RU2415818C1 - Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция - Google Patents

Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция Download PDF

Info

Publication number
RU2415818C1
RU2415818C1 RU2009148040/03A RU2009148040A RU2415818C1 RU 2415818 C1 RU2415818 C1 RU 2415818C1 RU 2009148040/03 A RU2009148040/03 A RU 2009148040/03A RU 2009148040 A RU2009148040 A RU 2009148040A RU 2415818 C1 RU2415818 C1 RU 2415818C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
autoclave
mixer
stirrer
calcium sulfate
hemihydrate
Prior art date
Application number
RU2009148040/03A
Other languages
English (en)
Inventor
Райнхард ЕГЕР (DE)
Райнхард ЕГЕР
Альфред БРОЗИГ (DE)
Альфред Брозиг
Original Assignee
Гренцебах-Бсх Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гренцебах-Бсх Гмбх filed Critical Гренцебах-Бсх Гмбх
Application granted granted Critical
Publication of RU2415818C1 publication Critical patent/RU2415818C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B11/00—Calcium sulfate cements
    • C04B11/02—Methods and apparatus for dehydrating gypsum
    • C04B11/028—Devices therefor characterised by the type of calcining devices used therefor or by the type of hemihydrate obtained
    • C04B11/032—Devices therefor characterised by the type of calcining devices used therefor or by the type of hemihydrate obtained for the wet process, e.g. dehydrating in solution or under saturated vapour conditions, i.e. to obtain alpha-hemihydrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B11/00—Calcium sulfate cements
    • C04B11/02—Methods and apparatus for dehydrating gypsum
    • C04B11/028—Devices therefor characterised by the type of calcining devices used therefor or by the type of hemihydrate obtained
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/188—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or attaching to a structure having a conductive layer, e.g. a metal foil, such that the terminals of the component are connected to or adjacent to the conductive layer before embedding, and by using the conductive layer, which is patterned after embedding, at least partially for connecting the component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203—Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035—Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039—Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/83132—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed outside the semiconductor or solid-state body, i.e. "off-chip"
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0207—Cooling of mounted components using internal conductor planes parallel to the surface for thermal conduction, e.g. power planes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4641—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards having integrally laminated metal sheets or special power cores
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49133—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with component orienting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49139—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by inserting component lead or terminal into base aperture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам получения альфа-полугидрата сульфата кальция. Способ включает загрузку дигидрата сульфата кальция в автоклав с мешалкой, непрямой обогрев автоклава, регулируемое добавление и примешивание воды, предотвращение прилипания сырья к поверхностям реакционного пространства благодаря подвижным цепям, установленным на лопастях и/или приводном валу автоклава с мешалкой, периодическое или непрерывное регулирование давления в реакционном пространстве путем выпуска пара при достижении определенного давления внутри, причем пар проводят через циклонный сепаратор и сервоклапан, подачу холодного воздуха для досушки, удаление обработанного материала. Способ реализуется с помощью устройства, включающего автоклав с мешалкой, имеющий двойные стенки и обогревающийся косвенно, распылительные сопла, распределенные на рубашке автоклава, свободно висячие цепи, прикрепленные в области мешалки, циклонный сепаратор, а также скруббер Вентури, установленные за автоклавом с мешалкой. Технический результат - повышение надежности работы устройства, снижение энергозатрат. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Гипс есть минералогическое и техническое обозначение химического соединения дигидрата сульфата кальция (CaSO4×2H2O).
При подводе тепловой энергии гипс теряет полторы молекулы своей химически связанной кристаллизационной воды на формульную единицу, в результате чего дигидрат сульфата кальция превращается в полугидрат сульфата кальция CaSO4×0,5H2O.
Существует две технических формы полугидрата сульфата кальция, которые на практике часто распознаются как альфа- и бета-модификация, хотя химически и минералогически они идентичны. Если подвод тепловой энергии происходит при атмосферном давлении, то получают бета-модификацию полугидрата сульфата кальция. Зерна такого продукта обжига обладают высокой собственной пористостью и состоят из бесчисленного количества отдельных кристаллов. Связующее из этого полугидрата благодаря высокой пористости обладает высокой потребностью в воде при обработке, что приводит к водогипсовому отношению примерно 0,6-1,0 (определено по количеству затворяемого материала; испытание согласно EN 13279-1; сентябрь 2005). Это означает, что при обработке будут получаться низкие прочности. Бета-модификация является основным компонентом штукатурного гипса, которому придается большое значение как связующему при получении гипсовых строительных растворов и гипсовых плит.
Настоящее изобретение относится к получению другой формы полугидрата сульфата кальция, а именно альфа-модификации.
Получение этой альфа-модификации полугидрата сульфата кальция осуществляют из пересыщенных водных растворов, а именно из электролитных растворов кислот и солей или в автоклавах при повышенной температуре и повышенном давлении пара. Эти превращения проводят, как правило, с применением добавок, которые желаемым образом влияют на морфологию образующихся кристаллов.
В отличие от бета-модификации, здесь получают хорошо сформированные отдельные кристаллы, которые после размола дают связующее с водогипсовым отношением примерно от 0,3 до 0,5. Отсюда в результате получаются заметно более высокие прочности при применении. Такие связующие применяются, например, в области стоматологии.
При кристаллизации альфа-полугидрата сульфата кальция из водных растворов или растворов электролита используется понятие "мокрого способа". При мокром способе с водными растворами различают "нейтральный" режим и "кислотный" режим. Тогда как при нейтральном режиме гипсы с почти нейтральным pH, как природный гипс или гипс с установки обессеривания, преобразуются без регулирования значений pH (смотри, например, документ GB 563019), то при кислотном режиме в большинстве случае применяются кислые исходные гипсы, такие как фосфогипс, и значение pH целенаправленно устанавливают серной кислотой примерно от 2 до 3 (DE 1157128 A1). Напротив, если получение альфа-полугидрата сульфата кальция проводится в заполненных паром автоклавах, используют понятие "сухой способ" (смотри, например, US 1901051).
Получение альфа-полугидрата сульфата кальция из растворов электролита (US 2616128) не смогло выйти на промышленный уровень, так как оборудование подвергается существенной коррозии. Также необходимые перед сушкой технологические этапы обезвоживания фильтрацией, промывки фильтровального осадка и очистки сточных вод наталкивались на непреодолимые трудности. Кроме того, нельзя избежать прилипания и образования корок затвердевшего дигидрата сульфата кальция.
При сухом способе крупнокусковой природный гипс высокой чистоты и компактной кристаллической структуры укладывают на стеллажную тележку или в перфорированные стальные короба и нагревают в наполненном паром автоклаве. Чтобы достичь высокой степени превращения и в центральной зоне, необходимо время пребывания гипса под напором паровой атмосферы в течение нескольких часов. Этот же принцип применяется при сухом способе, при котором сначала тонкодисперсный гипс прессуют с получением каменных заготовок и затем подвергают вышеописанной термической обработке под давлением водяного пара (смотри, например, DE 3819652 C3).
Следующая попытка сухого или полусухого способа предусматривает согласно документам DE 0937276 C и DE 4217978 A1, соответственно EP 0572781 B1 автоклав с горизонтальной (или же вертикальной) мешалкой. Согласно DE 0937276 C первая кристаллизационная вода, которая выходит из гипса, при необходимости с поддержкой имеющейся естественной влажностью породы (до примерно 3%), создает давление в автоклаве с мешалкой. Используется зернистое сырье. Сушка может проводиться в барабане.
Согласно документу DE 4217978 A1, соответственно EP 0572781 B1 тонкодисперсный материал без или с очень незначительным введением воды и с и без добавок претерпевает превращение в автоклаве с горизонтальной мешалкой. Сушка может проводиться в автоклаве или в установленном за ним агрегате.
В пункте 1 формулы патента EP 0572781 B1 испрашивается защита на способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция по сухому способу, при котором берется мелкозернистое сырье и преобразуется под действием давления, температуры и водяного пара, который отличается тем, что сырье тщательно перемешивается в покоящемся реакторе со смесительными устройствами с внешним приводом или во вращающемся реакторе со стационарными или подвижными смесительными устройствами, и тем, что температура сырья в реакторе измеряется непрерывно и регулируется согласно заранее выбранному изменению во времени.
Кроме того, в зависимых пунктах испрашивается защита в основном на то, что сырье с определенной долей поверхностной влажности подается с пониженной долей кристаллизационной воды, что вводятся добавки, что давление регулируется согласно заранее выбранному изменению во времени, что отводится водяной пар и примешивается воздух и что предусматривается отдельная, устанавливаемая ниже сушилка.
Кроме того, в описании речь ведется о соответствующим образом выполненных смесительных устройствах, которые должны предотвращать агломерацию (колонка 4, строки 15-19). Однако соответствующего детализированного описания для этого в документе EP 0572781 B1 не имеется.
Установки, соответствующие этому раскрытию, до настоящего времени не удалось успешно эксплуатировать. Опытная установка сломалась после двухлетней опытной эксплуатации из-за непреодолимых технических трудностей. Отмена соответствующего патента вступила в законную силу 23.07.1998.
Поэтому в основе способа по изобретению стоит задача создать способ и устройство для получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата кальция, которые работают экономично и технически надежно, сберегая энергию.
Эта задача решена способом по пункту 1 и устройством по пункту 11 формулы изобретения.
Далее этот способ или соответствующее устройство описываются подробнее.
В частности, показано:
фиг.1 - автоклав с мешалкой согласно изобретению,
фиг.2 - автоклав с мешалкой согласно изобретению с периферийными агрегатами.
Показанный на фиг.1 автоклав 1 с мешалкой, стоящий на основании 2, отличается прежде всего тем, что он в области мешалки 5 имеет цепи 3, висящие в реакционном пространстве.
Здесь обычная на практике горизонтальная лопастная сушилка с косвенным обогревом была модифицирована таким образом, чтобы между вращающимися смесительными механизмами, приводимыми в действие приводным валом 16, были установлены подвижные стальные цепи 3. Эти стальные цепи 3 имеют в нижней концевой точке автоклава 1 цокольный контакт. Также вокруг центрального вала мешалки были установлены свободно-сочлененные грузовые стальные цепи 3 путем обвивания между лопастными механизмами. Под действием силы тяжести стальные цепи всегда свешиваются вертикально вниз и сбрасывают любой осаждающийся материал с вращающегося центрального вала мешалки и с прочих чувствительных для осаждающегося материала внутренних деталей установки.
Кроме того, приложением ультразвука можно способствовать процессам гомогенизации, а также уменьшить отложения материала.
Близкий эффект дают особые, предотвращающие адгезию отложений, нейтральные для процесса превращения дополнительные покрытия внутренних деталей установки.
Действие звеньев цепи, которые благодаря действию силы тяжести сбрасывают нежелательное осаждение материала, согласно изобретению можно еще больше усилить, вводя вместо или дополнительно к отдельным звеньям цепи более или менее тяжелые тела, такие как кубы или подобные платоновы тела, имеющие грани.
Между внутренней обшивкой 6 и наружной оболочкой автоклава с мешалкой подводится технологическое тепло в форме водяного пара, через подвод пара 15. Скапливающийся при этом конденсат отводится через слив 4 конденсата.
Центральная мешалка 5 обогревается также через подвод пара 8, причем скапливающийся конденсат может стекать через слив (7) для конденсата.
Однако согласно изобретению подводить необходимое технологическое тепло можно и через другие энергоносители. Здесь мыслимы солнечная энергия, энергия ветра или остаточная теплота, накапливающаяся при ядерном распаде. Электрическую энергию, полученную любым мыслимым способом, можно подводить к участникам процесса прежде всего через микроволны.
Необходимый для процесса сжатый воздух подводится по подаче 9 сжатого воздуха. Этим осуществляется отвод остаточной влажности. Так как этот сжатый воздух подводится холодным, после его нагрева он способен поглотить большое количество остаточной влажности.
Введение сырья производится здесь через подачу 14 сырья.
Общеизвестно, что тонкоизмельченный твердый материал после смешения с водой или другими жидкостями склонен к отложению на поверхностях контакта. Поэтому невозможно примешивать воду, необходимую для установки оптимальной увлажненности поверхности, вне автоклава, так как загрузка материала в автоклав из-за забивки снизилась бы. Поэтому необходимо распылять воду на уже находящийся в автоклаве и движущийся дигидрат сульфата кальция.
Поэтому требующаяся для процесса вода подводится через распылительные сопла 13.
После превращения дигидрата сульфата кальция и кристаллизации в альфа-полугидрат сульфата кальция материал остается в автоклаве. Тепловая энергия подводится в двойную рубашку автоклава и дальше, однако давление в реакционном пространстве непрерывно снижается. Благодаря этому увеличивается разность температур насыщения между нагретой двойной рубашкой и реакционным пространством, что ведет к повышенному потоку энергии и тем самым к ускоренной сушке. Процесс сушки изолируют, вдувая в реакционное пространство на короткое время сжатый воздух. Нагретый сжатый воздух имеет большой потенциал поглощения остаточной влажности из альфа-полугидрата сульфата кальция.
Абсолютно сухой альфа-полугидрат сульфата кальция выпускается из реакционной камеры и может теперь отбираться из выпускного отверстия 10. Выпуск технологического пара осуществляется через отверстие 12, и при необходимости возможен осмотр установки через смотровое отверстие 11.
Из фиг.2 можно видеть дополнительные агрегаты, необходимые для оптимальной работы автоклава с мешалкой согласно изобретению.
Так, выпуск 12 технологического пара ведет на паровой циклон, обозначенный на фиг.2 позицией 17, действующий как так называемый паровой затвор.
Циклоны применяют в химической технологии для центробежной сепарации пыли. При этом речь идет об аппарате цилиндрической формы, который сужается в нижней части. Требующий очистки от пыли неочищенный газ втекает при этом в циклон тангенциально сверху и вынуждается стенками циклона двигаться по круговой траектории. В результате этого возникает вращающийся газовый вихрь. Вращающиеся вместе с ним частицы пыли отбрасываются центробежной силой к стенкам, флоккулируют с образованием агломератов и падают у стенок вниз. Там они лопастным колесом удаляются из циклона.
Газовый вихрь движется, вращаясь, по стенкам аппарата вниз в сужающуюся часть, при этом диаметр его окружности уменьшается. Так как он не может выйти снизу из аппарата, внизу аппарата он поворачивает и, вращаясь, поднимается с уменьшенным диаметром вверх, где он покидает циклон через погружную трубу.
В случае на фиг.2 паровой циклон 17 служит тому, чтобы очищать технологический пар от скапливающейся пыли. Это удается на этой ступени с эффективностью до 95%. Пыль, скапливающаяся в паровом циклоне, представляет собой главным образом затравку альфа-полугидрата сульфата кальция, которую можно снова добавлять в автоклав 1 через обозначенную позицией 20 линию возврата. Остальную пыль можно затем вывести через скруббер Вентури 19 и также можно добавлять в процесс в целом.
Насос 23 для технологической воды подает воду, отбираемую из линии 22 подачи воды, через распылительные сопла 13 в автоклав 1 с мешалкой. Вода, скапливающаяся в конденсаторе 21 и в охладителе 24 технологической воды, снова подается на процесс. Выпуск технологического пара осуществляется через регулировочный клапан 18.
Прохождение соответствующих трубопроводов определяется в основном работой.
Добавление добавок, которые влияют на рост кристаллов, отдельно не показывается. Могут применяться все добавки, известные для этого способа из уровня техники.
Благодаря способу по изобретению или устройству по изобретению гарантируется, что получение альфа-полугидрата кальция из дигидрата кальция осуществляется с экономией энергии и технически безопасно, и дается альфа-полугидрат кальция высокого качества.
Одновременной работой и технологическим объединением в сеть нескольких устройств по изобретению можно еще больше повысить общую эффективность такой установки.
Список позиций для ссылок
1 - автоклав с мешалкой
2 - основание
3 - цепи
4 - слив конденсата (обогрев паровой рубашкой)
5 - мешалка (обогреваемая)
6 - внутренняя обшивка
7 - выпуск конденсата (обогрев мешалки)
8 - подача пара (обогрев мешалки)
9 - подача сжатого воздуха
10 - выпуск альфа-полугидрата сульфата кальция
11 - смотровое отверстие
12 - выпуск технологического пара
13 - распылительные сопла
14 - ввод сырья
15 - подвод пара (обогрев паровой рубашкой)
16 - приводной вал (мешалка)
17 - паровой циклон
18 - регулировочный клапан, сервоклапан
19 - скруббер Вентури
20 - возврат альфа-затравки
21 - конденсатор
22 - подвод воды
23 - насос для технологической воды
24 - охладитель технологической воды

Claims (13)

1. Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата кальция, включающий:
a) загрузку дигидрата сульфата кальция в автоклав (1) с мешалкой,
b) непрямой обогрев автоклава (1) с мешалкой,
c) регулируемое добавление и примешивание воды,
d) предотвращение прилипания сырья к поверхностям реакционного пространства за счет подвижных цепей (3), установленных на лопастях и/или приводном валу (16) автоклава (1) с мешалкой,
e) периодическое или непрерывное регулирование давления в реакционном пространстве путем выпуска пара при достижении определенного давления внутри, причем пар проводят через циклонный сепаратор (17) и сервоклапан (18),
f) подачу холодного воздуха для досушки,
g) удаление переработанного материала.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что
a) добавляют затравку в виде альфа-полугидрата сульфата кальция и
b) регулируют добавление и примешивание растворенных в воде добавок.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что за циклонным сепаратором (17) устанавливают скруббер Вентури (19).
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что материал, отделенный в циклонном сепараторе (17) и/или в скруббере Вентури, снова используют для получения альфа-полугидрата сульфата кальция.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для загрузки автоклава (1) с мешалкой применяют размолотый природный гипс, гипс с установки обессеривания дымовых газов или иной тонкодисперсный синтетический гипс.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что для обогрева автоклава (1) с мешалкой используют ископаемые энергоносители, солнечную энергию, энергию ветра или остаточное тепло радиоактивного распада.
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что затравку добавляют в количестве до 5% от массы дигидрата сульфата кальция.
8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что воду добавляют в количестве до 20% от массы дигидрата сульфата кальция.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что регулируемое добавление воды осуществляют путем введения через распылительные сопла (13), равномерно или неравномерно распределенные по периметру автоклава (1) с мешалкой.
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что несколько автоклавов (1) с мешалкой работают технологически в комплексе.
11. Устройство для получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата кальция в автоклаве (1) с мешалкой, включающее:
a) автоклав (1) с мешалкой, имеющий двойные стенки и обогревающийся косвенно, причем средства (5) для размешивания загружаемого сырья выполнены обогреваемыми,
b) распылительные сопла (13), распределенные на рубашке автоклава (1) с мешалкой, выполненные так, чтобы через них можно было вводить рабочие среды,
c) свободно висячие цепи (3), прикрепленные в области мешалки (5),
d) циклонный сепаратор (17), а также скруббер Вентури (19), установленные за автоклавом (1) с мешалкой.
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что материал, отделенный в циклонном сепараторе (17) и скруббере Вентури (19), снова подается в автоклав (1) с мешалкой.
13. Устройство по п.11 или 12, отличающееся тем, что эксплуатируются несколько автоклавов (1) в комплексе.
RU2009148040/03A 2007-05-24 2008-05-20 Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция RU2415818C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007024188A DE102007024188B3 (de) 2007-05-24 2007-05-24 Verfahren zur Herstellung von Alpha-Calciumsulfat-Halbhydrat aus Calciumsulfat-Dihydrat und zugehörige Vorrichtung
DE102007024188.9 2007-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2415818C1 true RU2415818C1 (ru) 2011-04-10

Family

ID=39154956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009148040/03A RU2415818C1 (ru) 2007-05-24 2008-05-20 Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция

Country Status (13)

Country Link
US (1) US7951352B2 (ru)
EP (1) EP2150504B1 (ru)
JP (1) JP5161959B2 (ru)
KR (1) KR101121656B1 (ru)
CN (1) CN101679115B (ru)
CA (1) CA2685984C (ru)
DE (2) DE102007024188B3 (ru)
ES (1) ES2402838T3 (ru)
PL (1) PL2150504T3 (ru)
PT (1) PT2150504E (ru)
RU (1) RU2415818C1 (ru)
UA (1) UA92123C2 (ru)
WO (1) WO2008141627A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2753343C2 (ru) * 2016-10-17 2021-08-13 Лиддс Аб Способ получения порошка β-полугидрата сульфата кальция

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102874858B (zh) * 2012-09-21 2014-10-22 孟庆前 一种工业副产品石膏的α晶型生产装置及方法
JP6078894B2 (ja) * 2014-02-11 2017-02-15 凱 劉 新型太陽エネルギー蒸気圧力設備
CN104984699A (zh) * 2015-07-24 2015-10-21 南京西普水泥工程集团有限公司 一种有机肥反应釜电加热系统及其方法
CN108439451A (zh) * 2018-06-25 2018-08-24 中化重庆涪陵化工有限公司 利用磷石膏制备轻质碳酸钙的方法
DE102018132084B4 (de) * 2018-12-13 2020-10-15 ARCUS Greencycling Technologies GmbH Schneckenförderer; Verfahren zur Beseitigung bzw. Verhinderung von Ablagerungen an einer Innenwand eines Rohres eines Schneckenförderers
DE102018132082A1 (de) * 2018-12-13 2020-06-18 HKR Beteiligungs GmbH Schneckenförderer; Pyrolyseanlage; Verfahren zur Pyrolysierung eines Materials mittels eines beheizbaren Pyrolysereaktors
CN109911927B (zh) * 2019-04-19 2024-05-10 王焕德 吸水结构、压力容器以及从其内部吸水的方法
WO2021254550A1 (de) * 2020-06-16 2021-12-23 ARCUS Greencycling Technologies GmbH Schneckenförderer; verfahren zur beseitigung bzw. verhinderung von ablagerungen an einer innenwand eines rohres eines schneckenförderers

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB163468A (en) 1920-02-18 1921-05-18 William Malam Brothers Improvements in the manufacture of plaster of paris
US1901051A (en) 1929-08-08 1933-03-14 United States Gypsum Co High strength calcined gypsum and process of manufacturing same
US1979704A (en) * 1930-08-05 1934-11-06 United States Gypsum Co Method of producing high strength calcined gypsum
GB563019A (en) 1942-12-21 1944-07-26 Cuthbert Leslie Haddon Improvements in the manufacture of plaster of paris
DE937276C (de) * 1950-04-18 1955-12-29 Edmund Boergardts Verfahren und Vorrichtung zum Brennen von Gips
US2616789A (en) 1951-03-19 1952-11-04 Certain Teed Prod Corp Method of producing gypsum plaster
DE952967C (de) * 1952-01-01 1956-11-22 Emil Thiel Anlage zum Entwaessern von Gips durch ueberhitzten gespannten Dampf
DE1157128B (de) 1962-05-25 1963-11-07 Giulini Ges Mit Beschraenkter Verfahren zur Herstellung von ª‡-Calciumsulfat-Halbhydrat aus synthetischem Calciumsulfat-Dihydrat
AU423448B2 (en) 1968-03-28 1972-04-21 Monzino Riotinto Of Australia Limited Production of alpha plaster
JPS5044192A (ru) * 1973-08-22 1975-04-21
JPS54152692A (en) * 1978-05-22 1979-12-01 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Continuous manufacture of gypsum needle-like crystal
JPH0742107B2 (ja) * 1987-05-06 1995-05-10 三菱重工業株式会社 α型半水石こうの製造方法
GB2205089B (en) * 1987-05-22 1991-03-13 Rhein Westfael Elect Werk Ag Process for production of calcium sulphate alpha-hemihydrate
DE3844938C2 (de) 1987-05-22 1996-09-19 Pro Mineral Ges Verfahren zur Erzeugung von Calciumsulfat-Alphahalbhydrat aus feinteiligem Calciumsulfat und dessen Verwendung
JPH01249636A (ja) * 1988-03-31 1989-10-04 Onoda Cement Co Ltd α型半水石膏の製造方法及び製造装置
RU2101252C1 (ru) * 1988-11-18 1998-01-10 Юнайтед Стейтс Джипсум Компани Сырьевая смесь для получения композиционного материала, композиционный материал, способ приготовления сырьевой смеси для получения композиционного материала и способ производства гипсоволокнистых плит
US5041333A (en) * 1989-02-24 1991-08-20 The Celotex Corporation Gypsum board comprising a mineral case
CN1026578C (zh) * 1990-09-10 1994-11-16 山东省建筑科学研究院 α-半水石膏的生产方法及设备
JP3245436B2 (ja) * 1991-12-18 2002-01-15 呉羽化学工業株式会社 α型半水石膏の製造方法
DE4217978A1 (de) 1992-05-30 1993-12-02 Heidelberger Zement Ag Verfahren zur Herstellung von ALPHA-Halbhydrat aus Calciumsulfat-Dihydrat in einem Reaktor
CN1076675A (zh) * 1993-02-20 1993-09-29 东南大学 生产高强α型半水石膏的设备
JP2000034121A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 二水石膏の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2753343C2 (ru) * 2016-10-17 2021-08-13 Лиддс Аб Способ получения порошка β-полугидрата сульфата кальция

Also Published As

Publication number Publication date
CN101679115A (zh) 2010-03-24
ES2402838T3 (es) 2013-05-09
EP2150504A1 (de) 2010-02-10
CN101679115B (zh) 2012-07-04
KR20100051590A (ko) 2010-05-17
CA2685984A1 (en) 2008-11-27
JP2010527876A (ja) 2010-08-19
KR101121656B1 (ko) 2012-04-16
EP2150504B1 (de) 2013-02-27
CA2685984C (en) 2012-07-03
PL2150504T3 (pl) 2013-06-28
PT2150504E (pt) 2013-04-16
US20100166640A1 (en) 2010-07-01
WO2008141627A1 (de) 2008-11-27
UA92123C2 (ru) 2010-09-27
JP5161959B2 (ja) 2013-03-13
DE102007024188B3 (de) 2008-04-10
DE112008002038A5 (de) 2010-04-29
US7951352B2 (en) 2011-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2415818C1 (ru) Способ получения альфа-полугидрата сульфата кальция из дигидрата сульфата кальция
US8251695B2 (en) Device for drying and/or calcining gypsum
RU2472706C2 (ru) Способ непрерывной модификации дигидрата гипса и модифицированный дигидрат гипса, полученный этим способом
KR20090064564A (ko) 초저경도 α- 및 β-블렌드 스터코의 제조방법
US9340455B2 (en) Method and system for the production of hard plaster
US7556791B2 (en) Gypsum anhydrite fillers and process for making same
US3437330A (en) Continuous production of alpha plaster
CN101182150A (zh) 一种脱硫石膏浆液直接制备α-半水石膏的工业结晶工艺
EP0416089A4 (en) Process and apparatus for producing calcium sulfate microfibers
US3529356A (en) Method of continuously dehydrating aluminum oxide hydrates
US10023496B1 (en) No fiber calcination of gypsum for gypsum fiberboard
DE202007007401U1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Alpha-Calciumsulfat-Halbhydrat aus Calciumsulfat-Dihydrat
CN114620748A (zh) 减少过滤晶浆中的洗涤水和降低滤饼的水分的系统和方法
PL230707B1 (pl) Sposob uzdatniania odpadow fosfogipsowych
KR20120096219A (ko) 인공 제올라이트의 연속 제조 방법 및 이를 위한 장치