KR20130025753A - Light emitting device package, back light unit and display unit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package, a backlight unit, and an image display device are provided to improve reliability by increasing adhesion between a lens and a reflection layer by using an interface combining layer. CONSTITUTION: An electrode layer includes a first electrode layer and a second electrode layer which are separated. A concave part is formed in a part of the first electrode layer. A light emitting device(250) is arranged in the concave part of the first electrode layer. A reflection layer is formed on the electrode layer. A resin layer(270) includes fluorescent substances and is formed on a light emitting device of the concave part of the first electrode layer. A lens(280) is formed on the resin layer and the reflection layer. An interface combining layer is arranged on one side of the electrode layer and is contacted with a part of the lens. An insulation film pattern(210) is arranged on the other side of the electrode layer.

Description

발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, BACK LIGHT UNIT AND DISPLAY UNIT}Light emitting device package, backlight unit and image display device {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, BACK LIGHT UNIT AND DISPLAY UNIT}

실시예는 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device.

발광소자(LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장(색)의 빛을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 빛을 구현할 수 있다.A light emitting device (LED) is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. By controlling the composition of a compound semiconductor, a light emitting device (LED) can realize light of various wavelengths (colors) such as red, green, blue, and ultraviolet rays. By combining this, white light with high efficiency can be realized.

발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용범위가 확대되고 있다.The light emitting device has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifespan, fast response speed, safety and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps. Therefore, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) that constitutes a backlight of a liquid crystal display (LCD) display, a white light emitting diode lighting device that can replace a fluorescent lamp or an incandescent bulb, and an automobile headlight. And the application range is extended to the traffic light.

종래기술에 의한 발광소자 패키지는 패키지 바디 상에 발광소자 칩이 실장되고, 상기 패키지 바디 상에 전극층이 형성되어 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광소자 칩 상에는 형광체를 포함하는 수지층 및 상기 수지층 상에 소정의 렌즈 형태의 몰딩부가 형성된다.In the light emitting device package according to the related art, a light emitting device chip is mounted on a package body, and an electrode layer is formed on the package body to be electrically connected to the light emitting device chip. In addition, a resin layer including a phosphor and a molding part having a predetermined lens shape are formed on the light emitting device chip.

그런데, 종래기술에 의한 발광소자 패키지는 고온고습 동작시 신뢰성에 문제가 지적된다.By the way, the light emitting device package according to the prior art has a problem in reliability during high temperature and high humidity operation.

예를 들어, 종래기술에 의하면 렌즈 몰딩부와 전극층 사이의 기본적인 접착력의 약화로 인해 측면부위가 습기 유입에 취약하여 기밀성(Sealing quality)이 문제되고, 금속층 또는 발광소자 칩의 다이 접착제(Die Adhesive)까지 습기침투가 발생되어 금속층이 변색하여 광효율이 저하되고, 다이 접착제의 변색으로 인해 광효율이 저하되는 문제가 있다.For example, according to the prior art, the side portion is vulnerable to moisture inflow due to the weakening of the basic adhesive force between the lens molding part and the electrode layer, thereby causing a problem of sealing quality, and a die adhesive of a metal layer or a light emitting device chip. Moisture permeation occurs until the metal layer is discolored, the light efficiency is lowered, there is a problem that the light efficiency is lowered due to the discoloration of the die adhesive.

또한, 종래기술에 의하면 렌즈 몰딩부의 탄성계수가 전극층의 탄성계수보다 큼으로써 열응력 스트레스(stress)가 발생하는데, 이러한 열응력 스트레스에 의한 렌즈 몰딩부의 변형을 저지해주는 구조가 없어 렌즈 몰딩부의 박리(Delamination)가 발생하여 습기 유입시 침투 가속화되는 문제가 있다.In addition, according to the prior art, the elastic modulus of the lens molding part is greater than the elastic modulus of the electrode layer, so that thermal stress stress is generated, and there is no structure that prevents deformation of the lens molding part due to such thermal stress stress. Delamination occurs and there is a problem of accelerated penetration when moisture is introduced.

실시예는 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공하고자 한다.The embodiment provides a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability.

실시예에 따른 발광소자 패키지는, 상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층; 상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 오목부; 상기 제1 전극층의 오목부에 배치되는 발광소자; 상기 전극층 상에 형성된 반사층; 상기 제1 전극층의 오목부의 상기 발광소자 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층; 상기 수지층 및 상기 반사층 상에 렌즈; 상기 렌즈와 적어도 일부 영역에서 접촉하며 상기 전극층 일면 상에 배치된 계면결합층; 및 상기 전극층 타면 상에 배치되는 절연막 패턴;을 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment includes an electrode layer having a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other; A recess formed in a portion of the first electrode layer; A light emitting element disposed in the concave portion of the first electrode layer; A reflective layer formed on the electrode layer; A resin layer including phosphors on the light emitting device of the concave portion of the first electrode layer; A lens on the resin layer and the reflective layer; An interfacial bonding layer in contact with the lens in at least a partial region and disposed on one surface of the electrode layer; And an insulating film pattern disposed on the other surface of the electrode layer.

또한, 실시예에 따른 백라이트 유닛은 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈 상에 광학 부재;를 포함하며, 상기 발광 모듈은, 상기 바텀 커버 상에 기판;과 상기 기판 상에 배치되는 제1항 또는 제2 항의 발광소자 패키지;를 포함한다.In addition, the backlight unit according to the embodiment includes a bottom cover; A light emitting module on the bottom cover; And an optical member on the light emitting module, wherein the light emitting module includes a substrate on the bottom cover and the light emitting device package of claim 1 or 2 disposed on the substrate.

또한, 실시예에 따른 영상 표시 장치는 바텀 커버; 상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 상기 발광 모듈 상에 광학 부재; 및 상기 광학 부재 상에 표시 패널;을 포함하며, 상기 발광 모듈은, 상기 바텀 커버 상에 기판;과 상기 기판 상에 배치되는 제1항 또는 제2 항의 발광소자 패키지;를 포함한다.In addition, the video display device according to the embodiment includes a bottom cover; A light emitting module on the bottom cover; An optical member on the light emitting module; And a display panel on the optical member, wherein the light emitting module includes a substrate on the bottom cover and the light emitting device package of claim 1 or 2 disposed on the substrate.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 5 내지 도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 공정 단면도.
도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 영상표시장치의 사시도.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the first embodiment.
2 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to the first embodiment;
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a second embodiment.
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment;
5 to 14 are cross-sectional views of a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
15 is a perspective view of a backlight unit and an image display apparatus including the same according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

(실시예)(Example)

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 단면도이며, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package 200 according to the first embodiment, Figure 2 is an exploded perspective view of the light emitting device package 200 according to the first embodiment.

실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상호 이격된 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)을 구비하는 전극층(220)과, 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 형성된 오목부(C)와, 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 배치되는 발광소자(250)와, 상기 전극층(220) 상에 형성된 반사층(240)과, 상기 제1 전극층의 오목부(C)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층(270)과, 상기 수지층(270) 및 상기 반사층(220) 상에 렌즈(280), 상기 렌즈(280)의 적어도 일부 영역에서 접촉하며 상기 전극층(220) 일면 상에 배치된 계면결합층(245) 및 상기 전극층(220) 타면 상에 배치되는 절연막 패턴(210)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(250)는 발광다이오드 칩(250)일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes an electrode layer 220 including a first electrode layer 221 and a second electrode layer 222 spaced apart from each other, and a recess formed in a portion of the first electrode layer 221. (C), the light emitting element 250 disposed in the recess C of the first electrode layer, the reflective layer 240 formed on the electrode layer 220, and the recess C of the first electrode layer. The resin layer 270 formed on the light emitting diode chip 250 including phosphors, and the lens 280 and at least some regions of the lens 280 on the resin layer 270 and the reflective layer 220. The contact layer may include an interface bonding layer 245 disposed on one surface of the electrode layer 220 and an insulating layer pattern 210 disposed on the other surface of the electrode layer 220. The light emitting device 250 may be a light emitting diode chip 250, but is not limited thereto.

상기 계면결합층(245)은 폴리머 보호막일 수 있다. 예를 들어, 상기 계면결합층(245)은 솔더 리지스트(Solder resist)를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 계면결합층은 PSR(Photo Solder Resist) 또는 화이트 솔더 리지스트(white Solder resist) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The interfacial bond layer 245 may be a polymer protective film. For example, the interfacial bonding layer 245 may include a solder resist, but is not limited thereto. For example, the interfacial bonding layer may include a photo solder resist (PSR) or a white solder resist, but is not limited thereto.

상기 제1 전극층(221)의 오목부(C)는 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 영역 또는 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The concave portion C of the first electrode layer 221 may be a down-set region or a bent portion region with respect to a portion of the first electrode layer 221, but is not limited thereto.

실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 오목부(C)를 형성하고, 발광다이오드 칩(250)을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.According to the exemplary embodiment, structural stability may be enhanced by downsetting the electrode layer 220 to form the recess C and mounting the light emitting diode chip 250.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후, 발광다이오드 칩(250)을 실장하고, 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.According to the embodiment, after the recess C is formed on the electrode layer 220, the light emitting diode chip 250 is mounted, and the resin layer 270 including the phosphor is formed to form a resin layer including the phosphor. (Encapsulate) can be formed in a dome shape to produce a uniform color temperature can improve the color deviation.

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩(250) 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 얼룩현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to the embodiment, by dotting a phosphor on the LED chip 250, the area of the phosphor is reduced compared to the filling type in the existing cup (Cup), thereby reducing the color variation and reducing the occurrence of staining The thickness of the set can also be lowered.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 발광다이오드를 실장함으로써 발광다이오드 칩(250)이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐로우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.In addition, according to the embodiment, after the recess C is formed on the electrode layer 220, the light emitting diode is mounted to lower the position at which the light emitting diode chip 250 is seated, thereby lowering the height of the wire during wire bonding. By minimizing the effect of the yellow ring (Yellow ring) due to thermal stress can be improved.

또한, 실시예는 상기 수지층(270) 외곽 둘레의 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 홈(H)이 형성됨으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있으며, 상기 형광체는 컨포멀코팅(conformal coating)등의 방법으로 돔 형상이 아닌 평평한 형상으로 도포할 수도 있다. In addition, in the embodiment, the groove H is formed in the recess C of the first electrode layer around the resin layer 270, thereby forming the resin layer 270 including the phosphor in a dome shape. The color deviation may be reduced, and the phosphor may be coated in a flat shape instead of a dome shape by a method such as conformal coating.

실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 전극분리부(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 대칭개구부(231)가 상기 전극분리부(232)와 대칭되는 위치의 상기 제1 전극층(221)에 상기 전극분리부(232)와 동일 또는 유사한 형상으로 형성되어 열응력에 대해 안정적일 수 있고, 광 균일도를 개선할 수 있다. 상기 전극분리부(232) 및 대칭개구부(231)는 분리부(230)를 구성할 수 있다.In an embodiment, the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 may be electrically separated by the electrode separator 232, and the symmetric opening 231 is symmetrical with the electrode separator 232. The first electrode layer 221 may be formed in the same or similar shape as the electrode separator 232 to be stable to thermal stress, and may improve light uniformity. The electrode separator 232 and the symmetric opening 231 may constitute a separator 230.

상기 발광다이오드 칩(250)은 상기 오목부(C)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 실장될 수 있다.The light emitting diode chip 250 may be mounted after forming a die adhesive (not shown) such as silicon epoxy in the mounting region of the recess C. FIG.

상기 발광다이오드 칩(250)은 와이어에 의해 반사층(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 제1 반사층(241)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 반사층(242)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the reflective layer 240 by a wire. For example, the light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the first reflective layer 241 by the first wire 261, and may be electrically connected to the second reflective layer 242 by the second wire 262. Can be connected.

실시예는 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공하고자 한다.The embodiment provides a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability.

이에 실시예는 상기 렌즈(280)의 외곽 하측에 계면결합층(245)을 배치함으로써 렌즈(280)와 반사층(240) 사이의 결합력을 증대시켜 렌즈 측면부위의 기밀성(Sealing quality)을 강화하여 습기침투를 방지하여 전극층(220)의 변색이나 다이 접착제의 변색을 막음으로써 광효율을 증대시켜 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.Accordingly, in the exemplary embodiment, the interfacial bonding layer 245 is disposed on the lower side of the lens 280 to increase the bonding force between the lens 280 and the reflecting layer 240 to enhance the sealing quality of the side surface of the lens. It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by preventing penetration and preventing color change of the electrode layer 220 or color change of the die adhesive.

또한, 실시예에 의하면 렌즈(280)의 외곽 하측에 배치된 계면결합층(245)에 의해 열응력 스트레스에 의한 렌즈의 변형을 저지해 줌으로써 렌즈의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, the interfacial bonding layer 245 disposed on the outer lower side of the lens 280 prevents lens deformation due to thermal stress stress, thereby preventing the lens detachment problem and preventing moisture penetration. The airtightness may be enhanced to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability.

이에 따라 실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved light efficiency and improved reliability.

제1 실시예에서 상기 계면결합층(245)은 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이에 위치될 수 있다. In the first embodiment, the interfacial bonding layer 245 may be located between the reflective layer 240 and the lens 280.

또는, 상기 계면결합층(245)은 상기 전극층(220)과 상기 렌즈(280) 사이에 위치될 수 있다. 한편, 상기 계면결합층(245)과 상기 전극층(220) 사이의 적어도 일부에는 반사층(240)이 개재될 수 있다.Alternatively, the interface coupling layer 245 may be located between the electrode layer 220 and the lens 280. The reflective layer 240 may be interposed between at least a portion of the interface coupling layer 245 and the electrode layer 220.

예를 들어, 상기 계면결합층(245)은 상기 전극층(220)의 외곽둘레 상에 형성될 수 있고, 상기 계면결합층(245)의 내측 윤곽은 상기 렌즈(280)의 형상에 대응되도록 원형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 계면결합층(245)은 상기 렌즈(280) 외곽에서 상하방향으로 적어도 일부 중첩하여 접촉하도록 형성될 수 있다. For example, the interface coupling layer 245 may be formed on the outer periphery of the electrode layer 220, and the inner contour of the interface coupling layer 245 may be circular to correspond to the shape of the lens 280. But it is not limited thereto. The interfacial bonding layer 245 may be formed to overlap at least a part of the lens 280 in the vertical direction to contact the lens.

상기 렌즈(280)의 외곽하측은 상기 계면결합층(245)과 적어도 일부 오버랩되도록 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 렌즈(280)의 외곽의 지름은 상기 계면결합층(245) 내측의 지름보다 클 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The outer lower side of the lens 280 may be formed to overlap at least a portion of the interface coupling layer 245. Accordingly, the outside diameter of the lens 280 may be larger than the inside diameter of the interface bonding layer 245, but is not limited thereto.

실시예는 상기 반사층(240)의 외곽둘레와 상기 렌즈(280)의 외곽 하측에 계면결합층(245)을 개재함으로써 렌즈(280)와 반사층(240) 사이의 결합력을 증대시켜 렌즈 측면부위의 기밀성(Sealing quality)을 강화하여 습기침투를 방지하여 광효율을 증대시켜 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, the interfacial coupling layer 245 is disposed on the outer periphery of the reflective layer 240 and the lower side of the lens 280 to increase the bonding force between the lens 280 and the reflective layer 240 to improve the airtightness of the lens side portion. It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving sealing quality, preventing moisture penetration and increasing light efficiency.

또한, 실시예에 의하면 상기 반사층(240)의 외곽둘레와 상기 렌즈(280)의 외곽 하측에 배치된 계면결합층(245)에 의해 렌즈의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, the interfacial bonding layer 245 disposed on the outer periphery of the reflective layer 240 and the outer side of the lens 280 prevents the detachment of the lens, thereby preventing airtightness against moisture penetration. It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device with enhanced reliability.

도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the light emitting device package 202 according to the second embodiment.

제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.

제2 실시예에서 상기 계면결합층(246)은 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에도 형성될 수 있다.In the second embodiment, the interface coupling layer 246 may be formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side surfaces of the reflective layer 240 and the insulating layer pattern 210.

또한, 상기 계면결합층(246)은 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 전극층(220) 또는 상기 반사층(240) 중 적어도 하나의 측면에도 형성될 수 있다.In addition, the interface coupling layer 246 may be formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and at least one side of the electrode layer 220 or the reflective layer 240.

제2 실시예에 의하면 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에 계면결합층(246)을 형성함으로써 렌즈(280) 외곽의 측면의 습기침투 경로를 차단함과 아울러 렌즈(280)와 반사층(240) 사이의 결합력을 증대시켜 렌즈 측면부위의 기밀성(Sealing quality)을 강화하여 습기침투를 방지하여 광효율을 증대시켜 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the second exemplary embodiment, an interface coupling layer 246 is formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side of the reflective layer 240 and the insulating layer pattern 210 to form a side surface of the outer surface of the lens 280. Blocks the moisture penetration path of the lens and increases the bonding force between the lens 280 and the reflective layer 240 to enhance the sealing quality of the side surface of the lens to prevent moisture penetration to increase the light efficiency to improve reliability A device package, a backlight unit, and an image display device can be provided.

또한, 실시예에 의하면 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에 계면결합층(246)을 형성함으로써 렌즈의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the exemplary embodiment, an interfacial bonding layer 246 is formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side surfaces of the reflective layer 240 and the insulating layer pattern 210, thereby causing a problem of lens detachment. It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved airtightness against moisture permeation by improving the reliability.

도 4는 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(203)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the light emitting device package 203 according to the third embodiment.

제3 실시예는 제1 실시예 및 제2 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The third embodiment can adopt the technical features of the first embodiment and the second embodiment.

제3 실시예에서 상기 계면결합층(247)은 상기 절연막 패턴(210)과 상기 렌즈(280) 사이에 위치될 수 있다.In the third embodiment, the interfacial bonding layer 247 may be located between the insulating layer pattern 210 and the lens 280.

제3 실시예에서 계면결합층(247)은 하측에 배치된 절연막 패턴(210)과 접하고, 상측에 배치된 렌즈(280)와 접하면서 형성될 수 있고, 이를 통해 렌즈(280)와 반사층(240)의 결합력이 낮은 점을 개선하여 측면부위의 기밀성을 강화하여 신뢰성을 개선할 수 있다.In the third embodiment, the interfacial bonding layer 247 may be formed in contact with the insulating layer pattern 210 disposed on the lower side and in contact with the lens 280 disposed in the upper side, and thus the lens 280 and the reflective layer 240 may be formed. ) Can improve the reliability by improving the airtightness of the side by improving the low bonding strength.

제3 실시예에서 제1 전극층(221a), 제2 전극층(222a) 및 제1 반사층(241a), 제2 반사층(241b)은 상기 렌즈(280)의 수평폭보다 좁게 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이에 따라 상기 계면결합층(247) 하측은 절연막 패턴(210)과 접하며, 상기 계면결합층(247) 상측은 상기 렌즈(280)와 접하도록 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the third embodiment, the first electrode layer 221a, the second electrode layer 222a, the first reflecting layer 241a, and the second reflecting layer 241b may be formed to be narrower than the horizontal width of the lens 280. It is not. Accordingly, the lower side of the interface coupling layer 247 may be in contact with the insulating layer pattern 210, and the upper side of the interface coupling layer 247 may be formed to be in contact with the lens 280, but is not limited thereto.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.

도 5 내지 도 14를 참조하여, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하면서 실시예의 특징을 좀 더 상술하기로 한다. 한편, 도 5 내지 도 14는 제1 실시예의 공정단면도를 중심으로 설명하고 있으나 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.5 to 14, the light emitting device package manufacturing method according to the embodiment will be described in more detail with reference to the features of the embodiment. 5 to 14 illustrate a process cross-sectional view of the first embodiment, but embodiments are not limited thereto.

우선, 도 5 내지 도 11을 참조하여 오목부(C)을 포함하는 전극층(220) 형성공정을 설명한다.First, the process of forming the electrode layer 220 including the recess C will be described with reference to FIGS. 5 through 11.

도 5와 같이, 절연막층(210a)을 준비하고, 도 6과 같이 절연막 패턴(210)을 형성한다. 상기 절연막 패턴(210)은 펀칭 공정에 의해 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 5, the insulating film layer 210a is prepared, and the insulating film pattern 210 is formed as shown in FIG. 6. The insulating layer pattern 210 may be formed by a punching process, but is not limited thereto.

상기 절연막 패턴(210)은 이후 형성되는 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)의 각각의 하측에 부착되는 제1 절연막 패턴(211) 및 제2 절연막 패턴(212)을 포함할 수 있고, 상기 절연막 패턴(210)은 두 전극층의 간격을 유지시켜 주고 인접한 두 전극층을 지지 및 고정하는 역할을 수행하게 된다.The insulating layer pattern 210 may include a first insulating layer pattern 211 and a second insulating layer pattern 212 attached to each lower side of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 which are formed later. The insulating layer pattern 210 maintains a gap between the two electrode layers and supports and fixes two adjacent electrode layers.

또한, 상기 절연막 패턴(210)은 인접한 두 전극층 사이에 배치된 전극분리부(232), 대칭개구부(231) 영역을 커버하며, 이 경우 전극분리부(232) 및 대칭개구부(231)를 통해 수지층(270)을 형성하는 과정에서 액상의 수지물이 누설되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the insulating layer pattern 210 covers an area of the electrode separator 232 and the symmetrical opening 231 disposed between two adjacent electrode layers. In this case, the insulating layer pattern 210 may be formed through the electrode separator 232 and the symmetric opening 231. It is possible to prevent the liquid resin material from leaking during the formation of the ground layer 270.

상기 절연막 패턴(210)은 투광성 또는 비 투광성 필름을 포함하며, 예컨대 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름(PE, PP, PET) 등을 포함할 수 있다. The insulating layer pattern 210 may include a light transmissive or non-transparent film, and may include, for example, a PI (polyimide) film, a PET (polyethylene terephthalate) film, an EVA (ethylene vinyl acetate) film, a PEN (polyethylene naphthalate) film, and a TAC. (Traacetylcellulose) film, PAI (polyamide-imide), PEEK (polyether-ether-ketone), perfluoroalkoxy (PFA), polyphenylene sulfide (PPS), resin film (PE, PP, PET) and the like.

다음으로, 도 7과 같이 상기 절연막 패턴(210) 상에 전극층(220)을 형성한다. 예를 들어, 상기 전극층(220)은 구리(Cu), Cu-Ni, Cu-Mg-Sn와 같이 구리(Cu)를 포함하는 합금, Fe-Ni와 같이 철(Fe)을 포함하는 합금(alloy), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄을 포함하는 합금류로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 7, the electrode layer 220 is formed on the insulating layer pattern 210. For example, the electrode layer 220 is an alloy containing copper (Cu) such as copper (Cu), Cu-Ni, Cu-Mg-Sn, or an alloy containing iron (Fe) such as Fe-Ni. ), But may be formed of an alloy containing aluminum (Al) or aluminum, but is not limited thereto.

상기 전극층(220)은 15㎛~300㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있으며, 실시예는 15㎛~35㎛ 범위로 형성될 수 있고 발광다이오드 칩을 지지하는 지지 프레임으로 기능하며, 또한 발광다이오드 칩으로부터 발생된 열을 전도하는 방열 부재로 동작할 수 있다.The electrode layer 220 may be formed to a thickness of about 15㎛ ~ 300㎛, the embodiment may be formed in the range of 15㎛ ~ 35㎛ and functions as a support frame for supporting the light emitting diode chip, and also a light emitting diode chip It can operate as a heat radiation member that conducts heat generated from the.

다음으로, 도 8과 같이 상기 전극층(220)에 프레스 공정 또는 식각을 통해 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)으로 분리할 수 있다. Next, as shown in FIG. 8, the electrode layer 220 may be separated into a first electrode layer 221 and a second electrode layer 222 through a pressing process or etching.

실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 전극분리부(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 대칭개구부(231)가 이후 형성되는 제1 오목부(C1)를 기준으로 상기 전극분리부(232)와 대칭되는 위치의 상기 제1 전극층(221)에 형성되어 열응력에 대해 안정적이며 반사부의 대칭구조로 광 균일도를 높일 수 있다. 상기 전극분리부(232), 대칭개구부(231)는 상기 전극층에 대한 식각공정 또는 프레스공정에 의해 형성될 수 있다In an embodiment, the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 may be electrically separated by the electrode separator 232, and the first recess C1 in which the symmetric opening 231 is formed thereafter is formed. It is formed on the first electrode layer 221 symmetrical with the electrode separator 232 as a reference to be stable to thermal stress and to improve the light uniformity with a symmetrical structure of the reflector. The electrode separator 232 and the symmetric opening 231 may be formed by an etching process or a pressing process for the electrode layer.

또한, 실시예는 이후 형성되는 수지층 외곽 둘레에 대응되는 상기 제1 전극층(221)에 홈(H)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있다.In addition, in the embodiment, the groove H is formed in the first electrode layer 221 corresponding to the outer periphery of the resin layer to be formed, thereby forming the resin layer 270 including the phosphor in a dome shape to form a color deviation. Can be reduced.

상기 제1 전극층(221)에 형성되는 홈(H)은 해프 에칭(half ethching)에 의해 제1 전극층(221)을 관통하지 않도록 식각을 진행하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The grooves H formed in the first electrode layer 221 may be formed by etching to not penetrate the first electrode layer 221 by half etching. However, the groove H is not limited thereto.

다음으로, 도 9와 같이 전극층(220)에 대해 오목부(C) 형성공정을 진행한다.Next, as shown in FIG. 9, the process of forming the recesses C is performed with respect to the electrode layer 220.

예를 들어, 제1 전극층에 오목부(C)가 형성될 수 있으며, 상기 오목부(C)는 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 공정 또는 펀치 공정 등에 의해 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, a recess C may be formed in the first electrode layer, and the recess C may be a down-set process or a punch process for a portion of the first electrode layer 221. It may be formed by, but is not limited thereto.

실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 오목부(C)를 형성하고, 발광다이오드 칩을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.According to the exemplary embodiment, structural stability may be improved by downsetting the electrode layer 220 to form a recess C and mounting a light emitting diode chip.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후, 발광다이오드 칩(250)을 실장하고 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.Further, according to the embodiment, after the recess C is formed on the electrode layer 220, the light emitting diode chip 250 is mounted and the resin layer 270 including the phosphor is formed to form a resin layer including the phosphor ( When the encapsulate is formed, it can be formed into a dome shape to produce a uniform color temperature, thereby improving color deviation.

다음으로, 도 10과 같이 상기 전극층(220) 상에 반사층(240)을 형성할 수 있다. 상기 반사층(240)은 제1 전극층(221) 상에 제1 반사층(241), 상기 제2 전극층(222) 상에 제2 반사층(242)을 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 10, the reflective layer 240 may be formed on the electrode layer 220. The reflective layer 240 may include a first reflective layer 241 on the first electrode layer 221 and a second reflective layer 242 on the second electrode layer 222.

상기 반사층(240)은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The reflective layer 240 may be formed of silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), or an alloy thereof, but is not limited thereto.

다음으로, 도 11과 같이 상기 반사층(240)의 외곽에 계면결합층(245)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the interface coupling layer 245 may be formed on the outer side of the reflective layer 240.

예를 들어, 도 1과 같이, 제1 실시예에서 상기 계면결합층(245)은 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이에 위치될 수 있다. 예를 들어, 상기 계면결합층(245)은 상기 반사층(240)의 외곽둘레 상에 형성될 수 있고, 상기 계면결합층(245)의 내측면은 상기 렌즈(280)의 형상에 대응되도록 원형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 계면결합층(245)은 상기 렌즈(280) 외곽 하측에 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, the interface bonding layer 245 may be located between the reflective layer 240 and the lens 280 in the first embodiment. For example, the interfacial bonding layer 245 may be formed on the outer periphery of the reflective layer 240, and the inner surface of the interfacial bonding layer 245 may be circular to correspond to the shape of the lens 280. But it is not limited thereto. The interfacial bonding layer 245 may be formed on the outer side of the lens 280.

제1 실시예에 의하면 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이에 상기 계면결합층(245)을 개재함으로써 렌즈(280)와 반사층(240) 사이의 결합력을 증대시켜 렌즈 측면부위의 기밀성(Sealing quality)을 강화하여 습기침투를 방지하여 전극층(220)의 변색이나 다이 접착제의 변색을 막음으로써 광효율을 증대시켜 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the first exemplary embodiment, the interfacial coupling layer 245 is interposed between the reflective layer 240 and the lens 280 to increase the bonding force between the lens 280 and the reflective layer 240 to improve the airtightness of the lens side portion ( It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving sealing quality to prevent moisture penetration and preventing discoloration of the electrode layer 220 or discoloration of the die adhesive.

또한, 실시예에 의하면 렌즈(280)의 외곽 하측에 배치된 계면결합층(245)에 의해 열응력 스트레스에 의한 렌즈의 변형을 저지해 줌으로써 렌즈의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the embodiment, the interfacial bonding layer 245 disposed on the outer lower side of the lens 280 prevents lens deformation due to thermal stress stress, thereby preventing the lens detachment problem and preventing moisture penetration. The airtightness may be enhanced to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability.

또한, 예를 들어 도 3과 같이, 제2 실시예에서 계면결합층(246)은 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에도 형성될 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, in the second embodiment, the interface coupling layer 246 is formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side surfaces of the reflective layer 240 and the insulating film pattern 210. Can be formed.

제2 실시예에 의하면 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에 계면결합층(246)을 형성함으로써 렌즈(280) 외곽의 측면의 습기침투 경로를 차단함과 아울러 렌즈(280)와 반사층(240) 사이의 결합력을 증대시켜 렌즈 측면부위의 기밀성(Sealing quality)을 강화하여 습기침투를 방지하여 광효율을 증대시켜 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the second exemplary embodiment, an interface coupling layer 246 is formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side of the reflective layer 240 and the insulating layer pattern 210 to form a side surface of the outer surface of the lens 280. Blocks the moisture penetration path of the lens and increases the bonding force between the lens 280 and the reflective layer 240 to enhance the sealing quality of the side surface of the lens to prevent moisture penetration to increase the light efficiency to improve reliability A device package, a backlight unit, and an image display device can be provided.

또한, 실시예에 의하면 상기 반사층(240)과 상기 렌즈(280) 사이 및 상기 반사층(240)과 상기 절연막 패턴(210)의 측면에 계면결합층(246)을 형성함으로써 렌즈의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the exemplary embodiment, an interfacial bonding layer 246 is formed between the reflective layer 240 and the lens 280 and on the side surfaces of the reflective layer 240 and the insulating layer pattern 210, thereby causing a problem of lens detachment. It is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved airtightness against moisture permeation by improving the reliability.

또한, 예를 들어 도 4와 같이, 제3 실시예에서 상기 계면결합층(247)은 상기 절연막 패턴(210)과 상기 렌즈(280) 사이에 위치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, in the third embodiment, the interface bonding layer 247 may be located between the insulating layer pattern 210 and the lens 280.

제3 실시예에서 계면결합층(247)은 하측에 배치된 절연막 패턴(210)과 접하고, 상측에 배치된 렌즈(280)와 접하면서 형성될 수 있고, 이를 통해 렌즈(280)와 반사층(240)의 결합력이 낮은 점을 개선하여 측면부위의 기밀성을 강화하여 신뢰성을 개선할 수 있다.In the third embodiment, the interfacial bonding layer 247 may be formed in contact with the insulating layer pattern 210 disposed on the lower side and in contact with the lens 280 disposed in the upper side, and thus the lens 280 and the reflective layer 240 may be formed. ) Can improve the reliability by improving the airtightness of the side by improving the low bonding strength.

제3 실시예에서 제1 전극층(221a), 제2 전극층(222a) 및 제1 반사층(241a), 제2 반사층(241b)은 상기 렌즈(280)의 수평폭보다 좁게 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the third embodiment, the first electrode layer 221a, the second electrode layer 222a, the first reflecting layer 241a, and the second reflecting layer 241b may be formed to be narrower than the horizontal width of the lens 280. It is not.

이에 따라 실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.Accordingly, according to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved light efficiency and improved reliability.

다음으로, 도 12와 같이 상기 제1 전극층의 오목부(C)에 발광다이오드 칩(250)을 실장한다. 예를 들어, 상기 오목부(C)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 발광다이오드 칩(250)을 실장할 수 있다.Next, as shown in FIG. 12, the light emitting diode chip 250 is mounted in the recess C of the first electrode layer. For example, after forming a die adhesive (not shown) such as silicon epoxy in the mounting region of the recess C, the light emitting diode chip 250 may be mounted.

이후, 상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 상기 제1 전극층(221)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 전극층(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.Thereafter, the light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the first electrode layer 221 by a first wire 261, and may be electrically connected to the second electrode layer 222 by a second wire 262. Can be.

실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후 발광다이오드를 실장함으로써 발광다이오드 칩이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐로우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.According to the embodiment, after the recess C is formed on the electrode layer 220, the light emitting diode is mounted to lower the position at which the light emitting diode chip is seated, thereby lowering the height of the wire during wire bonding, thereby minimizing the influence of thermal stress. Yellow ring phenomenon due to thermal stress can be improved.

다음으로, 도 13과 같이 상기 제1 전극층의 오목부(C)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 13, a resin layer 270 including phosphors is formed on the light emitting diode chip 250 of the recess C of the first electrode layer.

실시예에 의하면 전극층(220) 상에 오목부(C)을 형성한 후, 발광다이오드 칩 실장 및 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다According to the embodiment, after the recess C is formed on the electrode layer 220, the resin layer 270 including the LED chip mounting and the phosphor is formed to form a dome shape when the resin layer including the phosphor is formed. It can be formed as a uniform color temperature can be produced to improve the color deviation

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 얼룩현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to the embodiment, by dotting a phosphor on a light emitting diode chip, the area of the phosphor is reduced compared to the filling type in a conventional cup, thereby reducing the color deviation, thereby reducing the occurrence of spots and the thickness of the set. Can also be lowered.

다음으로, 도 14와 같이 상기 수지층(270) 및 상기 전극층(220) 상에 렌즈(280)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 14, a lens 280 is formed on the resin layer 270 and the electrode layer 220.

실시예에서의 렌즈(280)는 중심부가 오목하고 주변부가 원형을 나타낼 수 있다. 상기 렌즈(280)는 상기 수지층(270)의 물질과 유사한 물성을 물질로 형성하여 열응력에 따른 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈(280)는 실리콘(Silicone) 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In an embodiment, the lens 280 may be concave in the center and circular in the peripheral part. The lens 280 may be formed of a material similar to that of the resin layer 270, and may minimize thermal expansion stress due to thermal stress. For example, the lens 280 may be formed of a silicon material, but is not limited thereto.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.

도 15는 실시예에 따른 표시 장치(1100)를 나타낸 도면이다. 15 illustrates a display device 1100 according to an exemplary embodiment.

도 15를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 발광소자 패키지(200)에 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(202)도 채용가능하다.Referring to FIG. 15, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the light emitting device package 200 disclosed above is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155. . The light emitting device package 202 according to another embodiment may also be employed as the light emitting device package 200.

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다.The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원화 하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and the light emitted from the light emitting module 1060 may be a surface light source, or diffused or collected.

실시예는 색편차를 개선할 수 있는 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device that can improve color deviation.

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 얼룩현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to the embodiment, by dotting a phosphor on a light emitting diode chip, the area of the phosphor is reduced compared to the filling type in a conventional cup, thereby reducing the color deviation, thereby reducing the occurrence of spots and the thickness of the set. Can also be lowered.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device package, a backlight unit, and an image display device having improved reliability by improving reliability.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (9)

상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층;
상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 오목부;
상기 제1 전극층의 오목부에 배치되는 발광소자;
상기 전극층 상에 형성된 반사층;
상기 제1 전극층의 오목부의 상기 발광소자 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층;
상기 수지층 및 상기 반사층 상에 렌즈;
상기 렌즈와 적어도 일부 영역에서 접촉하며 상기 전극층 일면 상에 배치된 계면결합층; 및
상기 전극층 타면 상에 배치되는 절연막 패턴;을 포함하는 발광소자 패키지.An electrode layer having a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other;
A recess formed in a portion of the first electrode layer;
A light emitting element disposed in the concave portion of the first electrode layer;
A reflective layer formed on the electrode layer;
A resin layer including phosphors on the light emitting device of the concave portion of the first electrode layer;
A lens on the resin layer and the reflective layer;
An interfacial bonding layer in contact with the lens in at least a partial region and disposed on one surface of the electrode layer; And
And an insulating film pattern disposed on the other surface of the electrode layer. 제1 항에 있어서,
상기 계면결합층은
상기 전극층과 상기 렌즈 사이에 개재된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The interfacial bonding layer
A light emitting device package interposed between the electrode layer and the lens. 제1 항에 있어서,
상기 계면결합층은
상기 반사층과 상기 렌즈 사이 및 상기 반사층 또는 상기 전극층 중 적어도 하나의 측면에도 형성된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The interfacial bonding layer
The light emitting device package is formed between the reflective layer and the lens and at least one side of the reflective layer or the electrode layer. 제1 항에 있어서,
상기 계면결합층은
상기 절연막 패턴과 상기 렌즈 사이에 위치하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The interfacial bonding layer
A light emitting device package disposed between the insulating film pattern and the lens. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 계면결합층은
솔더 리지스트(Solder resist)를 포함하는 발광소자 패키지. 5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The interfacial bonding layer
A light emitting device package including a solder resist. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층의 오목부는
상기 제1 전극층의 일부 영역에 대해 다운 셋(down-set) 영역인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The recessed portion of the first electrode layer
The light emitting device package is a down-set region with respect to a portion of the first electrode layer. 제1 항에 있어서,
상기 형광체를 포함하는 수지층은 돔 형상 또는 평평한 형상인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The resin layer comprising the phosphor is a light emitting device package having a dome shape or a flat shape. 바텀 커버;
상기 바텀 커버 상에 발광 모듈; 및
상기 발광 모듈 상에 광학 부재;를 포함하며,
상기 발광 모듈은,
상기 바텀 커버 상에 기판;과
상기 기판 상에 배치되는 제1항 또는 제2 항의 발광소자 패키지;를 포함하는 백라이트 유닛.Bottom cover;
A light emitting module on the bottom cover; And
An optical member on the light emitting module;
The light emitting module includes:
A substrate on the bottom cover; and
And a light emitting device package according to claim 1 or 2 disposed on the substrate. 바텀 커버;
상기 바텀 커버 상에 발광 모듈;
상기 발광 모듈 상에 광학 부재; 및
상기 광학 부재 상에 표시 패널;을 포함하며,
상기 발광 모듈은,
상기 바텀 커버 상에 기판;과
상기 기판 상에 배치되는 제1항 또는 제2 항의 발광소자 패키지;를 포함하는 영상 표시 장치.Bottom cover;
A light emitting module on the bottom cover;
An optical member on the light emitting module; And
A display panel on the optical member;
The light emitting module includes:
A substrate on the bottom cover; and
And a light emitting device package of claim 1 or 2 disposed on the substrate.
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