JP5936903B2 - 加速度信号処理装置および電子デバイス - Google Patents
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さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記2個のバンプ材は、前記周辺部の一方端側に配置されていることを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記バンプ材は、3個のバンプ材が前記周辺部に対応し、1個のバンプ材が中心体に対応することを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記3個のバンプ材は、前記周辺部の一方端側に配置されていることを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記バンプ材は、4個のバンプ材が前記周辺部に対応し、1個のバンプ材が前記中心体に対応することを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記バンプ材は、2個のバンプ材が前記中心体に対応することを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記対向電極は、前記2個のバンプ材に対応して分割されていることを特徴としている。
さらに、本発明の加速度信号処理装置は、前記周辺部に一端が接続されるとともに前記質量体に他端が接続される梁を有することを特徴としている。
さらに、本発明の電子デバイスは、上記いずれかの加速度信号処理装置を有し、前記加速度信号処理装置から出力される検出信号を検出し、前記検出信号に応じた所定の動作を行うことを特徴としている。
[加速度スイッチの構成]
まず本加速度スイッチの構成と動作について、図10および11に基づいて説明する。
図10は、本発明に係る、加速度スイッチ1の正面断面図である。図11は、図10におけるFF断面の断面図である。なお、図10は図11におけるGG断面の側面断面図である。
本発明における加速度スイッチ1の動作原理は、いわゆる接触式タイプであって、加速度スイッチ1に振動または加速度が加わった場合に、電位差を有する二つの部位が接触し、電気的に導通したことによって、加速度を検知するものである。具体的な動作を以下のように例示して説明する。
ここで、上記の加速度スイッチ1を回路基板に実装する場合を検討する。
本実施形態1における加速度スイッチ1を図1に示す。図1(a)は加速度スイッチ1の正面模式図であり、図1(b)は図1(a)におけるAA断面の加速度スイッチ1の断面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。
本実施形態2における加速度スイッチ1を図2に示す。図2(a)は加速度スイッチ1の正面模式図であり、図2(b)は図2(a)におけるBB断面の加速度スイッチ1の断面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態2が有する実施形態1との差異は、第二バンプ5bの配置に特徴がある。よって、以下、特に実施形態1との差異を記載し、実施形態1と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態3および本実施形態4における加速度スイッチ1を図3に示す。図3(a)は本実施形態3における加速度スイッチ1の正面模式図であり、図3(b)は本実施形態4における加速度スイッチ1の正面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態3,4が有する実施形態1、2との差異は、第二バンプ5bの配置に特徴がある。よって、以下、特に実施形態1、2との差異を記載し、実施形態1、2と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態5における加速度スイッチ1を図4に示す。図4(a)は加速度スイッチ1の正面模式図であり、図4(b)は図4(a)におけるCC断面の加速度スイッチ1の断面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態5が有する実施形態1乃至4との差異は、第三バンプ5cを設けた点に特徴がある。よって、以下、特に実施形態1乃至4との差異を記載し、実施形態1乃至4と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態6における加速度スイッチ1を図5に示す。図5(a)は加速度スイッチ1の正面模式図であり、図5(b)は図5(a)におけるDD断面の加速度スイッチ1の断面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態6が有する実施形態5との差異は、3つのバンプ材の位置に特徴がある。よって、以下、特に実施形態5との差異を記載し、実施形態5と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態7および本実施形態8における加速度スイッチ1を図6に示す。図6(a)は本実施形態7における加速度スイッチ1の正面模式図であり、図6(b)は本実施形態8における加速度スイッチ1の正面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態7,8が有する実施形態6との差異は、各バンプの配置に特徴がある。よって、以下、特に実施形態6との差異を記載し、実施形態6と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態9および本実施形態10における加速度スイッチ1を図7に示す。図7(a)は本実施形態9における加速度スイッチ1の正面模式図であり、図7(b)は本実施形態10における加速度スイッチ1の正面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態9,10が有する実施形態7,8との差異は、各バンプの配置に特徴がある。よって、以下、特に実施形態7,8との差異を記載し、実施形態7,8と同様の構成については、簡略して記載する。
本実施形態11における加速度スイッチ1を図8に示す。図8(a)は加速度スイッチ1の正面模式図であり、図8(b)は図8(a)におけるDD断面の加速度スイッチ1の断面模式図である。なお、簡単のために梁と錘は省略して記載する。本実施形態11が有する実施形態1との差異は、中心バンプの構成に特徴がある。よって、以下、特に実施形態1との差異を記載し、実施形態1と同様の構成については、簡略して記載する。
図9は、本実施形態12における加速度スイッチの実装に関する接続形式の一例を説明するための図である。図9(a)〜図9(d)までが途中の工程を示し、図9(e)は完成した状態を示している。実施形態1乃至11で示した構成と同じ構成については、図9で同じ符号を用いており、周辺部2、対向電極3、第二基板10および回路基板4は省略した。なお、本実施形態12は加速度信号処理装置の実装に関する接続形式の単なる一例に過ぎず、以下に記載した再配線層を構成する工程は必要に応じて削除したり、他の工程を追加したりすることが可能である。
2 周辺部
3 対向電極
4 回路基板
5 バンプ
6 中心バンプ
7 貫通電極
8 中心貫通電極
9 第一基板
10 第二基板
Claims (6)
- 回路基板と、前記回路基板上に配置されるバンプ材と、
前記バンプ材を介して前記回路基板に設置されるとともに絶縁性である第一基板と、前記第一基板に接続されるとともに半導体素子からなる周辺部および中心体と、前記バンプ材と前記周辺部および前記中心体を電気的に接続し前記第一基板に貫通する貫通電極と、
前記周辺部の内部で懸架される質量体と、を有する加速度スイッチと、によって構成される加速度信号処理装置であって、
前記回路基板と前記加速度スイッチとの接合において、前記バンプ材は、2個のバンプ材が前記周辺部に対応し、1個のバンプ材が前記中心体に対応することを特徴とする加速度信号処理装置。 - 前記2個のバンプ材は、前記周辺部の一方端側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の加速度信号処理装置。
- 回路基板と、前記回路基板上に配置されるバンプ材と、
前記バンプ材を介して前記回路基板に設置されるとともに絶縁性である第一基板と、前記第一基板に接続されるとともに半導体素子からなる周辺部および中心体と、前記バンプ材と前記周辺部および前記中心体を電気的に接続し前記第一基板に貫通する貫通電極と、
前記周辺部の内部で懸架される質量体と、を有する加速度スイッチと、によって構成される加速度信号処理装置であって、
前記回路基板と前記加速度スイッチとの接合において、前記バンプ材は、3個のバンプ材が前記周辺部に対応し、1個のバンプ材が前記中心体に対応することを特徴とする加速度信号処理装置。 - 前記3個のバンプ材は、前記周辺部の一方端側に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の加速度信号処理装置。
- 回路基板と、前記回路基板上に配置されるバンプ材と、
前記バンプ材を介して前記回路基板に設置されるとともに絶縁性である第一基板と、前記第一基板に接続されるとともに半導体素子からなる周辺部および中心体と、前記バンプ材と前記周辺部および前記中心体を電気的に接続し前記第一基板に貫通する貫通電極と、
前記周辺部の内部で懸架される質量体と、を有する加速度スイッチと、によって構成される加速度信号処理装置であって、
前記回路基板と前記加速度スイッチとの接合において、前記バンプ材は、4個のバンプ材が前記周辺部に対応し、1個のバンプ材が前記中心体に対応することを特徴とする加速度信号処理装置。 - 前記4個のバンプ材は、前記周辺部の四隅あるいは四辺端部に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の加速度信号処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098599A JP5936903B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 加速度信号処理装置および電子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012098599A JP5936903B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 加速度信号処理装置および電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013229116A JP2013229116A (ja) | 2013-11-07 |
JP5936903B2 true JP5936903B2 (ja) | 2016-06-22 |
Family
ID=49676575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012098599A Expired - Fee Related JP5936903B2 (ja) | 2012-04-24 | 2012-04-24 | 加速度信号処理装置および電子デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5936903B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11248742A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Denso Corp | 加速度センサ |
US7218193B2 (en) * | 2004-08-16 | 2007-05-15 | Lucent Technologies Inc. | MEMS-based inertial switch |
JP2011094987A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 回路モジュールおよび回路モジュールの製造方法 |
CN102844832B (zh) * | 2010-03-03 | 2015-07-22 | 精工电子有限公司 | 加速度开关及电子器件 |
-
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- 2012-04-24 JP JP2012098599A patent/JP5936903B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013229116A (ja) | 2013-11-07 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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