зеленого света. Например, люминофорный материал может быть хотя бы одним элементом из группы, состоящей из различных типов люминофорных материалов, излучающих видимый свет с различной длиной волны, такой как голубой, зеленый, желтый, оранжевый или красный свет. Зеленый, желтый, оранжевый и красный люминофорный материал может частично поглощать синий свет или, по крайней мере, зеленый свет, или полностью поглощать УФ-свет, и излучать световой спектр с длиной волны пика в зеленом, желтом, оранжевом и красном цветовых диапазонах длины волны. Кроме того, синий люминофорный материал может излучать световой спектр с длиной волны пика в голубой цветовой гамме, полностью поглощающий ультрафиолетовый свет.[45] The
[46] Светодиодная группа 30, излучающая белый свет, может быть выполнена с использованием люминофорного слоя 8. Например, когда светодиодная матрица 4 излучает голубой свет в диапазоне длины волны от 450 нм до 480 нм, люминофорный слой 8 может быть возбужден синим светом, излучая свет с длиной волны желтого пика. Затем желтый свет и остаточный синий свет смешиваются, образуя белый свет. Кроме того, люминофорный слой 8 может включать в себя различные виды люминофорных материалов, которые излучают свет с различной длиной волны, под действием света с длиной волны возбуждения, излучаемого светодиодной матрицей 4. В данном случае, белый свет излучается как свет с различной длиной волны и носит смешанный характер. Например, когда светодиодная матрица 4 излучает близкие к УФ лучи в диапазоне от 380 нм до 450 нм, люминофорный слой 8 может включать синий, зеленый и красный люминофорные материалы, которые излучают свет, соответственно, имеющий синий, зеленый и красный пик длины волны, под действием близких к УФ лучей. Тогда, как синий, зеленый и красный света смешиваются, образуется белый свет.[46] The
[47] В соответствии с действующим вариантом осуществления настоящего изобретения, размеры герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 и кривизну их верхних поверхностей можно легко регулировать с помощью множества кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14 и множества кольцевых канавок 15, 16 и 17. Как показано на фиг.6, край герметизирующего слоя 7 доходит до кольцевого выступа 11, край люминофорного слоя 8 доходит до кольцевого выступа 12, а край оптико-линзового слоя 9 доходит до кольцевого выступа 13. Поскольку края герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 определяются кольцевыми выступами 11, 12 и 13, соответственно, размеры герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 могут быть легко определены. Кроме того, путем изменения количества материала герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9, определенных соответствующими кольцевыми выступами 11, 12 и 13, могут быть легко определены кривизна верхней поверхности герметизирующего слоя 7, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9.[47] According to an embodiment of the present invention, the dimensions of the
[48] Здесь и далее, вышеописанный способ изготовления светодиодной группы 30 будет описан подробно. Во-первых, комплект светодиодной выводной рамки 20, в том числе теплорассеивающая база 2, множество электродов 1, расположенных вокруг теплорассеивающей базы 2, изоляционная поддерживающая часть 3, которая окружает теплорассеивающую базу 2 со множеством электродов 1, закрепляющих таковую, множество кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, выполненных на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части 3, и множество кольцевых канавок 15, 16 и 17, соответственно, выполненных между двумя из множества кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, изготавливают с использованием, например, процесса литья под давлением. Тогда, по крайней мере, одна светодиодная матрица 4 крепится на нижней поверхности теплорассеивающей базы 2 с помощью матричного клеящего материала 5, а светодиодная матрица 4 и множество электродов 1 электрически соединяются друг с другом через множество проводов 6.[48] Hereinafter, the above-described method for manufacturing the
[49] Далее, жидкий прозрачный полимер используется для заполнения отражающей чаши 10 теплорассеивающей базы 2 для покрытия светодиодной матрицы 4. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер может быть предоставлен в достаточном количестве, будучи определяемым кольцевым выступом 11. Затем наружная поверхность жидкого прозрачного полимера образуется выпуклой формы из-за поверхностного натяжения в верхнем остром крае кольцевого выступа 11. Например, как показано на фиг.8, когда прозрачный полимер 18 предоставлен в достаточном количестве в пределах кольцевого выступа 11, в результате поверхностного натяжения образуется выпуклая внешняя поверхность. Кривизна выпуклой внешней поверхности может быть определена количеством прозрачного полимера 18. Даже если используется слишком много прозрачного полимера 18 и, таким образом, прозрачный полимер 18 переполняет кольцевой выступ 11, прозрачный полимер 18 может быть вновь определен в пределах кольцевого выступа 12, как показано на фиг.9. Когда внешняя поверхность прозрачного полимера достигает желаемой кривизны таким образом, жидкий прозрачный полимер 18 подвергается затвердеванию с помощью нагревания или облучения УФ-лучами, тем самым образуя герметизирующий слой 7. Соответственно, размер и кривизна герметизирующего слоя 7 могут быть легко определены.[49] Further, a liquid transparent polymer is used to fill the
[50] Затем, другой жидкий прозрачный полимер, с которым равномерно смешивается люминофорный материал, формируется над герметизирующим слоем 7 для покрытия герметизирующего слоя 7. Например, смесь, в которой жидкая силиконовая смола и люминофорный материал равномерно смешаны, может быть сформирована над герметизирующим слоем 7. Смесь ограничивается кольцевым выступом 12 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае кольцевого выступа 12 из-за поверхностного натяжения. После того, как внешняя поверхность смеси достигает желаемой кривизны, жидкая смесь подвергается затвердеванию нагреванием или облучению УФ-лучами, тем самым образуя люминофорный слой 8.[50] Then, another liquid transparent polymer with which the phosphor material is uniformly mixed is formed over the
[51] Наконец, еще один жидкий прозрачный полимер формируется над люминофорным слоем 8 для покрытия люминофорного слоя 8. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер поверх люминофорного слоя 8 ограничивается третьим кольцевым выступом 13 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае третьего кольцевого выступа 13 из-за поверхностного натяжения. Затем жидкий прозрачный полимер, поверх люминофорного слоя 8, подвергается затвердеванию в форме оптико-линзового слоя 9. Таким образом, могут быть выполнены герметизирующий слой 7, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 желаемых размеров и желаемой внешней кривизны поверхности.[51] Finally, another liquid transparent polymer is formed over the
[52] Фиг.7 показывает поперечное сечение, иллюстрирующие структуру светодиодной выводной рамки 40, согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения. В отличие от светодиодной группы 30 на фиг.6, светодиодная группа 40 на фиг.7 включает в себя два герметизирующих слоя, а именно первый и второй герметизирующие слои 7 и 7а, под люминофорным слоем 8. То есть второй герметизирующий слой 7а, который будет являться прозрачным, образуется между люминофорным слоем 8 и первым герметизирующим слоем 7. Остальные элементы структуры светодиодной группы 40 на фиг.7 такие же, как у светодиодной группы 30 на фиг.6. Таким образом, описание остальных элементов структуры светодиодной группы 40 будет опущено.[52] FIG. 7 shows a cross section illustrating the structure of an
[53] На фиг.7, первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 вместе образуют многослойную структуру герметизирующего слоя. Для эффективного светового потока, первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут иметь выпуклые наружные поверхности. Кроме того, для того, чтобы свет излучаемый люминофорным слоем 8 не падал на светодиодную матрицу 4 и не поглощался светодиодной матрицей 4, эффективный показатель преломления второго герметизирующего слоя 7а меньше, чем у люминофорного слоя 8 в диапазоне длины волны видимого света, а также меньше, чем у первого герметизирующего слоя 7.[53] In FIG. 7, the
[54] Как показано на фиг.7, край первого герметизирующего слоя 7 доходит до кольцевого выступа 11, край второго герметизирующего слоя 7а доходит до кольцевого выступа 12, край люминофорного слоя 8 доходит до кольцевого выступа 13, а край оптико-линзового слоя 9 доходит до четвертого кольцевого выступа 14. После сопоставления краев первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9 с множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, соответственно, могут быть легко определены размеры первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9. Кроме того, путем подбора количества материала, соответственно, для первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9, определяемых множеством кольцевых выступов 11, 12, 13 и 14, может быть легко определена кривизна верхней поверхности первого герметизирующего слоя 7, второго герметизирующего слоя 7а, люминофорного слоя 8 и оптико-линзового слоя 9.[54] As shown in FIG. 7, the edge of the
[55] Структура герметизирующего слоя светодиодной группы 40 на фиг.7 может быть выполнена с помощью описанного выше способа изготовления светодиодной группы 30. Разница между светодиодными группами 40 и 30 заключается в том, что второй герметизирующий слой 7а формируется до формирования люминофорного слоя 8 над первым герметизирующим слоем 7. То есть первый герметизирующий слой 7 формируется первым с помощью описанного выше метода, а затем жидкий прозрачный полимер наносится на первый герметизирующий слой 7 для покрытия первого герметизирующего слоя 7. Например, жидкий прозрачный полимер может быть силиконовой смолой. Жидкий прозрачный полимер имеет меньший эффективный показатель преломления, чем у первого герметизирующего слоя 7. Например, добавкой для регулирования эффективного показателя преломления может быть силиконовая смола, которая является жидкостью. Жидкий прозрачный полимер на первом герметизирующем слое 7 заключается в пределах кольцевого выступа 12 и имеет выпуклую внешнюю поверхность в остром верхнем крае кольцевого выступа 12 из-за поверхностного натяжения. Затем, после выполнения затвердевания жидкого прозрачного смоляного материала поверх первого герметизирующего слоя 7 с помощью высокой температуры или УФ-облучения, может быть образован второй герметизирующий слой 7а. Затем таким же образом, как описано выше, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 последовательно формируется на втором герметизирующем слое 7а. Тем не менее, материал люминофорного слоя 8 наносится таким образом, чтобы иметь границы внутри кольцевого выступа 13, и материал оптико-линзового слоя 9 таким образом, чтобы заключаться внутри кольцевого выступа 14.[55] The structure of the sealing layer of the
[56] Первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9, описанные выше, последовательно формируется с помощью жидкого материала, но некоторые из слоев также могут быть предварительно выполнены с использованием отдельных процессов.[56] The
[57] Например, люминофорный слой 8 может быть выполнен заранее. В этом случае первый герметизирующий слой 7 формируется в отражающей чаше 10 для покрытия светодиодной матрицы 4. Затем жидкая прозрачная смола, используемая для формирования второго герметизирующего слоя 7а, используется для заполнения вогнутой внутренней части люминофорного слоя 8, предварительно изготовленной с вогнутой внутренней частью и выпуклой внешней частью. Затем люминофорный слой 8, в который добавлен прозрачный полимер, переворачивается и наносится на первый герметизирующий слой 7, а затем прозрачный полимер подвергается затвердеванию при помощи высокой температуры или УФ-облучения. Тогда второй герметизирующий слой 7а формируется между первым герметизирующим слоем 7 и люминофорным слоем 8, и люминофорный слой 8 может быть плотно закреплен на первом герметизирующем слое 7. Тогда, как описано выше, оптико-линзовый слой 9 может быть нанесен на люминофорный слой 8.[57] For example, the
[58] Кроме того, люминофорный слой 8 и оптико-линзовый слой 9 могут быть выполнены предварительно. В этом случае, готовый люминофорный слой 8 закрепляется на первом герметизирующем слое 7, как в описанном выше способе. Затем, оптико-линзовый слой 9, который является подготовленным заранее, может быть прикреплен к люминофорному слою 8. Кроме того, только оптико-линзовый слой 9 может быть выполнен предварительно. В этом случае первый герметизирующий слой 7, второй герметизирующий слой 7а, и люминофорный слой 8 формируются последовательно с использованием жидкого материала, а затем готовый оптико-линзовый слой 9 крепится на люминофорный слой 8.[58] In addition, the
[59] Для изготовления светодиодной группы белого света может быть использована многослойная структура герметизирующего слоя, включающая люминофорный слой 8, как описано выше. Тем не менее, при производстве цветной светодиодной группы, излучающей волны определенного света, светодиодная матрица 4, излучающая свет с данной длиной волны, может быть прикреплена к нижней поверхности теплорассеивающей базы 2, и только один прозрачный герметизирующий слой может быть образован на светодиодной матрице 4. Например, как показано на фиг.8, один прозрачный полимер 18 может быть использован для заполнения одного из первого по четвертый кольцевых выступов с 11 по 14, а затем подвергнут затвердеванию, завершая тем самым цветную светодиодную выводную рамку 20.[59] For the manufacture of a white light-emitting diode group, a multilayer structure of a sealing layer including a
[60] Хотя данное изобретение было конкретно показано и описано со ссылкой на свои типичные варианты, специалистам в данной области будет понятно, что в нем могут быть сделаны различные изменения в форме и деталях, не отходя от сути и объема изобретения, как это определено следующими пунктами.[60] Although the invention has been specifically shown and described with reference to its typical variations, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail can be made therein without departing from the spirit and scope of the invention, as defined by the following points.
Claims (24)
множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы; изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов, соединяя теплорассеивающую базу со множеством электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль окружного периметра на верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и по крайней мере одну кольцевую канавку, образованную между по меньшей мере двумя кольцевыми выступами, причем каждый из по крайней мере двух кольцевых выступов содержит острый верхний край и наклонные боковые стороны.1. A set of output frames, containing: heat dissipating base;
many electrodes located around the heat dissipating base; an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes, connecting the heat dissipation base to the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the circumferential perimeter on the upper surface of the insulating supporting part, and at least one annular groove formed between at least two annular protrusions, each of at least two annular protrusions containing a sharp upper edge and inclined the sides.
берут комплект светодиодной рамки, содержащий: теплорассеивающую базу;
множество электродов, расположенных вокруг теплорассеивающей базы;
изоляционную поддерживающую часть, которая окружает теплорассеивающую базу и множество электродов для соединения теплорассеивающей базы и множества электродов; по крайней мере два кольцевых выступа, образованных вдоль периметра верхней поверхности изоляционной поддерживающей части, и, по крайней мере, одну кольцевую канавку, образованную между двумя из по меньшей мере двух кольцевых выступов;
присоединяют, по меньшей мере, одну светодиодную матрицу к нижней поверхности теплорассеивающей базы; электрически подсоединеняют светодиодную матрицу и множество электродов, а также формируют по крайней мере один слой, имеющий выпуклую внешнюю поверхность, для покрытия светодиодной матрицы, где край по крайней мере одного слоя структуры герметизирующего слоя доходит до соответствующего одного из по меньшей мере двух кольцевых выступов.19. A method of manufacturing an LED group, including the steps:
take a set of LED frames containing: heat dissipating base;
many electrodes located around the heat dissipating base;
an insulating support portion that surrounds the heat dissipation base and the plurality of electrodes for connecting the heat dissipation base and the plurality of electrodes; at least two annular protrusions formed along the perimeter of the upper surface of the insulating supporting part, and at least one annular groove formed between two of at least two annular protrusions;
attaching at least one LED matrix to the lower surface of the heat dissipating base; electrically connect the LED matrix and a plurality of electrodes, and also form at least one layer having a convex outer surface to cover the LED matrix, where the edge of at least one layer of the structure of the sealing layer reaches the corresponding one of the at least two annular protrusions.
наносят прозрачный жидкий полимер на теплорассеивающую базу для покрытия светодиодной матрицы; и
формируют первый герметизирующий слой, подвергая затвердеванию прозрачный жидкий полимер, в котором первый герметизирующий слой имеет выпуклую внешнюю поверхность, образованную поверхностным натяжением в остром верхнем крае кольцевого выступа среди множества кольцевых выступов.20. The method according to claim 19, in which the formation of the structure of the sealing layer includes the steps:
apply a transparent liquid polymer to a heat dissipating base to cover the LED matrix; and
forming the first sealing layer by solidifying a transparent liquid polymer in which the first sealing layer has a convex outer surface formed by surface tension in the sharp upper edge of the annular protrusion among the plurality of annular protrusions.
наносят прозрачный жидкий полимер поверх первого герметизирующего слоя для покрытия первого герметизирующего слоя;
формируют второй герметизирующий слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер первого герметизирующего слоя;
наносят прозрачный жидкий полимер на второй герметизирующий слой для покрытия второго герметизирующего слоя, в котором люминофорный материал равномерно смешан с жидким прозрачным полимером;
формируют люминофорный слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный полимер, к которому подмешан люминофорный материал;
наносят прозрачный жидкий полимер на люминофорный слой для покрытия люминофорного слоя; и формируют оптико-линзовый слой, подвергая затвердеванию жидкий прозрачный смоляной материал на люминофорном слое.21. The method according to claim 20, further comprising the steps of:
applying a transparent liquid polymer over the first sealing layer to cover the first sealing layer;
forming a second sealing layer by subjecting the liquid transparent polymer to the first sealing layer to solidify;
applying a transparent liquid polymer to a second sealing layer to cover the second sealing layer, in which the phosphor material is uniformly mixed with the liquid transparent polymer;
forming a phosphor layer, solidifying a liquid transparent polymer to which the phosphor material is mixed;
applying a transparent liquid polymer to the phosphor layer to coat the phosphor layer; and form an optical-lens layer, solidifying a liquid transparent resin material on the phosphor layer.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/381,409 | 2009-03-10 | ||
US12/381,408 US8058667B2 (en) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | Leadframe package for light emitting diode device |
US12/381,409 US8039862B2 (en) | 2009-03-10 | 2009-03-10 | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same |
US12/381,408 | 2009-03-10 | ||
PCT/KR2010/001134 WO2010104276A2 (en) | 2009-03-10 | 2010-02-24 | Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011134604A RU2011134604A (en) | 2013-04-20 |
RU2488195C2 true RU2488195C2 (en) | 2013-07-20 |
Family
ID=42728911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011134604/28A RU2488195C2 (en) | 2009-03-10 | 2010-02-24 | Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2406835A4 (en) |
JP (1) | JP2012520565A (en) |
KR (1) | KR101111256B1 (en) |
CN (1) | CN102318091A (en) |
AU (1) | AU2010221920A1 (en) |
RU (1) | RU2488195C2 (en) |
SG (1) | SG173518A1 (en) |
TW (1) | TW201044646A (en) |
WO (1) | WO2010104276A2 (en) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102130236A (en) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 北京大学深圳研究生院 | Packaging method of LED (light-emitting diode) chip and packaging device |
TW201238086A (en) * | 2011-03-03 | 2012-09-16 | Lextar Electronics Corp | Chip package structure |
CN102185042A (en) * | 2011-03-28 | 2011-09-14 | 北京大学深圳研究生院 | Light-emitting diode (LED) packaging method, packaging device and light adjusting method and system |
US9159886B2 (en) | 2011-04-19 | 2015-10-13 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Lighting apparatus with a carrier layer |
US8721097B2 (en) * | 2011-05-19 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | LED lamp with improved light output |
TWI418742B (en) * | 2011-06-30 | 2013-12-11 | Lextar Electronics Corp | Optical brightening led package |
KR101148780B1 (en) * | 2011-11-16 | 2012-05-24 | 김종율 | A led package and a manufacturing method therefor |
KR101287484B1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-07-19 | 삼성전자주식회사 | Light emitting diode package |
KR20130103080A (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-23 | 서울반도체 주식회사 | Led illumination apparatus |
KR20130110997A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 서울반도체 주식회사 | Lens for light emitting diode and method for manufacturing the same |
TWI489657B (en) * | 2012-04-12 | 2015-06-21 | Lextar Electronics Corp | Light-emitting diode package |
TWI474517B (en) * | 2012-05-28 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | Illumination apparatus and manufacturing method thereof |
KR101321101B1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-23 | 주식회사 코스텍시스 | Substrate and semiconductor device package using the same |
CN103515517B (en) * | 2012-06-20 | 2016-03-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light emitting diode module |
CN103515502A (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light emitting diode device |
KR101504309B1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-20 | 주식회사 루멘스 | Light emitting device package and backlight unit having it |
US9608177B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-03-28 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting device package and backlight unit having the same |
KR102188500B1 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | Light emitting diode package and lighting device using the same |
JP6730017B2 (en) * | 2014-11-10 | 2020-07-29 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Light emitting device package and lighting system including the same |
KR20160149363A (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor light emitting device |
CN106784260A (en) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | A kind of preparation method of direct LED backlight |
KR102261288B1 (en) * | 2017-03-14 | 2021-06-04 | 현대자동차 주식회사 | Light emitting diode package for automobile exterior |
CN109585632B (en) * | 2019-02-14 | 2019-07-30 | 旭宇光电(深圳)股份有限公司 | High-power long-distance fluorescent powder type white light LEDs cooling encapsulation |
JP7445120B2 (en) | 2020-02-21 | 2024-03-07 | 日亜化学工業株式会社 | light emitting device |
CN112467010B (en) * | 2020-11-13 | 2022-03-22 | 中山市聚明星电子有限公司 | Diode packaging process and packaged diode |
KR102338707B1 (en) * | 2021-06-14 | 2021-12-13 | 주식회사 소룩스 | Light source and Lighting device |
KR102634521B1 (en) | 2023-10-31 | 2024-02-07 | 장연식 | Medicine injection system |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2231951C2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-07-10 | Салдаев Александр Макарович | Drop irrigation system |
RU2267188C2 (en) * | 2003-06-23 | 2005-12-27 | Федорова Галина Владимировна | Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring |
US20070001182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Structured phosphor tape article |
US20070045646A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-01 | Low Tek B | Surface mount optoelectronic component with lens |
US7187010B2 (en) * | 2003-03-27 | 2007-03-06 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US20070063321A1 (en) * | 2003-05-28 | 2007-03-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
US20080012036A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Loh Ban P | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
KR20080033496A (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-16 | 크리 인코포레이티드 | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same |
US7361940B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe and packaged light emitting diode |
RU2007126821A (en) * | 2004-12-16 | 2009-01-27 | Сеул Семикондактор Ко., Лтд. (Kr) | OUTPUT FRAME WITH SUPPORTING HEAT REMOVAL RING, METHOD FOR MANUFACTURING THE CASE OF THE LIGHT-EMERGING DIODE WITH ITS USE AND THE CASE OF LIGHT-Emitting DIODEUMO, ILLUMINATED FROM IT |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4211359B2 (en) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2005026400A (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and fabricating process therefor |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US20060012298A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. | LED chip capping construction |
KR100709890B1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-04-20 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package having multiple molding resins |
KR100579397B1 (en) * | 2004-12-16 | 2006-05-12 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package employing a heat sink having a direct connection to a lead frame |
EP1840977A4 (en) * | 2004-12-24 | 2009-07-29 | Kyocera Corp | Light-emitting device and illuminating device |
KR101161384B1 (en) * | 2005-03-29 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | Led package mounting a led having an array of light emitting cells coupled in series |
EP1864339A4 (en) * | 2005-03-11 | 2010-12-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | Led package having an array of light emitting cells coupled in series |
CN100435361C (en) * | 2005-05-31 | 2008-11-19 | 新灯源科技有限公司 | Semiconductor luminous element packing structure |
US20080029775A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Lustrous Technology Ltd. | Light emitting diode package with positioning groove |
EP2120271A4 (en) * | 2007-03-01 | 2015-03-25 | Nec Lighting Ltd | Led device and illuminating apparatus |
JP4689637B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | Semiconductor light emitting device |
-
2010
- 2010-02-24 CN CN2010800077963A patent/CN102318091A/en active Pending
- 2010-02-24 SG SG2011055852A patent/SG173518A1/en unknown
- 2010-02-24 KR KR1020107005556A patent/KR101111256B1/en not_active IP Right Cessation
- 2010-02-24 JP JP2011553937A patent/JP2012520565A/en active Pending
- 2010-02-24 AU AU2010221920A patent/AU2010221920A1/en not_active Abandoned
- 2010-02-24 EP EP10750967.1A patent/EP2406835A4/en not_active Withdrawn
- 2010-02-24 RU RU2011134604/28A patent/RU2488195C2/en not_active IP Right Cessation
- 2010-02-24 WO PCT/KR2010/001134 patent/WO2010104276A2/en active Application Filing
- 2010-03-04 TW TW99106287A patent/TW201044646A/en unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2231951C2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-07-10 | Салдаев Александр Макарович | Drop irrigation system |
US7187010B2 (en) * | 2003-03-27 | 2007-03-06 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US20070063321A1 (en) * | 2003-05-28 | 2007-03-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
RU2267188C2 (en) * | 2003-06-23 | 2005-12-27 | Федорова Галина Владимировна | Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring |
US7361940B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe and packaged light emitting diode |
RU2007126821A (en) * | 2004-12-16 | 2009-01-27 | Сеул Семикондактор Ко., Лтд. (Kr) | OUTPUT FRAME WITH SUPPORTING HEAT REMOVAL RING, METHOD FOR MANUFACTURING THE CASE OF THE LIGHT-EMERGING DIODE WITH ITS USE AND THE CASE OF LIGHT-Emitting DIODEUMO, ILLUMINATED FROM IT |
US20070001182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | 3M Innovative Properties Company | Structured phosphor tape article |
KR20080033496A (en) * | 2005-08-04 | 2008-04-16 | 크리 인코포레이티드 | Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same |
US20070045646A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-01 | Low Tek B | Surface mount optoelectronic component with lens |
US20080012036A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Loh Ban P | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2010221920A1 (en) | 2011-09-29 |
WO2010104276A2 (en) | 2010-09-16 |
KR101111256B1 (en) | 2012-02-22 |
CN102318091A (en) | 2012-01-11 |
WO2010104276A3 (en) | 2010-11-25 |
KR20100106297A (en) | 2010-10-01 |
JP2012520565A (en) | 2012-09-06 |
EP2406835A4 (en) | 2013-09-18 |
EP2406835A2 (en) | 2012-01-18 |
SG173518A1 (en) | 2011-09-29 |
TW201044646A (en) | 2010-12-16 |
RU2011134604A (en) | 2013-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2488195C2 (en) | Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group | |
US8039862B2 (en) | White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same | |
JP5318976B2 (en) | Lamp cover and LED lamp using the same | |
JP5947478B2 (en) | Light emitting diode and manufacturing method thereof | |
JP4744178B2 (en) | Light emitting diode | |
JP3349109B2 (en) | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same | |
KR100648628B1 (en) | Light emitting diode | |
CA2451808A1 (en) | High power light emitting diode | |
KR20090031446A (en) | Lighting device package | |
JP2007036251A (en) | Led package with diffuser and method of manufacturing the same | |
KR20130104628A (en) | Led illumination module | |
KR101575366B1 (en) | Light emitting device package | |
JP2004128434A (en) | Light emitter and lighting fixture | |
KR100585916B1 (en) | Light emitting diode | |
JP5350947B2 (en) | Light emitting diode | |
CN208460801U (en) | A kind of luminescent device | |
CN110828642B (en) | Light-emitting device and preparation method thereof | |
JP4221649B2 (en) | Wavelength conversion element and manufacturing method thereof | |
KR100630226B1 (en) | Three wavelength white light emitting diode and method for manufacturing the same | |
KR101334315B1 (en) | Light emitting diode lamp and method of fabricating the same | |
KR20130025753A (en) | Light emitting device package, back light unit and display unit | |
JP4226338B2 (en) | Light emitting diode and LED light | |
TWI459600B (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
US20170211758A1 (en) | Light source, luminaire, and method of manufacturing light source | |
TW200947748A (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20140121 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190225 |