JP2012520565A - LED lead frame package, LED package using the same, and method of manufacturing the LED package - Google Patents

LED lead frame package, LED package using the same, and method of manufacturing the LED package Download PDF

Info

Publication number
JP2012520565A
JP2012520565A JP2011553937A JP2011553937A JP2012520565A JP 2012520565 A JP2012520565 A JP 2012520565A JP 2011553937 A JP2011553937 A JP 2011553937A JP 2011553937 A JP2011553937 A JP 2011553937A JP 2012520565 A JP2012520565 A JP 2012520565A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
ring
led
sealing layer
led package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011553937A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
トラン グエン、ザ
Original Assignee
ネペス エルイーディー コーポレーション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/381,408 external-priority patent/US8058667B2/en
Priority claimed from US12/381,409 external-priority patent/US8039862B2/en
Application filed by ネペス エルイーディー コーポレーション filed Critical ネペス エルイーディー コーポレーション
Publication of JP2012520565A publication Critical patent/JP2012520565A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Abstract

LEDリードフレームパッケージ、これを利用したLEDパッケージ及び前記LEDパッケージの製造方法を開示する。本発明によると、LEDパッケージの製造において、尖った上部エッジと傾斜した側壁を有する少なくとも二つのリング型突出部と前記リング型突出部間に形成された少なくとも一つのリング型溝上に液状の透明樹脂材料を提供することにより、表面張力を利用して単一な工程で盛り上がった曲面を有する封止層を容易に形成できる。
【選択図】図1
An LED lead frame package, an LED package using the LED lead frame package, and a method of manufacturing the LED package are disclosed. According to the present invention, in manufacturing an LED package, a liquid transparent resin is formed on at least two ring-shaped protrusions having a sharp upper edge and inclined side walls and at least one ring-shaped groove formed between the ring-shaped protrusions. By providing the material, it is possible to easily form a sealing layer having a curved surface that is raised in a single process using surface tension.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、LEDリードフレームパッケージ、これを利用したLEDパッケージ及び前記LEDパッケージの製造方法に関するものであり、より詳しくは、製造が容易で製造コストを低減できるLEDリードフレームパッケージ、これを利用したLEDパッケージ及び前記LEDパッケージの製造方法に関するものである。   The present invention relates to an LED lead frame package, an LED package using the same, and a method for manufacturing the LED package, and more particularly, an LED lead frame package that is easy to manufacture and can reduce manufacturing costs, and an LED using the LED lead frame package The present invention relates to a package and a method for manufacturing the LED package.

半導体照明装置であって、LEDは、白熱灯や蛍光灯のような伝統的な照明装置に比べて多くの長所を有する。例えば、LEDは寿命が長く、サイズが小さく、且つ電力消費が少なく、水銀汚染がない。これにより、最近は既存の照明装置を代替するための新たな照明装置としてLEDを主に使用している。   A semiconductor lighting device, LED has many advantages over traditional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps. For example, LEDs have a long lifetime, small size, low power consumption, and no mercury contamination. As a result, recently, LEDs are mainly used as new illumination devices for replacing existing illumination devices.

LEDパッケージの光出力を向上させるために、LEDパッケージの外側光学層には一般的に盛り上がったレンズ構造が導入される。従来のLEDパッケージにおいて、このような凸レンズ構造は予め別途に作られた後にLEDパッケージ上に装着される。このような凸レンズ構造の追加的な製造及び組立工程により、追加的な製造及び組立装置が要求される。それだけでなく、予め別途に作られた凸レンズ構造をLEDパッケージ上に装着する過程で、前記凸レンズ構造とLEDパッケージ上に既に形成されている封止層間に好ましくない空気層が形成される場合もある。また、従来の技術の場合、LEDダイ(die)上にLEDダイを保護するための封止層を形成する過程で、前記封止層の外部表面に盛り上がった曲率を作ることが容易でない。よって、従来のLEDパッケージの製造方法は、製造収率が比較的低く、生産コストが比較的多くかかる。   In order to improve the light output of the LED package, a generally raised lens structure is introduced into the outer optical layer of the LED package. In a conventional LED package, such a convex lens structure is separately prepared and mounted on the LED package. Such an additional manufacturing and assembling process of the convex lens structure requires an additional manufacturing and assembling apparatus. In addition, an undesired air layer may be formed between the convex lens structure and the sealing layer already formed on the LED package in the process of mounting a separately prepared convex lens structure on the LED package. . In the case of the conventional technique, it is not easy to create a raised curvature on the outer surface of the sealing layer in the process of forming the sealing layer for protecting the LED die on the LED die. Therefore, the conventional LED package manufacturing method has a relatively low manufacturing yield and a relatively high production cost.

一方、白色光を発生させる白色LEDを提供するために、通常、青色又はUV LEDダイ上に蛍光層を直接塗布する方式を用いている。例えば、青色LEDダイを使用する場合、蛍光体材料から発生した多様な波長の光が混ざり合ったり、或いは前記の多様な波長の光が青色LEDダイからの青色励起光と混合して白色光が放出され得る。ところが、LEDダイ上に蛍光層を直接塗布する方式の場合、LEDダイと蛍光層が非常に近接しているため、蛍光体材料から発生した光がLEDダイに進んでLEDダイで吸収されるという問題が発生し得る。   On the other hand, in order to provide a white LED that generates white light, a method of directly applying a fluorescent layer on a blue or UV LED die is usually used. For example, when using a blue LED die, light of various wavelengths generated from the phosphor material is mixed, or light of various wavelengths is mixed with blue excitation light from the blue LED die to generate white light. Can be released. However, in the case of the method in which the fluorescent layer is directly applied on the LED die, the LED die and the fluorescent layer are very close to each other, so that light generated from the phosphor material proceeds to the LED die and is absorbed by the LED die. Problems can arise.

これにより、LEDダイと蛍光層間に透明なスペーサーを置いて、蛍光層から発生した光がLEDダイ又はその周辺の基板に入射して吸収される可能性を減らす技術が提案された。例えば、図1は特許文献1に開示された技術の例を示している。図1を参照すると、基板62上にLEDダイ60が実装されており、蛍光層66はLEDダイ60を覆う透明なスペーサー64によりLEDダイ60から離れている。また、蛍光層66の外側に保護層68が形成されている。しかし、このような構造でも、依然と蛍光層66から発生した光は殆ど妨害なくLEDダイ60及びその周辺の基板62上に入射して吸収され得る。   Accordingly, a technique has been proposed in which a transparent spacer is placed between the LED die and the fluorescent layer to reduce the possibility that light generated from the fluorescent layer is incident on and absorbed by the LED die or its peripheral substrate. For example, FIG. 1 shows an example of the technique disclosed in Patent Document 1. Referring to FIG. 1, an LED die 60 is mounted on a substrate 62, and the fluorescent layer 66 is separated from the LED die 60 by a transparent spacer 64 that covers the LED die 60. A protective layer 68 is formed outside the fluorescent layer 66. However, even in such a structure, the light generated from the fluorescent layer 66 can still be incident on the LED die 60 and the substrate 62 around it without being disturbed.

米国特許第5,959,316号US Pat. No. 5,959,316

本発明の目的は、製造が容易で製造コストを低減できるLEDリードフレームパッケージ、及びこれを利用したLEDパッケージを提供することである。   An object of the present invention is to provide an LED lead frame package that is easy to manufacture and can reduce manufacturing costs, and an LED package using the LED lead frame package.

本発明の他の目的は、蛍光体材料から発生した光がLEDダイに入射して吸収される光吸収損失を低減できるLEDパッケージを提供することである。   Another object of the present invention is to provide an LED package capable of reducing a light absorption loss in which light generated from a phosphor material is incident on and absorbed by the LED die.

本発明のまた別の目的は、製造が容易で製造コストを低減できるLEDパッケージの製造方法を提供することである。   Another object of the present invention is to provide an LED package manufacturing method that is easy to manufacture and can reduce manufacturing costs.

本発明の一類型によるリードフレームパッケージは、防熱ベース;前記防熱ベースの周りに配置された多数の電極;前記防熱ベースと多数の電極を囲んで固定する絶縁性支持部;前記絶縁性支持部の上部表面上に一周するように形成された少なくとも二つのリング型突出部;及び前記リング型突出部間に形成された少なくとも一つのリング型溝を含み得る。   A lead frame package according to a type of the present invention includes: a heat insulating base; a plurality of electrodes disposed around the heat insulating base; an insulating support portion that surrounds and fixes the heat insulating base and the plurality of electrodes; And at least two ring-shaped protrusions formed around the upper surface; and at least one ring-shaped groove formed between the ring-shaped protrusions.

また、本発明の一類型によるLEDパッケージは、上述の構造のリードフレームパッケージを含み得る。   In addition, an LED package according to one type of the present invention may include a lead frame package having the above-described structure.

具体的に前記LEDパッケージは、前記防熱ベースの底面上に付けられた少なくとも一つのLEDダイ(die);前記LEDダイと前記の多数の電極を電気的に連結する多数のワイヤ;及び前記LEDダイを覆うように形成された盛り上がった外部表面を有する少なくとも一つの層を備える封止層構造をさらに含み得る。ここで、前記封止層構造の少なくとも一つの層のそれぞれの縁は、前記の少なくとも二つのリング型突出部中の対応する一つまで延び得る。   Specifically, the LED package includes at least one LED die attached on a bottom surface of the heat-proof base; a plurality of wires that electrically connect the LED die and the plurality of electrodes; and the LED die. And a sealing layer structure comprising at least one layer having a raised external surface formed to cover. Here, each edge of the at least one layer of the sealing layer structure may extend to a corresponding one of the at least two ring-shaped protrusions.

一方、本発明の他の類型によるLEDパッケージの製造方法は、防熱ベース、前記防熱ベースの周りに配置された多数の電極、前記防熱ベースと多数の電極を囲んで固定する絶縁性支持部、前記絶縁性支持部の上部表面上に一周するように形成された少なくとも二つのリング型突出部、及び前記リング型突出部間に形成された少なくとも一つのリング型溝を含むリードフレームパッケージを提供すること;前記防熱ベースの上部表面上に少なくとも一つのLEDダイを付けること;前記LEDダイと前記の多数の電極を電気的に連結すること;及び前記LEDダイを覆うように盛り上がった外部表面を有する少なくとも一つの層を備える封止層構造を形成することを含み得る。ここで、前記封止層構造の少なくとも一つの層のそれぞれの縁は、前記の少なくとも二つのリング型突出部中の対応する一つまで延び得る。   Meanwhile, a method of manufacturing an LED package according to another type of the present invention includes a heat insulating base, a plurality of electrodes disposed around the heat insulating base, an insulating support portion that surrounds and fixes the heat insulating base and the plurality of electrodes, To provide a lead frame package including at least two ring-shaped protrusions formed so as to make a round on an upper surface of an insulating support, and at least one ring-shaped groove formed between the ring-shaped protrusions. Attaching at least one LED die on the top surface of the thermal barrier base; electrically connecting the LED die and the plurality of electrodes; and at least having an external surface raised to cover the LED die Forming a sealing layer structure comprising one layer may be included. Here, each edge of the at least one layer of the sealing layer structure may extend to a corresponding one of the at least two ring-shaped protrusions.

従来の白色LEDの一例の構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly the structure of an example of the conventional white LED. 本発明の一例にかかるLEDリードフレームパッケージの構造を概略的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a structure of an LED lead frame package according to an example of the present invention. 図2に示したLEDリードフレームパッケージの構造を概略的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing the structure of the LED lead frame package shown in FIG. 2. 図2に示したLEDリードフレームパッケージから絶縁性支持部を除外した防熱ベースと多数の電極の配置関係を概略的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing an arrangement relationship between a heat-insulating base excluding an insulating support portion from the LED lead frame package shown in FIG. 2 and a large number of electrodes. 図2に示したLEDリードフレームパッケージの構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the LED lead frame package shown in FIG. 2. 本発明の一例にかかるLEDパッケージの構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly the structure of the LED package concerning an example of this invention. 本発明の他の例にかかるLEDパッケージの構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly the structure of the LED package concerning the other example of this invention. 本発明にかかるLEDパッケージの製造方法の原理を概略的に説明する断面図である。It is sectional drawing which illustrates roughly the principle of the manufacturing method of the LED package concerning this invention. 本発明にかかるLEDパッケージの製造方法の原理を概略的に説明する断面図である。It is sectional drawing which illustrates roughly the principle of the manufacturing method of the LED package concerning this invention.

以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施例にかかるLEDリードフレームパッケージ、これを利用したLEDパッケージ及び前記LEDパッケージの製造方法について詳しく説明する。以下の図面で同一な参照符号は同一な構成要素を指し、図面上で各構成要素の大きさは、説明の明瞭性と便宜上、誇張する場合がある。   Hereinafter, an LED lead frame package according to an embodiment of the present invention, an LED package using the same, and a method of manufacturing the LED package will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same reference numerals denote the same components, and the size of each component may be exaggerated for the sake of clarity and convenience in the drawings.

図2は、本発明の一例にかかるLEDリードフレームパッケージ20の構造を概略的に示す斜視図である。図2を参照すると、本発明の一例にかかるリードフレームパッケージ(leadframe package)20は、防熱ベース(heat dissipation base)2、前記防熱ベース2の周りに配置された多数の電極1、及び防熱ベース2と多数の電極1を囲んで固定する絶縁性支持部3を含み得る。ここで前記絶縁性支持部3は、例えばPPA(poly phthal amid)プラスチックのような絶縁性プラスチック材料からなり得る。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing the structure of the LED lead frame package 20 according to an example of the present invention. Referring to FIG. 2, a leadframe package 20 according to an example of the present invention includes a heat insulation base 2, a plurality of electrodes 1 disposed around the heat insulation base 2, and a heat insulation base 2. And an insulating support 3 that surrounds and fixes the plurality of electrodes 1. Here, the insulating support part 3 may be made of an insulating plastic material such as PPA (poly phthalamide) plastic.

前記LEDリードフレームパッケージ20を上述の構造を概略的に示す平面図である図3を参照すると、LEDリードフレームパッケージ20は、例えば周りの方向に従って配列された四つの同一な金属電極1を備え得る。四つの電極1は、防熱ベース2の中心軸を中心にして、約90度の間隔でそれぞれ配列され得、前記防熱ベース2の中心軸に垂直な方向に突出されている。絶縁性支持部3を除外した防熱ベース2と電極1の配置関係を概略的に示す斜視図である図4を参照すると、四つの電極1の上部表面は、防熱ベース2の最も高い地点と同一な高さに形成されている。また、図2〜図4に示したように、電極1の一側端部は防熱ベース2の側面周りと対向しており、他側端部は絶縁性支持部3の外側壁から突出するように配置され得る。このような電極1の上部表面は、例えば銀やアルミニウムのような高反射性材料でコーティングされ得る。図面には、四つの電極1が例示的に示されているが、実施例によって電極1の個数は自由に選択できる。   Referring to FIG. 3, which is a plan view schematically showing the above-described structure of the LED lead frame package 20, the LED lead frame package 20 may include, for example, four identical metal electrodes 1 arranged according to surrounding directions. . The four electrodes 1 can be arranged at intervals of about 90 degrees around the central axis of the heat insulating base 2, and protrude in a direction perpendicular to the central axis of the heat insulating base 2. Referring to FIG. 4, which is a perspective view schematically showing the arrangement relationship between the heat insulating base 2 and the electrode 1 excluding the insulating support portion 3, the upper surfaces of the four electrodes 1 are the same as the highest point of the heat insulating base 2. It is formed at a certain height. As shown in FIGS. 2 to 4, one end of the electrode 1 faces the side of the heat-insulating base 2, and the other end protrudes from the outer wall of the insulating support 3. Can be arranged. The upper surface of the electrode 1 can be coated with a highly reflective material such as silver or aluminum. In the drawing, four electrodes 1 are exemplarily shown, but the number of the electrodes 1 can be freely selected according to the embodiment.

また、図4を参照すると、防熱ベース2はその中心部にキャビティ(cavity)形態の反射カップ(reflective cup)10を有し得る。前記反射カップ10の底面は、例えば銀やアルミニウムのような高反射性材料でコーティングされ得る。反射カップ10の上部面は、防熱ベース2の最も高い地点にある。つまり、反射カップ10の上部面は、電極1の上部表面と同一な高さに形成できる。   Referring to FIG. 4, the heat-insulating base 2 may have a reflective cup 10 in the form of a cavity. The bottom surface of the reflective cup 10 may be coated with a highly reflective material such as silver or aluminum. The upper surface of the reflecting cup 10 is at the highest point of the heat insulating base 2. That is, the upper surface of the reflecting cup 10 can be formed at the same height as the upper surface of the electrode 1.

防熱ベース2と多数の電極1は、図4のように配置された状態で、それらを囲む絶縁性支持部3によって固定される。このために、多数の電極1、防熱ベース2、及び絶縁性支持部3は、例えば射出成形工程により一体に形成できる。   The heat-insulating base 2 and the multiple electrodes 1 are fixed by an insulating support 3 that surrounds them in a state of being arranged as shown in FIG. For this reason, many electrodes 1, the heat-insulating base 2, and the insulating support part 3 can be integrally formed by, for example, an injection molding process.

また、LEDリードフレームパッケージ20の断面構造を概略的に示している図5及び前述の図2の斜視図を参照すると、前記リードフレームパッケージ20は絶縁性支持部3の上部表面上を一周するように形成された少なくとも二つのリング型突出部11、12、13、14、及び前記リング型突出部11、12、13、14間に形成された少なくとも一つのリング型溝15、16、17をさらに含み得る。前記の多数のリング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17は、絶縁性支持部3の上部表面上に同心円の形態に形成できる。図5に示したように、多数のリング型突出部11、12、13、14は、尖った上部エッジと傾斜した側壁を有するように形成できる。   Referring to FIG. 5 schematically showing the cross-sectional structure of the LED lead frame package 20 and the perspective view of FIG. 2 described above, the lead frame package 20 makes a round on the upper surface of the insulating support 3. And at least two ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 and at least one ring-shaped groove 15, 16, 17 formed between the ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14. May be included. The plurality of ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 and the ring-shaped grooves 15, 16, 17 can be formed on the upper surface of the insulating support 3 in the form of concentric circles. As shown in FIG. 5, the multiple ring-shaped protrusions 11, 12, 13, and 14 can be formed to have sharp upper edges and inclined side walls.

このような多数のリング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17は、絶縁性支持部3と同一なPPAプラスチックからなり、絶縁性支持部3の一部分であり得る。例えば、前記の多数のリング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17は、移送成形(transfer molding)工程により絶縁性支持部3の上部表面上に形成され得る。又は、多数の電極1、防熱ベース2及び絶縁性支持部3を一体に形成する射出成形過程で、多数のリング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17も一緒に形成できる。図5には、四つのリング型突出部と三つのリング型溝が例示的に示されているが、その個数は実施例によって自由に選択できる。   A large number of such ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 and ring-shaped grooves 15, 16, 17 are made of the same PPA plastic as the insulating support 3 and may be a part of the insulating support 3. . For example, the plurality of ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 and the ring-shaped grooves 15, 16, 17 may be formed on the upper surface of the insulating support 3 by a transfer molding process. Or, in the injection molding process of integrally forming a large number of electrodes 1, a heat-insulating base 2, and an insulating support 3, a large number of ring-shaped protrusions 11, 12, 13, and 14 and ring-shaped grooves 15, 16, and 17 together. Can be formed. FIG. 5 exemplarily shows four ring-shaped protrusions and three ring-shaped grooves, but the number thereof can be freely selected according to the embodiment.

このように多数のリング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17を有する上述の構造のLEDリードフレームパッケージ20は、LEDパッケージ(LED package)の製造に使用される際、多層構造の封止層の形成を容易にし得る。図6は、前記LEDリードフレームパッケージ20を利用した本発明の一例にかかるLEDパッケージ30の構造を概略的に示す断面図である。図6を参照すると、本発明の一例にかかるLEDパッケージ30は防熱ベース2の底面上に付けられたLEDダイ(die)4、前記LEDダイ4と多数の電極1を電気的に連結する多数のワイヤ6、LEDダイ4を覆うように防熱ベース2の反射カップ10上に形成された封止層7、前記封止層7を覆うように形成された蛍光層8、及び前記蛍光層8を覆うように形成された光学レンズ層9を含み得る。   Thus, the LED lead frame package 20 having the above-described structure having a large number of ring-shaped protrusions 11, 12, 13, and 14 and ring-shaped grooves 15, 16, and 17 is used for manufacturing an LED package. At this time, the formation of the sealing layer having a multilayer structure can be facilitated. FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an LED package 30 according to an example of the present invention using the LED lead frame package 20. Referring to FIG. 6, an LED package 30 according to an example of the present invention includes an LED die 4 attached on the bottom surface of the heat-insulating base 2, and a plurality of electrodes that electrically connect the LED die 4 and the plurality of electrodes 1. The wire 6, the sealing layer 7 formed on the reflective cup 10 of the heat-insulating base 2 so as to cover the LED die 4, the fluorescent layer 8 formed so as to cover the sealing layer 7, and the fluorescent layer 8 are covered. An optical lens layer 9 formed as described above may be included.

ここで、LEDダイ4は、例えばダイ接着材料5によって防熱ベース2の底面に、つまり、防熱ベース2の反射カップ10の底面に固定され得る。ダイ接着材料5は、例えば、銀ペースト(silver paste)や、はんだ(solder)を使用できる。防熱ベース2の底面には、単に一つのLEDダイ4が配置されることもあるが、必要に応じて、多数のLEDダイ4が配置されることもある。例えば、UV LED、青色LED、緑色LED、及び赤色LEDの少なくとも一つが防熱ベース2の底面に配置され得る。   Here, the LED die 4 can be fixed to the bottom surface of the heat insulating base 2 by, for example, the die bonding material 5, that is, to the bottom surface of the reflection cup 10 of the heat insulating base 2. As the die bonding material 5, for example, a silver paste or solder can be used. Although only one LED die 4 may be disposed on the bottom surface of the heat-insulating base 2, a plurality of LED dies 4 may be disposed as necessary. For example, at least one of a UV LED, a blue LED, a green LED, and a red LED may be disposed on the bottom surface of the heat insulating base 2.

封止層7、蛍光層8、及び光学レンズ層9は、一緒に多層封止層構造を形成する。効率的な光出力のために、封止層7、蛍光層8及び光学レンズ層9は、盛り上がった外部表面を有し得る。また、蛍光層8から発生した光がLEDダイ4に入射してLEDダイ4で吸収されることを防ぐために、封止層7の有効屈折率は可視光の波長帯域で蛍光層8の有効屈折率より小さいこともある。   The sealing layer 7, the fluorescent layer 8, and the optical lens layer 9 together form a multilayer sealing layer structure. For efficient light output, the sealing layer 7, the fluorescent layer 8 and the optical lens layer 9 can have raised external surfaces. In addition, in order to prevent light generated from the fluorescent layer 8 from entering the LED die 4 and being absorbed by the LED die 4, the effective refractive index of the sealing layer 7 is effective refractive index of the fluorescent layer 8 in the visible light wavelength band. It may be smaller than the rate.

蛍光層8は、例えば、UV光、青色光又は緑色光によって励起されて可視光を発生させる。このために、前記蛍光層8は、ガラス、ポリカーボネート(polycarbonate;PC)、ポリメチルメタクリレート(poly(methly methacrylate);PMMA)又はシリコン樹脂のような透明な材料に蛍光体材料を均一に混合して行われ得る。前記蛍光体材料は、UV光、青色光又は緑色光によって励起され、相違する波長の可視光をそれぞれ発生させる少なくとも一種類の蛍光体材料を含み得る。例えば、蛍光体材料は、青色、緑色、黄色、オレンジ色及び赤色のように相違する波長の可視光をそれぞれ発生させる多様な種類の蛍光体材料の少なくとも一つであり得る。緑色、黄色、オレンジ色及び赤色蛍光体は、青色光又は緑色光を少なくとも部分的に吸収したり、又はUV光を完全に吸収して、それぞれ緑色、黄色、オレンジ色及び赤色でピーク波長を有する光スペクトラムを放出できる。また、青色蛍光体は、UV光を完全に吸収して青色領域のピーク波長を有する光スペクトラムを放出できる。   The fluorescent layer 8 is excited by, for example, UV light, blue light, or green light to generate visible light. For this, the phosphor layer 8 is prepared by uniformly mixing a phosphor material with a transparent material such as glass, polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA) or silicon resin. Can be done. The phosphor material may include at least one phosphor material that is excited by UV light, blue light, or green light and generates visible light having different wavelengths. For example, the phosphor material may be at least one of various types of phosphor materials that respectively generate visible light having different wavelengths such as blue, green, yellow, orange, and red. Green, yellow, orange and red phosphors have peak wavelengths at green, yellow, orange and red, respectively, absorbing blue light or green light at least partially or fully absorbing UV light The light spectrum can be emitted. Further, the blue phosphor can completely absorb UV light and emit a light spectrum having a peak wavelength in the blue region.

このような蛍光層8を利用して、白色光を放出するLEDパッケージ30を提供できる。例えば、LEDダイ4が450nm〜480nmの波長範囲の青色光を放出する場合、蛍光層8は青色光によって励起され、黄色ピーク波長を有する光を放出できる。すると、黄色光と残余青色光が混合されながら白色光が作られる。蛍光層8はまた、LEDダイ4から放出された励起波長の光によって励起され、多様な波長の光を放出する多様な種類の蛍光体材料を含むこともある。この場合、多様な波長の光が混合されながら白色光が作られる。例えば、LEDダイ4が380nm〜450nm範囲の近紫外線(near−UV)を放出する場合、蛍光層8は近紫外線によって励起され、それぞれ青色、緑色及び赤色のピーク波長を有する光を放出する青色、緑色及び赤色蛍光体材料を含み得る。すると、前記青色、緑色及び赤色の光が混合されながら白色光が作られ得る。   The LED package 30 that emits white light can be provided by using such a fluorescent layer 8. For example, when the LED die 4 emits blue light having a wavelength range of 450 nm to 480 nm, the fluorescent layer 8 can be excited by the blue light and emit light having a yellow peak wavelength. Then, white light is produced while mixing yellow light and residual blue light. The phosphor layer 8 may also include various types of phosphor materials that are excited by the excitation wavelength light emitted from the LED die 4 and emit light of various wavelengths. In this case, white light is produced while light of various wavelengths is mixed. For example, when the LED die 4 emits near-UV in the range of 380 nm to 450 nm, the fluorescent layer 8 is excited by near-ultraviolet and emits light having peak wavelengths of blue, green and red, respectively. Green and red phosphor materials may be included. Then, white light can be produced while the blue, green, and red lights are mixed.

一方、本発明によると、リング型突出部11、12、13、14とリング型溝15、16、17を利用して前記封止層7、蛍光層8及び光学レンズ層9の大きさと上部表面の曲率を容易に調整できる。図6に示したように、封止層7の縁は第1リング型突出部11まで延びていて、蛍光層8の縁は第2リング型突出部12まで延びていて、光学レンズ層の縁は第3リング型突出部13まで延びている。このようにそれぞれの層7、8、9の縁を、対応するリング型突出部11、12、13に限定させることにより、それぞれの層7、8、9の大きさを容易に限定できる。そして、対応するリング型突出部11、12、13内に限定されたそれぞれの層7、8、9に提供された材料の量を調節することにより、前記のそれぞれの層7、8、9の上部表面の曲率が容易に決められ得る。   Meanwhile, according to the present invention, the size and upper surface of the sealing layer 7, the fluorescent layer 8, and the optical lens layer 9 are utilized using the ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 and the ring-shaped grooves 15, 16, 17. Can be easily adjusted. As shown in FIG. 6, the edge of the sealing layer 7 extends to the first ring-type protrusion 11, and the edge of the fluorescent layer 8 extends to the second ring-type protrusion 12, and the edge of the optical lens layer Extends to the third ring-shaped protrusion 13. Thus, by limiting the edges of the respective layers 7, 8, 9 to the corresponding ring-shaped protrusions 11, 12, 13, the sizes of the respective layers 7, 8, 9 can be easily limited. And by adjusting the amount of material provided to each layer 7, 8, 9 confined within the corresponding ring-shaped projections 11, 12, 13 of each of said layers 7, 8, 9 The curvature of the upper surface can be easily determined.

以下では、上述の構造のLEDパッケージ30を製造する方法について詳しく説明する。先ず、防熱ベース2、前記防熱ベース2の周りに配置された多数の電極1、防熱ベース2と多数の電極1を囲んで固定する絶縁性支持部3、前記絶縁性支持部3の上部表面上に形成された多数のリング型突出部11、12、13、14、及び前記リング型突出部11、12、13、14間に形成された多数のリング型溝15、16、17を含むリードフレームパッケージ20を、例えば射出成形工程等を利用して準備する。その後、ダイ接着材料5を利用して防熱ベース2の底面上に少なくとも一つのLEDダイ4を付けた後、多数のワイヤ6によりLEDダイ4と多数の電極1を電気的に連結する。   Hereinafter, a method for manufacturing the LED package 30 having the above-described structure will be described in detail. First, a heat insulating base 2, a large number of electrodes 1 arranged around the heat insulating base 2, an insulating support 3 that surrounds and fixes the heat insulating base 2 and the numerous electrodes 1, and an upper surface of the insulating support 3 A lead frame including a plurality of ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 formed in the ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14 The package 20 is prepared using, for example, an injection molding process. Thereafter, at least one LED die 4 is attached on the bottom surface of the heat insulating base 2 using the die bonding material 5, and then the LED die 4 and the multiple electrodes 1 are electrically connected by the multiple wires 6.

次に、LEDダイ4を覆うように防熱ベース2の反射カップ10に液状の透明樹脂材料を満たす。透明樹脂材料は、例えばシリコン樹脂であり得る。このとき、液状の透明樹脂材料は、例えば第1リング型突出部11内に限定される限度内で十分な量が提供され得る。すると、液状の透明樹脂材料の外部表面は第1リング型突出部11の尖った上部エッジ内で表面張力によって盛り上がって形成される。例えば、図8に示したように、透明樹脂材料18を第1リング型突出部11内に限定される限度内で十分な量を提供すると、表面張力によって盛り上がった外部表面が形成される。このような盛り上がった外部表面の曲率は、提供された透明樹脂材料18の量によって決められ得る。もし、多すぎる材料が提供されて透明樹脂材料18が第1リング型突出部11から溢れても、図9に示したように、透明樹脂材料18は、再度第2リング型突出部12内に限定され得る。このような方式で外部表面が目的とする曲率に到達した後は、熱又はUV照射により液状の透明樹脂材料18を硬化させると、封止層7が形成される。よって、本発明によると、封止層7の大きさと曲率を容易に限定できる。   Next, the reflective cup 10 of the heat insulating base 2 is filled with a liquid transparent resin material so as to cover the LED die 4. The transparent resin material can be, for example, a silicon resin. At this time, a sufficient amount of the liquid transparent resin material can be provided within a limit limited within the first ring-type projecting portion 11, for example. As a result, the outer surface of the liquid transparent resin material is formed so as to rise due to surface tension within the sharp upper edge of the first ring-type protrusion 11. For example, as shown in FIG. 8, when a sufficient amount of the transparent resin material 18 is provided within the limit limited in the first ring-type protrusion 11, an external surface raised by surface tension is formed. The curvature of such raised external surface can be determined by the amount of transparent resin material 18 provided. If too much material is provided and the transparent resin material 18 overflows from the first ring-type protrusion 11, the transparent resin material 18 again enters the second ring-type protrusion 12 as shown in FIG. 9. It can be limited. After the external surface reaches the target curvature in this manner, the sealing layer 7 is formed by curing the liquid transparent resin material 18 by heat or UV irradiation. Therefore, according to the present invention, the size and curvature of the sealing layer 7 can be easily limited.

その後は、封止層7を覆うように前記封止層7上に蛍光体材料が均一に混合された液状の透明樹脂材料を提供する。例えば、液状のシリコン樹脂と蛍光体材料が均一に混合された混合物を封止層7上に提供できる。このとき、この混合物は第2リング型突出部12内に限定され、第2リング型突出部12の尖った上部エッジ内で表面張力によって盛り上がった外部表面を有するようになる。前記混合物の外部表面が目的とする曲率に到達した後、熱又はUV照射により液状の混合物を硬化させると、蛍光層8が形成される。   Thereafter, a liquid transparent resin material in which a phosphor material is uniformly mixed on the sealing layer 7 so as to cover the sealing layer 7 is provided. For example, a mixture in which a liquid silicon resin and a phosphor material are uniformly mixed can be provided on the sealing layer 7. At this time, the mixture is confined within the second ring-shaped protrusion 12 and has an outer surface raised by surface tension within the sharp upper edge of the second ring-shaped protrusion 12. After the external surface of the mixture reaches the desired curvature, the fluorescent layer 8 is formed by curing the liquid mixture by heat or UV irradiation.

最後に、前記蛍光層8を覆うように蛍光層8上に液状の透明樹脂材料を提供する。例えば、液状の透明樹脂材料は、シリコン樹脂であり得る。ここで、蛍光層8上の液状の透明樹脂材料は、第3リング型突出部13内に限定され、第3リング型突出部13の尖った上部エッジ内で表面張力によって盛り上がった外部表面を有すようになる。その後、前記蛍光層8上の液状の透明樹脂材料を硬化させて光学レンズ層9が形成され得る。このような方式で、封止層7、蛍光層8及び光学レンズ層9が目的とする大きさ及び外部表面の曲率に容易に形成され得る。   Finally, a liquid transparent resin material is provided on the fluorescent layer 8 so as to cover the fluorescent layer 8. For example, the liquid transparent resin material can be a silicon resin. Here, the liquid transparent resin material on the fluorescent layer 8 is limited to the inside of the third ring-type protruding portion 13 and has an external surface raised by surface tension in the sharp upper edge of the third ring-type protruding portion 13. It becomes. Thereafter, the liquid transparent resin material on the fluorescent layer 8 is cured to form the optical lens layer 9. In this manner, the sealing layer 7, the fluorescent layer 8, and the optical lens layer 9 can be easily formed to have the desired size and curvature of the external surface.

図7は、本発明の他の例にかかるLEDパッケージ40の構造を概略的に示す断面図である。図6に示したLEDパッケージ30とは異なり、図7に示したLEDパッケージ40は、蛍光層8の下部に二つの封止層7、7aが形成されている。つまり、蛍光層8と第1封止層7間に透明な第2封止層7aがさらに形成されている。図7に示したLEDパッケージ40の残りの構成は、図6に示したLEDパッケージ30の構成と同一である。よって、LEDパッケージ40の残りの構成に対する詳細な説明は省略する。   FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an LED package 40 according to another example of the present invention. Unlike the LED package 30 shown in FIG. 6, the LED package 40 shown in FIG. 7 has two sealing layers 7 and 7 a formed below the fluorescent layer 8. That is, a transparent second sealing layer 7 a is further formed between the fluorescent layer 8 and the first sealing layer 7. The remaining configuration of the LED package 40 shown in FIG. 7 is the same as that of the LED package 30 shown in FIG. Therefore, detailed description of the remaining configuration of the LED package 40 is omitted.

図7を参照すると、第1封止層7、第2封止層7a、蛍光層8及び光学レンズ層9が一緒に多層封止層構造を形成する。効率的な光出力のために、前記第1封止層7、第2封止層7a、蛍光層8及び光学レンズ層9は、盛り上がった外部表面を有し得る。また、蛍光層8から発生した光がLEDダイ4に入射してLEDダイ4で吸収されることを防ぐために、第2封止層7aの有効屈折率は可視光の波長帯域で蛍光層8の有効屈折率より小さく、且つ第1封止層7の有効屈折率よりも小さい。   Referring to FIG. 7, the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the fluorescent layer 8, and the optical lens layer 9 together form a multilayer sealing layer structure. For efficient light output, the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the fluorescent layer 8, and the optical lens layer 9 may have a raised external surface. Further, in order to prevent light generated from the fluorescent layer 8 from entering the LED die 4 and being absorbed by the LED die 4, the effective refractive index of the second sealing layer 7a is that of the fluorescent layer 8 in the visible light wavelength band. It is smaller than the effective refractive index and smaller than the effective refractive index of the first sealing layer 7.

図7に示したように、第1封止層7の縁は第1リング型突出部11まで延びていて、第2封止層7aの縁は第2リング型突出部12まで延びていて、蛍光層8の縁は第3リング型突出部13まで延びていて、光学レンズ層9の縁は第4リング型突出部14まで延びている。このようにそれぞれの層7、7a、8、9の縁を、対応するリング型突出部11、12、13、14に限定させることにより、それぞれの層7、7a、8、9の大きさを容易に限定できる。そして、対応するリング型突出部11、12、13、14内に限定されたそれぞれの層7、7a、8、9に提供された材料の量を調節することにより、前記のそれぞれの層7、7a、8、9の上部表面の曲率が容易に決められ得る。   As shown in FIG. 7, the edge of the first sealing layer 7 extends to the first ring-type protrusion 11, and the edge of the second sealing layer 7 a extends to the second ring-type protrusion 12. The edge of the fluorescent layer 8 extends to the third ring type protrusion 13, and the edge of the optical lens layer 9 extends to the fourth ring type protrusion 14. Thus, by limiting the edges of the respective layers 7, 7 a, 8, 9 to the corresponding ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14, the sizes of the respective layers 7, 7 a, 8, 9 are reduced. Can be easily limited. And by adjusting the amount of material provided to each layer 7, 7a, 8, 9 confined within the corresponding ring-shaped protrusions 11, 12, 13, 14, said each layer 7, The curvature of the upper surface of 7a, 8, 9 can be easily determined.

図7に示したLEDパッケージ40の封止層構造に対する製造方法は、上で詳しく説明したLEDパッケージ30の製造方法がそのまま適用され得る。但し、第1封止層7上に蛍光層8を形成する前に、第2封止層7aを形成するという点だけに違いがある。つまり、前述の方式で第1封止層7を先に形成した後に、第1封止層7を覆うように前記第1封止層7上に液状の透明樹脂材料を提供する。例えば、液状の透明樹脂材料はシリコン樹脂であり得る。このとき提供される液状の透明樹脂材料は、第1封止層7の有効屈折率より小さく形成される。例えば、有効屈折率の調節のための添加剤等を液状のシリコン樹脂に添加できる。第1封止層7上の液状の透明樹脂材料は、第2リング型突出部12内に限定され、第2リング型突出部12の尖った上部エッジ内で表面張力によって盛り上がった外部表面を有するようになる。その後、第1封止層7上の液状の透明樹脂材料を、熱又はUV照射によって硬化させて第2封止層7aが形成され得る。その後は、前述の方式と同様に、第2封止層7a上に蛍光層8と光学レンズ層9を順に形成する。但し、ここで蛍光層8の材料は、第3リング型突出部13内に限定されるように満たされ、光学レンズ層9の材料は第4リング型突出部14内に限定されるように満たされる。   As the manufacturing method for the sealing layer structure of the LED package 40 shown in FIG. 7, the manufacturing method of the LED package 30 described in detail above can be applied as it is. However, the only difference is that the second sealing layer 7 a is formed before the fluorescent layer 8 is formed on the first sealing layer 7. That is, after the first sealing layer 7 is first formed by the above-described method, a liquid transparent resin material is provided on the first sealing layer 7 so as to cover the first sealing layer 7. For example, the liquid transparent resin material can be a silicon resin. The liquid transparent resin material provided at this time is formed smaller than the effective refractive index of the first sealing layer 7. For example, an additive for adjusting the effective refractive index can be added to the liquid silicon resin. The liquid transparent resin material on the first sealing layer 7 is limited to the inside of the second ring-type protrusion 12 and has an external surface raised by surface tension in the sharp upper edge of the second ring-type protrusion 12. It becomes like this. Thereafter, the liquid transparent resin material on the first sealing layer 7 can be cured by heat or UV irradiation to form the second sealing layer 7a. Thereafter, the fluorescent layer 8 and the optical lens layer 9 are sequentially formed on the second sealing layer 7a in the same manner as described above. However, here, the material of the fluorescent layer 8 is filled so as to be limited in the third ring-type protrusion 13, and the material of the optical lens layer 9 is filled so as to be limited in the fourth ring-type protrusion 14. It is.

これまでは、第1封止層7、第2封止層7a、蛍光層8及び光学レンズ層9が、共に液状の材料を利用して順に形成されると説明したが、一部の層を別途の過程で予め作って置くこともできる。   So far, it has been described that the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, the fluorescent layer 8 and the optical lens layer 9 are sequentially formed using a liquid material. It can also be made in advance by a separate process.

例えば、蛍光層8を予め作って置くこともできる。この場合、上述の方式でLEDダイ4を覆うように防熱ベース2の反射カップ10に第1封止層7を形成する。そして、窪んだ内部と盛り上がった外部を有する形態に予め作って置いた蛍光層8の窪んだ領域内に、第2封止層7aのための液状の透明樹脂材料を提供する。その後、透明樹脂材料が入った蛍光層8を裏返して第1封止層7上に載せた後、熱又はUV照射により前記透明樹脂材料を硬化させる。すると、第1封止層7と蛍光層8間に第2封止層7aが形成され、蛍光層8は第1封止層7上に機密に固定され得る。その後は、前述のように蛍光層8上に光学レンズ層9を形成できる。   For example, the fluorescent layer 8 can be made and placed in advance. In this case, the 1st sealing layer 7 is formed in the reflective cup 10 of the heat-insulating base 2 so that the LED die 4 may be covered with the above-mentioned system. And the liquid transparent resin material for the 2nd sealing layer 7a is provided in the hollow area | region of the fluorescent layer 8 previously made and placed in the form which has the hollow inside and the raised outside. Thereafter, the fluorescent layer 8 containing the transparent resin material is turned over and placed on the first sealing layer 7, and then the transparent resin material is cured by heat or UV irradiation. Then, the second sealing layer 7 a is formed between the first sealing layer 7 and the fluorescent layer 8, and the fluorescent layer 8 can be secretly fixed on the first sealing layer 7. Thereafter, the optical lens layer 9 can be formed on the fluorescent layer 8 as described above.

また別の方式として、蛍光層8と光学レンズ層9を予め作って置くこともできる。この場合は、予め作って置いた蛍光層8を前述の方式で第1封止層7上に固定させる。その後、予め作って置いた光学レンズ層9を蛍光層8上に付けることができる。また、光学レンズ層9だけを予め作って置くこともできる。この場合は、第1封止層7、第2封止層7a及び蛍光層8を液状の材料を利用して順に形成した後で、予め作って置いた光学レンズ層9を蛍光層8上に付ける。   As another method, the fluorescent layer 8 and the optical lens layer 9 can be made in advance. In this case, the fluorescent layer 8 made in advance is fixed on the first sealing layer 7 by the method described above. Thereafter, a pre-made optical lens layer 9 can be applied on the fluorescent layer 8. Alternatively, only the optical lens layer 9 can be made and placed in advance. In this case, after the first sealing layer 7, the second sealing layer 7a, and the fluorescent layer 8 are formed in order using a liquid material, the optical lens layer 9 that has been prepared and placed on the fluorescent layer 8 is formed in advance. wear.

白色光LEDパッケージを製造しようとする場合は、上述のように、蛍光層8を含む多層封止層構造を使用できる。しかし、もし特定の波長の光だけを提供するカラーLEDパッケージを製造しようとする場合は、その波長の光を放出するLEDダイ4を防熱ベース2の底面上に付け、LEDダイ4上には単に一つの透明な封止層だけを形成することもできる。例えば、図8に示したように、一つの透明樹脂材料18を第1〜第4リング型突出部11〜14のいずれかのリング型突出部内に限定させ、そのまま硬化させてカラーLEDパッケージを完成することもできる。   When it is intended to manufacture a white light LED package, a multilayer encapsulating layer structure including the fluorescent layer 8 can be used as described above. However, if a color LED package that provides only light of a specific wavelength is to be manufactured, an LED die 4 that emits light of that wavelength is attached to the bottom surface of the heat-insulating base 2, and the LED die 4 is simply placed on the LED die 4. Only one transparent sealing layer can be formed. For example, as shown in FIG. 8, one transparent resin material 18 is limited to one of the ring-type protrusions of the first to fourth ring-type protrusions 11 to 14, and is cured as it is to complete a color LED package. You can also

これまで、本発明の理解を助けるために、LEDリードフレームパッケージ、これを利用したLEDパッケージ及び前記LEDパッケージの製造方法に対する例示的な実施例を説明し、添付の図面に示した。しかし、このような実施例は、単に本発明を例示するためのものであり、これを制限しないという点を理解しなければならない。そして、本発明は図示や説明に局限されないという点を理解しなければならない。これは、多様な他の変形が本技術分野で通常の知識を有する者によって成される場合があるためである。   To facilitate understanding of the present invention, an exemplary embodiment for an LED lead frame package, an LED package using the LED lead frame package, and a method of manufacturing the LED package has been described and shown in the accompanying drawings. However, it should be understood that such examples are merely illustrative of the invention and do not limit it. It should be understood that the present invention is not limited to the illustrations and descriptions. This is because a variety of other variations may be made by those having ordinary knowledge in the art.

Claims (25)

防熱ベース;
前記防熱ベースの周りに配置された多数の電極;
前記防熱ベースと多数の電極を囲んで固定する絶縁性支持部;
前記絶縁性支持部の上部表面上に一周するように形成された少なくとも二つのリング型突出部;及び
前記リング型突出部間に形成された少なくとも一つのリング型溝を含むリードフレームパッケージ。
Heat-resistant base;
A number of electrodes disposed around the thermal barrier;
An insulating support that surrounds and fixes the heat insulating base and a number of electrodes;
A lead frame package comprising: at least two ring-shaped protrusions formed on the upper surface of the insulating support portion; and at least one ring-shaped groove formed between the ring-shaped protrusions.
前記絶縁性支持部は、PPAプラスチックからなる請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   The lead frame package according to claim 1, wherein the insulating support portion is made of PPA plastic. 前記の多数の電極は、一側端部が前記防熱ベースの側面と対向し、他側端部が前記絶縁性支持部の外側壁から突出するように配置される請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   2. The lead frame according to claim 1, wherein the plurality of electrodes are arranged such that one end portion thereof faces a side surface of the heat-insulating base and the other end portion protrudes from an outer wall of the insulating support portion. package. 前記防熱ベースは、底面が反射性材料でコーティングされた反射カップを有する請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   The lead frame package according to claim 1, wherein the heat insulating base includes a reflective cup having a bottom surface coated with a reflective material. 前記の少なくとも二つのリング型突出部は、尖った上部エッジと傾斜した側壁を有する請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   The lead frame package of claim 1, wherein the at least two ring-shaped protrusions have sharp upper edges and inclined sidewalls. 前記防熱ベース、多数の電極及び絶縁性支持部は、射出成形工程により一体に形成される請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   The lead frame package according to claim 1, wherein the heat insulating base, the plurality of electrodes, and the insulating support are integrally formed by an injection molding process. 前記リング型突出部とリング型溝は、移送成形(transfer molding)工程により、前記絶縁性支持部の上部表面上に形成される請求項1に記載のリードフレームパッケージ。   The lead frame package according to claim 1, wherein the ring-shaped protrusion and the ring-shaped groove are formed on the upper surface of the insulating support part by a transfer molding process. 請求項1〜7のいずれかに記載のリードフレームパッケージを含むLEDパッケージ。   The LED package containing the lead frame package in any one of Claims 1-7. 前記LEDパッケージは:
前記防熱ベースの底面上に付けられた少なくとも一つのLEDダイ(die);
前記LEDダイと前記の多数の電極を電気的に連結する多数のワイヤ;及び
前記LEDダイを覆うように形成されたものであり、盛り上がった外部表面を有する少なくとも一つの層を備える封止層構造をさらに含み、
前記封止層構造の少なくとも一つの層のそれぞれの縁は、前記の少なくとも二つのリング型突出部中の対応する一つまで延びている請求項8に記載のLEDパッケージ。
The LED package is:
At least one LED die attached on the bottom surface of the thermal barrier;
A plurality of wires for electrically connecting the LED die and the plurality of electrodes; and a sealing layer structure formed to cover the LED die and having at least one layer having a raised external surface Further including
9. The LED package of claim 8, wherein each edge of at least one layer of the encapsulating layer structure extends to a corresponding one of the at least two ring-shaped protrusions.
前記LEDダイは、UV LED、青色LED、緑色LED及び赤色LED中の少なくとも一つを含む請求項9に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 9, wherein the LED die includes at least one of a UV LED, a blue LED, a green LED, and a red LED. 前記封止層構造は、単に一つの透明な封止層を有する請求項9に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 9, wherein the sealing layer structure has only one transparent sealing layer. 前記封止層構造の少なくとも一つの層に提供された層材料の量を調節することにより、前記の少なくとも一つの層の上部表面の曲率が決められる請求項9に記載のLEDパッケージ。   The LED package of claim 9, wherein the curvature of the upper surface of the at least one layer is determined by adjusting the amount of layer material provided to at least one layer of the encapsulating layer structure. 前記封止層構造は:
前記LEDダイを直接覆うように形成された透明な第1封止層;
前記第1封止層上を覆う蛍光層;及び
前記蛍光層上を覆う光学レンズ層を含む請求項9に記載のLEDパッケージ。
The sealing layer structure is:
A transparent first sealing layer formed to directly cover the LED die;
The LED package according to claim 9, comprising: a fluorescent layer covering the first sealing layer; and an optical lens layer covering the fluorescent layer.
前記第1封止層の有効屈折率は、可視光の波長帯域において前記蛍光層の有効屈折率より小さい請求項13に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 13, wherein an effective refractive index of the first sealing layer is smaller than an effective refractive index of the fluorescent layer in a visible light wavelength band. 前記封止層構造は、前記第1封止層と前記蛍光層間に形成された透明な第2封止層をさらに含む請求項13に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 13, wherein the sealing layer structure further includes a transparent second sealing layer formed between the first sealing layer and the fluorescent layer. 前記第2封止層の有効屈折率は、可視光の波長帯域において前記第1封止層の有効屈折率と前記蛍光層の有効屈折率より小さい請求項15に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 15, wherein the effective refractive index of the second sealing layer is smaller than the effective refractive index of the first sealing layer and the effective refractive index of the fluorescent layer in a wavelength band of visible light. 前記蛍光層は、ガラス、PC、PMMA、又はシリコン樹脂に蛍光体材料を均一に混合してなる請求項16に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 16, wherein the phosphor layer is formed by uniformly mixing a phosphor material with glass, PC, PMMA, or silicon resin. 前記蛍光体材料は、UV光、青色光又は緑色光によって励起されて可視光を発生させる請求項17に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 17, wherein the phosphor material is excited by UV light, blue light, or green light to generate visible light. 前記蛍光体材料は、UV光、青色光又は緑色光によって励起され、相違する波長の可視光をそれぞれ発生させる少なくとも一種類の蛍光体材料を含む請求項18に記載のLEDパッケージ。   The LED package according to claim 18, wherein the phosphor material includes at least one phosphor material that is excited by UV light, blue light, or green light to generate visible light having different wavelengths. 防熱ベース、前記防熱ベースの周りに配置された多数の電極、前記防熱ベースと多数の電極を囲んで固定する絶縁性支持部、前記絶縁性支持部の上部表面上に一周するように形成された少なくとも二つのリング型突出部、及び前記リング型突出部間に形成された少なくとも一つのリング型溝を含むリードフレームパッケージを提供すること;
前記防熱ベースの底面上に少なくとも一つのLEDダイを付けること;
前記LEDダイと前記の多数の電極を電気的に連結すること;及び
前記LEDダイを覆うように盛り上がった外部表面を有する少なくとも一つの層を備える封止層構造を形成することを含み、
前記封止層構造の少なくとも一つの層のそれぞれの縁は、前記の少なくとも二つのリング型突出部中の対応する一つまで延びるLEDパッケージの製造方法。
A heat insulating base, a plurality of electrodes arranged around the heat insulating base, an insulating support portion that surrounds and fixes the heat insulating base and the plurality of electrodes, and formed so as to make a round on the upper surface of the insulating support portion. Providing a lead frame package including at least two ring-shaped protrusions and at least one ring-shaped groove formed between the ring-shaped protrusions;
Attaching at least one LED die on the bottom surface of the thermal barrier;
Electrically connecting the LED die and the plurality of electrodes; and forming a sealing layer structure comprising at least one layer having a raised external surface to cover the LED die;
A method of manufacturing an LED package, wherein each edge of at least one layer of the sealing layer structure extends to a corresponding one of the at least two ring-shaped protrusions.
前記封止層構造の形成は:
前記LEDダイを覆うように防熱ベース上に液状の透明樹脂材料を提供すること;及び
前記液状の透明樹脂材料を硬化させて第1封止層を形成することを含み、
前記第1封止層は、前記リング型突出部中の第1リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有する請求項20に記載のLEDパッケージの製造方法。
The formation of the sealing layer structure is:
Providing a liquid transparent resin material on a heat insulating base so as to cover the LED die; and curing the liquid transparent resin material to form a first sealing layer,
21. The manufacture of an LED package according to claim 20, wherein the first sealing layer has a raised outer surface formed by surface tension within a sharp upper edge of the first ring-shaped protrusion in the ring-shaped protrusion. Method.
前記第1封止層を覆うように前記第1封止層上に液状の透明樹脂材料を提供すること;
前記第1封止層上に液状の透明樹脂材料を硬化させて第2封止層を形成すること;
前記第2封止層を覆うように前記第2封止層上に蛍光体材料が均一に混合された液状の透明樹脂材料を提供すること;
前記蛍光体材料が混合された液状の透明樹脂材料を硬化させて蛍光層を形成すること;
前記蛍光層を覆うように前記蛍光層上に液状の透明樹脂材料を提供すること;及び
前記蛍光層上の液状の透明樹脂材料を硬化させて光学レンズ層を形成することを更に含む請求項21に記載のLEDパッケージの製造方法。
Providing a liquid transparent resin material on the first sealing layer so as to cover the first sealing layer;
Curing a liquid transparent resin material on the first sealing layer to form a second sealing layer;
Providing a liquid transparent resin material in which a phosphor material is uniformly mixed on the second sealing layer so as to cover the second sealing layer;
Curing a liquid transparent resin material mixed with the phosphor material to form a phosphor layer;
The method further comprises: providing a liquid transparent resin material on the fluorescent layer so as to cover the fluorescent layer; and curing the liquid transparent resin material on the fluorescent layer to form an optical lens layer. The manufacturing method of the LED package as described in 2.
前記第2封止層は、前記リング型突出部中の第2リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有し、前記蛍光層は前記リング型突出部中の第3リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有し、前記光学レンズ層は前記リング型突出部中の第4リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有する請求項22に記載のLEDパッケージの製造方法。   The second sealing layer has a raised outer surface formed by surface tension within a sharp upper edge of the second ring-shaped protrusion in the ring-shaped protrusion, and the fluorescent layer has the ring-shaped protrusion. A raised outer surface formed by surface tension within a sharp upper edge of the third ring-shaped protrusion in the section, and the optical lens layer has a sharpened edge of the fourth ring-shaped protrusion in the ring-shaped protrusion. 23. A method of manufacturing an LED package according to claim 22, wherein the LED package has a raised outer surface formed by surface tension within the upper edge. 前記第1封止層を覆うように前記第1封止層上に蛍光体材料が均一に混合された液状の透明樹脂材料を提供すること;
前記蛍光体材料が混合された液状の透明樹脂材料を硬化させて蛍光層を形成すること;
前記蛍光層を覆うように前記蛍光層上に液状の透明樹脂材料を提供すること;及び
前記蛍光層上の液状の透明樹脂材料を硬化させて光学レンズ層を形成することをさらに含む請求項21に記載のLEDパッケージの製造方法。
Providing a liquid transparent resin material in which a phosphor material is uniformly mixed on the first sealing layer so as to cover the first sealing layer;
Curing a liquid transparent resin material mixed with the phosphor material to form a phosphor layer;
The method further comprises: providing a liquid transparent resin material on the fluorescent layer so as to cover the fluorescent layer; and curing the liquid transparent resin material on the fluorescent layer to form an optical lens layer. The manufacturing method of the LED package as described in 2.
前記蛍光層は前記リング型突出部中の第2リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有し、前記光学レンズ層は前記リング型突出部中の第3リング型突出部の尖った上部エッジ内で表面張力によって形成された盛り上がった外部表面を有する請求項24に記載のLEDパッケージの製造方法。   The fluorescent layer has a raised outer surface formed by surface tension within a sharp upper edge of a second ring-shaped protrusion in the ring-shaped protrusion, and the optical lens layer is in the ring-shaped protrusion. 25. The method of manufacturing an LED package according to claim 24, wherein the LED package has a raised outer surface formed by surface tension within a sharp upper edge of the third ring-shaped protrusion.
JP2011553937A 2009-03-10 2010-02-24 LED lead frame package, LED package using the same, and method of manufacturing the LED package Pending JP2012520565A (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/381,408 US8058667B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 Leadframe package for light emitting diode device
US12/381,409 US8039862B2 (en) 2009-03-10 2009-03-10 White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
US12/381,408 2009-03-10
US12/381,409 2009-03-10
PCT/KR2010/001134 WO2010104276A2 (en) 2009-03-10 2010-02-24 Led leadframe package, led package using the same, and method of manufacturing the led package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012520565A true JP2012520565A (en) 2012-09-06

Family

ID=42728911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011553937A Pending JP2012520565A (en) 2009-03-10 2010-02-24 LED lead frame package, LED package using the same, and method of manufacturing the LED package

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP2406835A4 (en)
JP (1) JP2012520565A (en)
KR (1) KR101111256B1 (en)
CN (1) CN102318091A (en)
AU (1) AU2010221920A1 (en)
RU (1) RU2488195C2 (en)
SG (1) SG173518A1 (en)
TW (1) TW201044646A (en)
WO (1) WO2010104276A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136651A (en) * 2019-02-14 2020-08-31 旭宇光▲電▼(深▲セン▼)股▲フン▼有限公司 High-power remote phosphor white led heat-dissipation package

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130236A (en) * 2010-12-31 2011-07-20 北京大学深圳研究生院 Packaging method of LED (light-emitting diode) chip and packaging device
TW201238086A (en) * 2011-03-03 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Chip package structure
CN102185042A (en) * 2011-03-28 2011-09-14 北京大学深圳研究生院 Light-emitting diode (LED) packaging method, packaging device and light adjusting method and system
US9159886B2 (en) 2011-04-19 2015-10-13 Intellectual Discovery Co., Ltd. Lighting apparatus with a carrier layer
US8721097B2 (en) * 2011-05-19 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED lamp with improved light output
TWI418742B (en) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp Optical brightening led package
KR101148780B1 (en) * 2011-11-16 2012-05-24 김종율 A led package and a manufacturing method therefor
KR101287484B1 (en) * 2012-03-07 2013-07-19 삼성전자주식회사 Light emitting diode package
KR20130103080A (en) * 2012-03-09 2013-09-23 서울반도체 주식회사 Led illumination apparatus
KR20130110997A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 서울반도체 주식회사 Lens for light emitting diode and method for manufacturing the same
TWI489657B (en) * 2012-04-12 2015-06-21 Lextar Electronics Corp Light-emitting diode package
TWI474517B (en) * 2012-05-28 2015-02-21 Lextar Electronics Corp Illumination apparatus and manufacturing method thereof
KR101321101B1 (en) * 2012-06-01 2013-10-23 주식회사 코스텍시스 Substrate and semiconductor device package using the same
CN103515517B (en) * 2012-06-20 2016-03-23 展晶科技(深圳)有限公司 Light emitting diode module
CN103515502A (en) * 2012-06-29 2014-01-15 展晶科技(深圳)有限公司 Light emitting diode device
US9608177B2 (en) 2013-08-27 2017-03-28 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit having the same
KR101504309B1 (en) * 2013-08-27 2015-03-20 주식회사 루멘스 Light emitting device package and backlight unit having it
KR102188500B1 (en) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 Light emitting diode package and lighting device using the same
JP6730017B2 (en) * 2014-11-10 2020-07-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Light emitting device package and lighting system including the same
KR20160149363A (en) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device
CN106784260A (en) * 2016-11-30 2017-05-31 深圳市聚飞光电股份有限公司 A kind of preparation method of direct LED backlight
KR102261288B1 (en) * 2017-03-14 2021-06-04 현대자동차 주식회사 Light emitting diode package for automobile exterior
JP7445120B2 (en) 2020-02-21 2024-03-07 日亜化学工業株式会社 light emitting device
CN112467010B (en) * 2020-11-13 2022-03-22 中山市聚明星电子有限公司 Diode packaging process and packaged diode
KR102338707B1 (en) * 2021-06-14 2021-12-13 주식회사 소룩스 Light source and Lighting device
KR102634521B1 (en) 2023-10-31 2024-02-07 장연식 Medicine injection system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332634A (en) * 2002-03-06 2003-11-21 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2005026400A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting device and fabricating process therefor
JP2006173561A (en) * 2004-12-16 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co Ltd Lead frame having heat sink supporting ring, manufacturing method for light emitting diode package using it, and light emitting diode package manufactured by using it
JP2008235826A (en) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp Semiconductor light-emitting apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2231951C2 (en) * 2001-10-31 2004-07-10 Салдаев Александр Макарович Drop irrigation system
JP4174823B2 (en) * 2003-03-27 2008-11-05 サンケン電気株式会社 Semiconductor light emitting device
WO2004107461A1 (en) * 2003-05-28 2004-12-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks
RU2267188C2 (en) * 2003-06-23 2005-12-27 Федорова Галина Владимировна Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20060012298A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. LED chip capping construction
KR100709890B1 (en) * 2004-09-10 2007-04-20 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package having multiple molding resins
RU2355068C1 (en) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Lead frame, with support heat sink ring, method of making case for light-emitting diode with its use and case for light-emitting diode, made using this method
KR100579397B1 (en) * 2004-12-16 2006-05-12 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package employing a heat sink having a direct connection to a lead frame
US8106584B2 (en) * 2004-12-24 2012-01-31 Kyocera Corporation Light emitting device and illumination apparatus
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
KR101161384B1 (en) * 2005-03-29 2012-07-02 서울반도체 주식회사 Led package mounting a led having an array of light emitting cells coupled in series
CN100435361C (en) * 2005-05-31 2008-11-19 新灯源科技有限公司 Semiconductor luminous element packing structure
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
MY152857A (en) * 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
JPWO2008105527A1 (en) * 2007-03-01 2010-06-03 Necライティング株式会社 LED device and lighting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003332634A (en) * 2002-03-06 2003-11-21 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2005026400A (en) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting device and fabricating process therefor
JP2006173561A (en) * 2004-12-16 2006-06-29 Seoul Semiconductor Co Ltd Lead frame having heat sink supporting ring, manufacturing method for light emitting diode package using it, and light emitting diode package manufactured by using it
JP2008235826A (en) * 2007-03-23 2008-10-02 Sharp Corp Semiconductor light-emitting apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136651A (en) * 2019-02-14 2020-08-31 旭宇光▲電▼(深▲セン▼)股▲フン▼有限公司 High-power remote phosphor white led heat-dissipation package

Also Published As

Publication number Publication date
AU2010221920A1 (en) 2011-09-29
EP2406835A2 (en) 2012-01-18
WO2010104276A2 (en) 2010-09-16
CN102318091A (en) 2012-01-11
KR20100106297A (en) 2010-10-01
EP2406835A4 (en) 2013-09-18
RU2488195C2 (en) 2013-07-20
SG173518A1 (en) 2011-09-29
TW201044646A (en) 2010-12-16
WO2010104276A3 (en) 2010-11-25
RU2011134604A (en) 2013-04-20
KR101111256B1 (en) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101111256B1 (en) LED leadframe package, LED package using the same, and method of fabricating the LED package
JP5318976B2 (en) Lamp cover and LED lamp using the same
US8039862B2 (en) White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
US7842960B2 (en) Light emitting packages and methods of making same
JP3091911U (en) Hybrid LED
WO2012033180A1 (en) Light emitting apparatus, lighting apparatus, and lens
US7972023B2 (en) Lamp-cover structure containing luminescent material
JP5947478B2 (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
JP5028466B2 (en) Car headlights
JP6093127B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2010225791A (en) Semiconductor light emitting device
JP2006237264A (en) Light emitting device and lighting apparatus
JP2012069577A (en) Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
CN102460751A (en) Solid state lighting device
KR101575366B1 (en) Light emitting device package
JP2014060328A (en) Light-emitting device
EP3480510B1 (en) Led lighting apparatus
KR100585916B1 (en) Light emitting diode
JP2008205170A (en) Light-emitting semiconductor device
JP2015090853A (en) Luminaire and lens
JP2013149690A (en) Light-emitting device and illuminating device
KR20100061324A (en) Head light for vehicle
JP5970939B2 (en) Light emitting device
JP5291162B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
US20120218627A1 (en) Optical lens assembly having fluorescent layer

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130409

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130910