RU2328015C2 - Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью и его применение - Google Patents

Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью и его применение Download PDF

Info

Publication number
RU2328015C2
RU2328015C2 RU2004115639/28A RU2004115639A RU2328015C2 RU 2328015 C2 RU2328015 C2 RU 2328015C2 RU 2004115639/28 A RU2004115639/28 A RU 2004115639/28A RU 2004115639 A RU2004115639 A RU 2004115639A RU 2328015 C2 RU2328015 C2 RU 2328015C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gmr
resistive elements
magnetization
sensitive element
angle
Prior art date
Application number
RU2004115639/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004115639A (ru
Inventor
Петер ШМОЛЛЬНГРУБЕР (DE)
Петер ШМОЛЛЬНГРУБЕР
Инго ХЕРРМАНН (DE)
Инго ХЕРРМАНН
Хенрик ЗИГЛЕ (DE)
Хенрик ЗИГЛЕ
Хартмут КИТТЕЛЬ (DE)
Хартмут КИТТЕЛЬ
Пауль ФАРБЕР (DE)
Пауль ФАРБЕР
Ульрих МАЙ (DE)
Ульрих МАЙ
Original Assignee
Роберт Бош Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10257253A external-priority patent/DE10257253A1/de
Application filed by Роберт Бош Гмбх filed Critical Роберт Бош Гмбх
Publication of RU2004115639A publication Critical patent/RU2004115639A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2328015C2 publication Critical patent/RU2328015C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01L—CYCLICALLY OPERATING VALVES FOR MACHINES OR ENGINES
    • F01L1/00—Valve-gear or valve arrangements, e.g. lift-valve gear
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01L—CYCLICALLY OPERATING VALVES FOR MACHINES OR ENGINES
    • F01L2301/00—Using particular materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01L—CYCLICALLY OPERATING VALVES FOR MACHINES OR ENGINES
    • F01L2820/00—Details on specific features characterising valve gear arrangements
    • F01L2820/04—Sensors
    • F01L2820/041—Camshafts position or phase sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Combined Controls Of Internal Combustion Engines (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в датчиках измерения углового положения распределительного вала в двигателе автомобиля. Технический результат - расширение нефункциональных возможностей. Для достижения данного результата чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью (ГМР) выполнен в виде восьми резистивных элементов с ГМР с вращательно-симметричным расположением. При этом резистивные элементы соединены между собой по схеме, образующей два полных моста Уитстона. Чувствительный элемент с ГМР наиболее пригоден для применения в составе датчика угла поворота, для определения абсолютного углового положения распределительного вала или коленчатого вала в двигателе автомобиля. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к чувствительному элементу с гигантской магниторезистивностью согласно ограничительной части главного пункта формулы изобретения, а также к применению такого чувствительного элемента.
Уровень техники
Гигантский магниторезистивный эффект (ГМР-эффект) можно использовать в так называемых спиновых вентилях или спиновых клапанах для определения угла поворота. Об этом говорится, например, в WO 00/79298 или в ЕР 0905523 А2.
Спиновые вентили с ГМР состоят в основном из двух тонких ферромагнитных слоев с результирующей намагниченностью m1, соответственно m2 и расположенного между ними разделяющего их тонкого немагнитного слоя. Электрическое сопротивление R(α) подобной слоистой структуры проявляет косинусоидальную зависимость от угла α между направлением намагниченности m1 и направлением намагниченности m2 следующего вида:
Figure 00000002
Максимальное относительное изменение сопротивления
Figure 00000003
характеризует ГМР-эффект и обычно составляет от 5 до 15%.
Слоистые структуры спиновых вентилей с ГМР обычно получают осаждением соответствующих материалов путем их катодного распыления и затем структурируют обычными методами фотолитографии и травления.
Существенное значение для выполнения спиновым вентилем предусмотренной для него функции имеет наличие у первого ферромагнитного слоя так называемого слоя с опорной намагниченностью (СОН), постоянной намагниченности m1, направление которой по меньшей мере приблизительно должно оставаться неизменным под действием приложенного к слоистой структуре извне магнитного поля, параметры которого, прежде всего направление и/или напряженность, требуется измерить, и наличием у второго ферромагнитного слоя так называемого слоя с нефиксированной, т.е. со свободно изменяющейся намагниченностью (ССИН), или чувствительного слоя, намагниченности m2, направление которой должно легко изменяться на по меньшей мере приблизительно параллельное внешнему магнитному полю. Для соблюдения обоих этих требований, во-первых, устраняют магнитную (индуктивную) связь между обоими ферромагнитными слоями за счет выполнения разделяющего их промежуточного немагнитного слоя (НМС) достаточной толщины, обычно составляющей несколько нанометров, и, во-вторых, фиксируют намагниченность слоя с опорной намагниченностью (СОН), предусматривая, например, дополнительный, непосредственно примыкающий к нему антиферромагнитный слой, так называемый слой естественного антиферромагнетика (АФМ), а также фиксируют их двухстороннюю магнитную связь за счет обменного взаимодействия.
Сказанное схематично проиллюстрировано на фиг.1а, где показаны слоистая структура с ГМР или многослойный чувствительный элемент с ГМР и задающий магнит, создающий воздействующее на эту слоистую структуру, соответственно на этот чувствительный элемент магнитное поле.
Дополнительно стабилизировать направление опорной намагниченности позволяет использование дополнительного, так называемого синтетического или "искусственного" антиферромагнетика (САФМ). Такой САФМ состоит согласно фиг.1б из двух ферромагнитных слоев и обеспечивающего сильную антиферромагнитную связь между ними промежуточного немагнитного слоя. Тот из двух этих ферромагнитных слоев, который непосредственно граничит с естественным антиферромагнетиком АФМ, обозначается как слой с фиксированной намагниченностью (СФН), поскольку его намагниченность МР фиксируется за счет связи с естественным антиферромагнетиком (АФМ). Второй же входящий в состав САФМ ферромагнитный слой, намагниченность MR которого вследствие указанной антиферромагнитной связи ориентирована в направлении, противоположном направлению намагниченности слоя с фиксированной намагниченностью (СФН), служит слоем с опорной намагниченностью (СОН) для уже описанной выше слоистой структуры спинового вентиля с ГМР.
Для выделения зависящего от угла поворота полезного сигнала согласно уровню техники в чувствительном элементе с ГМР четыре резистивных элемента спинового вентиля соединяют между собой, например, алюминиевыми тонкопленочными токопроводящими дорожками, по мостовой схеме Уитстона (в виде полного моста Уитстона). Сигнал максимальной амплитуды получают при показанной на фиг.2 взаимно противоположной ориентации направлений опорной намагниченности MR резисторов в пределах каждого активного плеча мостовой схемы и одинаковой ориентации направлений опорной намагниченности МR, расположенных в полном мосте по диагонали резисторов.
Датчик угла поворота, работа которого основана на ГМР-эффекте, обычно имеет второй полный мост из резисторов с ГМР, направления опорной намагниченности которых, как показано на фиг.2, повернуты на 90° относительно направлений опорной намагниченности резисторов первого полного моста. В результате выходной сигнал Usin второго полного моста оказывается сдвинут по фазе на 90° относительно выходного сигнала Ucos первого полного моста.
На основе обоих снимаемых с выходов двух мостов сигналов Ucos, Usin, один из которых изменяется по косинусоидальному, а другой - по синусоидальному закону, затем путем вычисления значений арктангенса, соответственно с использованием соответствующих алгоритмов (например, алгоритма CORDIC) определяют лежащий в пределах полного поворота на 360° однозначный угол α к направлению внешнего магнитного поля В.
Ориентация опорной намагниченности в различных направлениях в показанном на фиг.2 примере можно обеспечить, например, за счет локального нагрева отдельных, включенных по мостовой схеме резисторов с ГМР до температуры Т, которая превышает температуру блокирования (точку Нееля) антиферромагнитного слоя (АФМ), но не достигает точки Кюри ферромагнитных слоев (СФН, СОН), показанных на фиг.1а, соответственно фиг.1б слоистых структур, в результате чего в антиферромагнитном слое исчезает антиферромагнитная упорядоченность атомных магнитных моментов или спинов, и последующего их охлаждения во внешнем магнитном поле, имеющем соответствующую ориентацию. В процессе происходящего при этом формирования нового антиферромагнитного порядка атомных магнитных моментов или спинов сохраняется спиновая конфигурация, получаемая в результате обменного взаимодействия на поверхности раздела между антиферромагнитным слоем (АФМ-слоем) и соседним ферромагнитным слоем (СФН-слоем). Как следствие, фиксируется направление намагниченности соседнего ферромагнитного слоя (слоя с фиксированной намагниченностью или сокращенно СФН). Локальный нагрев образующих мостовую схему резисторов с ГМР можно обеспечить, например, воздействием на них коротким импульсом лазерного излучения или электрического тока. При этом импульс тока можно пропускать непосредственно через проводящую структуру с ГМР и/или через дополнительный электронагревательный элемент.
В известных датчиках угла поворота, работа которых основана на ГМР-эффекте, направление опорной намагниченности MR отдельных резисторов измерительного моста выбирается либо параллельным либо перпендикулярным направлению полосковых резистивных элементов с ГМР. Соблюдение подобного условия позволяет свести к минимуму влияние анизотропии формы. Помимо этого полосковые резистивные элементы с ГМР в показанном на фиг.2 полном мосте предпочтительно располагать параллельно друг другу. Подобное расположение полосковых резистивных элементов в полном мосте позволяет подавить появление в выходном сигнале составляющей, обусловленной наложением анизотропного магниторезистивного эффекта (АМР-эффекта). Обусловленная АМР-эффектом составляющая выходного сигнала измерительного моста основана при этом на зависимости электрического сопротивления от угла ϑ между направлением тока и направлением намагниченности следующего вида:
Figure 00000004
При расположении же полосковых резисторов с ГМР в пределах одного активного плеча измерительного моста не параллельно, а перпендикулярно друг другу, как это имеет место, в частности, в показанном на фиг.10 в заявке WO 00/79298 примере, создаются даже наиболее благоприятные условия для появления в выходном сигнале моста обусловленной АМР-эффектом составляющей. Наличие подобной, обусловленной АМР-эффектом составляющей в выходном сигнале измерительного моста снижает точность определения угла поворота датчиком, работа которого основана на ГМР-эффекте.
Преимущества изобретения
По указанным выше причинам в измерительных мостах известных датчиков угла поворота, работа которых основана на ГМР-эффекте, не используется вращательно-симметричное расположение резисторов. Более того, оба полных моста обычно расположены рядом друг с другом и параллельно друг другу. В результате известные датчики из-за отсутствия у них вращательной симметрии в расположении резисторов обладают повышенной чувствительностью к неоднородности направления задающего магнитного поля, т.е. действующего извне магнитного поля, а также к перепадам температуры.
Поскольку в известных датчиках угла поворота, работа которых основана на ГМР-эффекте, угол между направлением фиксированной намагниченности, соответственно направлением опорной намагниченности и направлением продольной протяженности полосок, в форме которых выполнены их резистивные элементы, в пределах одного резистора измерительного моста всегда остается постоянным, такие датчики лишены возможности компенсировать обусловленное анизотропией формы влияние на характеристику фиксированной намагниченности и устранять связанные с этим недостатки в точности определения углового положения.
В случае же датчика угла поворота, рабочий диапазон которого охватывает полный угол в 360°, наличие у него вращательно-симметричной конструкции, наоборот, является наиболее предпочтительным, поскольку позволяет исключить дополнительные, зависящие от направления поля погрешности в определении угла поворота, обусловленные уже самой асимметричностью расположения отдельных резистивных элементов с ГМР.
Поэтому предлагаемое в изобретении вращательно-симметричное расположение резистивных элементов с ГМР в обоих мостах Уитстона позволяет не только снизить чувствительность датчика, соответственно его чувствительного элемента к колебаниям направления поля и колебаниям температуры, но и подавить нежелательную, обусловленную АМР-эффектом составляющую выходного сигнала, а также уменьшить влияние анизотропии формы на характеристику фиксированной намагниченности и точность измерения угла чувствительным элементом с ГМР.
Наряду с вращательно-симметричным расположением резистивных элементов с ГМР в обоих мостах Уитстона наиболее предпочтительно далее располагать резисторы в чередующемся порядке секторами, т.е. как бы во "вложенном" один в другой виде или по типу лепестков цветка ромашки. За счет этого удается дополнительно уменьшить чувствительность датчика, соответственно его чувствительного элемента к колебаниям направления поля и колебаниям температуры.
Подавление нежелательной обусловленной АМР-эффектом составляющей выходного сигнала обеспечивается за счет дополнительного подразделения каждого отдельного резистивного элемента с ГМР полных мостов Уитстона на две имеющие одинаковое исполнение половины или секции, составляющие одну из которых выполненные в форме полосок резистивные элементы с ГМР ориентированы перпендикулярно выполненным в форме полосок резистивным элементам с ГМР, составляющим другую половину, соответственно секцию. Подобное подразделение каждого резистивного элемента с ГМР на две одинаковые половины или секции прежде всего позволяет повысить точность измерения угла поворота. В этом отношении еще одно преимущество состоит в том, что за счет ориентации выполненных в форме полосок резистивных элементов с ГМР ("направление продольной протяженности полосковых резистивных элементов с ГМР"), составляющих одну из двух секций каждого резистора, параллельно, а выполненных в форме полосок резистивных элементов с ГМР, составляющих другую секцию этого же резистора, перпендикулярно направлению фиксированной намагниченности, соответственно направлению опорной намагниченности в пределах каждого резистивного элемента с ГМР обоих мостов Уитстона усредняется влияние фиксированных направлений намагниченности, ориентированных параллельно и перпендикулярно направлению продольной протяженности полосковых резистивных элементов. В этом случае характеристика фиксированной намагниченности, в свою очередь, идентична для всех подразделенных на две половины или секции резистивных элементов с ГМР обоих мостов Уитстона (усреднение по обеим секциям каждого резистора). При этом выходные сигналы U1, U2 обоих мостов предпочтительно сдвинуты по фазе друг относительно друга на 45°.
Преимущество, связанное с ориентацией направления фиксированной намагниченности, соответственно направления опорной намагниченности по меньшей мере приблизительно под углом 45° к направлению продольной протяженности полосковых резистивных элементов с ГМР состоит в идентичности характеристики фиксированной намагниченности у отдельных резистивных элементов с ГМР, т.е. прежде всего в повышении стабильности выходного сигнала чувствительного элемента с ГМР и в обеспечении долговременной стабильности самого чувствительного элемента с ГМР. В этом случае, кроме того, выходные сигналы U1, U2 обоих мостов сдвинуты по фазе друг относительно друга на 45°.
Согласно еще одному предпочтительному варианту выходные сигналы U1, U2 обоих мостов, сдвинутые друг относительно друга по фазе на любой угол φ, предпочтительно на угол φ, составляющий 45° или около 45°, можно предпочтительно путем преобразования координат отображать на ортогональные сигналы с фазовым сдвигом между ними, равным 90°. На основе таких ортогональных сигналов затем путем вычисления значений арктангенса, соответственно с использованием соответствующего алгоритма, например, алгоритма CORDIC, можно определить искомый угол α к направлению внешнего магнитного поля В.
Указанное выше преобразование координат обеспечивает, кроме того, достижение дополнительного преимущества, состоящего в возможности компенсировать при отображении на ортогональные сигналы обусловленные производственными факторами отклонения от номинального фазового сдвига между обоими выходными сигналами U1, U2 двух мостов.
Чертежи
На фиг.1а упрощенно показана слоистая структура спинового вентиля с ГМР, образованная двумя ферромагнитными слоями СОН и ССИН с направлениями намагниченности m1 и m2, промежуточным немагнитным слоем НМС и антиферромагнитным слоем АФМ. Последний из указанных слоев служит для фиксации опорной намагниченности m1. На этом чертеже показан далее задающий магнит для приложения внешнего магнитного поля В. Угол α представляет собой угол между направлением магнитного поля соответственно намагниченности ферромагнитного слоя со свободно изменяющейся намагниченностью (ССИН), а тем самым и направлением внешнего магнитного поля В в плоскости чувствительного элемента с ГМР и направлением опорной намагниченности.
На фиг.1б показана слоистая структура спинового вентиля с ГМР, образованная слоем естественного антиферромагнетика АФМ и дополнительным слоем синтетического антиферромагнетика САФМ, а также еще одним промежуточным немагнитным слоем НМС и ферромагнитным слоем со свободно изменяющейся намагниченностью ССИН.
На фиг.2 показана эквивалентная схема чувствительного элемента, который предназначен для измерения угла поворота и работа которого основана на ГМР-эффекте, с двумя полными мостами (мостовыми схемами Уитстона), при этом направления опорной намагниченности MR в каждом из плеч обоих этих мостов попарно ориентированы в противоположные стороны, и направления опорной намагниченности в одном мосте повернуты на 90° к направлениям опорной намагниченности в другом мосте. Помимо этого направление опорной намагниченности MR ориентировано параллельно или перпендикулярно продольной протяженности отдельных полосковых резистивных элементов с ГМР, каждый из которых имеет, например, показанное на фиг.1а или фиг.1б исполнение. Эта "продольная протяженность" условно обозначена несколькими параллельными линиями, изображенными в пределах каждого отдельного резистивного элемента с ГМР. Помимо этого на фиг.2 указано направление внешнего магнитного поля В, которое образует с опорным направлением угол α, измеряемый чувствительным элементом с ГМР. Такое опорное или нулевое направление определяется при этом выбором направлений опорной намагниченности в обоих полных мостах, один из которых выполнен в виде синусного, а другой - в виде косинусного полного моста.
На фиг.3 показаны измерительные мосты с вращательно- или осесимметричным расположением меандрообразных или извилистых, "вложенных" один в другой, т.е. расположенных секторами, резистивных элементов с ГМР, обозначенных позициями I/1-I/4 (мост I) и II/1-II/4 (мост II). При этом каждое из направлений опорной намагниченности (обозначенные на фиг.3 соответствующими стрелками) ориентировано в мосте I под углом 45° к продольной протяженности соответствующих полосковых резистивных элементов с ГМР, а каждое из направлений опорной намагниченности в мосте II повернуто на 45° к соответствующему направлению опорной намагниченности в мосте I. Помимо этого на фиг.3 указано направление внешнего магнитного поля В, которое образует с опорным направлением угол α, измеряемый чувствительным элементом с ГМР. Это опорное или нулевое направление определяется выбором направлений опорной намагниченности в мосте I и в мосте II, при этом выходной сигнал моста I должен иметь косинусоидальную характеристику в функции угла α.
На фиг.4 показана эквивалентная схема чувствительного элемента с ГМР с изображенной на фиг.3 топологией. Каждое из направлений фиксированной, соответственно опорной намагниченности MR ориентировано при этом под углом 45° к продольной протяженности соответствующих полосковых резистивных элементов с ГМР, которая и в этом случае аналогично фиг.2 условно обозначена несколькими параллельными линиями, изображенными в пределах каждого отдельного резистивного элемента с ГМР, а в мосте II дополнительно повернуто на 45° к соответствующему направлению намагниченности в мосте I. Вследствие взаимно перпендикулярного расположения полосковых резисторов в каждом активном плече измерительных мостов усиливается обусловленная АМР-эффектом составляющая выходного сигнала.
На фиг.5а показаны выходные сигналы U1 и U2 чувствительного элемента с ГМР, разность фаз между которыми составляет 45°, поскольку в измерительных мостах, показанных на фиг.3, соответственно фиг.4, фиксированная, соответственно опорная намагниченность MR ориентирована под углом 45° к продольной протяженности их полосковых резистивных элементов. На фиг.5б показаны соответственно преобразованные, взаимно ортогональные выходные сигналы Ucos и Usin чувствительного элемента с ГМР, разность фаз между которыми составляет 90°. Обусловленная АМР-эффектом составляющая выходного сигнала на фиг.5а и 5б не показана. По оси х на фиг.5а и 5б указано угловое направление внешнего магнитного поля В в градусах, т.е. угол α, тогда как по оси у на фиг.5а указана относительная амплитуда выходного сигнала чувствительного элемента с ГМР в мВ/В, а на фиг.5б - относительная амплитуда преобразованного выходного сигнала чувствительного элемента с ГМР в мВ/В.
На фиг.6 показаны измерительные мосты с вращательно-симметричным, по меньшей мере приблизительно круговым или восьмиугольным расположением "вложенных" один в другой меандрообразных или извилистых резистивных элементов с ГМР, при этом подавление обусловленной АМР-эффектом составляющей выходного сигнала обеспечивается за счет разделения каждого из отдельных резистивных элементов на две одинаковые половины, в каждой из которых полосковые резистивные элементы ориентированы перпендикулярно полосковым резистивным элементам другой половины.
На фиг.7 показана эквивалентная схема измерительных мостов с показанным на фиг.6 расположением резистивных элементов с ГМР. Подавление обусловленной АМР-эффектом составляющей выходного сигнала обеспечивается в данном случае за счет разделения в измерительных мостах каждого резистивного элемента I/1, I/2 и так далее до II/4 на две половины а и b, в каждой из которых полосковые резистивные элементы с ГМР ориентированы перпендикулярно полосковым резистивным элементам с ГМР другой половины. Направление фиксированной, соответственно опорной намагниченности MR у каждого из полосковых резистивных элементов с ГМР ориентировано под углом 45° к его продольной протяженности. Продольная протяженность каждого из полосковых резистивных элементов с ГМР условно обозначена несколькими, изображенными в пределах каждого из них параллельными линиями.
На фиг.8 показана эквивалентная схема измерительных мостов с показанным на фиг.6 расположением резистивных элементов с ГМР, но с другой ориентацией направлений фиксированной, соответственно опорной намагниченности MR, которая в отличие от показанного на фиг.7 примера у каждого отдельного резистивного элемента с ГМР I/1, I/2 и так далее до II/4 ориентирована в одной его половине под углом 0°, а в другой его половине - под углом 90° к направлению продольной протяженности полосковых резистивных элементов. Влияние направления фиксированной намагниченности усредняется в данном случае за счет того, что направление фиксированной, соответственно опорной намагниченности у каждого состоящего из двух половин полоскового резистивного элемента с ГМР I/1, I/2 и так далее до II/4 ориентировано и параллельно и перпендикулярно продольной протяженности соответствующих полосок, форму которых имеет каждый из этих резистивных элементов.
Примеры осуществления изобретения
а) Измерительные мосты с вращательно-симметричным расположением резистивных элементов
На фиг.3 показаны два полных моста (моста Уитстона) с одним из возможных вращательно-симметричным расположением образующих их резистивных элементов, общее количество которых равняется восьми. В отличие от датчиков с анизотропной магниторезистивностью (АМР), у которых опорное направление (направление опорной намагниченности) задается направлением тока, которое, в свою очередь, определяется ориентацией полосок, форму которых имеют резистивные элементы, у датчика угла поворота с гигантской магниторезистивностью (ГМР) опорное направление определяется направлением намагниченности слоя с опорной намагниченностью (СОН). В принципе направление фиксированной, соответственно опорной намагниченности можно при этом задавать любым, однако для получения у всех резистивных элементов одной и той же характеристики фиксированной намагниченности направление фиксированной намагниченности, соответственно опорное направление ориентируют в данном случае под углом 45° к продольной протяженности полосок, форму которых имеют резистивные элементы. Сказанное дополнительно проиллюстрировано на фиг.4, где наряду с направлением или ориентацией полосок, форму которых имеют резистивные элементы (указано несколькими параллельными линиями, изображенными в пределах условных обозначений резистивных элементов), указано также направление опорной намагниченности MR.
б) Отображение на ортогональные сигналы
При ориентации фиксированной намагниченности или опорной намагниченности под углом 45° к направлению продольной протяженности полосок, форму которых имеют резистивные элементы с ГМР, фазовый сдвиг между обоими выходными сигналами U1 и U2 двух мостов составляет согласно фиг.5а не традиционные 90°, а лишь 45°. Однако такие сигналы U1, U2 можно простым путем преобразовать в показанные на фиг.5б ортогональные сигналы, один из которых изменяется по косинусоидальному, а другой - по синусоидальному закону. Для этого в электронном блоке обработки сигналов датчика выполняется следующее преобразование:
Figure 00000005
В приведенной выше формуле φ обозначает сдвиг фазы выходного сигнала второго моста относительно фазы выходного сигнала первого моста. Подобный фазовый сдвиг в принципе можно выбирать любым, однако предпочтительно задавать его равным 45°.
На основе полученных путем вышеуказанного преобразования косинусоидальных и синусоидальных сигналов показанного на фиг.5б вида затем в электронном блоке обработки сигналов датчика можно путем вычисления значения арктангенса, соответственно с использованием соответствующего алгоритма, например алгоритма CORDIC, определить искомый угол α:
Figure 00000006
Реализация подобного преобразования координат обеспечивает далее достижение важного преимущества, состоящего в возможности выявить и скомпенсировать для каждого конкретного датчика при отображении на ортогональные сигналы (фазовый сдвиг между которыми составляет 90°) обусловленные производственными факторами отклонения от номинального фазового сдвига между обоими выходными сигналов U1, U2 двух мостов. С этой целью, например, при согласовании сигналов U1, U2 путем коррекции смещения нуля и амплитудной коррекции в конце производственной линии определяется и указанный фазовый сдвиг φ, например, путем гармонического анализа обоих выходных сигналов U1, U2 двух мостов, и полученное значение сохраняется в памяти электронного блока обработки сигналов датчика.
в) Измерительные мосты с вращательно-симметричным расположением резистивных элементов и подавлением обусловленной АМР-эффектом составляющей выходного сигнала
Расположение резистивных элементов по показанной на фиг.3 схеме создает благоприятные условия для увеличения в выходном сигнале датчика обусловленной АМР-эффектом составляющей, поскольку в каждом активном плече мостовой схемы оба его полосковых резистивных элемента с ГМР ориентированы перпендикулярно друг другу. Этот недостаток можно устранить, если в каждом из измерительных мостов с предпочтительным, также вращательно-симметричным расположением резистивных элементов согласно фиг.6 каждый полосковый резистивный элемент с ГМР разделить на две одинаковые половины или секции, составляющие одну из которых полосковые резистивные элементы с ГМР ориентированы перпендикулярно полосковым резистивным элементам с ГМР, составляющим другую половину. За счет последовательного включения обеих секций резистора с идентичной опорной намагниченностью MR в каждой из них обеспечивается отфильтровывание обусловленной АМР-эффектом составляющей сигнала, тогда как обусловленная ГМР-эффектом составляющая сигнала остается неизменной благодаря идентичному направлению опорной намагниченности MR в обеих секциях одного и того же резистора (резистивного элемента). Для состоящего из двух половин или секций резистивного элемента с ГМР сказанное позволяет пояснить приведенная ниже зависимость:
Figure 00000007
В приведенной выше формуле α обозначает угол между направлением поля, соответственно направлением намагниченности ферромагнитного слоя со свободно изменяющейся намагниченностью (ССИН) и направлением опорной намагниченности, ϑ обозначает угол между направлением поля, соответственно направлением намагниченности ферромагнитного слоя со свободно изменяющейся намагниченностью (ССИН) и направлением продольной протяженности полосок, форму которых имеют резистивные элементы с ГМР в первой секции резистора. Направление полосок, форму которых имеют резистивные элементы с ГМР, во второй секции резистора повернуто на 90° относительно направления полосок, форму которых имеют резистивные элементы с ГМР, в первой секции резистора.
г) Характеристика фиксированной намагниченности
На примере показанной на фиг.7 эквивалентной схемы поясняется разделение каждого из резисторов (резистивных элементов) мостовых схем на две половины, составляющие одну из которых полосковые резистивные элементы ориентированы перпендикулярно полосковым резистивным элементам другой половины, но в обеих половинах полосковые резистивные элементы имеют одно и то же направление опорной намагниченности MR. В принципе направление фиксированной намагниченности, соответственно направление опорной намагниченности MR можно выбирать любым. Однако предпочтительно ориентировать его под углом 45° к направлению продольной протяженности соответствующих полосковых резистивных элементов, поскольку за счет этого для всех секций резисторов обеспечивается идентичная характеристика фиксированной намагниченности.
В другом варианте фиксированную намагниченность или опорную намагниченность MR можно также ориентировать в направлении, которое в одной из двух секций каждого резистора параллельно направлению продольной протяженности составляющих ее полосковых резистивных элементов, а в другой секции того же резистора перпендикулярно направлению продольной протяженности составляющих ее полосковых резистивных элементов. Хотя в этом случае в отдельных секциях одного и того же резистора характеристика фиксированной намагниченности различна, тем не менее в целом в каждом "полном" резистивном элементе при последовательном включении обеих его отдельных секций вновь обеспечивается идентичная характеристика фиксированной намагниченности.
Связанное с подобным выбором направления фиксированной намагниченности, соответственно направления опорной намагниченности преимущество перед известными датчиками состоит в том, что в пределах каждого резистивного элемента характеристика фиксированной намагниченности усредняется по различным характеристикам фиксированной намагниченности при ориентации направления фиксированной намагниченности, соответственно направления опорной намагниченности параллельно и перпендикулярно к направлению продольной протяженности полосковых резистивных элементов с ГМР.
Описанный выше чувствительный элемент с ГМР, позволяющий измерять угол поворота в диапазоне, составляющем 360°, наиболее пригоден для применения в составе датчика угла поворота для определения абсолютного углового положения распределительного вала или коленчатого вала в двигателе автомобиля, прежде всего в двигателе без распределительного вала, оснащенном механизмом клапанного газораспределения с электрическим или электрогидравлическим управлением, для определения углового положения вала двигателя с электрической коммутацией (коллекторного двигателя) или для определения углового положения стеклоочистителя, либо для применения в составе датчика угла поворота рулевого колеса автомобиля.

Claims (7)

1. Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью (ГМР) и с вращательно-симметричным расположением прежде всего восьми резистивных элементов с ГМР, которые соединены между собой по схеме, образующей два полных моста Уитстона.
2. Чувствительный элемент с ГМР по п.1, отличающийся тем, что резистивные элементы с ГМР расположены в чередующемся порядке секторами.
3. Чувствительный элемент с ГМР по п.1 или 2, отличающийся тем, что резистивные элементы с ГМР выполнены в форме полосок.
4. Чувствительный элемент с ГМР по п.3, отличающийся тем, что каждый резистивный элемент с ГМР полных мостов Уитстона подразделен на две имеющих одинаковое исполнение половины, составляющие одну из которых выполненные в форме полосок резистивные элементы с ГМР ориентированы перпендикулярно выполненным в форме полосок резистивным элементам с ГМР, составляющим другую половину.
5. Чувствительный элемент с ГМР по п.4, отличающийся тем, что он обеспечивает возможность однозначного измерения угла (α) между направлением внешнего магнитного поля (В) и направлением намагниченности слоя с опорной намагниченностью (СОН) в угловом диапазоне, составляющем 360°.
6. Чувствительный элемент с ГМР по п.1, отличающийся тем, что резистивные элементы с ГМР по меньшей мере приблизительно расположены в форме круга или восьмиугольника.
7. Применение чувствительного элемента с ГМР по одному из предыдущих пунктов в составе датчика угла поворота для определения абсолютного углового положения распределительного вала или коленчатого вала в двигателе автомобиля, прежде всего в двигателе без распределительного вала, оснащенном механизмом клапанного газораспределения с электрическим или электрогидравлическим управлением, для определения углового положения вала двигателя с электрической коммутацией (коллекторного двигателя) или для определения углового положения стеклоочистителя либо в составе датчики угла поворота рулевого колеса автомобиля.
RU2004115639/28A 2002-07-26 2003-06-27 Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью и его применение RU2328015C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10234347.0 2002-07-26
DE10234347 2002-07-26
DE10257253.4 2002-12-07
DE10257253A DE10257253A1 (de) 2002-07-26 2002-12-07 GMR-Sensorelement und dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004115639A RU2004115639A (ru) 2006-01-10
RU2328015C2 true RU2328015C2 (ru) 2008-06-27

Family

ID=31889084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004115639/28A RU2328015C2 (ru) 2002-07-26 2003-06-27 Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью и его применение

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7312609B2 (ru)
EP (1) EP1527352A1 (ru)
JP (1) JP2005534199A (ru)
AU (1) AU2003250275B2 (ru)
RU (1) RU2328015C2 (ru)
WO (1) WO2004017086A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2447527C1 (ru) * 2011-04-27 2012-04-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН Способ и устройство для создания магнитного поля, локализованного в нанометровой области пространства
RU2784394C1 (ru) * 2021-12-30 2022-11-24 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН) Способ получения гигантского микроволнового магниторезистивного эффекта в сверхрешетке (CoFe)/Cu

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4259937B2 (ja) * 2003-06-30 2009-04-30 アルプス電気株式会社 角度検出センサ
US7523660B2 (en) * 2005-06-08 2009-04-28 Ecolab Inc. Oval gear meter
JP2009501931A (ja) * 2005-07-21 2009-01-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 磁気抵抗システムを有する装置
JP5161433B2 (ja) * 2006-05-16 2013-03-13 株式会社東海理化電機製作所 センサ装置
DE102006061928A1 (de) * 2006-12-21 2008-06-26 Siemens Ag Pollagemesseinrichtung für ein Magnetschwebefahrzeug einer Magnetschwebebahn und Verfahren zu deren Betrieb
US7915886B2 (en) * 2007-01-29 2011-03-29 Honeywell International Inc. Magnetic speed, direction, and/or movement extent sensor
US7635974B2 (en) * 2007-05-02 2009-12-22 Magic Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction (MTJ) based magnetic field angle sensor
US7394247B1 (en) * 2007-07-26 2008-07-01 Magic Technologies, Inc. Magnetic field angle sensor with GMR or MTJ elements
US8715776B2 (en) * 2007-09-28 2014-05-06 Headway Technologies, Inc. Method for providing AFM exchange pinning fields in multiple directions on same substrate
US20090115405A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Magic Technologies, Inc. Magnetic field angular sensor with a full angle detection
JP5014968B2 (ja) * 2007-12-07 2012-08-29 株式会社東海理化電機製作所 ポジションセンサ
JP4780117B2 (ja) * 2008-01-30 2011-09-28 日立金属株式会社 角度センサ、その製造方法及びそれを用いた角度検知装置
US8519703B2 (en) * 2008-03-20 2013-08-27 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor device and method of determining resistance values
KR101653715B1 (ko) 2008-04-23 2016-09-02 시그노드 인터내셔널 아이피 홀딩스 엘엘씨 에너지 저장 수단을 갖는 스트래핑 디바이스
US9254932B2 (en) 2008-04-23 2016-02-09 Signode Industrial Group Llc Strapping device with an electrical drive
RU2462403C2 (ru) 2008-04-23 2012-09-27 Оргапак Гмбх Обвязочное устройство с передаточным механизмом
CN105173166B (zh) 2008-04-23 2019-01-04 信诺国际Ip控股有限责任公司 移动式捆扎设备
JP2011518088A (ja) 2008-04-23 2011-06-23 オルガパック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング テンショナを有するバンド掛け装置
US10518914B2 (en) 2008-04-23 2019-12-31 Signode Industrial Group Llc Strapping device
US8024956B2 (en) * 2008-09-02 2011-09-27 Infineon Technologies Ag Angle measurement system
US20100097051A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Honeywell International Inc. Incremental position, speed and direction detection apparatus and method for rotating targets utilizing magnetoresistive sensor
JP5662357B2 (ja) * 2009-03-10 2015-01-28 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー 磁気抵抗センサにおける温度及びドリフト補償
JP5387583B2 (ja) * 2009-03-30 2014-01-15 日立金属株式会社 回転角度検出装置
US8451003B2 (en) 2009-07-29 2013-05-28 Tdk Corporation Magnetic sensor having magneto-resistive elements on a substrate
JP2011038855A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Tdk Corp 磁気センサ
US8390283B2 (en) * 2009-09-25 2013-03-05 Everspin Technologies, Inc. Three axis magnetic field sensor
US8901921B2 (en) * 2009-11-25 2014-12-02 Infineon Technologies Ag Angle measurement system for determining an angular position of a rotating shaft
US8518734B2 (en) 2010-03-31 2013-08-27 Everspin Technologies, Inc. Process integration of a single chip three axis magnetic field sensor
EP2648006A4 (en) * 2010-12-02 2017-11-29 Alps Electric Co., Ltd. Current sensor
US8975889B2 (en) * 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US9000763B2 (en) 2011-02-28 2015-04-07 Infineon Technologies Ag 3-D magnetic sensor
JP5602682B2 (ja) * 2011-06-03 2014-10-08 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ、及び磁気センサ用パターン
JP5747759B2 (ja) * 2011-09-19 2015-07-15 株式会社デンソー 磁気センサ
CH705743A2 (de) 2011-11-14 2013-05-15 Illinois Tool Works Umreifungsvorrichtung.
US9817085B2 (en) * 2012-03-15 2017-11-14 Infineon Technologies Ag Frequency doubling of xMR signals
US9411024B2 (en) 2012-04-20 2016-08-09 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor having XMR elements in a full bridge circuit having diagonal elements sharing a same shape anisotropy
WO2014167377A1 (de) 2012-09-24 2014-10-16 Signode International Ip Holdings Llc Umreifungsvorrichtung mit einer schwenkbaren wippe
CH708294A2 (de) 2013-05-05 2014-12-15 Orgapack Gmbh Umreifungsvorrichtung.
CH709219A2 (de) 2014-02-10 2015-08-14 Orgapack Gmbh Umreifungseinrichtung einer Umreifungsvorrichtung zur Umreifung von Packgut mit einem Umreifungsband.
US9435662B2 (en) * 2014-04-08 2016-09-06 Infineon Technologies Ag Magneto-resistive angle sensor and sensor system using the same
EP2960666B1 (en) * 2014-06-25 2017-01-25 Nxp B.V. Sensor system with a three half-bridge configuration
US9625281B2 (en) * 2014-12-23 2017-04-18 Infineon Technologies Ag Fail-safe operation of an angle sensor with mixed bridges having separate power supplies
DE102014119531B4 (de) 2014-12-23 2019-06-27 Infineon Technologies Ag Sensorschaltung
CN104776794B (zh) * 2015-04-16 2017-11-10 江苏多维科技有限公司 一种单封装的高强度磁场磁电阻角度传感器
JP2018109518A (ja) * 2015-05-22 2018-07-12 アルプス電気株式会社 回転検出器
US10782153B2 (en) 2016-03-08 2020-09-22 Analog Devices Global Multiturn sensor arrangement and readout
USD864688S1 (en) 2017-03-28 2019-10-29 Signode Industrial Group Llc Strapping device
CN106871778B (zh) * 2017-02-23 2019-11-22 江苏多维科技有限公司 一种单芯片双轴磁电阻角度传感器
US10782154B2 (en) * 2017-06-26 2020-09-22 Texas Instruments Incorporated Tilted segmented anisotropic magneto-resistive angular sensor
US10627459B2 (en) * 2017-07-17 2020-04-21 Texas Instruments Incorporated Anisotropic magneto-resistive (AMR) angle sensor die comprising a plurality of AMR angle sensors
JP2021055999A (ja) * 2018-01-15 2021-04-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 磁気センサ
JP2019129254A (ja) * 2018-01-25 2019-08-01 株式会社東海理化電機製作所 磁気センサ
CN109752675A (zh) * 2019-01-10 2019-05-14 东南大学 一种正八边形薄膜磁阻传感器
US11460521B2 (en) 2019-03-18 2022-10-04 Analog Devices International Unlimited Company Multiturn sensor arrangement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4317512C2 (de) 1993-05-26 1995-03-30 Univ Schiller Jena Vorrichtung zur berührungslosen Nullpunkt-, Positions- und Drehwinkelmessung
DE4408078A1 (de) * 1994-03-10 1995-09-14 Philips Patentverwaltung Winkelsensor
JPH0846268A (ja) * 1994-08-03 1996-02-16 Jeco Co Ltd 磁電変換装置
JPH10222817A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Hitachi Ltd 磁気抵抗センサ
DE19722834B4 (de) * 1997-05-30 2014-03-27 Sensitec Gmbh Magnetoresistives Gradiometer in Form einer Wheatstone-Brücke zur Messung von Magnetfeldgradienten sowie dessen Verwendung
EP0927361A1 (en) * 1997-06-13 1999-07-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor comprising a wheatstone bridge
DE59812241D1 (de) * 1997-09-24 2004-12-16 Infineon Technologies Ag Sensoreinrichtung zur Richtungserfassung eines äu eren Magnetfeldes mittels eines magnetoresistiven Sensorelementes
EP1031038A1 (en) * 1998-06-22 2000-08-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetic position detector
DE19835694A1 (de) * 1998-08-07 2000-02-10 Bosch Gmbh Robert Sensoranordnung zur Erfassung eines Drehwinkels und/oder eines Drehmoments
DE19843348A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Bosch Gmbh Robert Magnetoresistives Sensorelement, insbesondere Winkelsensorelement
JP2000149225A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘッドとその製造方法
DE60037790T2 (de) 1999-06-18 2009-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetisches messsystem mit irreversibler charakteristik, sowie methode zur erzeugung, reparatur und verwendung eines solchen systems
US6566867B1 (en) * 1999-06-24 2003-05-20 Delphi Technologies, Inc. Binary encoded crankshaft target wheel with single VR sensor
DE19962241A1 (de) * 1999-12-22 2001-07-12 Ruf Electronics Gmbh Positionssensor
US6633462B2 (en) 2000-07-13 2003-10-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetoresistive angle sensor having several sensing elements
US6519549B1 (en) * 2000-07-31 2003-02-11 Delphi Technologies, Inc. Method and device for determining absolute angular position of a rotating body
DE10104116A1 (de) * 2001-01-31 2002-08-01 Philips Corp Intellectual Pty Anordnung zum Erfassen des Drehwinkels eines drehbaren Elements
DE10118650A1 (de) * 2001-04-14 2002-10-17 Philips Corp Intellectual Pty Winkelsensor sowie Verfahren zum Erhöhen der Anisotropiefeldstärke einer Sensoreinheit eines Winkelsensors
US7005958B2 (en) * 2002-06-14 2006-02-28 Honeywell International Inc. Dual axis magnetic sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2447527C1 (ru) * 2011-04-27 2012-04-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН Способ и устройство для создания магнитного поля, локализованного в нанометровой области пространства
RU2784394C1 (ru) * 2021-12-30 2022-11-24 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН) Способ получения гигантского микроволнового магниторезистивного эффекта в сверхрешетке (CoFe)/Cu

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004115639A (ru) 2006-01-10
EP1527352A1 (de) 2005-05-04
US20060103381A1 (en) 2006-05-18
JP2005534199A (ja) 2005-11-10
AU2003250275A1 (en) 2004-03-03
AU2003250275B2 (en) 2008-01-31
US7312609B2 (en) 2007-12-25
WO2004017086A1 (de) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2328015C2 (ru) Чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью и его применение
JP6570634B2 (ja) 少なくとも２つのブリッジを有する磁気抵抗ホイートストンブリッジ及び角度センサ
JP5973498B2 (ja) 磁場角センサおよび磁気トンネル接合素子
US8736256B2 (en) Rotating field sensor
US8232795B2 (en) Magnetic sensor
US8203332B2 (en) Gear tooth sensor (GTS) with magnetoresistive bridge
US7592803B1 (en) Highly sensitive AMR bridge for gear tooth sensor
US20090115405A1 (en) Magnetic field angular sensor with a full angle detection
EP2284555B1 (en) Magnetic sensor including a bridge circuit
US11519977B2 (en) Stray field robust XMR sensor using perpendicular anisotropy
US9297635B2 (en) Magnetic sensor system including two detection circuits
US9200884B2 (en) Magnetic sensor system including three detection circuits
JP2006519370A (ja) 角度又は位置決定用の磁気抵抗式センサー
JP5062454B2 (ja) 磁気センサ
CN102317804A (zh) 测量磁场的至少一个分量的装置
JP2014516406A (ja) 単一チップブリッジ型磁界センサおよびその製造方法
JP4582298B2 (ja) 磁気式位置検出装置
US7095596B2 (en) Magnetoresistive sensor element and method for reducing the angular error of a magnetoresistive sensor element
WO2010014877A2 (en) Nanowire magnetic compass and position sensor
JP2002525610A (ja) 磁気抵抗型センサ素子、とりわけ角度センサ素子
CN115267623A (zh) 一种磁阻磁开关传感器
CA2232916C (en) Device for contactless sensing of the position of an object and related use
CN214585084U (zh) 一种磁传感器及基于磁传感器的无损检测装置
JP5062453B2 (ja) 磁気センサ
JP4984962B2 (ja) 磁気式角度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130628