JP5602682B2 - 磁気センサ、及び磁気センサ用パターン - Google Patents
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Description
(磁気センサの構成)
図1において、全体を示す符号10は磁気センサの一例を示している。この磁気センサ10は、磁気検出素子である四つのMR素子(磁気抵抗素子)20,30,40,50をホイートストンブリッジ状に接続した等価回路(フルブリッジ回路)を備えている。
この四つのMR素子20,30,40,50のいずれともに同一構造及び同一形状を有しているため、この第1の実施の形態では一つのMR素子20の構造及び形状のみを説明する。
この第1の実施の形態に係る磁気センサ10の主要な構成は、MR素子20,30,40,50のパターンとパターン形成領域にある。よって、上記のように構成された磁気センサ10については、特に限定されるものではない。
この第1の実施の形態に係るMR素子20によれば、出力振幅の低下を抑制することができるようになり、磁気抵抗素子回路全体の磁界検出感度を高めることができる。
図3を参照すると、図3には第2の実施の形態に係るMR素子の要部が示されている。この第2の実施の形態の基本の構成にあっても、上記第1の実施の形態と同様に、MR素子のパターン形成領域にある。なお、同図において上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。
この第2の実施の形態に係るMR素子20にあっても、出力信号の振幅を大きく取れるため、磁界検出感度を高めることができる。
図4を参照すると、図4には第3の実施の形態に係るMR素子の要部が示されている。この第3の実施の形態にあっても、上記第1及び第2の実施の形態と同様に、MR素子のパターン形成領域を主要な構成としている。この第3の実施の形態においては、MR素子回路の構成、及びパターン形成領域の輪郭形状が上記第1の実施の形態とは異なっている。なお、同図において上記各実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付している。従って、これらの部材に関する詳細な説明は省略する。
この第3の実施の形態に係るMR素子20aにあっても、出力信号の振幅を大きく取り、磁界検出感度を高めることができる。それに加えて、同一構造及び同一形状を有する八つのMR素子20a〜50a、20b〜50bからなるMRセンサ10は、ダブルフルブリッジ型となっており、一方のフルブリッジ回路に故障が生じても、他方のフルブリッジ回路を用いて検出を継続することができる。これにより、検出の信頼性を向上させることが可能となる。
Claims (7)
- 四角形の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンと、
前記パターンの抵抗変化率が大きくなる第1領域、及び前記パターンの抵抗変化率が前記第1領域よりも小さくなる第2領域を有する四角形のパターン形成領域とを備え、
前記パターンは、前記第1領域、及び前記直線部分の抵抗値に対する前記折り返し部分の抵抗値の割合が大きくなる前記四角形のパターン形成領域の角部のうち、外部接続用のパッドが形成される側の角部を除いて前記第2領域の一部に連続して設けられ、
前記第2領域の前記パターンが存在しない領域には、ダミーパターンが設けられてなることを特徴とする磁気センサ。 - 前記第2領域の一部には、前記抵抗変化率が低下しない程度に前記パターンが設けられてなることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記パターン形成領域は長方形であり、
前記パターンの複数の直線部分は、前記長方形の対向する長辺に対して、45°の傾斜角をもって平行に配置されてなることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気センサ。 - 前記パターン形成領域は正方形であり、
前記パターンの複数の直線部分は、前記正方形の対角線に沿って平行に配置されてなることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気センサ。 - 前記パターンは対角線の交点を中心として点対称に配置されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の磁気センサ。
- 複数の磁気検出素子を有し、
前記複数の磁気検出素子のそれぞれは、前記パターン形成領域の形状が同一であり、前記パターンが同一の形状を有する膜からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の磁気センサ。 - 四角形のパターン形成領域の二辺に対して所定の傾斜角をもって平行に配置された複数の直線部分、及び隣接する直線部分の長さ方向両端部を交互に接続した複数の折り返し部分を有するパターンを備え、
前記パターンは、前記直線部分の抵抗値に対する前記折り返し部分の抵抗値の割合が大きくなる前記四角形のパターン形成領域の角部のうち、外部接続用のパッド及びダミーパターンが形成される側の角部を除いて設けられてなることを特徴とする磁気センサ用パターン。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011125093A JP5602682B2 (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | 磁気センサ、及び磁気センサ用パターン |
US13/466,226 US8957680B2 (en) | 2011-06-03 | 2012-05-08 | Magnetic sensor and pattern for magnetic sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011125093A JP5602682B2 (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | 磁気センサ、及び磁気センサ用パターン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012251892A JP2012251892A (ja) | 2012-12-20 |
JP5602682B2 true JP5602682B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=47261182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011125093A Active JP5602682B2 (ja) | 2011-06-03 | 2011-06-03 | 磁気センサ、及び磁気センサ用パターン |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8957680B2 (ja) |
JP (1) | JP5602682B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10551215B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-02-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Systems, circuits and methods for determining a position of a movable object |
US10145906B2 (en) | 2015-12-17 | 2018-12-04 | Analog Devices Global | Devices, systems and methods including magnetic structures |
JP2017120827A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0379180B1 (en) * | 1989-01-18 | 1996-11-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetic detection device and physical quantity detection device using same |
JP3186403B2 (ja) | 1993-03-11 | 2001-07-11 | 富士通株式会社 | 磁気的センサおよび信号変換回路 |
JPH08242027A (ja) | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗素子回路 |
EP0927361A1 (en) * | 1997-06-13 | 1999-07-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Sensor comprising a wheatstone bridge |
DE19830344C2 (de) * | 1998-07-07 | 2003-04-10 | Ipht Jena Inst Fuer Physikalis | Verfahren zum Einstellen der Magnetisierung der Biasschicht eines magneto-resistiven Sensorelements, demgemäß bearbeitetes Sensorelement sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignetes Sensorsubstrat |
JP3506078B2 (ja) * | 1999-11-25 | 2004-03-15 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
AU2003250275B2 (en) * | 2002-07-26 | 2008-01-31 | Robert Bosch Gmbh | GMR sensor element and use thereof |
JP4461098B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2010-05-12 | パナソニック株式会社 | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
US7279891B1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-10-09 | Honeywell International Inc. | Permalloy bridge with selectable wafer-anistropy using multiple layers |
JP4406632B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2010-02-03 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
JP2008170359A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | 位置検出装置 |
WO2009084434A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及び磁気センサモジュール |
US7592803B1 (en) * | 2008-06-23 | 2009-09-22 | Magic Technologies, Inc. | Highly sensitive AMR bridge for gear tooth sensor |
-
2011
- 2011-06-03 JP JP2011125093A patent/JP5602682B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-08 US US13/466,226 patent/US8957680B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012251892A (ja) | 2012-12-20 |
US20120306489A1 (en) | 2012-12-06 |
US8957680B2 (en) | 2015-02-17 |
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