RU2267188C2 - Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring - Google Patents

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring Download PDF

Info

Publication number
RU2267188C2
RU2267188C2 RU2003118499/28A RU2003118499A RU2267188C2 RU 2267188 C2 RU2267188 C2 RU 2267188C2 RU 2003118499/28 A RU2003118499/28 A RU 2003118499/28A RU 2003118499 A RU2003118499 A RU 2003118499A RU 2267188 C2 RU2267188 C2 RU 2267188C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
holder
crystals
silicon
light
Prior art date
Application number
RU2003118499/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2003118499A (en
Inventor
Г.В. Федорова (RU)
Г.В. Федорова
С.П. Черных (RU)
С.П. Черных
Original Assignee
Федорова Галина Владимировна
Черных Сергей Петрович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федорова Галина Владимировна, Черных Сергей Петрович filed Critical Федорова Галина Владимировна
Priority to RU2003118499/28A priority Critical patent/RU2267188C2/en
Publication of RU2003118499A publication Critical patent/RU2003118499A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2267188C2 publication Critical patent/RU2267188C2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

FIELD: electronic engineering, in particular, light-emitting diode devices, applicable i manufacture of light-emitting devices used in municipal engineering, advertisement, automobile industry, power engineering, railway transport and in other branches of industry.
SUBSTANCE: the light-emitting diode device has one or more semiconductor crystals used as radiators. The holder is made of silicon with connecting terminals. A recess with a flat bottom for fitting of crystals and reflecting the radiation by the side surface is made in the holder by etching. The side surface of the recess reflecting the radiation is made in the form of a tetrahedron or surface of a body of resolution or in the form of some other radiation concentrator so that the side radiation of the crystals would be directed towards the optical element forming the radiation of the necessary indicatrix. The device has also the first electrode, on which the semiconductor crystal is installed, the second electrode on the upper plane of the silicon holder, on which the second electrode of the semiconductor crystal is boiled soft, and two contacts for surface wiring on the lower surface of the holder.
EFFECT: enhanced power (of luminous intensity) of the light-emitting diode device due to the use of silicon as a base at manufacture of the device casing for surface wiring, reduced thermal resistance of the casing due to it, and improved reflecting capacity of the hole at etching of it in the silicon base.
12 cl, 3 dwg

Description

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к полупроводниковым приборам, содержащим несколько элементов, сформированных на общей подложке, а именно к светодиодным устройствам, и может найти применение в полупроводниковой промышленности при разработке и производстве светодиодных устройств, используемых в коммунальном хозяйстве, рекламе, автомобильной промышленности, энергетике, железнодорожном транспорте и в других отраслях промышленности.The invention relates to the field of electronic technology, in particular to semiconductor devices containing several elements formed on a common substrate, namely, LED devices, and may find application in the semiconductor industry in the design and manufacture of LED devices used in public utilities, advertising, automotive industry, energy, railway transport and other industries.

Светодиодные устройства широко применяются для сигнализации о режиме работы различной аппаратуры, в системах освещения и подсветки, моноцветных, многоцветных и полноцветных экранах индивидуального и коллективного пользования любого формата, для подсветки в неактивных приборах типа ЖКИ, в мобильных телефонах и др.LED devices are widely used for signaling the operating mode of various equipment, in lighting and backlight systems, single-color, multi-color and full-color screens for individual and collective use of any format, for illumination in inactive devices such as LCDs, in mobile phones, etc.

Использование светодиодных устройств вместо ламп накаливания значительно повышает надежность и снижает энергопотребление аппаратуры. При этом во многих случаях требуются светодиодные устройства с широкой гаммой цветов и оттенков светового потока, различной величиной и равномерностью светящегося пятна и разной мощностью (силой света) излучения.The use of LED devices instead of incandescent lamps significantly increases reliability and reduces power consumption of the equipment. Moreover, in many cases, LED devices with a wide range of colors and shades of the light flux, different size and uniformity of the luminous spot and different power (luminous intensity) of the radiation are required.

Наиболее важным параметром светодиодных устройств является мощность излучения, зависящая прежде всего от силы протекаемого прямого электрического тока и от значения величины теплового сопротивления держателя, на котором установлен кристалл излучателя света. Известны светоизлучающие диоды [1-10], в которых кристалл излучателя света укреплен на держателе, соединенном с одним из электрических выводов, и размещен в пластмассовом корпусе, который состоит из кубического основания с отражателем в виде перевернутого конуса с углом 90θ при вершине. При прямом токе 20 мА минимальная величина силы света (аксиальная интенсивность свечения) составляет 0,2 кд. Угол излучения, измеряемый на половине мощности излучения, составляет 125θ. Недостатком такого светодиодного устройства является невысокая сила света, что обусловлено широкой диаграммой направленности и неполным сбором излучения направленного на отражатель излучения бокового света кристаллов, обусловленного некачественной поверхностью отражательной лунки, а также невозможностью повышения величины силы прямого тока через устройство из-за значительного теплового сопротивления корпуса и перегрева кристалла излучателя света, так как выделяемое тепло отводится только через металлический вывод. В этом случае наблюдается нарушение линейности люмен-амперной характеристики, приводящее к насыщению роста силы свечения при увеличении силы прямого тока. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому светодиодному устройству является прибор NECG050AT фирмы «Nichia».The most important parameter of LED devices is the radiation power, which depends primarily on the strength of the direct electric current flowing and on the value of the thermal resistance of the holder on which the light emitter crystal is mounted. Light-emitting diodes are known [1-10], in which the crystal of the light emitter is mounted on a holder connected to one of the electrical terminals and placed in a plastic case, which consists of a cubic base with a reflector in the form of an inverted cone with an angle of 90θ at the apex. With a direct current of 20 mA, the minimum luminous intensity (axial glow intensity) is 0.2 cd. The radiation angle, measured at half the radiation power, is 125θ. The disadvantage of such an LED device is its low light intensity, which is due to the wide radiation pattern and incomplete collection of radiation of the side light of the crystals directed to the reflector due to the poor-quality surface of the reflective hole, as well as the inability to increase the forward current through the device due to the significant thermal resistance of the housing and overheating of the crystal of the light emitter, since the generated heat is removed only through the metal outlet. In this case, there is a violation of the linearity of the lumen-ampere characteristic, leading to saturation of the growth of the luminescence force with increasing direct current. The closest in technical essence to the proposed LED device is the NECG050AT device of the company "Nichia".

Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение мощности (силы света) излучения светодиодного устройства за счет применения кремния как основы при изготовлении корпуса прибора для поверхностного монтажа, уменьшение за счет этого теплового сопротивления корпуса, и улучшения отражательной способности лунки при травлении ее в кремниевом основании. Одной из особенностей изготовления данного светодиодного устройства является планарная групповая технология и то, что разделение пластины на отдельные готовые приборы происходит после сборки и тестирования всех светодиодных устройств на пластине. Среди многих преимуществ изготовления кремниевых корпусов следует выделить возможность интеграции в кремниевый корпус различных электронных приборов защиты излучателя от внешних воздействий, интегральных схем управления излучением, а также применением групповой планарной технологии изготовления приборов, повышение эффективности технологических процессов сборки, контроля качества и упаковки приборов, что значительно снижает затраты на изготовление как самого светодиодного устройства, так и систем на его основе.The technical result of the present invention is to increase the radiation power (luminous intensity) of an LED device due to the use of silicon as the basis for the manufacture of a surface mount device, thereby reducing the thermal resistance of the case, and improving the reflectivity of the hole when it is etched in a silicon base. One of the features of manufacturing this LED device is a planar group technology and the fact that the separation of the plate into separate finished devices occurs after the assembly and testing of all LED devices on the plate. Among the many advantages of manufacturing silicon cases, it is worth highlighting the possibility of integrating various electronic devices for protecting the emitter from external influences, integrated radiation control integrated circuits into the silicon case, as well as using group planar technology for manufacturing devices, increasing the efficiency of assembly processes, quality control and packaging of devices, which is significantly reduces the cost of manufacturing both the LED device itself and systems based on it.

Технический результат достигается тем, что в качестве источника излучения устройство содержит один и более отдельных полупроводниковых кристаллов одноцветного либо разноцветного излучения оптического диапазона, размещенных на общей для них подложке, причем подложка содержит углубление с плоским дном и отражающей излучение боковой поверхностью, углубление для посадки кристаллов на подложке имеет отражающую излучение боковую поверхность в форме тетраэдра или поверхности тела вращения, преимущественно усеченную коническую поверхность, либо в форме иного концентратора излучения так, чтобы боковое излучение каждого кристалла направлялось в сторону оптического элемента формирующего индикатрису излучения, глубина плоского посадочного места кристаллов излучателей света не менее чем в 1,2 раза превышает их толщину, но не превосходит двух толщин кристаллов, а величина диаметра посадочного места для каждого отдельного кристалла излучателя света превышает размер диагонали нижней грани соответствующего кристалла, но не менее чем в полтора раза величины указанной диагонали, причем объем концентратора излучения заполняется герметизирующим компаундом. The technical result is achieved by the fact that, as a radiation source, the device contains one or more separate semiconductor crystals of the same or multi-color radiation of the optical range placed on a common substrate for them, the substrate containing a recess with a flat bottom and reflecting radiation side surface, a recess for landing crystals on the substrate has a radiation reflecting side surface in the form of a tetrahedron or the surface of a body of revolution, mainly a truncated conical surface either in the form of another radiation concentrator so that the lateral radiation of each crystal is directed toward the optical element forming the indicatrix of radiation, the depth of the flat seat of the crystals of the light emitters is not less than 1.2 times their thickness, but does not exceed two crystal thicknesses, and the size of the diameter of the seat for each individual crystal of the light emitter exceeds the size of the diagonal of the lower face of the corresponding crystal, but not less than one and a half times the size of the specified diagonal whether, and the volume of the radiation concentrator is filled with a sealing compound.

На фигуре 1 представлено предлагаемое светодиодное устройство в разрезе в увеличенном масштабе, где: 1 - кремниевое основание с углублением, выполненным в форме перевернутого усеченного конуса с отражающей излучение боковой поверхностью; 2 - один из кристаллов излучателя света; 3 - токопроводящий клей; 4 - электрические выводы; 5 - полимерный герметизирующий компаунд; 6 - проводник к контакту.The figure 1 presents the proposed LED device in a section on an enlarged scale, where: 1 - a silicon base with a recess made in the form of an inverted truncated cone with a radiation-reflecting side surface; 2 - one of the crystals of the light emitter; 3 - conductive glue; 4 - electrical leads; 5 - polymer sealing compound; 6 - conductor to the contact.

Работа светодиодного устройства в соответствии с фигурой 1 может быть описана следующим образом. При подаче на выводы 4 электрического напряжения, обеспечивающего протекание прямого электрического тока через кристалл излучателя света 2, кристалл начинает испускать свет. Излучение с верхней поверхности кристалла излучателя света 2 и с его боковых граней после отражения усеченной конической поверхностью попадает в слой полимерного герметизирующего компаунда, а затем на оптическую систему, формирующую излучение нужной индикатрисы.The operation of the LED device in accordance with figure 1 can be described as follows. When applying to the conclusions 4 of an electric voltage that ensures the flow of direct electric current through the crystal of the light emitter 2, the crystal begins to emit light. The radiation from the upper surface of the crystal of the light emitter 2 and from its side faces after reflection by a truncated conical surface falls into the layer of the polymer sealing compound, and then onto the optical system that forms the radiation of the desired indicatrix.

В зависимости от требуемой диаграммы направленности излучения применяется соответствующая конфигурация линзы. Наличие полимерного герметизирующего компаунда 5 обеспечивает влагозащищенность кристаллов излучателей света 2, проводника к выводу 6. Конструкция светодиодного устройства с полимерным герметизирующим компаундом 5, выполненная на основе кремниевого держателя с отражающей усеченной конической поверхностью на подложке, позволяет использовать боковое свечение излучателя света 2 и в два раза увеличить мощность излучения.Depending on the desired radiation pattern, the appropriate lens configuration is used. The presence of the polymer sealing compound 5 ensures the moisture resistance of the crystals of the light emitters 2, the conductor to terminal 6. The design of the LED device with a polymer sealing compound 5, made on the basis of a silicon holder with a reflective truncated conical surface on the substrate, allows the lateral glow of the light emitter 2 and twice increase radiation power.

При монохромном одноцветном исполнении светодиодного устройства могут быть использованы кристаллы излучателей света 2 с красным, оранжевым, желтым, зеленым, голубым, синим цветами свечения или УФ-диапазона, а также кристаллы с люминофором для получения белого цвета.With a monochrome single-color design of an LED device, crystals of light emitters 2 with red, orange, yellow, green, blue, blue colors of the glow or the UV range can be used, as well as crystals with a phosphor to obtain white.

Технологический маршрут изготовления светодиодного устройства представлен на фигуре 2.The technological route of manufacturing the LED device is presented in figure 2.

Конструкции светодиодных устройств для посадки кристаллов методом флип-чип, для интеграции излучающего элемента с интегральной схемой или другим компонентом электроники, защитным диодом, без сквозной лунки в кремнии и т.д. представлены на фигуре 3а-3г.Designs of LED devices for planting crystals using the flip chip method, for integrating the emitting element with an integrated circuit or other electronics component, a protective diode, without a through hole in silicon, etc. presented in figure 3A-3G.

Конструктивное воплощение конкретного светодиодного устройства, изготовленного согласно изобретению, содержит кремниевый держатель толщиной 0,3 мм, изготовленный по вышеприведенной технологии. Отражательная усеченная коническая поверхность имеет глубину 0,3 мм, диаметр на поверхности держателя равен 1,4 мм, диаметр плоского дна с посадочными местами для кристаллов составляет 0,7 мм.A structural embodiment of a particular LED device manufactured according to the invention comprises a 0.3 mm thick silicon holder made using the above technology. The reflective truncated conical surface has a depth of 0.3 mm, the diameter on the surface of the holder is 1.4 mm, the diameter of the flat bottom with seats for crystals is 0.7 mm.

Кристаллами излучателей света служили кристаллы, излучающие красный свет с длиной волны 633 нм, зеленый свет с длиной волны 525 нм и синий свет с длиной волны 470 нм. Для установки кристаллов излучателей света использовался токопроводящий клей марки ТОК-2.The crystals of the light emitters were crystals that emit red light with a wavelength of 633 nm, green light with a wavelength of 525 nm and blue light with a wavelength of 470 nm. To install crystals of light emitters, conductive glue of the TOK-2 brand was used.

Описанная конструкция светодиодного устройства обеспечивает величину теплового сопротивления 15°С/Вт и увеличение прямого тока через светодиод до 40 мА и более без потери линейности люкс-амперной характеристики. Ниже приведены характеристики разработанных на основании предлагаемого изобретения сверхъярких светодиодных устройств.The described design of the LED device provides a thermal resistance of 15 ° C / W and an increase in direct current through the LED up to 40 mA or more without loss of linearity of the lux-ampere characteristic. Below are the characteristics of superbright LED devices developed on the basis of the present invention.

Примеры конкретного выполнения предлагаемого светодиодного устройства иллюстрируются показателями, приведенными в таблицах 1-2.Examples of specific performance of the proposed LED device are illustrated by the indicators given in tables 1-2.

В таблице 1 представлены характеристики ярких полупроводниковых светодиодных устройств.Table 1 presents the characteristics of bright semiconductor LED devices.

Таблица 1Table 1 Длина волны, нм.Wavelength, nm Мин сила света Iпр=40 мА, мкдMin luminous intensity Ipr = 40 mA, mcd Тип сила света Iпр=40 мА, мкдType luminous intensity Ipr = 40 mA, mcd Угол излуч. 2Т 1/2Iv, градBeam Angle 2T half I v, hail 630630 600600 900900 120120 525525 600600 800800 120120 470470 500500 800800 120120

В таблице 2 представлены максимальные рабочие характеристики и другие показатели полупроводниковых светодиодных устройств.Table 2 presents the maximum performance and other indicators of semiconductor LED devices.

Таблица 2table 2 № п/пNo. p / p Максимальные параметры при 25°СMaximum parameters at 25 ° С 1.1. Максимальный пиковый прямой токMaximum Peak Forward Current 100 мА100 mA 2.2. Средний прямой токAverage forward current 50 мА50 mA 3.3. Максимальный прямой токMaximum forward current 70 мА70 mA 4.4. Рассеиваемая мощностьPower dissipation 300 мВт300 mW 5.5. Обратное напряжение (обратный ток=100 мкА)Reverse voltage (reverse current = 100 μA) 5V5V 6.6. Рабочая температураWorking temperature -55 до + 100°С-55 to + 100 ° С 7.7. Температура пайки свинцовистым припоем(1,6 мм от крышки)Lead-free soldering temperature (1.6 mm from the lid) 260°С за 5 сек.260 ° C for 5 sec.

Как видно из подробного описания изобретения и примеров его конкретного осуществления, разработанное светодиодное устройство может найти широкое промышленное применение.As can be seen from the detailed description of the invention and examples of its specific implementation, the developed LED device can find wide industrial application.

Литература:Literature:

1. European Patent Office. Publication number: 0434471 A1.1. European Patent Office. Publication number: 0434471 A1.

2. European Patent Office. Publication number: EP 1174930 A1.2. European Patent Office. Publication number: EP 1174930 A1.

3. European Patent Office. Publication number: 0646971 A2.3. European Patent Office. Publication number: 0646971 A2.

4. United States Patent No.: US 6407928 B1.4. United States Patent No .: US 6407928 B1.

5. United States Patent No.: US 6252350 B1.5. United States Patent No .: US 6252350 B1.

6. United States Patent No.: US 6480389 B1.6. United States Patent No .: US 6480389 B1.

7. United States Patent No.: US 6534799 В1.7. United States Patent No .: US 6534799 B1.

8. United States Patent No.: US 4935856.8. United States Patent No .: US 4935856.

9. United States Patent No.: US 2002/0195935 A1.9. United States Patent No .: US 2002/0195935 A1.

10. United States Patent No.: US 6069440.10. United States Patent No .: US 6069440.

Claims (12)

1. Светодиодное полупроводниковое устройство в корпусе для поверхностного монтажа, содержащее в качестве излучателей один или более полупроводниковых кристаллов, держатель из кремния с присоединительными выводами, в держателе травлением выполнено углубление с плоским дном для посадки кристаллов и отражающей излучение боковой поверхностью, отражающая излучение боковая поверхность углубления выполнена в форме тетраэдра или поверхности тела вращения, или в форме иного концентратора излучения так, чтобы боковое излучение кристаллов направлялось в сторону оптического элемента, формирующего излучения нужной индикатрисы, первый электрод, на котором установлен полупроводниковый кристалл, второй электрод на верхней плоскости кремниевого держателя, на который разваривается второй электрод полупроводникового кристалла, а также два контакта для поверхностного монтажа на нижней поверхности держателя.1. An LED semiconductor device in a surface-mounted housing, comprising one or more semiconductor crystals, a silicon holder with connecting leads as emitters, an etched recess with a flat bottom for landing crystals and a radiation-reflecting side surface, radiation-reflecting side surface of the recess, made in the holder by etching made in the form of a tetrahedron or the surface of a body of revolution, or in the form of another radiation concentrator so that the side radiation of crystals on directed toward the optical element forming the radiation of the desired indicatrix, the first electrode on which the semiconductor crystal is mounted, the second electrode on the upper plane of the silicon holder, onto which the second electrode of the semiconductor crystal is welded, and also two contacts for surface mounting on the bottom surface of the holder. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отражающая излучение боковая поверхность углубления выполнена в форме усеченного конуса или тетраэдра, получена травлением на всю глубину или не всю глубину.2. The device according to claim 1, characterized in that the radiation-reflecting side surface of the recess is made in the form of a truncated cone or tetrahedron, obtained by etching to the entire depth or not to the entire depth. 3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что диаметр посадочного места для каждого отдельного кристалла превышает размер диагонали нижней грани соответствующего кристалла, но не более чем в полтора раза указанную диагональ.3. The device according to claim 1 or 2, characterized in that the diameter of the seat for each individual crystal exceeds the diagonal size of the lower face of the corresponding crystal, but no more than one and a half times the specified diagonal. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что объем углубления заполнен герметизирующим компаундом с добавлением диспергатора, люминофора или без них.4. The device according to claim 1, characterized in that the volume of the recess is filled with a sealing compound with the addition of a dispersant, phosphor or without them. 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что держатель сформирован с нанесенными изолирующими слоями.5. The device according to claim 1, characterized in that the holder is formed with deposited insulating layers. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что держатель сформирован с нанесенными изолирующими слоями и металлическими слоями, где один металлический слой сформирован на изолирующем слое, а другой сформирован на кремниевом держателе.6. The device according to claim 1, characterized in that the holder is formed with deposited insulating layers and metal layers, where one metal layer is formed on the insulating layer and the other is formed on a silicon holder. 7. Устройство по п.7, отличающееся тем, что металлические слои выполнены из материала, выбранного из группы Ti, Pt, Ni, Au, Sn, Cu.7. The device according to claim 7, characterized in that the metal layers are made of a material selected from the group Ti, Pt, Ni, Au, Sn, Cu. 8. Устройство по пп.6 и 7, отличающееся тем, что изолирующие слои выполнены из материала, выбранного из группы SiO2, Si3N4, Al2О3.8. The device according to claims 6 and 7, characterized in that the insulating layers are made of a material selected from the group of SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 . 9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что материал полупроводникового кристалла излучателя выбран из группы GaN, GaAs, InP, SiC, ZnO.9. The device according to claim 1, characterized in that the material of the semiconductor crystal of the emitter is selected from the group of GaN, GaAs, InP, SiC, ZnO. 10. Устройство по п.3, отличающееся тем, что оба электрода полупроводникового кристалла сформированы на нижней поверхности усеченного конуса для посадки кристаллов методом флип-чип технологии.10. The device according to claim 3, characterized in that both electrodes of the semiconductor crystal are formed on the lower surface of the truncated cone for planting crystals using flip chip technology. 11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в кремниевом держателе сформирован один из электронных компонентов: выпрямляющий диод, стабилитрон, электрически связанный с кристаллом излучателя.11. The device according to claim 1, characterized in that one of the electronic components is formed in the silicon holder: a rectifying diode, a zener diode, electrically connected to the emitter crystal. 12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в кремниевом держателе сформирована функциональная интегральная схема, электрически связанная с кристаллом излучателя.12. The device according to claim 1, characterized in that in the silicon holder is formed a functional integrated circuit, electrically connected to the crystal of the emitter.
RU2003118499/28A 2003-06-23 2003-06-23 Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring RU2267188C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003118499/28A RU2267188C2 (en) 2003-06-23 2003-06-23 Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003118499/28A RU2267188C2 (en) 2003-06-23 2003-06-23 Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2003118499A RU2003118499A (en) 2005-02-27
RU2267188C2 true RU2267188C2 (en) 2005-12-27

Family

ID=35285695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003118499/28A RU2267188C2 (en) 2003-06-23 2003-06-23 Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2267188C2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2477546C2 (en) * 2007-08-16 2013-03-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Light-emitting diode for lateral radiation with silicone lens supported by curvilinear silicone section
RU2488195C2 (en) * 2009-03-10 2013-07-20 Непес Лед Корпорейшн Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group
RU2491683C2 (en) * 2007-12-14 2013-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Contact for semiconductor light-emitting device
RU2502157C2 (en) * 2008-03-17 2013-12-20 Кониклейке Филипс Электроникс Н.В. Process of forming spacer for flip led
RU2503095C1 (en) * 2012-06-29 2013-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Optical module of light diode lamp
RU2586452C2 (en) * 2011-04-27 2016-06-10 Нития Корпорейшн Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same
RU2721101C2 (en) * 2010-11-19 2020-05-15 Люмиледс Холдинг Б.В. Island holder for light-emitting device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7687810B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust LED structure for substrate lift-off
RU2386193C1 (en) * 2008-10-24 2010-04-10 Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов (ТИСНУМ), Федеральное государственное учреждение Light-emitting diode (versions)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2477546C2 (en) * 2007-08-16 2013-03-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Light-emitting diode for lateral radiation with silicone lens supported by curvilinear silicone section
RU2491683C2 (en) * 2007-12-14 2013-08-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Contact for semiconductor light-emitting device
RU2502157C2 (en) * 2008-03-17 2013-12-20 Кониклейке Филипс Электроникс Н.В. Process of forming spacer for flip led
RU2488195C2 (en) * 2009-03-10 2013-07-20 Непес Лед Корпорейшн Assembly of light-emitting diode (led) lead-frame unit, led group using this lead-frame and method for manufacturing of led group
RU2721101C2 (en) * 2010-11-19 2020-05-15 Люмиледс Холдинг Б.В. Island holder for light-emitting device
RU2586452C2 (en) * 2011-04-27 2016-06-10 Нития Корпорейшн Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same
RU2503095C1 (en) * 2012-06-29 2013-12-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Optical module of light diode lamp

Also Published As

Publication number Publication date
RU2003118499A (en) 2005-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5557115A (en) Light emitting semiconductor device with sub-mount
US9153545B2 (en) Light-emitting element unit and light-emitting element package
JP4818215B2 (en) Light emitting device
US8809880B2 (en) Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US7221044B2 (en) Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US10439112B2 (en) Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
KR100851183B1 (en) Semiconductor light emitting device package
US8604500B2 (en) Light emitting device and light emitting device package
US20080006837A1 (en) Sub-mount for mounting light emitting device and light emitting device package
US9252340B2 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
EP3471156B1 (en) Light-emitting device package
KR100606550B1 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
RU2267188C2 (en) Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring
US20180249549A1 (en) Light-emitting module and lighting apparatus provided with same
US20150198292A1 (en) Light emitting diode (led) devices, systems, and methods for providing customized beam shaping
JP2005064412A (en) Block hybrid light emitting device and illumination light source using the same
US20200279982A1 (en) Light emitting device package and lighting source device
KR100609970B1 (en) Substrate for mounting light emitting device, fabricating method thereof and package using the same
RU79215U1 (en) SEMICONDUCTOR LED DEVICE FOR ASSEMBLY BY SURFACE MOUNTING
KR20120069290A (en) Led package
KR20110052262A (en) White light emitting device
KR20100008310A (en) Led module and manufacturing method thereof, and lighting apparatus having the said led module
KR102131309B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
KR101610384B1 (en) Light emitting device and light emitting module using thereof
JP2013125783A (en) Led mounting substrate and led lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060624

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20070910

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120624