KR101926456B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는, 상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층; 상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 제1 오목부; 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층에 각각 형성된 제2 오목부; 상기 제1 전극층의 제1 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩; 상기 제1 전극층의 제1 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층; 상기 수지층 및 상기 전극층 상에 렌즈; 및 상기 전극층 하측에 배치되는 절연막 패턴;을 포함한다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system.
A light emitting device package according to an embodiment includes an electrode layer including a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other; A first concave portion formed in a partial region of the first electrode layer; A second concave portion formed in the first electrode layer and the second electrode layer, respectively; A light emitting diode chip disposed in a first recess of the first electrode layer; A resin layer formed on the light emitting diode chip of the first concave portion of the first electrode layer, the phosphor layer including a phosphor; A lens on the resin layer and the electrode layer; And an insulating film pattern disposed under the electrode layer.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system including the same.

발광소자(LED)는 전기에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장(색)의 빛을 구현할 수 있으며, 형광물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 빛을 구현할 수 있다.A light emitting device (LED) is a semiconductor device that converts electric energy into light energy. The compound semiconductor can control the composition of the compound semiconductor to realize light of various wavelengths (colors) such as red, green, blue and ultraviolet rays. It is possible to realize white light with high efficiency.

발광소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 따라서, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광다이오드 조명장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용범위가 확대되고 있다.The light emitting device has advantages such as low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Accordingly, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting diode lighting device capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp, And traffic lights.

종래기술에 의한 발광소자 패키지는 패키지 바디 상에 발광소자 칩이 실장되고, 상기 패키지 바디 상에 전극층이 형성되어 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 발광소자 칩 상에는 형광체를 포함하는 수지층 및 상기 수지층 상에 소정의 렌즈 형태의 몰딩부가 형성된다.In the conventional light emitting device package, a light emitting device chip is mounted on a package body, and an electrode layer is formed on the package body to be electrically connected to the light emitting device chip. Further, on the light emitting device chip, a resin layer including a phosphor and a molding portion of a predetermined lens shape are formed on the resin layer.

그런데, 종래기술에 의한 발광소자 패키지는 고온고습 동작시 신뢰성 문제가 지적된다.However, the conventional light emitting device package has a reliability problem in high temperature and high humidity operation.

종래기술에 의하면 렌즈 몰딩부와 전극층 사이의 기본적인 접착력의 약화로 인해 측면부위가 습기 유입에 취약하여 기밀성(Sealing quality) 약화로 인해 신뢰성이 문제가 된다.According to the prior art, since the basic adhesion force between the lens molding portion and the electrode layer is weakened, the side portion is vulnerable to moisture inflow and reliability is deteriorated due to deterioration of sealing quality.

또한, 종래기술에 의하면 렌즈 몰딩부의 탄성계수가 전극층의 탄성계수보다 큼으로써 열응력 스트레스(stress)가 발생하는데, 이러한 열응력 스트레스에 의한 렌즈 몰딩부의 변형을 저지해주는 구조가 없어 렌즈 몰딩부의 박리(Delamination)가 발생하여 습기 유입시 침투 가속화되는 문제가 있다.According to the prior art, the elastic modulus of the lens molding portion is greater than the elastic modulus of the electrode layer, so that a thermal stress stress occurs. Since there is no structure for preventing deformation of the lens molding portion due to such thermal stress stress, There is a problem that penetration is accelerated when moisture is introduced.

실시예는 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.The embodiments are directed to provide a light emitting device package and an illumination system with improved reliability.

실시예에 따른 발광소자 패키지는, 상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층; 상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 제1 오목부; 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층에 각각 형성된 제2 오목부; 상기 제1 전극층의 제1 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩; 상기 제1 전극층의 제1 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층; 상기 수지층 및 상기 전극층 상에 렌즈; 및 상기 전극층 하측에 배치되는 절연막 패턴;을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes an electrode layer including a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other; A first concave portion formed in a partial region of the first electrode layer; A second concave portion formed in the first electrode layer and the second electrode layer, respectively; A light emitting diode chip disposed in a first recess of the first electrode layer; A resin layer formed on the light emitting diode chip of the first concave portion of the first electrode layer, the phosphor layer including a phosphor; A lens on the resin layer and the electrode layer; And an insulating film pattern disposed under the electrode layer.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device package and the illumination system in which the light efficiency is increased by improving the reliability can be provided.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제1 단면도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제2 단면도.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법의 공정 단면도.
도 13은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a first sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a second cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
4 to 12 are process sectional views of a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
13 is a perspective view of a backlight unit according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on " and " under " are intended to include both "directly" or "indirectly" do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

(실시예)(Example)

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 분해 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 제1 단면도이며, 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)의 제2 단면도이다.2 is a sectional view of a light emitting device package 200 according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a light emitting device package 200 according to an embodiment. Fig.

예를 들어, 도 2는 도 1의 I-I'선을 따른 단면도이며, 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 단면도이다.For example, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line II-II' of FIG.

실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 상호 이격된 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)을 구비하는 전극층(220)과, 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 형성된 제1 오목부(C1)와, 상기 제1 전극층(221)과 상기 제2 전극층(222)에 각각 형성된 제2 오목부(C2)와, 상기 제1 전극층 제1 오목부(C1)에 배치되는 발광다이오드 칩(250)과, 상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층(270)과, 상기 수지층(270)과 상기 전극층(220) 상에 렌즈(280) 및 상기 전극층(220) 하측에 배치되는 절연막 패턴(210)을 을 포함할 수 있다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes the electrode layer 220 having the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 spaced apart from each other and the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 formed on the first electrode layer 221, A second concave portion C2 formed in each of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 and a second concave portion C2 formed in the first electrode layer first concave portion C1, A resin layer 270 formed on the light emitting diode chip 250 of the first concave portion C1 of the first electrode layer and including a phosphor and a resin layer 270 formed on the electrode layer A lens 280 and an insulating layer pattern 210 disposed under the electrode layer 220 may be formed on the insulating layer 220.

상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)는 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 대해 제1 다운 셋(down-set) 영역 또는 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 오목부(C1)는 전극층(220)의 중앙부에 형성된 제1 다운 셋 영역일 수 있다. 상기 제1 오목부(C1)는 상기 렌즈(280)의 상하간에 오버랩되는 영역에 형성될 수 있다.The first concave portion C1 of the first electrode layer may be a first down-set region or a bend region for a portion of the first electrode layer 221, but is not limited thereto. For example, the first concave portion C1 may be a first downset region formed at the center of the electrode layer 220. [ The first concave portion C1 may be formed in a region overlapping between the upper and lower sides of the lens 280. [

실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 제1 오목부(C1)를 형성하고, 발광다이오드 칩(250)을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.According to the embodiment, the first concave portion C1 is down-set on the electrode layer 220 and the light-emitting diode chip 250 is mounted, thereby improving structural stability.

상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극층(221)과 상기 제2 전극층(222)의 모서리에 형성된 제2 다운셋 영역 또는 제2 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제2 오목부(C2)는 전극층(220)을 기준으로 모서리 또는 사이드에 형성된 제2 다운셋 영역일 수 있다.The second concave portion C2 may be a second downset region or a second bent portion region formed at the edges of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222, but is not limited thereto. For example, the second concave portion C2 may be a second down-set region formed on an edge or a side with respect to the electrode layer 220. [

상기 제2 오목부(C2)는 상기 렌즈(280)의 외곽부와 접하여 형성됨으로써, 상기 렌즈(280)의 외곽 하측에 배치된 제2 오목부(C2)가 열응력 스트레스에 의한 렌즈(280)의 변형을 저지해 줌으로써 렌즈(280)의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The second concave portion C2 is formed in contact with the outer portion of the lens 280 so that the second concave portion C2 disposed on the lower side of the outer side of the lens 280 is pressed against the lens 280 due to thermal stress, It is possible to provide a light emitting device package and an illumination system in which the problem of delamination of the lens 280 is prevented by enhancing the airtightness against moisture penetration and reliability is improved.

한편, 실시예에서 상기 렌즈(280)는 상기 제2 오목부(C2)와 접하지 않을 수도 있으며, 이 경우 제2 오목부(C2)에 의해 구조적인 안정성을 높일 수 있다.Meanwhile, in the embodiment, the lens 280 may not be in contact with the second concave portion C2. In this case, the structural stability can be improved by the second concave portion C2.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 제1 오목부(C1) 및 제2 오목부(C2)를 형성한 후, 발광다이오드 칩(250)을 실장하고, 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.In addition, according to the embodiment, after the first concave portion C1 and the second concave portion C2 are formed on the electrode layer 220, the light emitting diode chip 250 is mounted, and the resin layer 270 including the phosphor ) Can be formed in the form of a dome when a resin layer (Encapsulate) including a fluorescent material is formed, thereby making it possible to produce a uniform color temperature and to improve the color deviation.

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩(250) 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to the embodiment, by reducing the area of the fluorescent material by reducing the area of the fluorescent material by filling the fluorescent material in the conventional cup by dotting the fluorescent material on the light emitting diode chip 250, the occurrence of mura phenomenon is reduced, The thickness of the set can also be lowered.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 제1 오목부(C1)을 형성한 후 발광다이오드 칩(250)을 실장함으로써 발광다이오드 칩(250)이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.In addition, according to the embodiment, when the light emitting diode chip 250 is mounted after the first concave portion C1 is formed on the electrode layer 220, the position where the light emitting diode chip 250 is seated is lowered, So that the effect of thermal stress can be minimized and the yellow ring phenomenon due to thermal stress can be improved.

또한, 실시예는 상기 수지층(270) 외곽 둘레의 상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)에 홈(H)이 형성됨으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있다.In addition, in the embodiment, the grooves H are formed in the first concave portion C1 of the first electrode layer around the periphery of the resin layer 270 to form the resin layer 270 including the phosphor in a dome shape So that the color deviation can be reduced.

실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 제1 전극분리선(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 제2 전극분리선(231)이 상기 제1 오목부(C1)를 기준으로 상기 제1 전극분리선(232)과 대칭되는 위치의 상기 제1 전극층(221)에 형성되어 열응력에 대해 안정적일 수 있다. 상기 제1 전극분리선(232) 및 제2 전극분리선(231)은 전극분리선(230)을 구성할 수 있다.The first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 may be electrically separated by the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231 may be electrically connected to the first recess C1, The first electrode layer 221 may be formed on the first electrode layer 221 at a position symmetrical to the first electrode separation line 232 and may be stable to thermal stress. The first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231 may constitute an electrode separation line 230.

상기 제1 오목부(C1)는 상기 제1 전극분리선(232)과 상기 제2 전극분리선(231) 사이의 전극층(220) 중앙부에 형성될 수 있으며, 상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극분리선(232)과 상기 제2 전극분리선(231)의 외측의 전극층(220) 모서리에 형성될 수 있다.The first concave portion C1 may be formed at the central portion of the electrode layer 220 between the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231, And may be formed at the edge of the electrode layer 220 outside the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231.

상기 제2 오목부(C2)는 제1 전극층(221)의 모서리에 2개, 제2 전극층(222)의 모서리에 2개 형성되는 예를 도시하고 있으나 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극층(221)과 상기 제2 전극층(222)의 모서리에 각각 1 개 이상으로 형성될 수 있다.Although the second concave portion C2 is formed at two corners of the first electrode layer 221 and two at the corners of the second electrode layer 222, the present invention is not limited thereto, The recess C2 may be formed at one or more corners of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222, respectively.

상기 발광다이오드 칩(250)은 상기 제1 오목부(C1)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 실장될 수 있다.The light emitting diode chip 250 may be mounted after a die adhesive (not shown) such as silicon epoxy is formed on the mounting region of the first concave portion C1.

상기 발광다이오드 칩(250)은 와이어에 의해 반사층(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 제1 반사층(241)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 반사층(242)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the reflective layer 240 by wires. For example, the light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the first reflective layer 241 by a first wire 261 and may be electrically connected to the second reflective layer 242 by a second wire 262. [ Can be connected.

도 4 내지 도 12를 참조하여, 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하면서 실시예의 특징을 좀 더 상술하기로 한다. 한편, 도 4 내지 도 12는 도 1의 I-I'선에 대한 단면도를 기준으로 설명하고 있으나 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.4 to 12, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment will be described, and the features of the embodiments will be described in more detail. 4 to 12 are described based on the sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, but the embodiments are not limited thereto.

도 4와 같이, 절연막층(210a)을 준비하고, 도 5와 같이 절연막 패턴(210)을 형성한다. 상기 절연막 패턴(210)은 펀칭 공정에 의해 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 4, an insulating film layer 210a is prepared, and an insulating film pattern 210 is formed as shown in FIG. The insulating film pattern 210 may be formed by a punching process, but is not limited thereto.

상기 절연막 패턴(210)은 이후 형성되는 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)의 각각의 하측에 부착되는 제1 절연막 패턴(211) 및 제2 절연막 패턴(212)을 포함할 수 있고, 상기 절연막 패턴(210)은 두 전극층의 간격을 유지시켜 주고 인접한 두 전극층을 지지 및 고정하는 역할을 수행하게 된다.The insulating layer pattern 210 may include a first insulating layer pattern 211 and a second insulating layer pattern 212 which are formed below the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222, The insulating film pattern 210 maintains the gap between the two electrode layers and supports and fixes the two adjacent electrode layers.

또한, 상기 절연막 패턴(210)은 인접한 두 전극층 사이에 배치된 제1 전극분리선(232), 제2 전극분리선(231) 영역을 커버하며, 이 경우 전극 분리선영역을 통해 수지층(270)을 형성하는 과정에서 액상의 수지물이 누설되는 것을 방지할 수 있다.The insulating layer pattern 210 covers the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231 disposed between adjacent two electrode layers. In this case, the resin layer 270 is formed through the electrode separation line region It is possible to prevent the liquid resin material from leaking in the course of the process.

상기 절연막 패턴(210)은 투광성 또는 비 투광성 필름을 포함하며, 예컨대 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름(PE, PP, PET) 등을 포함할 수 있다. The insulating film pattern 210 includes a light-transmitting or non-light-transmitting film, and may be formed of a material such as a PI (polyimide) film, a PET (polyethylene terephthalate) film, an EVA (ethylene vinyl acetate) film, a PEN (PA), polyetheretherketone (PEEK), perfluoroalkoxy (PFA), polyphenylene sulfide (PPS), resin films (PE, PP, PET) and the like.

다음으로, 도 6과 같이 상기 절연막 패턴(210) 상에 전극층(220)을 형성한다. 예를 들어, 상기 전극층(220)은 구리(Cu), Cu-Ni, Cu-Mg-Sn와 같이 구리(Cu)를 포함하는 합금, Fe-Ni와 같이 철(Fe)을 포함하는 합금(alloy), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄을 포함하는 합금류로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, an electrode layer 220 is formed on the insulating film pattern 210 as shown in FIG. For example, the electrode layer 220 may be formed of an alloy including copper (Cu), Cu-Ni, Cu-Mg-Sn, an alloy including Fe ), Aluminum (Al), or an alloy including aluminum, but the present invention is not limited thereto.

상기 전극층(220)은 15㎛~300㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있으며, 이러한 두께는 바람직하게 15㎛~35㎛ 범위로 형성될 수 있고 발광다이오드 칩을 지지하는 지지 프레임으로 기능하며, 또한 발광다이오드 칩으로부터 발생된 열을 전도하는 방열 부재로 동작할 수 있다.The electrode layer 220 may be formed to a thickness of about 15 to 300 탆. The thickness of the electrode layer 220 may preferably be in the range of 15 탆 to 35 탆. The thickness of the electrode layer 220 may function as a supporting frame for supporting the light emitting diode chip, It can operate as a heat dissipating member for conducting heat generated from the diode chip.

다음으로, 도 7과 같이 상기 전극층(220)에 식각을 통해 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)으로 분리할 수 있다. Next, as shown in FIG. 7, the electrode layer 220 may be separated into a first electrode layer 221 and a second electrode layer 222 through etching.

실시예에서 상기 제1 전극층(221)과 제2 전극층(222)은 제1 전극분리선(232)에 의해 전기적으로 분리될 수 있으며, 제2 전극분리선(231)이 이후 형성되는 제1 오목부(C1)를 기준으로 상기 제1 전극분리선(232)과 대칭되는 위치의 상기 제1 전극층(221)에 형성되어 열응력에 대해 안정적일 수 있다. 상기 제1 전극분리선(232), 제2 전극분리선(231)은 상기 전극층에 대한 식각공정에 의해 형성될 수 있다.The first electrode layer 221 and the second electrode layer 222 may be electrically separated by the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231 may be formed in the first recessed portion C1 may be formed in the first electrode layer 221 at a position symmetrical to the first electrode separation line 232 to be stable to thermal stress. The first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231 may be formed by an etching process for the electrode layer.

또한, 실시예는 이후 형성되는 수지층 외곽 둘레에 대응되는 상기 제1 전극층(221)에 홈(H)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(270)을 돔(dome) 형상으로 형성하여 색편차를 줄일 수 있다.In addition, in the embodiment, a groove H is formed in the first electrode layer 221 corresponding to the periphery of the resin layer to be formed later so that the resin layer 270 including the phosphor is formed into a dome shape, .

상기 제1 전극층(221)에 형성되는 홈(H)은 해프 에칭(half ethching)에 의해 제1 전극층(221)을 관통하지 않도록 식각을 진행하여 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The grooves H formed in the first electrode layer 221 may be etched so as not to penetrate the first electrode layer 221 by half-etching, but the present invention is not limited thereto.

다음으로, 도 8과 같이 전극층(220)에 대해 제1 오목부(C1) 형성공정을 진행한다. 실시예에 의하면 전극층(220)에 다운셋 하여 제1 오목부(C1)를 형성하고, 발광다이오드 칩(250)을 실장함으로써 구조적인 안정성을 높일 수 있다.Next, the process of forming the first concave portion C1 is performed on the electrode layer 220 as shown in Fig. According to the embodiment, the first concave portion C1 is down-set on the electrode layer 220 and the light-emitting diode chip 250 is mounted, thereby improving structural stability.

예를 들어, 상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)는 상기 제1 전극층(221)의 일부 영역에 대해 제1 다운 셋(down-set) 영역 또는 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 오목부(C1)는 전극층(220)의 중앙부에 형성된 제1 다운 셋 영역일 수 있다. 상기 제1 오목부(C1)는 상기 렌즈(280)의 상하 간에 오버랩되는 영역에 형성될 수 있다.For example, the first concave portion C1 of the first electrode layer may be a first down-set region or a bend region for a portion of the first electrode layer 221, but is not limited thereto . For example, the first concave portion C1 may be a first downset region formed at the center of the electrode layer 220. [ The first concave portion C1 may be formed in a region overlapping between the upper and lower sides of the lens 280. [

실시예에 의하면 전극층(220) 상에 제1 오목부(C1)를 형성한 후, 상기 제1 오목부(C1)에 발광다이오드 칩(250)을 실장하고, 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.The first recess C1 may be formed on the electrode layer 220 and then the LED chip 250 may be mounted on the first recess C1 and the resin layer 270 including the phosphor may be formed on the first recess C1. It is possible to form a dome shape when forming a resin layer (encapsulate) including the fluorescent material, thereby making it possible to produce a uniform color temperature and to improve the color deviation.

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩(250) 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to the embodiment, by reducing the area of the fluorescent material by reducing the area of the fluorescent material by filling the fluorescent material in the conventional cup by dotting the fluorescent material on the light emitting diode chip 250, the occurrence of mura phenomenon is reduced, The thickness of the set can also be lowered.

또한, 실시예에 의하면 전극층(220) 상에 제1 오목부(C1)을 형성한 후 발광다이오드 칩(250)을 실장함으로써 발광다이오드 칩(250)이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.In addition, according to the embodiment, when the light emitting diode chip 250 is mounted after the first concave portion C1 is formed on the electrode layer 220, the position where the light emitting diode chip 250 is seated is lowered, So that the effect of thermal stress can be minimized and the yellow ring phenomenon due to thermal stress can be improved.

또한, 실시예는 상기 제1 오목부(C1) 형성시 상기 전극층(220)을 기준으로 모서리 또는 사이드에 제2 오목부(C2)를 형성할 수 있다(도 1 및 도 3 참조). 예를 들어, 상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극층(221)과 상기 제2 전극층(222)의 모서리에 형성된 제2 다운셋 영역 또는 제2 절곡부 영역 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, in the embodiment, the second concave portion C2 may be formed at an edge or a side with respect to the electrode layer 220 when the first concave portion C1 is formed (see FIGS. 1 and 3). For example, the second recess C2 may be a second down-set region or a second bend region formed at the edges of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222, no.

상기 제2 오목부(C2) 형성공정은 상기 제1 오목부(C1) 형성공정과 동시에 진행될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The second concave portion C2 may be formed simultaneously with the first concave portion C1, but the present invention is not limited thereto.

실시예에 의하면 상기 제2 오목부(C2)는 이후 형성되는 렌즈(280)의 외곽부와 접하여 형성됨으로써, 렌즈(280)의 외곽 하측에 배치된 제2 오목부(C2)가 열응력 스트레스에 의한 렌즈(280)의 변형을 저지해 줌으로써 렌즈(280)의 박리(Delamination)문제를 방지하여 습기침투에 대한 기밀성이 강화되어 신뢰성이 개선된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The second concave portion C2 is formed to be in contact with the outer portion of the lens 280 to be formed later so that the second concave portion C2 disposed on the lower side of the outer periphery of the lens 280 is in contact with the thermal stress stress It is possible to prevent the delamination problem of the lens 280 by preventing the lens 280 from being deformed by the lens 280 and to improve the reliability of the light emitting device package and the illumination system with enhanced airtightness against moisture penetration.

한편, 실시예에서 렌즈(280)는 제2 오목부(C2)와 접하지 않을 수도 있으며, 이 경우 제2 오목부(C2)에 의해 구조적인 안정성을 높일 수 있다.On the other hand, in the embodiment, the lens 280 may not contact the second concave portion C2. In this case, the structural stability can be improved by the second concave portion C2.

상기 제1 오목부(C1)는 상기 제1 전극분리선(232)과 상기 제2 전극분리선(231) 사이의 전극층(220) 중앙부에 형성될 수 있으며, 상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극분리선(232)과 상기 제2 전극분리선(231)의 외측의 전극층(220) 모서리에 형성될 수 있다.The first concave portion C1 may be formed at the central portion of the electrode layer 220 between the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231, And may be formed at the edge of the electrode layer 220 outside the first electrode separation line 232 and the second electrode separation line 231.

상기 제2 오목부(C2)는 제1 전극층(221)의 모서리에 2개, 제2 전극층(222)의 모서리에 2개 형성되는 예를 도시하고 있으나 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며 상기 제2 오목부(C2)는 상기 제1 전극층(221)과 상기 제2 전극층(222)의 모서리에 각각 1 개 이상으로 형성될 수 있다.Although the second concave portion C2 is formed at two corners of the first electrode layer 221 and two at the corners of the second electrode layer 222, the present invention is not limited thereto, The recess C2 may be formed at one or more corners of the first electrode layer 221 and the second electrode layer 222, respectively.

다음으로, 도 9와 같이 상기 전극층(220) 상에 반사층(240)을 형성할 수 있다. 상기 반사층(240)은 제1 전극층(221) 상에 제1 반사층(241), 상기 제2 전극층(222) 상에 제2 반사층(242)을 포함할 수 있다.Next, a reflective layer 240 may be formed on the electrode layer 220 as shown in FIG. The reflective layer 240 may include a first reflective layer 241 on the first electrode layer 221 and a second reflective layer 242 on the second electrode layer 222.

상기 반사층(240)은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 그 합금 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The reflective layer 240 may be formed of silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), or an alloy thereof, but is not limited thereto.

다음으로, 도 10과 같이 상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)에 발광다이오드 칩(250)을 실장한다. 예를 들어, 상기 제1 오목부(C1)의 실장영역에 실리콘 에폭시 등의 다이 접착제(미도시)를 형성한 후 발광다이오드 칩(250)을 실장할 수 있다.Next, as shown in FIG. 10, the light emitting diode chip 250 is mounted on the first concave portion C1 of the first electrode layer. For example, the LED chip 250 can be mounted after a die-bonding agent (not shown) such as silicon epoxy is formed on the mounting region of the first concave portion C1.

이후, 상기 발광다이오드 칩(250)은 제1 와이어(261)에 의해 상기 제1 전극층(221)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(262)에 의해 제2 전극층(222)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode chip 250 may be electrically connected to the first electrode layer 221 by a first wire 261 and may be electrically connected to the second electrode layer 222 by a second wire 262 .

실시예에 의하면 전극층(220)의 제1 오목부(C1)에 발광다이오드를 실장함으로써 발광다이오드 칩이 안착 되는 위치가 낮아져서 와이어 본딩시 와이어의 높이를 낮출 수 있어 열응력의 영향을 최소화함으로써 열응력에 의한 옐오우 링(Yellow ring) 현상을 개선할 수 있다.According to the embodiment, by mounting the light emitting diode on the first concave portion C1 of the electrode layer 220, the position where the light emitting diode chip is seated is lowered, so that the height of the wire can be lowered during wire bonding, thereby minimizing the influence of thermal stress, It is possible to improve the yellow ring phenomenon.

다음으로, 도 12와 같이 상기 제1 전극층의 제1 오목부(C1)의 상기 발광다이오드 칩(250) 상에 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 12, a resin layer 270 including a phosphor is formed on the light emitting diode chip 250 of the first concave portion C1 of the first electrode layer.

실시예에 의하면 전극층(220) 상에 제1 오목부(C1)를 형성한 후, 상기 제1 오목부(C1)에 발광다이오드 칩(250)을 실장하고, 형광체를 포함하는 수지층(270)을 형성함으로써 형광체를 포함하는 수지층(Encapsulate) 형성시 돔 형상으로 형성할 수 있어 균일한 색온도를 연출할 수 있어 색편차를 개선할 수 있다.The first recess C1 may be formed on the electrode layer 220 and then the LED chip 250 may be mounted on the first recess C1 and the resin layer 270 including the phosphor may be formed on the first recess C1. It is possible to form a dome shape when forming a resin layer (encapsulate) including the fluorescent material, thereby making it possible to produce a uniform color temperature and to improve the color deviation.

예를 들어, 실시예에 의하면 발광다이오드 칩 위에 형광체를 도팅(dotting)함으로써 기존 컵(Cup) 안에 채우는 형식보다 형광체의 면적이 감소하여 색편차를 줄임으로써 무라현상의 발생을 감소시키고 더불어 세트의 두께도 낮출 수 있다.For example, according to an embodiment of the present invention, the area of the phosphor is reduced by reducing the area of the fluorescent material by filling the fluorescent material on the light emitting diode chip to fill the existing cup, thereby reducing color deviation, .

다음으로, 상기 수지층(270) 및 상기 전극층(220) 상에 렌즈(280)를 형성한다.Next, a lens 280 is formed on the resin layer 270 and the electrode layer 220.

실시예에서의 렌즈(280)는 중심부가 오목하고 주변부가 원형을 나타낼 수 있다. 상기 렌즈(280)는 상기 수지층(270)의 물질과 유사한 물성을 물질로 형성하여 열응력에 따른 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 렌즈(280)는 실리콘(Silicone) 물질로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The lens 280 in the embodiment may have a concave center portion and a circular portion at the peripheral portion. The lens 280 may be formed of a material similar to the material of the resin layer 270 so as to minimize thermal expansion stress due to thermal stress. For example, the lens 280 may be formed of a silicon material, but is not limited thereto.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device package and the illumination system in which the light efficiency is increased by improving the reliability can be provided.

도 13은 실시예에 따른 표시 장치(1100)를 나타낸 도면이다. 13 is a diagram showing a display device 1100 according to the embodiment.

도 13을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.13, a display device 1100 according to the embodiment includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device package 200 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155 ).

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다.The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원화 하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and the light emitted from the light emitting module 1060 is converted into a surface light source, or diffused or condensed.

실시예에 의하면 신뢰성이 개선됨으로써 광효율이 증대된 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, the light emitting device package and the illumination system in which the light efficiency is increased by improving the reliability can be provided.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (9)

상호 이격된 제1 전극층과 제2 전극층을 구비하는 전극층;
상기 제1 전극층의 일부 영역에 형성된 제1 오목부;
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층에 각각 형성된 제2 오목부;
상기 제1 전극층의 제1 오목부에 배치되는 발광다이오드 칩;
상기 제1 전극층의 제1 오목부의 상기 발광다이오드 칩 상에 형광체를 포함하여 형성된 수지층;
상기 수지층 및 상기 전극층 상에 렌즈; 및
상기 전극층 하측에 배치되는 절연막 패턴을 포함하고,
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층은 제1 전극분리선에 의해 전기적으로 분리되며,
제2 전극분리선이 상기 제1 오목부를 기준으로 상기 제1 전극분리선과 대칭되는 위치의 상기 제1 전극층에 형성된 발광소자 패키지.An electrode layer having a first electrode layer and a second electrode layer spaced apart from each other;
A first concave portion formed in a partial region of the first electrode layer;
A second concave portion formed in the first electrode layer and the second electrode layer, respectively;
A light emitting diode chip disposed in a first recess of the first electrode layer;
A resin layer formed on the light emitting diode chip of the first concave portion of the first electrode layer, the phosphor layer including a phosphor;
A lens on the resin layer and the electrode layer; And
And an insulating film pattern disposed under the electrode layer,
Wherein the first electrode layer and the second electrode layer are electrically separated by a first electrode separation line,
And the second electrode separation line is symmetrical with respect to the first electrode separation line with respect to the first recess. 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극층의 제1 오목부는 상기 제1 전극층의 일부 영역에 대해 제1 다운 셋(down-set) 영역이고,
상기 제2 오목부는 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층의 모서리에 형성된 제2다운 셋(down-set) 영역인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first recess of the first electrode layer is a first down-set region with respect to a portion of the first electrode layer,
And the second recess is a second down-set region formed at an edge of the first electrode layer and the second electrode layer. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제2 오목부는 상기 렌즈의 외곽부와 접하고,
상기 제1 오목부는 상기 제1 전극분리선과 상기 제2 전극분리선 사이의 상기 전극층 중앙부에 형성되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The second concave portion being in contact with an outer frame portion of the lens,
Wherein the first concave portion is formed at the central portion of the electrode layer between the first electrode separation line and the second electrode separation line. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 오목부는 상기 제1 전극분리선과 상기 제2 전극분리선의 외측의 상기 전극층 모서리에 형성되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the second recess is formed at an edge of the electrode layer outside the first electrode separation line and the second electrode separation line. 제7항에 있어서,
상기 수지층 외곽 둘레의 상기 제1 전극층의 오목부에 홈이 형성되고,
상기 형광체를 포함하는 수지층은 돔 형상인 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
A groove is formed in the recess of the first electrode layer around the periphery of the resin layer,
Wherein the resin layer including the phosphor is in a dome shape. 삭제delete
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