RU2310829C2 - Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла - Google Patents

Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла Download PDF

Info

Publication number
RU2310829C2
RU2310829C2 RU2005133202/28A RU2005133202A RU2310829C2 RU 2310829 C2 RU2310829 C2 RU 2310829C2 RU 2005133202/28 A RU2005133202/28 A RU 2005133202/28A RU 2005133202 A RU2005133202 A RU 2005133202A RU 2310829 C2 RU2310829 C2 RU 2310829C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
fluoride
analysis
impurities
color centers
irradiation
Prior art date
Application number
RU2005133202/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2005133202A (ru
Inventor
Цугуо ФУКУДА (JP)
Цугуо ФУКУДА
Хирохиса КИКУЯМА (JP)
Хирохиса КИКУЯМА
Томохико САТОНАГА (JP)
Томохико САТОНАГА
Казухико СОГАМИ (JP)
Казухико СОГАМИ
Original Assignee
Стелла Кемифа Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Стелла Кемифа Корпорейшн filed Critical Стелла Кемифа Корпорейшн
Publication of RU2005133202A publication Critical patent/RU2005133202A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2310829C2 publication Critical patent/RU2310829C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Изобретение относится к анализу примесей (центров окраски) во фториде и получению ориентированного материала для выращивания монокристалла. Способ анализа включает облучение рентгеновскими лучами материала и сравнение коэффициентов пропускания до и после облучения. По полученным данным оптимизируют условия плавления, что позволяет выращивать из высокочистого расплавленного исходного материала монокристалл, менее подверженный повреждению рентгеновским излучением. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил., 2 табл.

Description

Область применения изобретения
Настоящее изобретение относится к способу анализа примесей и центров окраски во фториде и способу получения ориентированного материала для выращивания монокристалла.
Предпосылки изобретения
Полупроводниковые устройства с высокой степенью интеграции привели к возникновению источников света для литографии на более коротких длинах волн путем применения эксимерного лазера на ArF (193 нм) и эксимерного лазера на F2 (157 нм). В качестве оптического материала для шагового устройства фотолитографического аппарата в литографическом процессе используется монокристалл фторида, например фторида кальция, фторида бария, фторида магния или подобные, имеющий более высокую прозрачность в диапазоне более коротких длин волн. В процессе плавления как предварительном процессе для выращивания монокристалла фторида порошкообразный исходный материал расплавляют в состояние блока, тем самым уменьшая объем в тигле, занимаемый исходным материалом, чтобы можно было обеспечить загружаемое количество исходного материала, необходимое для выращивания монокристалла большого размера. Одновременно с вышеупомянутым загружают материал фторирования, именуемый "поглотителем", в процессе плавления для удаления влаги, оксидов и т.п., оставшихся в или созданных в исходном материале, тем самым достигая более высокой чистоты.
Хотя анализы проводят в отношении примесей, остаточного состояния поглотительного компонента, концентрации кислорода и пр. в качестве анализов подтверждения более высокой чистоты трудно проводить подтверждение и сравнение особенно важных эффективностей поглотителей, исходя из концентрации кислорода, поэтому подтверждение этого условия должно проводиться на основе оптической оценки физических свойств монокристалла, который уже получен, что значительно снижает эффективность.
Поэтому задачей настоящего изобретения является обеспечение способа анализа примесей и центров окраски во фториде, способного чрезвычайно просто анализировать примеси и центры окраски во фториде.
Другой задачей является обеспечение способа анализа примесей и центров окраски во фториде, позволяющего оценивать эффект добавлением поглотителя, до получения конечного монокристалла.
Сущность изобретения
Настоящее изобретение предлагает способ анализа примесей и центров окраски во фториде, отличающийся тем, что способ включает стадии:
облучения рентгеновскими лучами материала, содержащего часть, взятую из фторида в расплавленном состоянии в процессе плавления как предварительном процессе для процесса выращивания монокристалла, содержащего фторид;
сравнения друг с другом коэффициентов пропускания света материала до и после облучения рентгеновскими лучами, тем самым анализируя примеси и центры окраски в материале, чтобы таким образом определить условие плавления; и
затем осуществления выращивания кристалла.
Способ отличается тем, что фторид является одним из фторида кальция, фторида бария и фторида магния.
Способ отличается тем, что отжиг проводят до облучения рентгеновскими лучами. В результате отжига захваченные электроны и подобные переходят обратно на исходные уровни, соответственно, для возвращения к начальному состоянию. Это дает возможность оценки только примесей и центров окраски.
Способ отличается тем, что отжиг проводят при температурах от 300 до 500°C.
Способ отличается тем, что отжиг проводят в течение от 30 минут до 2 часов.
Способ отличается тем, что материал имеет поверхность, которая является зеркальной полированной поверхностью.
Способ отличается тем, что облучение проводят в течение периода времени 5 минут или более.
Способ отличается тем, что рентгеновские лучи обеспечивают при ускоряющем напряжении 20 кВ или выше и электрическом токе 10 мА или более. Применение рентгеновских лучей, генерируемых при ускоряющем напряжении 20 кВ или выше, позволяет изучать свойство устойчивости к рентгеновским лучам с более высокой точностью.
Способ отличается тем, что примеси являются центрами окраски, образованными оксидами, влагой и подобным.
Способ отличается тем, что облучение рентгеновскими лучами проводят много раз.
Способ отличается тем, что в процессе плавления как предварительном процессе для процесса выращивания монокристалла, содержащего фторид, берут часть из фторида в расплавленном состоянии и представляют эту часть в виде образца для анализа; анализируют примеси и центры окраски образца для анализа вышеописанным способом анализа и определяют условие добавления поглотителя на основании результата анализа.
Способ отличается тем, что фторид является фторидом бария (BaF2), и поглотитель является фторидом свинца (PbF2).
(Эффект)
Было обнаружено, что настоящее изобретение позволяет определять оптимальное условие добавления поглотителя на основании оценки устойчивости к повреждению, полученной путем облучения рентгеновскими лучами исходного материала фторида, например фторида кальция, фторида бария, фторида магния или подобного, полученного процессом плавления как предварительным процессом для процесса выращивания монокристалла и путем измерения коэффициентов пропускания материала фторида до и после облучения рентгеновскими лучами.
Свойства устойчивости к рентгеновским лучам ухудшаются, когда во фториде остаются примеси. Свойства устойчивости к рентгеновским лучам можно оценивать, проводя облучение рентгеновскими лучами и измеряя изменение между коэффициентами пропускания света до и после облучения рентгеновскими лучами.
Изменение коэффициента пропускания света можно оценить посредством μ(λ), заданного следующим уравнением:
Figure 00000001
μ - коэффициент оптического поглощения,
T0 - коэффициент пропускания света до облучения рентгеновскими лучами,
Tirr - коэффициент пропускания света после облучения рентгеновскими лучами.
Рентгеновские лучи (длина волны от 0,05 до 0,25 нм), подлежащие использованию, могут представлять собой белое рентгеновское излучение или характеристическое рентгеновское излучение.
Разные материалы фторида приводят к разным типам примесей и центрам окраски, которые ухудшают свойства устойчивости к рентгеновским лучам, соответственно. Сами компоненты поглотителей могут действовать как примеси.
В случае изучения, какие поглотители предпочтительны, отбирают образец, полученный после добавления поглотителя и проведения плавления, так что отобранный образец подвергается облучению рентгеновскими лучами для измерения коэффициентов пропускания света до и после облучения, что дает возможность знать, какие поглотители предпочтительны.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 - график изменения коэффициента пропускания света при облучении фторида кальция рентгеновскими лучами.
Фиг.2 - график изменения коэффициента пропускания света при облучении фторида бария рентгеновскими лучами в случае добавления поглотителя (фторида свинца).
Фиг.3 - график изменения коэффициента пропускания света при облучении фторида бария рентгеновскими лучами в случае добавления поглотителя (фторида цинка).
Фиг.4 - график изменения коэффициента пропускания света при облучении рентгеновскими лучами в случае добавления поглотителя (четырехфтористого углерода) во фториды (фторид бария), полученный из порошкообразных исходных материалов, отличающихся по чистоте.
Фиг.5 - график изменения коэффициента пропускания света при облучении рентгеновскими лучами фторида (фторида бария) в случае добавления к нему разных поглотителей.
Предпочтительные варианты осуществления изобретения
Способ предусматривает загрузку порошкообразного исходного материала фторида, предназначенного для литографии, например фторида кальция, в тигель из высокочистого углерода и плавление исходного материала в плавильной печи сопротивления, которая снабжена откачивающим устройством высокого вакуума и способна управлять окружающей атмосферой. Откачивание высокого вакуума проводится после загрузки исходного материала, и нагрев начинается после подтверждения, что степень вакуума достигла 1Ч10-3 Па или ниже, после чего исходный материал плавится. Это производят в условиях высокого вакуума до завершения, в случае использования фторида свинца, фторида цинка или подобного, который является твердым поглотителем. В свою очередь, закачивается газообразный CF4, например, до плавления в случае использования газообразного поглотителя, например CF4.
От полученного таким образом расплавленного прозрачного и бесцветного исходного материала отрезают кусок определенного размера и подвергают зеркальной полировке. Затем этот образец дополнительно подвергают отжигу при 400°C в течение 1 часа (и каждые 2 часа на увеличение и снижение температуры), чтобы перевести захваченные электроны и подобное обратно на исходные уровни, соответственно, чтобы вернуться в начальное состояние.
Затем, измеряют начальный коэффициент пропускания в диапазоне 190-800 нм с помощью спектроскопа для видимого/ультрафиолетового диапазона. Затем проводят облучение рентгеновскими лучами в 1-м условии облучения. Измеряют коэффициент пропускания сразу после облучения с помощью того же спектроскопа, после чего проводят облучение рентгеновскими лучами во 2-м условии облучения. Затем измеряют коэффициент пропускания сразу после облучения, после чего проводят облучение рентгеновскими лучами в 3-м условии облучения и снова измеряют коэффициент пропускания.
Полученные таким образом результаты измерений подставляют в следующее уравнение для получения коэффициентов поглощения, которые затем изображаются на графике.
Figure 00000002
μ - коэффициент оптического поглощения,
T0 - коэффициент пропускания света до облучения рентгеновскими лучами,
Tirr - коэффициент пропускания света после облучения рентгеновскими лучами.
Условия облучения рентгеновскими лучами приведены в таблице 1.
Таблица 1
  Напряжение (кВ) Ток (мА) Время облучения
D1 25 15 10 мин
D2 25 30 30 мин
D3 25 40 30 мин
(1-й вариант осуществления)
Вырастили образцы из расплава порошкообразного исходного материала высокочистого фторида кальция при двух видах условий, когда PbF2 использовался в качестве поглотителя, и когда поглотители не использовали, соответственно. Эти образцы испытали на повреждение рентгеновскими лучами. Результат приведен на фиг.1. Из нее отчетливо следует, что полученный кристалл имеет прекрасную устойчивость к повреждению, в случае использования PbF2 в качестве поглотителя. Без применения поглотителей, отчетливо наблюдаются центр F (357 нм) и центр F2 (550 нм), которые являются центрами окраски, специфическими для CaF2.
(2-й вариант осуществления)
Вырастили образцы из расплава порошкообразного исходного материала высокочистого фторида бария, используя PbF2 в качестве поглотителя. Их получили при условиях, что концентрации добавления PbF2 составляли 0,5, 1, 2, 3, 4 и 5 вес.%, соответственно. На фиг.2 показаны результаты испытания на повреждение рентгеновскими лучами для этих образцов. В результатах не наблюдаются зависимости устойчивости к повреждению от концентрации добавления.
(3-й вариант осуществления)
Вырастили образцы из расплава порошкообразного исходного материала высокочистого фторида бария, используя ZnF2 в качестве поглотителя. Их получили при условиях, что концентрации добавления ZnF2 составляли 0,5, 1, 2, 3, 4 и 5 вес.%, соответственно. На фиг.3 показаны результаты испытания на повреждение рентгеновскими лучами для этих образцов. В результатах наблюдаются зависимости устойчивости к повреждению от концентрации добавления. Измерение остаточных концентраций Zn приведено в Таблице 2, так что его остатки были подтверждены, и было подтверждено, что они сильно влияют на устойчивость к повреждению.
(4-й вариант осуществления)
Вырастили образцы из расплава порошкообразного исходного материала высокочистого фторида бария, и (B) порошкообразного исходного материала фторида бария чуть более низкого качества, используя CF4 в качестве поглотителя. На фиг.4 показаны результаты испытания на повреждение рентгеновскими лучами для этих образцов. Они подтверждают влияние примесей на основании результата, что при использовании высокочистого фторида бария была достигнута более высокая устойчивость к повреждению, чем в случае (В).
(5-й вариант осуществления)
В результате рассмотрения условий поглотителя фторида бария в вариантах осуществления 2, 3 и 4, было подтверждено из фиг.5, что наивысшая устойчивость к повреждению получается в случае использования PbF2.
Концентрация добавления 0,5 вес.% ZnF2 1 вес.% ZnF2 2 вес.% ZnF2 3 вес.% ZnF2 4 вес.% ZnF2 5 вес.% ZnF2
Zn 0,1 0,4 0,6 1,0 1,2 0,8
Промышленная применимость
Согласно настоящему изобретению, становится возможным быстро оптимизировать условие плавления, включая условие добавления для поглотителя и подобное, с учетом продуктивности расплавленного исходного материала фторида, путем органического объединения анализа примесей, программы плавления и подобного друг с другом.

Claims (10)

1. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде, отличающийся тем, что включает стадии облучения рентгеновскими лучами материала, содержащего часть, взятую из фторида в расплавленном состоянии в процессе плавления как предварительном процессе для процесса выращивания монокристалла, содержащего фторид, сравнения друг с другом коэффициентов пропускания света материала до и после облучения рентгеновскими лучами, тем самым анализируя примеси и центры окраски в материале, чтобы таким образом определить условие плавления.
2. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.1, отличающийся тем, что фторид является одним из фторида кальция, фторида бария и фторида магния.
3. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.1 или 2, отличающийся тем, что образец имеет поверхность, которая является зеркально полированной поверхностью.
4. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.3, отличающийся тем, что до облучения рентгеновскими лучами проводят отжиг образца.
5. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.4, отличающийся тем, что отжиг проводят при температуре 300-400°С.
6. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.5, отличающийся тем, что отжиг проводят в течение времени от 30 мин до 2 ч.
7. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят в течение периода времени 5 мин или более.
8. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.1, отличающийся тем, что рентгеновские лучи обеспечивают при ускоряющем напряжении 20 кВ или выше и электрическом токе 10 мА или более.
9. Способ анализа примесей и центров окраски во фториде по п.1, отличающийся тем, что облучение рентгеновскими лучами проводят много раз.
10. Способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла, отличающийся тем, что включает следующие стадии: в процессе плавления как предварительном процессе для процесса выращивания монокристалла, содержащего фторид, берут часть фторида в расплавленном состоянии и представляют эту часть в виде образца для анализа, анализируют примеси и центры окраски образца для анализа посредством способа анализа по любому из пп.1-9, и определяют условие добавки поглотителя на основании результата анализа.
RU2005133202/28A 2003-03-28 2004-03-04 Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла RU2310829C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-091763 2003-03-28
JP2003091763A JP4020313B2 (ja) 2003-03-28 2003-03-28 フッ化物中の不純物及び色中心分析方法及び単結晶育成用材料の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005133202A RU2005133202A (ru) 2006-06-10
RU2310829C2 true RU2310829C2 (ru) 2007-11-20

Family

ID=33127291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005133202/28A RU2310829C2 (ru) 2003-03-28 2004-03-04 Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20070034139A1 (ru)
EP (1) EP1612539A1 (ru)
JP (1) JP4020313B2 (ru)
KR (1) KR20060015480A (ru)
CN (1) CN1768259A (ru)
BR (1) BRPI0408728A (ru)
RU (1) RU2310829C2 (ru)
TW (1) TW200502542A (ru)
WO (1) WO2004088288A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060086901A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Price L S Methods and apparatus for improving the reliability and accuracy of identifying, analyzing and authenticating objects, including chemicals, using multiple spectroscopic techniques
JP6035584B2 (ja) * 2010-11-26 2016-11-30 日本結晶光学株式会社 蛍石結晶の製造方法
CN114941170B (zh) * 2022-05-11 2024-02-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种提高氟化钙晶体193nm激光辐照硬度的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1795738A1 (ru) * 1990-02-27 1995-09-27 Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете Люминесцентный способ определения концентрации центров свечения в кислород- и фторсодержащих кристаллах
JP2001023884A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Nikon Corp 真空紫外光リソグラフィー装置、その製造方法、及びフッ化物結晶材料の検査方法
JP2002234795A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Nec Tokin Corp フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6512921A (ru) * 1965-10-06 1967-04-07
US3769230A (en) * 1972-04-28 1973-10-30 Hughes Aircraft Co Calcium fluoride-rare earth fluoride fluorescent compound useful as alaser crystal
JPS60131900A (ja) * 1983-12-16 1985-07-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶の製造方法
US5589690A (en) * 1995-03-21 1996-12-31 National Institute Of Standards And Technology Apparatus and method for monitoring casting process
DE19548845B4 (de) * 1995-12-27 2008-04-10 Crystal Growing Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren
US6055293A (en) * 1998-06-30 2000-04-25 Seh America, Inc. Method for identifying desired features in a crystal
US6350310B1 (en) * 1999-06-07 2002-02-26 Sandia Corporation Crystal growth and annealing for minimized residual stress
US6504156B1 (en) * 1999-07-16 2003-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic scintillator material and manufacturing method thereof, and radiation detector therewith and radiation inspection apparatus therewith
US6788389B2 (en) * 2001-07-10 2004-09-07 Nikon Corporation Production method of projection optical system
US6760403B2 (en) * 2001-10-25 2004-07-06 Seh America, Inc. Method and apparatus for orienting a crystalline body during radiation diffractometry

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1795738A1 (ru) * 1990-02-27 1995-09-27 Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете Люминесцентный способ определения концентрации центров свечения в кислород- и фторсодержащих кристаллах
JP2001023884A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Nikon Corp 真空紫外光リソグラフィー装置、その製造方法、及びフッ化物結晶材料の検査方法
JP2002234795A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Nec Tokin Corp フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SATO H. et al. Induced Absorption Phenomena, Thermoluminescence and Colour Centres in KMgF, BaLiF and LiCaAlF Complex Fluorides. Japanese Journal of Applied Phisics. V.41, p.1, №4а, April 2002, p.2002-2033. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1768259A (zh) 2006-05-03
TW200502542A (en) 2005-01-16
EP1612539A1 (en) 2006-01-04
KR20060015480A (ko) 2006-02-17
BRPI0408728A (pt) 2006-03-07
JP2004301532A (ja) 2004-10-28
WO2004088288A1 (ja) 2004-10-14
US20070034139A1 (en) 2007-02-15
JP4020313B2 (ja) 2007-12-12
RU2005133202A (ru) 2006-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980080862A (ko) 불화물 결정, 광학 제품, 및 불화물 결정의 제조 방법
CN108414499B (zh) 校准曲线的制作方法、碳浓度测定方法及硅晶片的制造方法
CN1429285A (zh) 光学制版用的氟化物晶体透镜的坯体
JP4540636B2 (ja) 光学材料の不可逆性放射線損傷測定方法
RU2310829C2 (ru) Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла
JP2012197220A (ja) 合成石英ガラス成形体の検査方法、合成石英ガラス部材の検査方法及び合成石英ガラス部材の製造方法
US6603547B2 (en) Method for determination of the radiation stability of crystals
JP5260797B2 (ja) 蛍石の製造方法
US7688444B2 (en) Method of determining laser stabilities of optical materials, crystals selected according to said method, and uses of said selected crystals
JP2008230958A (ja) ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法
JP2011220941A (ja) フッ化カルシウム単結晶の評価方法、及び光学部材用の硝材の製造方法
JP3337605B2 (ja) マグネシウム含有蛍石とそれを用いた光学系及び露光装置
JP2011232242A (ja) 電子線励起真空紫外発光測定装置用の校正用標準試料
JP2011026142A (ja) フッ化物結晶の育成方法、フッ化物結晶及び光学部材
JP4427217B2 (ja) 真空紫外用の光学部材のためのフッ化バリウム単結晶体およびその製造方法
JP4706354B2 (ja) フッ化物単結晶及びフッ化カルシウム単結晶の選別方法
JP2005534611A (ja) ＜２００ｎｍレーザリソグラフィーのための散乱のないＵＶ光学フッ化物結晶素子および方法
US9448330B2 (en) Fluorite
JP2652847B2 (ja) レーザ光用光学系部材及びリソグラフィ装置用光学系部材
JP2000119098A (ja) フッ化カルシウム結晶製造方法およびレンズ
JP3266691B2 (ja) エキシマレーザー用光学材料の検査方法
US20060037531A1 (en) Furnace purification and metal fluoride crystals grown in a purified furnace
JP2004307289A (ja) 結晶製造方法
JP2011185718A (ja) フッ化金属単結晶のレーザー耐久性の評価方法および光学部材用の硝材の製造方法
JP2006162425A (ja) フッ化物の光学特性評価法、光学材料、及び蛍石結晶製造法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090305