JP5161433B2 - センサ装置 - Google Patents
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図1及び図2に示すように、磁気センサ1は、半導体(本実施形態ではシリコン)からなる基板10を備えている。基板10の上面には、酸化膜(本実施形態では二酸化珪素)からなる絶縁膜20が形成されている。この絶縁膜20は、基板10の上面の略全体を覆うかたちで形成されている。そして、絶縁膜20の上面には、負の磁気特性を有する強磁性体であるニッケルコバルトからなる磁気抵抗素子31〜38が形成されている。この磁気抵抗素子31〜38によってセンサ部が構成されており、この磁気抵抗素子31〜38の各々は、薄膜により所要のパターンに形成されている。
(1)本実施形態によれば、全ての中心線(中心線C1,C2及び対角線C3,C4)を対称軸として、その全ての対称軸に対して開口部H1,H2と線対称となる開口部H3をパッシベーション膜60に形成した。この開口部H3によって、パッシベーション膜60に形成される開口部を、全ての中心線を対称軸として線対称にすることができる。従って、パッシベーション膜60から各磁気抵抗素子31〜38に加わる応力を均一化することができるため、各磁気抵抗素子31〜38における電気抵抗値の変化のばらつきを低減することができるようになる。また、開口部H3は、マスクパターンを変更することによって、開口部H1,H2と同一工程にて形成することができるため、工程数を増加させることなく形成することができる。
・上記実施形態では、第3ボンディングパッドP3をダミーのボンディングパッドとして使用し、第2ボンディングパッドP2にボンディングワイヤWを接続するようにしたが、第3ボンディングパッドP3にボンディングワイヤWを接続するようにしてもよい。これによって、第2ボンディングパッドP2あるいは第3ボンディングパッドP3にボンディングワイヤWを接続することができるため、ボンディングワイヤWの配線の自由度を向上させることができる。
・層間絶縁膜40を酸化膜(例えば、二酸化珪素)により構成してもよい。
・パッシベーション膜60を酸化膜(例えば、二酸化珪素)により構成してもよい。
Claims (7)
- 基板と、前記基板上に設けられた複数のセンサエレメントと、前記基板上面を覆う保護膜と、前記保護膜の下層に形成された金属配線と、前記保護膜に形成される開口部により前記金属配線が露出されて形成されるボンディングパッドとを備え、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気抵抗値が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、
前記基板は、前記基板の中心点と前記基板の対向する各辺の中点とを通る中心線と、対角線とを有し、
前記開口部は、前記中心線上又は前記対角線上に設けられた複数の第1開口部と、前記中心線上及び前記対角線上にない複数の第2開口部とを有し、
前記第2開口部は各々、前記中心線に対して線対称に設けられており、
前記第2開口部を前記対角線に対して線対称とした位置に第3開口部が、前記保護膜に形成されてなることを特徴とするセンサ装置。 - 前記第3開口部は、その下層に形成された金属配線を露出させるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記第3開口部の下層に形成された金属配線が前記各センサエレメントに接続されたことを特徴とする請求項2に記載のセンサ装置。
- 前記金属配線が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項3に記載のセンサ装置。
- 前記センサエレメントの各々が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のセンサ装置。
- 前記複数のセンサエレメントによって2つ以上のフルブリッジ回路が形成されてなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のセンサ装置。
- 前記保護膜が、前記センサエレメントの周囲に沿って除去されてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のセンサ装置。
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