RU2357934C2 - Селективное легирование материала - Google Patents

Селективное легирование материала Download PDF

Info

Publication number
RU2357934C2
RU2357934C2 RU2006144399/03A RU2006144399A RU2357934C2 RU 2357934 C2 RU2357934 C2 RU 2357934C2 RU 2006144399/03 A RU2006144399/03 A RU 2006144399/03A RU 2006144399 A RU2006144399 A RU 2006144399A RU 2357934 C2 RU2357934 C2 RU 2357934C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
radiation
substance
sample
groups
Prior art date
Application number
RU2006144399/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2006144399A (ru
Inventor
Маркку РАЯЛА (FI)
Маркку Раяла
Матти ПУТКОНЕН (FI)
Матти Путконен
Джо ПИМЕНОФФ (FI)
Джо Пименофф
Лаури НИИНИСТЁ (FI)
Лаури НИИНИСТЁ
Яни ПЯЙВЯСААРИ (FI)
Яни ПЯЙВЯСААРИ
Йоуко КУРКИ (FI)
Йоуко КУРКИ
Original Assignee
Бенек Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бенек Ой filed Critical Бенек Ой
Publication of RU2006144399A publication Critical patent/RU2006144399A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2357934C2 publication Critical patent/RU2357934C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01838—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the deposited glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01853—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
    • C03C21/007—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in gaseous phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
    • C23C16/0263—Irradiation with laser or particle beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/08—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
    • C03B2201/10—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
    • C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
    • C03B2201/28—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/32—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
    • C03B2201/34—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with rare earth metals, i.e. with Sc, Y or lanthanides, e.g. for laser-amplifiers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Abstract

Данное изобретение относится к способу селективного легирования материала и может быть использовано для изготовления оптического волокна или оптических волноводов. Способ селективного легирования материала включает а) облучение заданного образца/области материала, где это облучение создает генерирующее напряжение в облучаемой области, b) обработку материала с образованием реакционноспособных групп в заданном образце/области материала, и с) легирование материала методом послойного атомного осаждения с получением в материале образца/области, легированных добавкой. Рассмотрена возможность направления излучения на стадии а) по меньшей мере из двух различных направлений с получением в материале заранее обработанной области в трехмерной форме. Легируемый материал представляет собой стекло (например, пористое), керамику, полимер, металл или их смеси. Легирующая добавка включает одно или более веществ из группы: редкоземельный металл, бор, алюминий, германий, олово, кремний, фосфор, фтор или серебро. Кроме того, изобретение относится к селективно легированному материалу, к устройству для получения селективно легированного материала и к применению указанного способа. 4 н. и 26 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Область техники
Данное изобретение относится к способу селективного легирования материала, охарактеризованному в преамбуле пункта 1 формулы изобретения, к селективно легированному материалу, охарактеризованному в преамбуле пункта 14 формулы изобретения, к системе для получения селективно легированного материала, охарактеризованной в преамбуле пункта 27 формулы изобретения, и к применению согласно пункту 30 формулы изобретения.
Предшествующий уровень техники
Легированный материал используется в производстве различных продуктов. Например, легированное пористое стекло применяется в производстве оптических волноводов. Понятие «оптический волновод» относится, например, к элементу, оптическому волокну, оптическому плоскому волноводу и/или любому подобному элементу, которые используются для переноса оптической энергии.
Известны различные способы получения и легирования материалов и изменения характеристик материала. Для примера можно упомянуть метод CVD (метод химического парофазного осаждения), метод OVD (метод внешнего парофазного осаждения), метод VAD (метод осевого парофазного осаждения), метод MCVD (метод модифицированного химического парофазного осаждения), метод PCVD (метод активированного плазмой химического парофазного осаждения), метод DND (метод прямого осаждения наночастиц) и золь-гель метод.
Что касается материалов из стекла, то ранее было известно, что водород способен образовывать гидроксильные группы (ОН группы) с диоксидом кремния. Гидроксильные группы можно добавить в поверхностный слой стекла, например, обработав стекло водородом при высокой температуре. Гидроксильные группы также можно добавить на поверхность стекла посредством комбинации радиации и водородной обработки. Таким образом, на поверхности стекла образуются группы Si-H и Si-OH.
Однако селективное легирование материала посредством комбинации радиации и метода послойного атомного осаждения (метода ALD) ранее не было известно. В результате, известные ранее методы не давали возможности селективного и точного легирования материала в заданных точках материала. Кроме того, например, изготовление оптического волновода в реальной трехмерной форме было невозможно с помощью ранее известных методов.
Задача настоящего изобретения заключалась в устранении проблем известных методов, применяемых для легирования материала.
В частности, задача данного изобретения заключалась в разработке нового, простого и точного способа селективного легирования материала путем формирования легирующего слоя только в заданных точках материала. Еще одна задача изобретения заключалась в разработке способа, дающего возможность селективной модификации материала для последующего получения материала с желаемыми характеристиками.
Другая задача изобретения заключалась в разработке материала, точно и селективно легированного простым способом, системы для изготовления селективно легированного материала, и применения данного способа для различных целей.
Сущность изобретения
Способ селективного легирования материала, селективно легированный материал, система для изготовления селективно легированного материала и применение способа согласно изобретению охарактеризованы в формуле изобретения.
Изобретение основано на сложной исследовательской работе, которая неожиданно показала, что можно получить заданные легированные образцы/области на материале способом, который включает в себя: а) сначала облучение заданного и заранее обработанного образца/области материала, b) затем обработку материала для образования реакционноспособных групп в заданном образце/области материала, с) и, наконец, легирование материала методом послойного атомного осаждения с получением в материале образца/области, легированных желаемой добавкой (допантом).
Изобретение основано на наблюдении, что при облучении так называемых предварительно обработанных образцов/областей в заданных точках материала в этих точках образуется гораздо больше реакционноспособных групп, необходимых для получения легированного слоя, чем в необлученных частях материала. Для осуществления метода ALD в материале необходимо присутствие так называемых реакционноспособных групп, к которым могут присоединяться группы легирующих добавок. Когда в заданном образце/области присутствуют реакционноспособные группы, именно в этой области образуется легирующий слой, в то время как оставшаяся часть материала остается нелегированной.
К заданному образцу/области относится любой желаемый образец/область, такие как прямая или кривая линия, круглая или прямоугольная площадь и любой другой заданный образец/область,
Чтобы получить заданный образец/область, предварительно обработанный с помощью радиации, можно использовать ионизирующее и/или неионизирующее излучение. Из ионизирующих видов излучения можно упомянуть для примера альфа, бэта, гамма, нейтронное и рентгеновское излучения. Неионизирующее излучение радиация включает, например, ультрафиолетовое излучение, видимый свет, инфракрасное излучение, радиочастотное излучение, низкочастотные, электростатические и магнитные поля. Когда в материале формируется заданный образец/область, интенсивность одного пучка излучения или интенсивность двух и более пучков излучения необходимо контролировать в точке их пересечения. Режимы облучения с помощью указанных типов излучений известны специалистам. Например, в статье «Formation of Radiation-Induced Defects in Silica Glasses at High Irradiation Temperatures» авторов Nuritdinov I., Masharipov K.Y., Doniev M.O., опубликованной в Glass Physics and Chemistry, Volume 29, Number 1, January 2003, pp.11-15, описаны режимы для гамма-облучения. Согласно данным этой статьи гамма-облучение осуществляют при температуре от 150 до 500°С.
После облучения материал обрабатывают для получения реакционноспособных групп в предварительно обработанном образце/области.
К реакционноспобным группам относятся любые группы, к которым способны присоединяться заданные легирующие добавки, т.е. группы, с которыми реагируют добавки с получением слоя желательного заранее определенного допанта. Для примера можно упомянуть оксидные слои заранее определенного допанта или слои других соединений. Реакционноспособными группами могут быть группы ОН, группы OR (алкоксигруппы), группы SH, группы NH1-4 и/или любые другие группы, с которыми реагируют легирующие добавки.
Для получения реакционноспособных групп материал, облученный в заданных точках/областях, можно обработать газообразным и/или жидким веществом. В одном из вариантов осуществления изобретения материал обрабатывают газом и/или жидкостью, содержащей водород и/или водородсодержащее соединение.
После получения реакционноспособных групп материал легируют методом ALD с использованием желательных добавок. Другими словами, в предварительно обработанном образце/области материала выращивают слой с желательной легирующей добавкой.
При осуществлении метода ALD исходные вещества по очереди направляют к подложке. После каждого импульса исходного вещества подложку промывают инертным газом, посредством чего на поверхности остается хемисорбированный монослой из одного исходного вещества. Этот слой реагирует со следующим исходным веществом с образованием определенного частичного монослоя желаемого материала. Метод ALD можно использовать для определения толщины легированного слоя, точно повторяя цикл заданное число раз. В настоящем изобретении к методу ALD относится любой традиционный метод ALD, так же как и любое применение и/или модификация вышеуказанного метода, которые очевидны для специалиста в данной области.
Легирующие добавки (допанты), используемые в методе ALD, могут содержать одно или более чем одно вещество, включающее редкоземельные металлы, такие как эрбий, иттербий, неодим и церий, вещества из группы бора, такие как бор и алюминий, из группы углерода, такие как германий, олово и кремний, вещества из группы азота, такие как фосфор, из группы фтора, такие как фтор, и/или серебро, и/или любой другой материал, пригодный для легирования. Вещество может быть простым или в форме соединения.
Когда материал из пористого стекла легируют с помощью ALD метода, реакционноспособные группы эффективно удаляются из материала, поскольку легирующая добавка реагирует с вышеуказанными группами. При необходимости легируемый материал можно очистить после легирования, удалив любые реакционноспособные группы и любые другие примеси, возможно оставшиеся в нем.
К селективно легируемым материалам относятся стекло, керамика, полимеры, металлы и/или их смеси. Например, согласно данному изобретению можно обработать керамики, включающие Al2O3, ВеО, MgO, TiO2, ZrO2, BaTiO3. В соответствии с данным изобретением можно также обработать любые другие известные керамики. Из полимеров можно упомянуть для примера натуральные полимеры, такие как протеины, полисахариды и каучуки; синтетические полимеры, такие как термопласты и термореактопласты; эластомеры, такие как натуральные эластомеры и синтетические эластомеры. Из металлов могут быть любые известные металлы или их смеси. Для примера можно упомянуть Al, Be, Zr, Sn, Fe, Cr, Ni, Nb и Со. Также это могут быть любые другие металлы или их смеси. В добавление к вышесказанному, материалом может быть материал, включающий в себя кремний или соединения кремния. Для примера можно упомянуть 3BeOAl2O3·6SiO2, ZrSiO4, Са3Al2Si3O12, Al2(OH)2SiO4 и NaMgB3Si6O27(OH)4.
В одном из вариантов осуществления изобретения материалом является материал из пористого стекла. Материалом из стекла может быть любое обычное оксидное стекло, такое как стекло на основе SiO2, В2О3, GeO2 и Р4O10. Материалом из стекла может также быть фосфорное стекло, фтористое стекло, сульфидное стекло и/или любой другой подобный материал. Материал из стекла может быть частично или полностью легирован одним или более чем одним веществом, включающим германий, фосфор, фтор, бор, олово, титан и/или любые другие подобные вещества. В качестве примеров материалов из стекла можно упомянуть K-Ba-Al-фосфат, Са-метафосфат, 1PbO-1,3Р2О5, 1PbO-1,5SiO2, 0,8K2О-0,2СаО-2,75SiO2, Li2О-3В2О3, Na2O-2B2О3,
K2О-2В2О3, Rb2О-2В2О3, хрусталь, натриевое стекло и боросиликатное стекло.
Материалом из пористого стекла может быть заготовка из стекла, например, предназначенная для использования в производстве оптического волокна. Материалом из пористого стекла может также быть пористое стекло, применяемое в производстве других оптических волноводов, таких как для производства оптических плоских волноводов или оптических волноводов в трехмерной форме.
В одном из вариантов излучение направляют по меньшей мере из двух различных направлений таким образом, чтобы получить в материале заранее обработанный образец в трехмерной форме. В вышеуказанном образце получают реакционноспособные группы и данный образец в трехмерной форме легируют. В одном из вариантов осуществления изобретения в трехмерной форме получают оптический волновод.
В одном из вариантов осуществления изобретения в заготовке из пористого стекла, применяемого в производстве оптического волокна, получают генерирующие напряжение области путем облучения заготовки с помощью частично закрытого источника излучения таким образом, что излучение создает заранее обработанные области только в заданных точках заготовки, в которых затем образуются реакционноспособные группы и в которых в конечном итоге выращивают слои с желаемой легирующей добавкой.
В одном из вариантов осуществления изобретения заданные легированные образцы/области облучают на плоской поверхности. В одном из вариантов осуществления изобретения оптический волновод получают в одной плоскости.
Способ согласно настоящему изобретению можно применять в связи с производством оптических волноводов, таких как оптическое волокно, оптические плоские волноводы, оптические волноводы в трехмерной форме или любой другой подобный элемент.
Когда материал селективно легируют, вышеуказанный материал можно дополнительно обработать обычными способами, если потребуется. Например, в селективном легировании материала из пористого стекла и в производстве из него оптического волокна вышеуказанный материал из пористого стекла может быть очищен, спечен и вытянут в оптическое волокно, например, после легирования. При спекании материала легирующие добавки диффундируют в материал.
Для изготовления селективно легированного материала согласно настоящему изобретению можно применить систему, включающую:
- источник излучения для облучения заданного заранее обработанного образца/области материала;
- средства для обработки материала для получения реакционноспособных групп в заданном образце/области материала;
- устройство для послойного атомного осаждения для легирования материала легирующей добавкой для получения легированного образца/области в материале.
Система может включать один или более источников, генерирующих ионизирующее и/или неионизирующее излучение. Например, система может включать два, три, четыре и т.д. источника излучения.
Система может включать по меньшей мере два источника излучения для направления излучения по меньшей мере из двух различных направлений. Когда материал облучают из двух или более направлений, заранее обработанный образец/область в материале можно получить в трехмерной форме.
Средства для получения реакционноспособных групп могут включать любые известные средства, дающие возможность обработки материала газообразным и/или жидким веществом.
Устройство ALD, применяемое для выращивания легированного слоя, может быть любым обычным устройством ALD, и/или его применением, и/или модификацией, которые очевидны для специалиста в данной области.
Система может дополнительно включать средства и/или устройства для дополнительной обработки селективно легированного материала, например, для очистки, спекания и т.п.
Преимущество данного изобретения состоит в том, что комбинация излучения, образования реакционноспособных групп и метода ALD приводит к селективному легированию материала в заданных точках материала. Излучение обеспечивает заданную форму и легирование точно в заданных точках материала. Кроме того, использование метода ALD обеспечивает точное, заранее определенное увеличение толщины легированного слоя. Таким образом, предложен точный метод без потерь легирующей добавки.
Дополнительным преимуществом способа является то, что селективное легирование материала позволяет изменять желаемым способом характеристики материала, например материала из пористого стекла, благодаря выращиванию слоев с заданной легирующей добавкой в заданной области материала. Это дает возможность модификации характеристик материала и/или продукта, изготовленного из него, желаемым, заранее заданным способом.
Дополнительным преимуществом способа является то, что способ дает возможность получения оптического волновода, имеющего заранее определенную форму и существующего в трехмерной форме.
Применение метода ALD в селективном легировании материала дает преимущества по сравнению с известными ранее методами легирования в том, что ALD метод дает возможность легирования материала, приготовленного любым ранее известным методом, таким как метод CVD (метод химического парофазного осаждения), метод OVD (метод внешнего парофазного осаждения), метод VAD (метод осевого парофазного осаждения), метод MCVD (метод модифицированного химического парофазного осаждения), метод PCVD (метод активированного плазмой химического парофазного осаждения), метод DND (метод прямого осаждения наночастиц) и золь-гель метод, или любым другим подобным методом, при необходимости. Другими словами, материалы, приготовленные известными методами, можно хранить и, при необходимости, обрабатывать в соответствии с настоящим изобретением, для того чтобы получить заданный конечный продукт. Другое преимущество метода ALD состоит в том, что метод можно применять для изготовления материалов, легированных редкоземельными металлами, в частности материалов из стекла.
Дополнительным преимуществом данного изобретения является то, что способ изобретения можно применить для изготовления различных продуктов, таких как оптические волноводы.
Краткое описание графических материалов
Далее данное изобретение будет описано более детально на примере осуществления изобретения со ссылкой на чертеж, где показан принцип селективного облучения заготовки из пористого стекла, применяемого для производства оптического волокна.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения
Пример. Получение областей В2О3/SiO2 в заготовке для оптического волокна
Способ согласно настоящему изобретению, т.е. применение комбинации облучения и метода ALD в селективном легировании материала, был изучен путем создания областей, легированных В2О3, в заготовке из пористого стекла, применяемого в производстве оптического волокна. Области, легированные любой другой заданной добавкой, можно получить соответствующим способом.
Как показано на чертеже, слой 2 диоксида кремния был сначала получен обычным способом внутри трубки 1 из диоксида кремния. Источник 5 излучения, защищенный крышкой 4 от излучения таким образом, чтобы только заранее заданная часть/область 3а, b слоя пористого диоксида кремния была облучена, был затем помещен в трубку 1. Источник 5 излучения перемещали через заготовку из стекла по всей ее длине.
После облучения заготовка из пористого стекла была обработана водородным газом так, что на его поверхности образовалась область, содержащая множество гидроксильных групп.
Заготовка из пористого стекла была затем помещена в ALD-реактор, в котором были выращены слои В2О3. В качестве исходного вещества для В2O3 можно использовать, например, следующие вещества:
ВХ3, где Х представляет собой F, Cl, Br, I;
ZBX2, Z2BX или Z3В, где Х представляет собой F, Cl, Br, I и Z представляет собой Н, СН3, СН3СН2 или какой-либо другой органический лиганд;
ВХ3, где Х - это лиганд, который координируется через атом кислорода или азота, например метилоксид, этилоксид, 2,2,6,6,-тетраметилгептандион, ацетилацетонат, гексафторацетилацетонат или N,N-диалкилацетамидинат.
В качестве исходного вещества можно также использовать различные бороводороды ВхНу или карбораны CzBxHy. Например, можно упомянуть B2H6, В4Н10, CB5H9 или их производные, такие как различные металлокарбораны, например [М(η5-С5Н5)×(С2В9Н11)], где М - металл.
В добавление к вышесказанному можно использовать соединения, в которых лиганды представляют собой комбинации вышеперечисленных веществ.
В данном эксперименте был использован (СН3)3В в качестве исходного вещества, который прореагировал с гидроксильными группами, полученными в заранее обработанной области материала из пористого стекла.
Эксперимент показал, что слой легирующей добавки был получен только и именно в области, заранее обработанной излучением, и ни в какой другой точке заготовки из стекла.
Наконец, заготовка из пористого стекла, легированного методом ALD, была обработана обычным путем и было получено оптическое волокно из селективно легированного материала из пористого стекла.
Данное изобретение не ограничивается только вышеописанным примером осуществления, возможны различные модификации в рамках идеи изобретения, определенной в формуле изобретения.

Claims (31)

1. Способ селективного легирования материала, характеризующийся тем, что включает
а) облучение заданного образца/области материала, где это облучение создает генерирующее напряжение в облучаемой области, в которой образуются реакционноспособные группы,
b) обработку материала с образованием реакционноспособных групп в заданном образце/области материала, и
с) легирование материала методом послойного атомного осаждения с получением в материале образца/области, легированных добавкой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение заданного образца/области материала на стадии а) осуществляют посредством ионизирующего и/или неионизирующего излучения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии b) осуществляют обработку материала газообразным и/или жидким веществом с получением реакционноспособных групп.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии b) осуществляют обработку материала газом и/или жидкостью, содержащей водород и/или водородсодержащее соединение, с получением реакционноспособных групп.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционноспособные группы включают группы ОН, группы OR, группы SH и/или группы NH1-4.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирующая добавка включает одно или более чем одно вещество, включающее редкоземельный металл, такой как эрбий, иттербий, неодим и церий, вещество из группы бора, такое как бор и алюминий, вещество из группы углерода, такое как германий, олово и кремний, вещество из группы азота, такое как фосфор, вещество из группы фтора, такое как фтор, и/или серебро.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой стекло, керамику, полимер, металл и/или их смеси.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что материал представляет собой пористое стекло.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют контроль интенсивности одного пучка излучения или интенсивности двух и более пучков излучения в точке их пересечения с получением заданного предварительно обработанного образца/области.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что излучение на стадии а) направляют по меньшей мере из двух различных направлений с получением в материале заранее обработанного образца в трехмерной форме.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что в материале получают оптический волновод в трехмерной форме.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что получают генерирующее напряжение области в заготовке из пористого стекла, применяемого для изготовления оптического волокна.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что оптический волновод получают на плоской поверхности.
14. Селективно легированный материал, характеризующийся тем, что получен путем
а) облучения заданного образца/области материала, где это облучение создает генерирующее напряжение в облучаемой области, в которой образуются реакционноспособные группы,
b) обработки материала с образованием реакционноспособных групп в заданном образце/области материала, и
с) легирования материала методом послойного атомного осаждения с получением в материале образца/области, легированных добавкой.
15. Материал по п.14, отличающийся тем, что облучение заданного образца/области материала на стадии а) осуществляют посредством ионизирующего и/или неионизирующего излучения.
16. Материал по п.14, отличающийся тем, что на стадии b) осуществляют обработку материала газообразным и/или жидким веществом с получением реакционноспособных групп.
17. Материал по п.14, отличающийся тем, что на стадии b) осуществляют обработку материала газом и/или жидкостью, содержащей водород и/или водородсодержащее соединение, с получением реакционноспособных групп.
18. Материал по п.14, отличающийся тем, что реакционноспособные группы включают группы ОН, группы OR, группы SH и/или группы NH1-4.
19. Материал по п.14, отличающийся тем, что легирующая добавка включает одно или более чем одно вещество, включающее редкоземельный металл, такой как эрбий, иттербий, неодим и церий, вещество из группы бора, такое как бор и алюминий, вещество из группы углерода, такое как германий, олово и кремний, вещество из группы азота, такое как фосфор, вещество из группы фтора, такое как фтор, и/или серебро.
20. Материал по п.14, отличающийся тем, что материал представляет собой стекло, керамику, полимер, металл и/или их смеси.
21. Материал по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой пористое стекло.
22. Материал по п.14, отличающийся тем, что осуществляют контроль интенсивности одного пучка излучения или интенсивности двух и более пучков излучения в точке их пересечения с получением заданного предварительно обработанного образца/области.
23. Материал по п.14, отличающийся тем, что излучение на стадии а) направляют по меньшей мере из двух различных направлений с получением в материале заранее обработанного образца в трехмерной форме.
24. Материал по п.23, отличающийся тем, что в материале получают оптический волновод в трехмерной форме.
25. Материал по п.14, отличающийся тем, что получают генерирующие напряжение области в заготовке из пористого стекла, применяемого для изготовления оптического волокна.
26. Материал по п.14, отличающийся тем, что оптический волновод получают на плоской поверхности.
27. Система для изготовления селективно легированного материала, охарактеризованного в любом из пп.14-26, включающая:
источник излучения для облучения заданного образца/области материала, где это облучение создает генерирующее напряжение в облучаемой области, в которой образуются реакционноспособные группы;
средства для обработки материала для получения реакционноспособных групп в заданном образце/области материала; и
устройство для послойного атомного осаждения для легирования материала легирующей добавкой для получения легированного образца/области в материале.
28. Система по п.27, отличающаяся тем, что источник излучения включает источник ионизирующего и/или неионизирующего излучения.
29. Система по п.27 или 28, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере два источника излучения для направления излучения по меньшей мере из двух различных направлений.
30. Применение способа, охарактеризованного в любом из пп.1-13, для изготовления оптического волокна, оптического плоского волновода и/или плоского волновода, имеющего трехмерную форму.
Приоритет по пунктам:
24.06.2004 по пп.1-30.
RU2006144399/03A 2004-06-24 2005-06-23 Селективное легирование материала RU2357934C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20040876A FI117247B (fi) 2004-06-24 2004-06-24 Materiaalin seostaminen selektiivisesti
FI20040876 2004-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006144399A RU2006144399A (ru) 2008-07-27
RU2357934C2 true RU2357934C2 (ru) 2009-06-10

Family

ID=32524545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006144399/03A RU2357934C2 (ru) 2004-06-24 2005-06-23 Селективное легирование материала

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20080038524A1 (ru)
EP (1) EP1784369A1 (ru)
JP (1) JP2008503434A (ru)
KR (1) KR20070032958A (ru)
CN (1) CN1972879B (ru)
CA (1) CA2574771A1 (ru)
FI (1) FI117247B (ru)
RU (1) RU2357934C2 (ru)
WO (1) WO2006000644A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2462737C1 (ru) * 2011-03-03 2012-09-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") Способ изготовления световодов на основе кварцевого стекла с малыми оптическими потерями

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070076878A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Nortel Networks Limited Any-point-to-any-point ("AP2AP") quantum key distribution protocol for optical ring network
KR101714814B1 (ko) 2009-09-22 2017-03-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 다공성 비세라믹 기판상에 원자층 증착 코팅을 도포하는 방법
CN102094247B (zh) * 2010-09-29 2013-03-27 常州天合光能有限公司 磷扩散炉管两端进气装置
US8997522B2 (en) * 2012-06-26 2015-04-07 Owens-Brockway Glass Container Inc. Glass container having a graphic data carrier
US12024770B2 (en) * 2018-08-10 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Methods for selective deposition using self-assembled monolayers
CN111552028B (zh) * 2020-04-21 2021-04-20 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种空间用耐辐照掺铒光纤及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333283B1 (en) * 1997-05-16 2001-12-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silica glass article and manufacturing process therefor
MXPA02010171A (es) * 2000-04-14 2003-04-25 Karl Reimer Aparato y metodo para la modificacion de superficie continua de sustratos.
US6613695B2 (en) * 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
JP3558339B2 (ja) * 2001-06-13 2004-08-25 日本碍子株式会社 光導波路の製造方法、光導波路および波長変換デバイス
US6751387B2 (en) * 2002-03-05 2004-06-15 Institut National D'optique Microporous glass waveguides doped with selected materials
WO2003083167A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-09 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates
KR100431084B1 (ko) * 2002-08-21 2004-05-12 한국전자통신연구원 광도파로 및 그의 제조 방법
US7294360B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-13 Planar Systems, Inc. Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same
EP1623454A2 (en) * 2003-05-09 2006-02-08 ASM America, Inc. Reactor surface passivation through chemical deactivation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2462737C1 (ru) * 2011-03-03 2012-09-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения Всероссийского научного центра "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" (ФГУП "НИТИОМ ВНЦ "ГОИ им. С.И. Вавилова") Способ изготовления световодов на основе кварцевого стекла с малыми оптическими потерями

Also Published As

Publication number Publication date
US20080038524A1 (en) 2008-02-14
FI20040876A (fi) 2005-12-25
EP1784369A1 (en) 2007-05-16
WO2006000644A1 (en) 2006-01-05
RU2006144399A (ru) 2008-07-27
FI20040876A0 (fi) 2004-06-24
CA2574771A1 (en) 2006-01-05
KR20070032958A (ko) 2007-03-23
JP2008503434A (ja) 2008-02-07
CN1972879B (zh) 2011-08-17
FI117247B (fi) 2006-08-15
CN1972879A (zh) 2007-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2357934C2 (ru) Селективное легирование материала
DE69123659T2 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen, porenfreien Quarzglaskörpern
KR970006206A (ko) 휘발성 복합체를 사용한 희토류 원소 첨가 광섬유 제조 방법
JP5032986B2 (ja) 材料にドーピングするための方法およびドーピングされた材料
US3963468A (en) Light guide fabrication
EP1602630B1 (en) Glass-body-producing method
KR102235333B1 (ko) 기재 튜브의 제거를 포함한 플라즈마 침착 공정
US4249924A (en) Process for the production of graded index optical fibres
KR20000035198A (ko) 광섬유용 모재의 코어 유리, 코어 유리로부터 제조된모재, 및 코어 유리와 광섬유의 제조 방법
FI117243B (fi) Menetelmä materiaalin seostamiseksi ja seostettu materiaali
KR100521958B1 (ko) 수정화학기상증착법에 있어서 이중토치를 이용한 광섬유모재의 제조 방법 및 장치
JP2900732B2 (ja) 光導波路の製造方法
GB2407568A (en) Doping an optical fibre preform with reduced metal ions
FI119058B (fi) Menetelmä lasimateriaalin valmistamiseksi
KR100588401B1 (ko) 환원된 금속 이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유또는 광소자 제조방법
Reichel et al. Plasma technology for preparation of specialty fibers
JPH01153553A (ja) ガラス薄膜の製造方法
JPH0526734B2 (ru)
JP2005041702A (ja) 光ファイバ用ガラス母材の製造方法及び光ファイバ用ガラス母材
KR100341544B1 (ko) 금속이온-도핑된 광소자 제조방법
JP2002060238A (ja) 石英系光ファイバの製造方法
KR20050040233A (ko) 환원된 금속 이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유또는 광소자 제조방법
JPS6210942B2 (ru)
JPS6136130A (ja) 偏波保持光フアイバ用母材の作製法
JP2005179071A (ja) ミリ波を用いたシリカガラスの製造方法