KR20110052262A - White light emitting device - Google Patents

White light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20110052262A
KR20110052262A KR1020090109223A KR20090109223A KR20110052262A KR 20110052262 A KR20110052262 A KR 20110052262A KR 1020090109223 A KR1020090109223 A KR 1020090109223A KR 20090109223 A KR20090109223 A KR 20090109223A KR 20110052262 A KR20110052262 A KR 20110052262A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diode
diode chip
receiving sensor
Prior art date
Application number
KR1020090109223A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김현민
왕종민
김지훈
Original Assignee
주식회사지엘에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사지엘에스 filed Critical 주식회사지엘에스
Priority to KR1020090109223A priority Critical patent/KR20110052262A/en
Publication of KR20110052262A publication Critical patent/KR20110052262A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item

Abstract

PURPOSE: A white light emitting device is provided to supply white light of constant brightness by constantly maintaining a color temperature through a light receiving sensor unit. CONSTITUTION: A package body(100) comprises a first light source unit(200) and a second light source unit(300). The first light source unit is received in the package body and generates white light. A light receiving sensor unit(230) and a first light emitting diode chip(210) are mounted on the first light source unit. A color changing layer is formed on the light receiving sensor unit and the first light emitting diode chip and includes a light transmitting resin and a fluorescent substance excited by light from the first light emitting diode chip.

Description

백색 발광 장치{White light emitting device}White light emitting device

본 발명은 백색 발광 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 장기간의 사용에도 색온도가 일정하고, 연색성이 우수하며, 태양광에 가까운 양질의 백색광을 제공할 수 있는 백색 발광 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a white light emitting device, and more particularly, to a white light emitting device capable of providing high-quality white light having a constant color temperature, excellent color rendering and close to sunlight even for long-term use.

LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)는 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 지금까지 정보·통신기기를 비롯한 전자장치의 표시·화상용 광원으로 이용되어 왔다.LED (Light Emitting Diode) began in 1962 with the commercialization of red LEDs using GaAsP compound semiconductors.In addition to GaP: N-based green LEDs, LEDs and light sources for electronic devices, including information and communication devices, Has been used.

1990년대 중반 이후에는 질화갈륨(GaN) 청색 LED가 개발되면서 LED를 이용한 총천연색 디스플레이가 가능하게 되었으며, LED는 우리 생활 곳곳에 자리잡기 시작했다. Since the mid-1990s, gallium nitride (GaN) blue LEDs have been developed to enable full-color displays using LEDs, and LEDs have begun to spread throughout our lives.

가장 대표적인 예로, 핸드폰의 액정표시소자(LCD)와 키패드용 백라이트를 들 수 있으며, 이외에도 LED를 이용한 디스플레이는 옥외용 총천연색 대형 전광판, 그리고 교통 신호등, 자동차 계기판, 항만, 공항, 고층 빌딩의 경고 및 유도등과 같 은 다양한 곳에서 사용되고 있다.The most representative examples include the LCD of the mobile phone and the backlight for the keypad. In addition, the LED display is used for outdoor full color large electronic billboards, traffic signs, car dashboards, ports, airports, skyscrapers, and induction lamps. It is used in many different places.

이처럼 1990년도 중반에 접어들면서부터 적색 LED뿐만 아니라, 질화물 반도체 InGaN를 이용한 녹색 및 청색 LED의 조명 효율(luminous efficiency)이 백열 전구 수준을 능가하게 되어 고휘도 총천연색 디스플레이를 비롯한 광범위한 분야로의 LED의 응용이 본격화 되었다.Since the mid-1990s, the luminous efficiency of green and blue LEDs using nitride semiconductor InGaN as well as red LEDs has surpassed that of incandescent bulbs, and the application of LEDs to a wide range of fields, including high-brightness full-color displays. It became full-scale.

특히 일반 조명으로의 응용을 위해서는 우선 LED를 이용한 백색광을 얻어야 하는데, 백색 LED를 구현하는 방법은 크게 3가지로 나뉘어 진다.In particular, in order to apply to general lighting, first, you need to obtain white light using LED, and there are three ways to implement white LED.

첫째로, 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다.First, a method of implementing white by combining three LEDs that emit three primary colors of light, red, green, and blue.

그러나 이 방법은 하나의 백색광원을 만드는데 3개의 LED를 사용해야 하고, 단일 칩 위에 적색, 녹색, 청색의 3색 LED를 구성하여 백색 LED를 만드는 작업이 용이하지 않으며, 각각의 LED를 만드는 물질과 방식이 서로 다르고, 각각의 LED의 구동 전압이 달라서 전류의 세기를 조절하기가 용이하지 않은 등의 문제점이 있다.However, this method requires three LEDs to create a single white light source, and it is not easy to make white LEDs by configuring red, green, and blue three-color LEDs on a single chip, and the materials and methods of making each LED. These are different from each other, and the driving voltage of each LED is different, there is a problem that it is not easy to adjust the intensity of the current.

둘째는, 자외선 발광 LED를 광원으로 이용하여 적색, 녹색, 청색이 혼합된 형광체를 여기 시켜 백색광을 만드는 방법이 있다. Second, there is a method of producing white light by exciting the phosphor mixed with red, green, and blue by using an ultraviolet light emitting LED as a light source.

이 방법은 고전류 하에서 사용이 가능하고 색감이 우수하지만, 단파장인 자외선 LED로부터 방출된 광이 형광체에 흡수되어 발광될 때 각각의 형광체의 발광 파장에 의해 광 감쇠되고, 수명이 짧으며 낮은 효율을 갖는 단점이 있다.This method can be used under high current and has excellent color, but is attenuated by the light emission wavelength of each phosphor when light emitted from the short wavelength ultraviolet LED is absorbed and emitted by the phosphor, and has a short lifetime and low efficiency. There are disadvantages.

마지막으로, 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기 시킴으로써 상기 청색 LED의 청색광과 혼합되는 황색광을 생성하여 백색을 구현하는 방법이 있 다.Finally, there is a method of realizing white by generating yellow light mixed with blue light of the blue LED by exciting a yellow phosphor using a blue LED as a light source.

이 방법은 황색 형광체를 사용함으로써 연색지수(color rendering index, CRI)가 낮으며, 전류 밀도에 따라 연색지수가 변하는 특징이 있지만, 발광 효율이 우수하고, 가격, 광 특성 및 적용의 용이성 측면에서 상기 방법들에 비해 우수하므로 현재 많이 적용되고 있다.This method has a low color rendering index (CRI) by using a yellow phosphor, and the color rendering index changes according to the current density, but the luminous efficiency is excellent, and in view of price, optical characteristics and ease of application, It is superior to the methods and is currently being applied a lot.

도 1을 참조하면, 도 1은 청색 LED 칩과 황색 형광체를 사용한 발광 소자의 방출광 스펙트럼을 나타낸다.Referring to FIG. 1, FIG. 1 shows an emission light spectrum of a light emitting device using a blue LED chip and a yellow phosphor.

도 1에 나타난 바와 같이, 청색 파장 영역의 좁은 피크(a)와 황색 파장 영역의 넓은 피크(b)의 두 종류의 피크로 이루어져 있어, 이 방법에 따른 발광 소자는 청색 계열과 노란색 계열이 혼합된 빛을 발광함에 따라 적색의 색감이 적어 시각적으로 인식될 때 완전한 백색으로 인식되지 못하는 문제를 갖고 있다. As shown in FIG. 1, two types of peaks, a narrow peak (a) in the blue wavelength region and a wide peak (b) in the yellow wavelength region, consist of two kinds of peaks. As the light emits light, the color of red is less, and thus, when it is visually recognized, it is not recognized as completely white.

따라서 종래에는 청색 LED 칩과 황색 형광체를 사용한 발광 소자에 적색 LED 또는 적색 형광체를 추가하여 상기의 문제점을 보완한 발광 소자를 사용하고 있다.Therefore, conventionally, a red LED or a red phosphor is added to a light emitting device using a blue LED chip and a yellow phosphor to use a light emitting device that solves the above problem.

그런데, 청색 LED와 황색 형광체를 이용한 상기의 발광 소자가 조명으로 사용되기 위해서는 장기간 사용에도 일정한 색온도의 백색광을 유지할 수 있어야 하나, 상기 청색 LED로부터의 광 강도가 시간이 지남에 따라 변하게 되어 전체적인 백색광의 색온도가 변화되는 문제점이 있다.However, in order for the light emitting device using the blue LED and the yellow phosphor to be used as illumination, the white light having a constant color temperature must be maintained even after long-term use, but the light intensity from the blue LED changes over time, thereby reducing the overall white light. There is a problem that the color temperature is changed.

즉 상기 청색 LED로부터 방출되는 광의 강도가 시간이 지남에 따라 변함에도 상기 적색 LED로부터 방출되는 광은 일정하게 유지되는 경우 전체적인 백색광의 색온도가 틀어지게 된다.That is, even if the intensity of light emitted from the blue LED changes over time, the color temperature of the entire white light is changed when the light emitted from the red LED remains constant.

특히 하나의 공간에 여러 개의 조명을 사용하는 경우 상기 청색LED들의 광 강도 변화가 각기 달라 각 조명마다 색온도가 다른 것이 인식되는 문제점이 있다.In particular, when a plurality of lights are used in one space, there is a problem that the color temperature of the blue LEDs is different so that the color temperature is different for each light.

상기와 같이 색온도가 틀어지는 현상은 상기 LED를 이용한 조명을 장기간 사용할수록 두드러지므로 LED를 이용한 조명의 사용 수명을 보장할 수 없는 문제점이 있다. As described above, the phenomenon that the color temperature is distorted is prominent as the illumination using the LED is used for a long time, so there is a problem in that the service life of the illumination using the LED cannot be guaranteed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 연색성이 우수하고, 태양광에 가까운 양질의 백색광을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention was devised to solve the above problems, and an object thereof is to provide high-quality white light excellent in color rendering and close to sunlight.

그리고 본 발명은 장기간의 사용에도 색온도가 일정한 백색광을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide white light having a constant color temperature even in long-term use.

또한 본 발명은 장기간 사용시의 광세기 및 색감변화 현상을 개선하여 특성이 우수하고 안정적이며 긴 수명을 가진 백색 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a white light emitting device having excellent characteristics, stable and long lifespan by improving light intensity and color change in long-term use.

또한 본 발명은 구조가 간단하고 제조가 용이하여 생산성이 우수하고 대량 생산에 적합한 백색 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a white light emitting device having a simple structure and easy manufacturing, which is excellent in productivity and suitable for mass production.

상기의 목적을 달성하고자 본 발명은, 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 상기 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층을 구비하는 제 1광원부와 제 2 발광 다이오드 칩을 구비하며, 상기 제 1광원부와 분리되어 형성되는 제 2광원부를 포함하되, 상기 수광 센서부는 상기 제 2 발광 다이오드 칩을 전기적으로 제어하기 위하여 상기 제 1 광원부에서 발생하는 광을 감지하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first light source unit and a second light emitting diode chip including a first light emitting diode chip, a light receiving sensor unit, and a color conversion layer for color converting light emitted from the first light emitting diode chip. And a second light source unit formed separately from the first light source unit, wherein the light receiving sensor unit senses light generated from the first light source unit to electrically control the second LED chip. Provided is a white light emitting device.

그리고 상기 제 1 발광 다이오드 칩은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위의 청색 발광 다이오드 칩이고, 상기 수광 센서부는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 황화 카드뮴(CdS) 셀 중 어느 하나로 형성되는 것이 바람직하다.The first light emitting diode chip may be a blue light emitting diode chip having a light emission peak wavelength in a range of 400 to 480 nm, and the light receiving sensor may be formed of any one of a photo diode, a photo transistor, and a cadmium sulfide (CdS) cell.

또한 상기 색변환층은 상기 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광에 의해 여기되는 형광체 및 광투과성 수지를 포함하고, 상기 형광체는 광방출 피크 파장이530~650nm 범위의 광을 방출하는 황색 형광체인 것이 바람직하다.In addition, the color conversion layer includes a phosphor and a light transmitting resin excited by the light emitted from the first light emitting diode chip, the phosphor is a yellow phosphor that emits light in the light emission peak wavelength range of 530 ~ 650nm desirable.

나아가서 상기 광투과성 수지는 상기 제1 발광 다이오드 칩 및 수광 센서부의 상부에 형성되어 상기 제1 발광 다이오드 칩 및 수광 센서부를 밀봉한다.Further, the light transmissive resin is formed on the first light emitting diode chip and the light receiving sensor part to seal the first light emitting diode chip and the light receiving sensor part.

그리고 상기 제 2 발광 다이오드 칩은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위의 적색 발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다.The second light emitting diode chip may be a red light emitting diode chip having a light emission peak wavelength of 610 to 680 nm.

게다가 상기 제2 발광 다이오드 칩의 상부에 형성되어 상기 제2 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 광투과성 수지를 더 포함할 수 있다. Furthermore, the light emitting device may further include a light transmissive resin formed on the second light emitting diode chip to seal the second light emitting diode chip.

또한 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩에 형성된 각각의 양극 리드 및 음극 리드와 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 2 발광 다이오드 칩이 형성되는 패키지 본체와 상기 패키지 본체에 형성되며, 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩의 양극 리드 및 음극 리드와 전기적으로 연결되는 접속 단자 및 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩의 양극 리드 및 음극 리드와 상기 접속 단자를 전기적으로 연결하기 위한 도전 패턴을 포함하는 것이 바람직하다. In addition, each of the positive and negative lead and the first body of the first light emitting diode chip, the light receiving sensor unit and the first light emitting diode chip, the package body is formed with the first light emitting diode chip, the light receiving sensor unit and the second light emitting diode chip and A connection terminal formed in the package body and electrically connected to the first lead, the light receiving sensor part, and the positive lead and the negative lead of the first light emitting diode chip, and the first light emitting diode chip, the light receiving sensor part, and the first light emitting device; It is preferable to include a conductive pattern for electrically connecting the positive lead and the negative lead of the diode chip with the connection terminal.

그리고 상기 패키지 본체가 형성되고, 금속 베이스층, 절연층 및 도전층을 포함하는 기판을 더 포함하며, 상기 금속 베이스층은 알루미늄(Al)을 포함하고, 상 기 도전층은 구리(Cu)를 포함하며, 상기 기판은, 상기 도전층 위에 형성되며 니켈(Ni)을 포함하는 장벽층과 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하는 반사층을 더 포함할 수 있다. The package body further includes a substrate including a metal base layer, an insulating layer, and a conductive layer, wherein the metal base layer includes aluminum (Al), and the conductive layer includes copper (Cu). The substrate may further include a barrier layer formed on the conductive layer and a reflective layer including gold (Au) or silver (Ag).

또한 상기 수광 센서부와 상기 제 2 발광 다이오드 칩은, 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있고 또는 도전 패턴에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.In addition, the light receiving sensor unit and the second LED chip may be electrically connected by a wire or may be electrically connected by a conductive pattern.

한편, 상기의 목적을 달성하고자 본 발명은, 적어도 두 개의 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 상기 적어도 두 개의 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층을 구비하는 제 1광원부와 적어도 두 개의 제 2 발광 다이오드 칩을 구비하며, 상기 제 1광원부와 인접하여 형성되는 제 2광원부와 상기 제 1 광원부와 상기 제 2 광원부를 분리하기 위한 분리부를 포함하되, 상기 수광 센서부는 상기 적어도 두 개의 제 2 발광 다이오드 칩을 전기적으로 제어하기 위하여 상기 제 1광원부에서 발생하는 광을 감지하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention to achieve the above object, the first having a first light emitting diode chip, a light receiving sensor unit and a color conversion layer for converting the color emitted from the at least two first light emitting diode chip And a light source unit and at least two second light emitting diode chips, the second light source unit formed adjacent to the first light source unit, and a separation unit for separating the first light source unit and the second light source unit, wherein the light receiving sensor unit is The present invention provides a white light emitting device to sense light generated from the first light source unit in order to electrically control at least two second LED chips.

여기서 상기 분리부는 링 형상으로 구비되는 것이 바람직하다.In this case, the separation unit is preferably provided in a ring shape.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 백색 발광 장치는, 청색 발광 다이오드 칩과 황색 형광체 및 적색 발광 다이오드 칩으로 구성되어 연색성이 우수하고, 태양광에 가까운 양질의 백색광을 제공할 수 있는 효과가 있다. As described above, the white light emitting device according to the present invention is composed of a blue light emitting diode chip, a yellow phosphor, and a red light emitting diode chip, so that the white light emitting device is excellent in color rendering and can provide high quality white light close to sunlight.

그리고 본 발명에서는 광의 강약을 감지할 수 있는 수광 센서부를 도입하여 장기간의 사용에도 색온도를 일정하게 유지하여 일정한 밝기의 백색광을 공급할 수 있는 장점이 있다. In addition, the present invention has an advantage of providing a white light having a constant brightness by maintaining a constant color temperature even by long-term use by introducing a light receiving sensor that can detect the intensity of light.

또한 본 발명에 따르면, 장기간 사용시의 광세기 및 색감변화 현상을 개선하여 특성이 우수하고 안정적이며 긴 수명을 가진 백색 발광 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, there is an effect that can provide a white light emitting device having excellent characteristics, stable and long life by improving the light intensity and color change phenomenon during long-term use.

또한 본 발명에 따른 백색 발광 장치는 그 구조가 간단하고 제조가 용이하므로 생산성이 우수하고 대량 생산에 적합한 장점이 있다. In addition, the white light emitting device according to the present invention has an advantage of excellent productivity and suitable for mass production because its structure is simple and easy to manufacture.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 이하에 기재된 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것이며, 본 발명의 실시 범위가 기재된 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention described below are provided to enable those skilled in the art to more easily understand the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the described embodiments.

이하, 도 2내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제 1실시예에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 7.

도 2는 본 발명에 제 1 실시예에 따른 백색 발광 장치의 사시도이며, 도 3은 도 2에 나타낸 본 발명에 따른 백색 발광 장치의 백색 발광 소자 패키지의 평면도이며, 도 4는 도 3에서 라인 XX´를 따라 자른 백색 발광 소자 패키지의 단면도이 며, 도 5는 도 3의 백색 발광 소자 패키지의 수광 센서부 및 발광 다이오드 칩들의 연결 상태를 나타낸 회로도이며, 도 6은 도 3의 백색 발광 소자 패키지가 형성되는 기판을 도시한 단면도이며, 도 7은 도 2의 백색 발광 장치에 도전 패턴을 형성한 예를 도시한 평면도이다.2 is a perspective view of a white light emitting device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view of a white light emitting device package of the white light emitting device according to the present invention shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a line XX in FIG. 3. FIG. 5 is a cross-sectional view of the white light emitting device package taken along line ′, and FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a connection state of the light receiving sensor unit and the light emitting diode chips of the white light emitting device package of FIG. 3, and FIG. 6 is a view of the white light emitting device package of FIG. FIG. 7 is a plan view illustrating an example in which a conductive pattern is formed on the white light emitting device of FIG. 2.

도 2 내지 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 백색 발광 장치(1)는 백색 발광 소자 패키지(10)와 상기 백색 발광 소자 패키지(10)가 형성되는 기판(600)을 포함한다.2 to 7, the white light emitting device 1 according to the present invention includes a white light emitting device package 10 and a substrate 600 on which the white light emitting device package 10 is formed.

상기 백색 발광 소자 패키지(10)는, 패키지 본체(100)와 패키지 본체(100)에 수용되어 백색 광을 발생시키는 제 1 광원부(200), 제 2 광원부(300), 접속 단자들(400)을 포함한다.The white light emitting device package 10 may include a first light source unit 200, a second light source unit 300, and connection terminals 400 accommodated in the package body 100 and the package body 100 to generate white light. Include.

상기 패키지 본체(100)는, 수광 센서부 및 발광 다이오드 칩들을 수용하기 위하여 일정 영역이 함몰되어 형성된 제 1 광원부(200) 및 제 2 광원부(300)를 가지며, 열방출을 위한 히트 싱크의 역할을 할 수 있다. The package body 100 has a first light source unit 200 and a second light source unit 300 formed by recessing a predetermined area to accommodate the light receiving sensor unit and the light emitting diode chips, and serve as a heat sink for heat dissipation. can do.

상기 제 1 광원부(200)와 제 2 광원부(300)는 광의 출사 방향을 향해 오픈되어 있으며, 서로 인접하게 배치되어 있다.The first light source unit 200 and the second light source unit 300 are open toward the light emission direction and are disposed adjacent to each other.

또한, 상기 제 1 광원부(200)와 제 2 광원부(300)는 함몰되어 있는 내측벽이 광을 반사할 수 있는 반사판으로 작용할 수 있으며, 가시광선의 고반사를 위해 Ag, Al로 코팅될 수 있다In addition, the first light source unit 200 and the second light source unit 300 may act as a reflector to reflect the light inside the recessed inner wall, it may be coated with Ag, Al for high reflection of visible light.

상기 제 1 광원부(200)에는 수광 센서부(230) 및 제 1 발광 다이오드 칩(210)이 실장되고, 상기 수광 센서부(230) 및 제 1 발광 다이오드 칩(210)의 상 부에는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층(220)을 구비하고 있다.A light receiving sensor 230 and a first LED chip 210 are mounted on the first light source 200, and the first light emitting sensor 230 and the first LED chip 210 are mounted on the first light source 200. A color conversion layer 220 for color conversion of light emitted from the light emitting diode chip 210 is provided.

상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위이고, 통상의 질화갈륨계 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다.The first light emitting diode chip 210 may have a light emission peak wavelength in a range of 400 to 480 nm, and may be a conventional gallium nitride-based blue light emitting diode chip.

상기 색변환층(220)은 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광에 의해 여기되는 형광체(222) 및 광 투과성 수지(224)를 포함한다. The color conversion layer 220 includes a phosphor 222 and a light transmitting resin 224 that are excited by light emitted from the first LED chip 210.

상기 형광체(222)로는 실리케이트계, 포스페이트계, YAG계 또는 TAG계 등의 광방출 피크 파장이530~650nm 범위인 통상의 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 예컨대 YAG(이트륨-알루미늄-가넷)와 활성제(activator)로서 세슘(Ce)을 혼합한 형태의 무기물계 형광체(즉, YAG:Ce)가 사용될 수 있다.As the phosphor 222, a conventional yellow phosphor having a light emission peak wavelength of 530 to 650 nm, such as silicate, phosphate, YAG or TAG, may be used. For example, YAG (yttrium-aluminum-garnet) and an activator ( As an activator, an inorganic phosphor (ie, YAG: Ce) in a form of cesium (Ce) may be used.

상기 청색의 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출된 청색광은 상기 황색 형광체(222)를 여기시켜 황색광을 방출하도록 하지만, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출된 청색광이 모두 상기 형광체(222)에 의해 흡수되는 것은 아니다. The blue light emitted from the blue first LED chip 210 excites the yellow phosphor 222 to emit yellow light, but all of the blue light emitted from the first LED chip 210 emits the yellow light. 222).

일부는 상기 형광체(222)를 투과하고 상기 형광체(222)로부터 방출된 황색광과 혼색되어 백색광으로서 관찰자에게 인식되는 광을 제공한다.Some pass through the phosphor 222 and mix with the yellow light emitted from the phosphor 222 to provide light that is perceived by the viewer as white light.

이상의 실시예에서는 제 1 광원부(200)에 청색 발광 다이오드 칩(210)과 황색 형광체(222)를 사용한 경우에 대하여 언급하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.In the above embodiment, the case where the blue light emitting diode chip 210 and the yellow phosphor 222 are used as the first light source unit 200 is described, but the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 청색 발광 다이오드 칩과 적색 및 녹색 형광체를 사용하거나 자 외선 발광 다이오드 칩에 청색, 적색 및 녹색 형광체를 쓰는 경우 등 백색광을 내는 발광 다이오드 칩과 형광체의 다양한 조합이 제 1 광원부(200)에 적용될 수 있다. For example, various combinations of light emitting diode chips and phosphors emitting white light, such as using a blue light emitting diode chip and red and green phosphors or using blue, red and green phosphors on an ultraviolet light emitting diode chip, may be used in the first light source unit 200. Can be applied to

상기 광 투과성 수지(224)는 상기 제1 발광 다이오드 칩(210) 및 수광 센서부(230)의 상부에 형성되어 상기 제1 발광 다이오드 칩(210) 및 수광 센서부(230)를 밀봉한다.The light transmitting resin 224 is formed on the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor unit 230 to seal the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor unit 230.

또한 광 투과성 수지(224)는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)에서 방출된 광을 굴절 투과시켜 광경로차를 감소시키며, 에폭시 및/또는 실리콘 수지로 이루어진다.In addition, the light transmissive resin 224 refractively transmits the light emitted from the first LED chip 210 to reduce the optical path difference, and is made of epoxy and / or silicone resin.

상기 형광체(222)는 상기 광 투과성 수지(224)에 적절히 혼합 형성될 수 있다.The phosphor 222 may be properly mixed with the light transmissive resin 224.

예를 들어, 소정 점도를 가지는 액상의 광 투과성 수지(224) 내에 상기 형광체(222)가 충분히 침강되어 충진 후, 상기 광 투과성 수지(224)를 경화시킨다.For example, the phosphor 222 is sufficiently precipitated and filled in the liquid light transmitting resin 224 having a predetermined viscosity, and then the light transmitting resin 224 is cured.

이와 같이, 광 투과성 수지(224) 내에 형광체(222)가 충분히 침강된 상태로 상기 광 투과성 수지(224)가 응고되면, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 발생된 광이 상기 형광체(222)를 이루는 입자들에 의해 흡수되고, 산란되어 원하는 백색광을 얻을 수 있게 된다.As such, when the light transmitting resin 224 is solidified in the state where the phosphor 222 is sufficiently settled in the light transmitting resin 224, the light generated from the first LED chip 210 is transferred to the phosphor 222. It is absorbed by the particles forming and scattered to obtain the desired white light.

상기 수광 센서부(230)는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 황화 카드뮴(CdS) 셀 중 어느 하나로 구성될 수 있으며, 주변의 광량에 따라 내부 저항 값이 변화하는 소자이다.The light receiving sensor 230 may be formed of any one of a photo diode, a photo transistor, and a cadmium sulfide (CdS) cell, and the internal resistance value is changed according to the amount of ambient light.

즉, 주변의 광의 유무를 감지하여 광의 강도에 대해 비례적인 전류로 변환하는 소자로서, 주변 광의 강도가 높은 경우 상기 수광 센서부(230)의 내부 저항 값이 낮아져 전류를 많이 흘리게 되고, 주변 광의 강도가 낮은 경우 상기 수광 센서부(230)의 내부 저항 값이 높아져 전류를 작게 흘리게 된다.That is, the device detects the presence or absence of ambient light and converts it into a current proportional to the intensity of light. When the intensity of ambient light is high, the internal resistance value of the light receiving sensor unit 230 is low, and a large amount of current flows. When low, the internal resistance of the light receiving sensor unit 230 is increased to flow a small current.

상기 제 1 발광 다이오드 칩(210) 및 상기 수광 센서부(230)에는 각각 양극 리드(212, 232)와 음극 리드(214, 234)가 형성될 수 있으며, 상기 패키지 본체(100)에 형성되어 있는 접속 단자들(400)과 전기적으로 연결될 수 있다. Positive lead 212 and 232 and negative lead 214 and 234 may be formed in the first LED chip 210 and the light receiving sensor 230, respectively, and are formed in the package body 100. It may be electrically connected to the connection terminals 400.

즉, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)의 양극 리드(212)는 접속 단자(410)와 연결되고, 음극 리드(214)는 접속 단자(420)와 연결되며, 상기 수광 센서부(230)의 양극 리드(232)는 후술할 제 2 발광 다이오드 칩(310)의 음극 리드(314)와 연결되며(도 5참조), 상기 수광 센서부(230)의 음극 리드(234)는 접속 단자(430)와 연결될 수 있다.That is, the positive lead 212 of the first LED chip 210 is connected to the connection terminal 410, the negative lead 214 is connected to the connection terminal 420, and the light receiving sensor unit 230 The positive lead 232 is connected to the negative lead 314 of the second LED chip 310 to be described later (see FIG. 5), and the negative lead 234 of the light receiving sensor unit 230 is a connection terminal 430. It can be connected with.

상기 제 2 광원부(300)에는 제 2 발광 다이오드 칩(310)이 실장 된다. A second light emitting diode chip 310 is mounted on the second light source 300.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위이고, AlGaAs, InGaAlP 등의 재료로 제조되는 적색 발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다.The second light emitting diode chip 310 is preferably a red light emitting diode chip having a light emission peak wavelength in a range of 610 to 680 nm and made of a material such as AlGaAs or InGaAlP.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(300)의 상부에는 상기 제 2 발광 다이오드 칩(300)을 밀봉하기 위한 광 투과성 수지(224)가 형성된다.A light transmissive resin 224 for sealing the second LED chip 300 is formed on the second LED chip 300.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)에는 양극 리드(312)와 음극 리드(314)가 형성될 수 있는데, 상기 양극 리드(312)는 상기 패키지 본체(100)에 형성되어 있는 접속 단자(440)와 전기적으로 연결되고, 상기 음극 리드(314)는 상기 수광 센서부(230)의 양극 리드(232)와 전기적으로 연결될 수 있다(도 5참조).An anode lead 312 and an anode lead 314 may be formed in the second LED chip 310, and the anode lead 312 may include a connection terminal 440 formed in the package body 100. The cathode lead 314 may be electrically connected to the anode lead 232 of the light receiving sensor unit 230 (see FIG. 5).

상기에서 상술한 구조로 형성되는 본 발명에 따른 백색 발광 장치(1)는, 먼저 상기 제 1 광원부(200)에 형성된 제 1 발광다이오드 칩(청색 LED)(210)으로부터 방출되는 광이 황색 형광체(222)를 여기시켜 발생된 상기 청색광과 황색광이 혼색된 광과, 상기 제 2 광원부(300)에 형성된 제 2 발광다이오드 칩(적색 LED)(310)으로부터 방출되는 광이 결합되어 연색성이 우수한 백색광을 얻을 수 있다.In the white light emitting device 1 according to the present invention having the above-described structure, first, the light emitted from the first light emitting diode chip (blue LED) 210 formed in the first light source unit 200 is a yellow phosphor ( 222 is a mixture of the blue light and the yellow light generated by the excitation and the light emitted from the second light emitting diode chip (red LED) 310 formed in the second light source unit 300 is combined with excellent color rendering Can be obtained.

또한, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광의 밝기가 변화하는 경우, 상기 수광 센서부(230)는 변화된 광의 강도를 탐지하고 그에 따라 변화된 전류를 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로 흘려주게 되어 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로부터 방출되는 광의 밝기를 조절하게 된다.In addition, when the brightness of the light emitted from the first light emitting diode chip 210 changes, the light receiving sensor unit 230 detects the intensity of the changed light and flows the changed current to the second light emitting diode chip 310. The brightness of the light emitted from the second LED chip 310 is adjusted.

즉, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광의 밝기가 약해진 경우, 상기 수광 센서부(230)의 내부 저항이 증가되고, 그에 따라 상기 수광 센서부(230)와 전기적으로 연결되어 있는 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로 흘러가는 전류가 줄어든다.That is, when the brightness of the light emitted from the first light emitting diode chip 210 is weakened, the internal resistance of the light receiving sensor unit 230 is increased, and thus, the light receiving sensor unit 230 is electrically connected to the light receiving sensor unit 230. Current flowing to the second LED chip 310 is reduced.

따라서 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로부터 방출되는 광의 강도도 줄어들게 되어 전체적으로 색온도를 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, the intensity of the light emitted from the second LED chip 310 is also reduced, so that the overall color temperature can be maintained.

반대로, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광의 밝기가 강해진 경우, 상기 수광 센서부(230)의 내부 저항이 감소되고, 그에 따라 상기 수광 센서부(230)와 전기적으로 연결되어 있는 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로 흘 러가는 전류가 증가된다.On the contrary, when the brightness of the light emitted from the first light emitting diode chip 210 becomes stronger, the internal resistance of the light receiving sensor unit 230 is decreased, and thus, the light receiving sensor unit 230 is electrically connected to the light receiving sensor unit 230. The current flowing to the second LED chip 310 is increased.

따라서 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로부터 방출되는 광의 강도도 증가되어 전체적으로 색온도를 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, the intensity of the light emitted from the second LED chip 310 is also increased to maintain a constant color temperature as a whole.

상기에서는 수광 센서부(230)의 내부 저항 변화에 따라서 제 2 발광 다이오드 칩(310)으로 흐르는 전류를 제어하는 경우에 대해서 설명하였으나, 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)의 전류를 제어하기 위하여 별도의 회로가 구성될 수 도 있다.In the above, the case in which the current flowing to the second LED chip 310 is controlled according to the change in the internal resistance of the light receiving sensor unit 230 is described, but in order to control the current of the second LED chip 310, The circuit of may be configured.

상기와 같이 본 발명에서는 광의 강약을 감지할 수 있는 수광 센서부(230)를 도입하여 장기간의 사용에도 색온도를 일정하게 유지하여 일정한 밝기의 백색광을 공급할 수 있는 장점이 있다. As described above, the present invention has an advantage of supplying white light having a constant brightness by maintaining a constant color temperature even after long-term use by introducing a light receiving sensor unit 230 that can detect the intensity of light.

또한, 수광 센서부(230)를 통해 백색 발광 장치(1)의 장기간 사용시의 광세기 및 색감변화 현상을 개선할 수 있으므로, 특성이 우수하고 안정적이며 긴 수명을 가진 백색 발광 장치(1)를 제공할 수 있는 효과가 있다. In addition, since the light intensity and color change phenomenon of the white light emitting device 1 during long-term use can be improved through the light receiving sensor 230, the white light emitting device 1 having excellent characteristics, stable and long life is provided. It can work.

도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명에 따른 백색 발광 장치(1)의 백색 발광 소자 패키지(10)가 형성되는 기판(600)을 도시한 단면도이다.Referring to FIG. 6, FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a substrate 600 on which the white light emitting device package 10 of the white light emitting device 1 is formed.

상기 기판(600)에 상기 백색 발광 소자 패키지(10)가 형성되는데, 상기 기판(600)은 금속 베이스층(110), 절연층(120), 도전층(130), 장벽층(140) 및 반사층(150)을 포함한다.The white light emitting device package 10 is formed on the substrate 600. The substrate 600 includes a metal base layer 110, an insulating layer 120, a conductive layer 130, a barrier layer 140, and a reflective layer. And 150.

상기 금속 베이스층(110)위에 상기 절연층(120)을 형성하고, 그 상부에 도전 패턴(도 7참조) 형성을 위한 도전층(130)을 형성한다.The insulating layer 120 is formed on the metal base layer 110, and a conductive layer 130 for forming a conductive pattern (see FIG. 7) is formed thereon.

상기 금속 베이스층(110)은 상기 백색 발광 소자 패키지(10)에서 발생되는 열을 흡수하여 방열 효과를 갖는 방열판으로서 작용하는데, 이러한 방열기능은 여러 개의 발광 다이오드 칩의 방열을 하나의 금속 베이스층(110)을 통해 처리할 수 있게 되어 제작과 공정이 단순, 용이하게 된다.The metal base layer 110 serves as a heat sink having a heat dissipation effect by absorbing heat generated from the white light emitting device package 10, and this heat dissipation function is used to dissipate a plurality of light emitting diode chips into a single metal base layer ( 110) can be processed, making the manufacturing and process simple, easy.

상기와 같이 방열기능을 갖는 금속 베이스층(110)은 열전도성이 높은 알루미늄(Al)을 사용하여 형성함이 바람직하며, 알루미늄 이외에도 열전도성이 높은 물질로 형성할 수 있다.The metal base layer 110 having a heat dissipation function as described above is preferably formed using aluminum (Al) having high thermal conductivity, and may be formed of a material having high thermal conductivity in addition to aluminum.

상기 절연층(120)은 상기 금속 베이스층(110)과 상기 도전층(130)의 전기적 접속을 방지하면서 얇은 층으로 형성하여 방열효과를 높이는데 방해가 없도록 한다.The insulating layer 120 is formed in a thin layer while preventing electrical connection between the metal base layer 110 and the conductive layer 130 so that there is no interference in increasing the heat dissipation effect.

상기 도전층(130)은 구리(Cu)를 포함하여 형성하는 것이 바람직하고, 그 상부에는 금속과 반도체 사이에서 전류의 운반체(전자 또는 정공)를 저지하여 한 쪽으로 쉽게 흐르지 못하도록 하는 장벽층(140)을 니켈(Ni)을 포함하여 형성한다.The conductive layer 130 is preferably formed of copper (Cu), the barrier layer 140 to prevent the carrier (electron or hole) of the current between the metal and the semiconductor to easily flow to one side It is formed to include nickel (Ni).

상기 장벽층(140)의 상부에는, 발광 다이오드 칩(210, 310)의 저면으로 방사되는 광을 반사시켜 효율적으로 광을 적출 할 수 있도록 반사층(150)을 형성한다.The reflective layer 150 is formed on the barrier layer 140 to reflect light emitted to the bottom surfaces of the light emitting diode chips 210 and 310 to efficiently extract the light.

상기에서는 백색 발광 소자 패키지(10)가 도 6의 기판에 형성되는 경우를 언급하였지만, 이에 한정되지 않고 사파이어, 실리콘, 실리콘 카바이드, 세라믹 계열의 기판 또는 연성회로기판 등에 형성될 수 도 있다. In the above, the case in which the white light emitting device package 10 is formed on the substrate of FIG. 6 has been mentioned, but is not limited thereto. The white light emitting device package 10 may be formed on a sapphire, silicon, silicon carbide, ceramic-based substrate, or a flexible circuit board.

상기 반사층(150)은 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하여 형성하는 것이 바람직하며, 그 밖에 광 반사율이 높은 다른 금속으로 형성 할 수도 있음은 당연하다.The reflective layer 150 may be formed of gold (Au) or silver (Ag), and may be formed of another metal having high light reflectance.

도 7을 참조하면, 도 7은 본 발명에 따른 백색 발광 장치에 도전 패턴을 형성한 예를 도시한 평면도이다.Referring to FIG. 7, FIG. 7 is a plan view illustrating an example in which a conductive pattern is formed in a white light emitting device according to the present invention.

상기 도전 패턴(500)은 상기 기판(600)의 도전층(130)에 형성되어 제1 발광 다이오드 칩(210) 제 2 발광 다이오드 칩(310) 및 수광 센서부(230)와 접속 단자(400) 또는 제 2 발광 다이오드 칩(310)과 수광 센서부(230)가 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.The conductive pattern 500 is formed on the conductive layer 130 of the substrate 600 to form the first LED chip 210, the second LED chip 310, the light receiving sensor unit 230, and the connection terminal 400. Alternatively, the second LED chip 310 and the light receiving sensor unit 230 may be electrically connected to each other.

즉, 상기 발광 다이오드 칩(210, 310) 및 수광 센서부(230)의 양극 리드(212, 232, 312)와 음극 리드(214, 234, 314)가 상기 도전 패턴(500)을 통해 상기 접속 단자들(410, 420, 430, 440)에 전기적으로 연결될 수 있는 것이다. That is, the anode leads 212, 232, and 312 and the cathode leads 214, 234, and 314 of the light emitting diode chips 210 and 310 and the light receiving sensor unit 230 are connected to each other through the conductive pattern 500. It may be electrically connected to the field (410, 420, 430, 440).

이하, 도 8내지 도 10을 참조하여 본 발명의 제 2실시예에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 8 to 10.

제 2실시예에서는 제 1실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하도록 하며, 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하여 설명하도록 한다.In the second embodiment, only the characteristic parts distinguished from the first embodiment will be described and described for convenience of description, and the same components will be described with the same reference numerals.

도 8내지 도 10을 참조하면, 도 8은 본 발명에 제 2 실시예에 따른 백색 발광 장치의 사시도이며, 도 9는 도 8에 나타낸 본 발명에 따른 백색 발광 장치의 백색 발광 소자 패키지의 사시도이며, 도 10은 도 9에 나타낸 백색 발광 소자 패키지의 평면도이다.8 to 10, FIG. 8 is a perspective view of a white light emitting device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view of a white light emitting device package of the white light emitting device according to the present invention shown in FIG. 8. 10 is a plan view of the white light emitting device package illustrated in FIG. 9.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 발광 장치(1)는 백색 발광 소자 패키 지(10)와 상기 백색 발광 소자 패키지(10)가 형성되는 기판(600)을 포함한다.The white light emitting device 1 according to the second embodiment of the present invention includes a white light emitting device package 10 and a substrate 600 on which the white light emitting device package 10 is formed.

상기 백색 발광 소자 패키지(10)는, 패키지 본체(100)와 패키지 본체(100)에 수용되어 백색 광을 발생시키는 제 1 광원부(200), 제 2 광원부(300), 접속 단자들(400)을 포함한다.The white light emitting device package 10 may include a first light source unit 200, a second light source unit 300, and connection terminals 400 accommodated in the package body 100 and the package body 100 to generate white light. Include.

상기 패키지 본체(100)는 수광 센서부 및 발광 다이오드 칩들을 수용하기 위하여 일정 영역이 함몰되어 형성된 제 1 광원부(200) 및 제 2 광원부(300)를 가지며, 열방출을 위한 히트 싱크의 역할을 할 수 있다. The package body 100 has a first light source unit 200 and a second light source unit 300 formed by recessing a predetermined area to accommodate the light receiving sensor unit and the light emitting diode chips, and serve as a heat sink for heat dissipation. Can be.

상기 제 1 광원부(200)와 제 2 광원부(300)는 광의 출사 방향을 향해 오픈되어 있으며, 서로 인접하게 배치되어 있다.The first light source unit 200 and the second light source unit 300 are open toward the light emission direction and are disposed adjacent to each other.

여기서 상기 제 1 광원부(200)와 제 2 광원부(300)를 분리하기 위해 상기 패키지 본체(100)에 링 형상의 분리부(110)가 형성된다.Here, a ring-shaped separation unit 110 is formed in the package body 100 to separate the first light source unit 200 and the second light source unit 300.

상기 분리부(110)는 상기 패키지 본체(100)와 동일한 재료 및 동일한 공정으로 형성될 수 도 있고, 별도의 재료 및 별도의 공정으로 형성될 수도 있다.The separation unit 110 may be formed of the same material and the same process as the package body 100, or may be formed of a separate material and a separate process.

또한, 상기 분리부(110)는 링 형상에 한정되지 않으며, 상기 제 1 광원부(200)를 제 2 광원부(300)가 둘러싸는 형태로 형성되는 한 삼각형, 사각형 등의 다각형 형태 등 그 형태에 제한이 없다. In addition, the separating part 110 is not limited to a ring shape, and the first light source part 200 is limited to its shape such as a polygonal shape such as a triangle or a quadrangle as long as the first light source part 200 is formed to surround the second light source part 300. There is no

상기 제 1 광원부(200)는 상기 분리부(110) 내부의 공간에 형성되며, 수광 센서부(230) 및 제 1 발광 다이오드 칩(210)이 실장되고, 상기 수광 센서부(230) 및 제 1 발광 다이오드 칩(210)의 상부에는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층(220)이 구비된다.The first light source unit 200 is formed in a space inside the separation unit 110, and the light receiving sensor unit 230 and the first LED chip 210 are mounted, and the light receiving sensor unit 230 and the first light source unit 200 are mounted. A color conversion layer 220 for color conversion of light emitted from the first LED chip 210 is provided on the LED chip 210.

여기서 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)은 본 발명에 따른 백색 발광 장치가 사용되는 목적에 따라 복수개 형성될 수 있으며, 적어도 두 개의 제 1 발광 다이오드 칩(210)이 형성되는 것이 바람직하다. Here, the first light emitting diode chip 210 may be formed in plural according to the purpose of using the white light emitting device according to the present invention, and at least two first light emitting diode chips 210 may be formed.

상기 적어도 두 개의 제 1 발광 다이오드 칩들(210)은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위이고, 통상의 질화갈륨계 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다.The at least two first LED chips 210 may have a light emission peak wavelength in a range of 400 to 480 nm, and may be a conventional gallium nitride-based blue LED chip.

상기 색변환층(220)은 상기 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광에 의해 여기되는 형광체(222) 및 광 투과성 수지(224)를 포함한다. The color conversion layer 220 includes a phosphor 222 and a light transmitting resin 224 that are excited by light emitted from the first LED chip.

상기 형광체(222)로는 실리케이트계, 포스페이트계, YAG계 또는 TAG계 등의 광방출 피크 파장이530~650nm 범위인 통상의 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 예컨대 YAG(이트륨-알루미늄-가넷)와 활성제(activator)로서 세슘(Ce)을 혼합한 형태의 무기물계 형광체(즉, YAG:Ce)가 사용될 수 있다.As the phosphor 222, a conventional yellow phosphor having a light emission peak wavelength of 530 to 650 nm, such as silicate, phosphate, YAG or TAG, may be used. For example, YAG (yttrium-aluminum-garnet) and an activator ( As an activator, an inorganic phosphor (ie, YAG: Ce) in a form of cesium (Ce) may be used.

상기 광 투과성 수지(224)는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210) 및 수광 센서부(230)의 상부에 형성되어 상기 제1 발광 다이오드 칩(210) 및 수광 센서부(230)를 밀봉한다.The light transmitting resin 224 is formed on the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor 230 to seal the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor 230.

상기 적어도 두 개의 제 1 발광 다이오드 칩들(210) 및 상기 수광 센서부(230)에는 본 발명의 제 1 실시예와 같이 각각 양극 리드와 음극 리드가 형성될 수 있으며, 상기 패키지 본체(100)에 형성되어 있는 접속 단자들(410, 420, 430) 또는 제 2 발광 다이오드 칩들(310)의 음극 리드와 전기적으로 연결될 수 있다.(도 3참조) The at least two first light emitting diode chips 210 and the light receiving sensor unit 230 may be formed with a positive lead and a negative lead, respectively, in the package body 100 as in the first embodiment of the present invention. The connection terminals 410, 420, and 430 or the cathode leads of the second LED chips 310 may be electrically connected to each other (see FIG. 3).

상기 제 2 광원부(300)는 상기 분리부(110)의 바깥 공간에 형성되며 상기 분 리부(110)에 의하여 제 1 광원부(200)와 분리된다.The second light source unit 300 is formed in the outer space of the separation unit 110 and is separated from the first light source unit 200 by the separation unit 110.

상기 제 2 광원부(300)에는 제 2 발광 다이오드 칩(310)이 실장 된다. A second light emitting diode chip 310 is mounted on the second light source 300.

여기서 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 본 발명에 따른 백색 발광 장치가 사용되는 목적에 따라 복수개 형성될 수 있으며, 적어도 두 개의 제 2 발광 다이오드 칩(310)이 형성되는 것이 바람직하다. Here, the second light emitting diode chip 310 may be formed in plural according to the purpose of using the white light emitting device according to the present invention, and at least two second light emitting diode chips 310 may be formed.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위이고, AlGaAs, InGaAlP 등의 재료로 제조되는 적색 발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다.The second light emitting diode chip 310 is preferably a red light emitting diode chip having a light emission peak wavelength in a range of 610 to 680 nm and made of a material such as AlGaAs or InGaAlP.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)의 상부에는 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)을 밀봉하기 위한 광 투과성 수지(224)가 형성된다.A light transmissive resin 224 for sealing the second LED chip 310 is formed on the second LED chip 310.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)에는 본 발명의 제 1 실시예와 같이 양극 리드와 음극 리드가 형성될 수 있는데, 상기 양극 리드는 상기 패키지 본체(100)에 형성되어 있는 접속 단자(440)와 전기적으로 연결되고, 상기 음극 리드는 상기 수광 센서부(230)의 양극 리드(232)와 전기적으로 연결될 수 있다.(도 3 참조)The second light emitting diode chip 310 may have a positive electrode lead and a negative electrode lead as in the first embodiment of the present invention. The positive electrode lead may include a connection terminal 440 formed in the package body 100. The cathode lead may be electrically connected to the anode lead 232 of the light receiving sensor unit 230 (see FIG. 3).

상기와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 발광 장치의 백색 발광 소자 패키지는 제 1 실시예의 경우와 마찬가지로 도 6의 기판(600) 상에 형성 될 수 있고 또는 사파이어, 실리콘, 실리콘 카바이드, 세라믹 계열의 기판 또는 연성회로기판 등에 형성될 수 도 있으며, 도 7에서와 같은 도전 패턴(500)이 형성될 수 있다.As described above, the white light emitting device package of the white light emitting device according to the second embodiment of the present invention may be formed on the substrate 600 of FIG. 6 as in the case of the first embodiment, or may be sapphire, silicon, silicon carbide, or ceramic. It may be formed on a series substrate, a flexible circuit board, or the like, and a conductive pattern 500 as shown in FIG. 7 may be formed.

이하, 도 11내지 도 12를 참조하여 본 발명에의 제 3실시예에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 12.

제 3실시예에서는 제 1및 제 2 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하도록 하며, 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하여 설명하도록 한다.In the third embodiment, only characteristic parts distinguished from the first and second embodiments will be described and described for convenience of description, and the same elements will be described with the same reference numerals.

도 11 내지 도 12를 참조하면, 도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 백색 발광 장치를 나타낸 단면도이고, 도 12는 도 11의 백색 발광 장치의 일부 확대단면도이다.11 to 12, FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the white light emitting device of FIG. 11.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 백색 발광 장치(1)는 램프 형태(lamp type)의 백색 발광 장치로서, 외부와의 연결을 위한 마운트 리드(800)와 이너 리드(850)를 구비하고 있으며, 제 1 발광 다이오드 칩(210), 수광 센서부(230) 및 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 상기 마운트 리드(800)의 상부에 형성된 함몰부(700) 내부에 실장 된다.The white light emitting device 1 according to the third embodiment of the present invention is a lamp type white light emitting device, and includes a mount lead 800 and an inner lead 850 for connection with an external device. The first light emitting diode chip 210, the light receiving sensor unit 230, and the second light emitting diode chip 310 may be mounted in the recess 700 formed on the mount lead 800.

상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 마운트 리드(800)와 이너 리드(850)에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 수광 센서부(230)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 이너 리드(850)와 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)과 각각 전기적으로 연결된다. The anode and cathode of the first LED chip 210 are electrically connected to the mount lead 800 and the inner lead 850 by wires 950, respectively, and the anode and cathode of the light receiving sensor unit 230. The silver wire 950 is electrically connected to the inner lead 850 and the second LED chip 310, respectively.

또한 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 마운트 리드(800)와 상기 수광 센서부(230)에 각각 전기적으로 연결된다.In addition, the anode and the cathode of the second LED chip 310 are electrically connected to the mount lead 800 and the light receiving sensor unit 230 by wires 950.

상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)과 상기 수광 센서부(230)는 광 투과성 수 지(224)에 형광체(222)가 혼합된 색변환층(220)에 덮여 있고, 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광 투과성 수지(224)에 덮여 있다.The first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor unit 230 are covered by the color conversion layer 220 in which the phosphor 222 is mixed with the light transmitting resin 224, and the second light emitting diode chip ( 310 is covered with the light transmissive resin 224.

여기서 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위이고, 통상의 질화갈륨계 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다.The first light emitting diode chip 210 may have a light emission peak wavelength in a range of 400 to 480 nm, and may be a conventional gallium nitride-based blue light emitting diode chip.

상기 수광 센서부(230)는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 황화 카드뮴(CdS) 셀 중 어느 하나로 구성될 수 있으며, 주변의 광량에 따라 내부 저항 값이 변화하는 소자이다.The light receiving sensor 230 may be formed of any one of a photo diode, a photo transistor, and a cadmium sulfide (CdS) cell, and the internal resistance value is changed according to the amount of ambient light.

상기 형광체(222)로는 실리케이트계, 포스페이트계, YAG계 또는 TAG계 등의 광방출 피크 파장이530~650nm 범위인 통상의 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 예컨대 YAG(이트륨-알루미늄-가넷)와 활성제(activator)로서 세슘(Ce)을 혼합한 형태의 무기물계 형광체(즉, YAG:Ce)가 사용될 수 있다.As the phosphor 222, a conventional yellow phosphor having a light emission peak wavelength of 530 to 650 nm, such as silicate, phosphate, YAG or TAG, may be used. For example, YAG (yttrium-aluminum-garnet) and an activator ( As an activator, an inorganic phosphor (ie, YAG: Ce) in a form of cesium (Ce) may be used.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위이고, AlGaAs, InGaAlP 등의 재료로 제조되는 적색 발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다.The second light emitting diode chip 310 is preferably a red light emitting diode chip having a light emission peak wavelength in a range of 610 to 680 nm and made of a material such as AlGaAs or InGaAlP.

상기 함몰부(700)의 내측벽은 반사판으로 작용하며, 가시광선의 고반사를 위해 Ag, Al로 코팅될 수 있다. The inner wall of the recess 700 serves as a reflector and may be coated with Ag or Al for high reflection of visible light.

또한 상기 구성 요소들은, 상기 마운트 리드(800)와 상기 이너 리드(850)의 일부가 외부로 노출된 채 무색 또는 착색 투광성 물질로 된 외장재(900)에 봉입되어 있다. In addition, the components are encapsulated in a colorless or colored transmissive material 900 with a portion of the mount lead 800 and the inner lead 850 exposed to the outside.

이하, 도 13을 참조하여 본 발명에의 제 4실시예에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

제 4실시예에서는 제 1, 제 2 및 제 3 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하도록 하며, 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하여 설명하도록 한다.In the fourth embodiment, only the characteristic parts distinguished from the first, second, and third embodiments will be described and described, and for the convenience of description, the same elements will be described with the same reference numerals.

도 13을 참조하면, 도 13은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 백색 발광 장치를 나타낸 단면도이다.Referring to FIG. 13, FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 제 4 실시예에 따른 백색 발광 장치(1)는 표면 실장형(Surface Mount Diode)의 백색 발광 장치(1)로서, 외부와의 연결을 위한 리드 프레임(lead frame)을 구성하는 양극 금속 단자(810)와 음극 금속 단자(860) 위에 제 1 발광 다이오드 칩(210), 수광 센서부(230) 및 제 2 발광 다이오드 칩(310)이 다이 본딩에 의하여 실장 된다.The white light emitting device 1 according to the fourth embodiment of the present invention is a surface mount diode white light emitting device 1, and an anode metal constituting a lead frame for connection to the outside. The first light emitting diode chip 210, the light receiving sensor unit 230, and the second light emitting diode chip 310 may be mounted on the terminal 810 and the cathode metal terminal 860 by die bonding.

상기 양극 금속 단자(810)와 음극 금속 단자(860)와 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210), 수광 센서부(230) 및 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 와이어(950)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.The anode metal terminal 810, the cathode metal terminal 860, the first LED chip 210, the light receiving sensor 230, and the second LED chip 310 are electrically connected to each other by a wire 950. Connected.

즉, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 양극 금속 단자(810)와 음극 금속 단자(860)에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 수광 센서부(230)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)과 상기 음극 금속 단자(860)에 각각 전기적으로 연결된다. That is, the anode and the cathode of the first LED chip 210 are electrically connected to the anode metal terminal 810 and the cathode metal terminal 860 by wires 950, respectively, and the light receiving sensor 230 The anode and cathode of are electrically connected to the second LED chip 310 and the cathode metal terminal 860 by wires 950.

또한 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)의 양극과 음극은 와이어(950)에 의해 상기 양극 금속 단자(810)와 상기 수광 센서부(230)에 각각 전기적으로 연결된다.In addition, the anode and the cathode of the second LED chip 310 are electrically connected to the anode metal terminal 810 and the light receiving sensor unit 230 by wires 950.

여기서 상기 수광 센서부(230)와 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)을 전기적으로 연결하기 위한 도전 패턴(560)이 제 1 광원부(200)와 제 2 광원부(300)에 걸쳐 형성될 수 있으며, 상기 도전 패턴(560)과 그 하부에 형성되어 있는 상기 양극 금속 단자(810)의 절연을 위한 절연층(570)이 상기 도전 패턴(560)의 하부에 형성될 수 있다.Here, a conductive pattern 560 for electrically connecting the light receiving sensor unit 230 and the second LED chip 310 may be formed over the first light source unit 200 and the second light source unit 300. An insulating layer 570 for insulating the conductive pattern 560 and the anode metal terminal 810 formed under the conductive pattern 560 may be formed under the conductive pattern 560.

상기 패키지 본체(110)는 상기 발광 다이오드 칩들(210, 310)로부터 방출되는 빛을 반사하여 상방으로 방출시키도록 함몰부(710)를 포함하여 구비된다.The package body 110 includes a recess 710 to reflect light emitted from the LED chips 210 and 310 to emit upward.

또한 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210), 수광 센서부(230) 및 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 상기 함몰부(710) 내부에 실장 된다.In addition, the first light emitting diode chip 210, the light receiving sensor unit 230, and the second light emitting diode chip 310 may be mounted inside the recess 710.

상기 제 1 광원부(200)는 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)과 상기 수광 센서부(230)를 포함하며, 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)과 상기 수광 센서부(230)는 광 투과성 수지(224)에 형광층(222)이 혼합된 색변환층(220)에 덮여 있다.The first light source unit 200 includes the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor unit 230, and the first light emitting diode chip 210 and the light receiving sensor unit 230 are light transmissive resins. The color conversion layer 220 mixed with the fluorescent layer 222 at 224 is covered.

상기 제 2 광원부(300)는 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)을 포함하며, 상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광 투과성 수지(224)에 덮여 있다.The second light source unit 300 includes the second light emitting diode chip 310, and the second light emitting diode chip 310 is covered with the light transmissive resin 224.

여기서 상기 제 1 발광 다이오드 칩(210)은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위이고, 통상의 질화갈륨계 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다.The first light emitting diode chip 210 may have a light emission peak wavelength in a range of 400 to 480 nm, and may be a conventional gallium nitride-based blue light emitting diode chip.

상기 수광 센서부(230)는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 황화 카드뮴(CdS) 셀 중 어느 하나로 구성될 수 있으며, 주변의 광량에 따라 내부 저항 값이 변화하는 소자이다.The light receiving sensor 230 may be formed of any one of a photo diode, a photo transistor, and a cadmium sulfide (CdS) cell, and the internal resistance value is changed according to the amount of ambient light.

상기 형광체(222)로는 실리케이트계, 포스페이트계, YAG계 또는 TAG계 등의 광방출 피크 파장이530~650nm 범위인 통상의 황색 형광체를 사용할 수 있으며, 예컨대 YAG(이트륨-알루미늄-가넷)와 활성제(activator)로서 세슘(Ce)을 혼합한 형태의 무기물계 형광체(즉, YAG:Ce)가 사용될 수 있다.As the phosphor 222, a conventional yellow phosphor having a light emission peak wavelength of 530 to 650 nm, such as silicate, phosphate, YAG or TAG, may be used. For example, YAG (yttrium-aluminum-garnet) and an activator ( As an activator, an inorganic phosphor (ie, YAG: Ce) in a form of cesium (Ce) may be used.

상기 제 2 발광 다이오드 칩(310)은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위이고, AlGaAs, InGaAlP 등의 재료로 제조되는 적색 발광 다이오드 칩인 것이 바람직하다.The second light emitting diode chip 310 is preferably a red light emitting diode chip having a light emission peak wavelength in a range of 610 to 680 nm and made of a material such as AlGaAs or InGaAlP.

상기 함몰부(710)의 내측벽은 반사판으로 작용하며, 가시광선의 고반사를 위해 Ag, Al로 코팅될 수 있다. The inner wall of the depression 710 serves as a reflector, and may be coated with Ag or Al for high reflection of visible light.

상기에서 상술한 본 발명에 따르면, 광의 강약을 감지할 수 있는 수광 센서부(230)를 도입하여 장기간의 사용에도 색온도를 일정하게 유지하여 일정한 밝기의 백색광을 공급할 수 있는 장점이 있다. According to the present invention described above, by introducing a light receiving sensor unit 230 that can sense the intensity of the light has the advantage of supplying white light of a constant brightness by maintaining a constant color temperature even in long-term use.

도 14 내지 도 15를 참조하면, 도 14는 수광 센서부(230)를 사용하지 않은 백색 발광 장치의 색온도를 나타낸 표이고, 도 15는 수광 센서부(230)를 사용한 경우의 백색 발광 장치의 색온도를 나타낸 표이다. 14 to 15, FIG. 14 is a table showing the color temperature of the white light emitting device that does not use the light receiving sensor 230, Figure 15 is a color temperature of the white light emitting device when using the light receiving sensor 230. Table showing

도 14에서는 적색 발광 다이오드 칩(310)의 광속이 일정한 경우, 청색 발광 다이오드 칩(210)과 황색 형광체(222)에 의한 백색광의 광속 변화에 따른 상관 색온도의 변화가 최대 250K 차이가 나는 것을 확인 할 수 있다.In FIG. 14, when the luminous flux of the red light emitting diode chip 310 is constant, it is confirmed that the change in the correlated color temperature according to the luminous flux of the white light by the blue light emitting diode chip 210 and the yellow phosphor 222 differs by a maximum of 250K. Can be.

반면, 도 15에서는 수광 센서부(230)의 적용으로 청색 발광 다이오드 칩(210)의 광속이 변할 경우 적색 발광 다이오드 칩(310)의 광속도 그에 따라 변하게 되고, 결과적으로 상관 색온도의 변화가 최대 3K 밖에 되지 않는다.On the other hand, in FIG. 15, when the luminous flux of the blue light emitting diode chip 210 is changed by the application of the light receiving sensor 230, the luminous flux of the red light emitting diode chip 310 is changed accordingly. As a result, the change in the correlation color temperature is only 3K at most. It doesn't work.

즉, 수광 센서부(230)를 적용한 본 발명에 따른 백색 발광 장치의 경우 상관 색온도가 일정하게 유지됨을 확인 할 수 있다. That is, in the case of the white light emitting device according to the present invention to which the light receiving sensor unit 230 is applied, it may be confirmed that the correlation color temperature is kept constant.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to explain, and the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

도 1은 종래 기술의 발광 소자에 있어서, 방출광의 스펙트럼을 나타낸 것이고,1 shows a spectrum of emitted light in a light emitting device of the prior art,

도 2는 본 발명에 제 1 실시예에 따른 백색 발광 장치의 사시도이며,2 is a perspective view of a white light emitting device according to a first embodiment of the present invention,

도 3은 도 2에 나타낸 본 발명에 따른 백색 발광 장치의 백색 발광 소자 패키지의 평면도이며,3 is a plan view of a white light emitting device package of the white light emitting device according to the present invention shown in FIG.

도 4는 도 3에서 라인 XX´를 따라 자른 백색 발광 소자 패키지의 단면도이며,4 is a cross-sectional view of the white light emitting device package taken along the line XX ′ in FIG. 3.

도 5는 도 3의 백색 발광 소자 패키지의 수광 센서부 및 발광 다이오드 칩들의 연결 상태를 나타낸 회로도이며,FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a connection state of a light receiving sensor unit and a light emitting diode chip of the white light emitting device package of FIG. 3.

도 6은 도 3의 백색 발광 소자 패키지가 형성되는 기판을 도시한 단면도이며, 6 is a cross-sectional view illustrating a substrate on which the white light emitting device package of FIG. 3 is formed;

도 7은 도 2의 백색 발광 장치에 도전 패턴을 형성한 예를 도시한 평면도이며,FIG. 7 is a plan view illustrating an example in which a conductive pattern is formed on the white light emitting device of FIG. 2.

도 8은 본 발명에 제 2 실시예에 따른 백색 발광 장치의 사시도이며,8 is a perspective view of a white light emitting device according to a second embodiment of the present invention;

도 9는 도 8에 나타낸 본 발명에 따른 백색 발광 장치의 백색 발광 소자 패키지의 사시도이며,9 is a perspective view of a white light emitting device package of the white light emitting device according to the present invention shown in FIG.

도 10은 도 9에 나타낸 백색 발광 소자 패키지의 평면도이며,FIG. 10 is a plan view of the white light emitting device package illustrated in FIG. 9;

도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 백색 발광 장치를 나타낸 단면도이며,11 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to a third embodiment of the present invention;

도 12는 도 11의 백색 발광 장치의 일부 확대단면도이며,12 is an enlarged cross-sectional view of a part of the white light emitting device of FIG.

도 13은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 백색 발광 장치를 나타낸 단면도이며, 13 is a cross-sectional view illustrating a white light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 14는 수광 센서부(230)를 사용하지 않은 백색 발광 장치의 색온도를 나타낸 표이고, 14 is a table showing the color temperature of the white light emitting device that does not use the light receiving sensor unit 230,

도 15는 수광 센서부(230)를 사용한 경우의 백색 발광 장치의 색온도를 나타낸 표이다. 15 is a table showing the color temperature of the white light emitting device when the light receiving sensor unit 230 is used.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 백색 발광 장치 10: 백색 발광 소자 패키지1: white light emitting device 10: white light emitting device package

100: 패키지 본체 110: 분리부100: package body 110: separation unit

200: 제 1 광원부 210: 제 1 발광 다이오드 칩 200: first light source unit 210: first light emitting diode chip

220: 색변환층 222: 형광체 220: color conversion layer 222: phosphor

224: 광 투과성 수지 230: 수광 센서부 224: light transmitting resin 230: light receiving sensor

300: 제 2 광원부 310: 제 2 발광 다이오드 칩 300: second light source unit 310: second light emitting diode chip

400: 접속 단자 500, 560: 도전 패턴 400: connection terminal 500, 560: conductive pattern

600: 기판 700, 710: 함몰부600: substrate 700, 710: depression

Claims (16)

제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 상기 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층을 구비하는 제 1광원부;A first light source unit including a first light emitting diode chip, a light receiving sensor unit, and a color conversion layer for color converting light emitted from the first light emitting diode chip; 제 2 발광 다이오드 칩을 구비하며, 상기 제 1광원부와 분리되어 형성되는 제 2광원부;를 포함하되,And a second light source unit having a second light emitting diode chip and formed separately from the first light source unit. 상기 수광 센서부는 상기 제 2 발광 다이오드 칩을 전기적으로 제어하기 위하여 상기 제 1 광원부에서 발생하는 광을 감지하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light receiving sensor unit senses light generated by the first light source unit to electrically control the second LED chip. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 발광 다이오드 칩은 광방출 피크 파장이 400~480nm 범위의 청색 발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The first light emitting diode chip is a white light emitting device, characterized in that the blue light emitting diode chip having a light emission peak wavelength of 400 ~ 480nm range. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수광 센서부는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 황화 카드뮴(CdS) 셀 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light receiving sensor unit is formed of any one of a photodiode, a photo transistor, and a cadmium sulfide (CdS) cell. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 색변환층은 상기 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광에 의해 여기되는 형광체 및 광투과성 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the color conversion layer comprises a phosphor and an optically transparent resin excited by light emitted from the first light emitting diode chip. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 형광체는 광방출 피크 파장이530~650nm 범위의 광을 방출하는 황색 형광체인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The phosphor is a white light emitting device, characterized in that the light emitting peak wavelength is a yellow phosphor that emits light in the range of 530 ~ 650nm. 제 4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 광투과성 수지는 상기 제1 발광 다이오드 칩 및 수광 센서부의 상부에 형성되어 상기 제1 발광 다이오드 칩 및 수광 센서부를 밀봉하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light transmissive resin is formed on the first light emitting diode chip and the light receiving sensor part to seal the first light emitting diode chip and the light receiving sensor part. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 발광 다이오드 칩은 광방출 피크 파장이 610~680nm 범위의 적색 발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The second light emitting diode chip is a white light emitting device, characterized in that the light emitting peak wavelength is a red light emitting diode chip in the range of 610 ~ 680nm. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 발광 다이오드 칩의 상부에 형성되어 상기 제2 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 광투과성 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And a light transmissive resin formed on the second light emitting diode chip to seal the second light emitting diode chip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩에 형성된 각각의 양극 리드 및 음극 리드;Respective anode leads and cathode leads formed on the first light emitting diode chip, the light receiving sensor unit, and the first light emitting diode chip; 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 2 발광 다이오드 칩이 형성되는 패키지 본체;A package body in which the first light emitting diode chip, the light receiving sensor unit, and the second light emitting diode chip are formed; 상기 패키지 본체에 형성되며, 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩의 양극 리드 및 음극 리드와 전기적으로 연결되는 접속 단자;A connection terminal formed in the package body and electrically connected to the first lead, the light receiving sensor, and the positive lead and the negative lead of the first light emitting diode chip; 상기 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 제 1 발광 다이오드 칩의 양극 리드 및 음극 리드와 상기 접속 단자를 전기적으로 연결하기 위한 도전 패턴;A conductive pattern for electrically connecting the positive lead and the negative lead of the first light emitting diode chip, the light receiving sensor unit, and the first light emitting diode chip with the connection terminal; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.White light emitting device comprising a. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 패키지 본체가 형성되고, 금속 베이스층, 절연층 및 도전층을 포함하는 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The package body is formed, the white light emitting device, characterized in that further comprising a substrate comprising a metal base layer, an insulating layer and a conductive layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 금속 베이스층은 알루미늄(Al)을 포함하고, 상기 도전층은 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The metal base layer includes aluminum (Al), and the conductive layer comprises a copper (Cu). 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 기판은, 상기 도전층 위에 형성되며 니켈(Ni)을 포함하는 장벽층과 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The substrate further comprises a barrier layer including nickel (Ni) and a reflective layer including gold (Au) or silver (Ag) formed on the conductive layer. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수광 센서부와 상기 제 2 발광 다이오드 칩은 와이어에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light receiving sensor unit and the second light emitting diode chip are electrically connected by wires. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수광 센서부와 상기 제 2 발광 다이오드 칩은 도전 패턴에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light receiving sensor unit and the second LED chip are electrically connected to each other by a conductive pattern. 적어도 두 개의 제1 발광 다이오드 칩, 수광 센서부 및 상기 적어도 두 개의 제 1 발광 다이오드 칩으로부터 방출되는 광을 색변환하는 색변환층을 구비하는 제 1광원부;A first light source unit including at least two first light emitting diode chips, a light receiving sensor unit, and a color conversion layer for color converting light emitted from the at least two first light emitting diode chips; 적어도 두 개의 제 2 발광 다이오드 칩을 구비하며, 상기 제 1광원부와 인접하여 형성되는 제 2광원부;A second light source unit having at least two second light emitting diode chips and formed adjacent to the first light source unit; 상기 제 1 광원부와 상기 제 2 광원부를 분리하기 위한 분리부;를 포함하되,And a separation unit for separating the first light source unit and the second light source unit. 상기 수광 센서부는 상기 적어도 두 개의 제 2 발광 다이오드 칩을 전기적으로 제어하기 위하여 상기 제 1광원부에서 발생하는 광을 감지하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.And the light receiving sensor unit senses light generated from the first light source unit to electrically control the at least two second light emitting diode chips. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 분리부는 링 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치.The separation unit is a white light emitting device, characterized in that provided in a ring shape.
KR1020090109223A 2009-11-12 2009-11-12 White light emitting device KR20110052262A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090109223A KR20110052262A (en) 2009-11-12 2009-11-12 White light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090109223A KR20110052262A (en) 2009-11-12 2009-11-12 White light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110052262A true KR20110052262A (en) 2011-05-18

Family

ID=44362401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090109223A KR20110052262A (en) 2009-11-12 2009-11-12 White light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110052262A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101288911B1 (en) * 2011-11-22 2013-07-23 우리이앤엘 주식회사 Light emitting module
KR20170054731A (en) * 2015-11-10 2017-05-18 (주)파트론 Optical sensor package
KR20180051686A (en) * 2016-11-07 2018-05-17 엘지디스플레이 주식회사 Backlight unit and liquid crystal display device including same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101288911B1 (en) * 2011-11-22 2013-07-23 우리이앤엘 주식회사 Light emitting module
KR20170054731A (en) * 2015-11-10 2017-05-18 (주)파트론 Optical sensor package
KR20180051686A (en) * 2016-11-07 2018-05-17 엘지디스플레이 주식회사 Backlight unit and liquid crystal display device including same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4598767B2 (en) Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting device
KR101251821B1 (en) Light emitting device package
US9252340B2 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
WO2010123052A1 (en) Light-emitting device
US20130015461A1 (en) Light-emitting Device Capable of Producing White Light And Light Mixing Method For Producing White Light With Same
WO2008082098A1 (en) Light emitting diode package
JP2007258620A (en) Light emitting device
TW201538887A (en) Lighting-emitting diode assembly and LED bulb using the same
US20070246726A1 (en) Package structure of light emitting device
US9443832B2 (en) Light emitting device, light source for illumination, and illumination apparatus
KR20110052262A (en) White light emitting device
KR20080041818A (en) Lens and led package having the same
JP2008244469A (en) Light-emitting device
JP2007173733A (en) Light emitting device
KR100954858B1 (en) A high-luminance led package and method for manufacturing thereof
JP2008021795A (en) Light source device
WO2010123051A1 (en) Light-emitting device
CN209912895U (en) Car light source device and car light module
KR102131309B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
KR20130027653A (en) Led white light source module
JP6252732B2 (en) Illumination light source and illumination device
KR100999712B1 (en) Led package
KR20080013342A (en) Led package
KR20170043126A (en) High power led package and method of the same improved color coordinates and thermal conductivity
TWI506759B (en) A light emitting element capable of emitting white light and a method of mixing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application