JP2001023884A - 真空紫外光リソグラフィー装置、その製造方法、及びフッ化物結晶材料の検査方法 - Google Patents

真空紫外光リソグラフィー装置、その製造方法、及びフッ化物結晶材料の検査方法

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JP2001023884A
JP2001023884A JP11194188A JP19418899A JP2001023884A JP 2001023884 A JP2001023884 A JP 2001023884A JP 11194188 A JP11194188 A JP 11194188A JP 19418899 A JP19418899 A JP 19418899A JP 2001023884 A JP2001023884 A JP 2001023884A
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excimer laser
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Shigeru Sakuma
繁 佐久間
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】光学材料のF2レーザ等の真空紫外光に対する耐
久性を検査するためには、実際に真空紫外光源を用いて
照射する必要があるが、酸素濃度が極めて少ない環境下
で行われる必要があり高度な技術と設備が必要になる。 【解決手段】ArFエキシマレーザ光に対する耐久性と
F2レーザまたは185nm以下の真空紫外光に対する耐
久性には、ある範囲において相関があることを見いだ
し、ArFエキシマレーザを照射することによって、1
85nm以下の真空紫外光による透過率低下量を予測す
ることを可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長185nm以下の
真空紫外光を用いた光リソグラフィー装置とその製造方
法、およびその光学材料であるフッ化物結晶材料の検査
方法に関するものである。本発明はなかでもF2レーザ
(157nm)、ArCl(175nm)、Kr2(146nm)、Ar2(126n
m)エキシマレーザや非線形光学効果を利用した固体レー
ザ、その他の真空紫外光を用いた光リソグラフィー装置
であるステッパーやスキャナーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年におけるVLSIは、高集積化、高機能
化が進行し、ウェハ上の微細加工技術の向上が望まれて
いる。微細加工方法としては、光リソグラフィーによる
方法が一般的に行われている。現在では、露光波長もし
だいに短波長となり、ArFエキシマレーザ光(波長1
93nm)を光源とするステッパーも市場に登場してき
ている。193nm波長で、光リソグラフィー用として
使える光学材料は非常に少なく、フッ化カルシウム結晶
と石英ガラスの2種類で設計されている。
【0003】そして、さらに微細加工をするために、光
源の波長を短くする試みが行われており、F2レーザ光を
利用した光リソグラフィー技術への要望が近年高まりつ
つある。しかし、その波長では、もはや石英ガラスは使
用が困難と予想され、フッ化カルシウム結晶に代表され
るフッ化物結晶が残された材料と考えられている。フッ
化カルシウム結晶は従来、ブリッジマン−ストックバー
ガー法(引き下げ法)で製造される。人工合成された不
純物の少ないフッ化カルシウムの粉末に、スカベンジャ
ーと呼ばれるフッ素化剤(たとえばフッ化鉛など)を添
加し、真空中で昇温、溶融した後、0.5〜5mm/時間とい
う速度でルツボを引き下げ、結晶成長を行う。熱応力を
除去するための熱処理を経たのち、切断、加工されて光
学材料用の素材となる。その他のフッ化物結晶も、類似
の方法で製造される。これらの素材から、光リソグラフ
ィー用のプリズム、ミラーや各種レンズ等の光学材料が
製作される。光学材料はさらに所要の精度で光学研磨が
施され、所要のコーティングが施される。特開平7-2810
01号公報には、紫外線光学系に用いられる紫外線光学用
蛍石について、エネルギー密度50〜500mJ/cm2、50〜500
Hzのレーザ光を104〜107ショット照射したときの内部透
過率が厚さ10mm当たり90.0%以上であることを特徴とす
る紫外線光学用蛍石が記載されている。特開平10-1310
号公報には、フッ化カルシウム結晶に含有されるナトリ
ウム量が0.2ppm以下であり、エネルギー密度100mJ/(cm2
・pulse)のArFエキシマレーザを10,000パルス以上照
射した時の193nmの透過率低下が厚さ1cmあたり5%
以下であるフッ化カルシウム結晶が記載されている。
【0004】また、本発明者らは先に、フルエンス50mJ
/cm2/パルス以下の光を照射した時の透過率の低下率が
0.5%/cm以下である光学材料が波長185nm以下の光源を用
いる光リソグラフィー装置に適していることを見いだし
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光学材料のF2レーザま
たは185nm以下の真空紫外光に対する耐久性を検査
するためには、実際にF2レーザまたは波長185nm以下の
光源を用いて照射する必要があった。これらの波長の光
は、空気中の酸素によって吸収されるため、照射装置は
酸素濃度が極めて少ない環境下で行われる必要がある。
したがって、波長185nm以下の光を照射してその透過率
変化を測定することは、高度な技術と設備、そして多く
の設備投資額が必要になる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明においては、光学
材料のArFエキシマレーザに対する耐久性とF2レーザ
または185nm以下の真空紫外光に対する耐久性の関
係について調査した。これらの関係については、これま
で全く知見がなかった。その結果、ArFエキシマレー
ザ光に対する耐久性とF2レーザまたは185nm以下の
真空紫外光に対する耐久性には、ある範囲において相関
があることを見いだし、ArFエキシマレーザを照射す
ることによって、185nm以下の真空紫外光による透
過率低下量を予測することが可能となることを発明し
た。すなわち本発明は、「複数のフッ化物結晶材料にA
rFエキシマレーザを照射して透過率低下量を測定する
工程と、前記測定結果に従って複数のフッ化物結晶材料
を分類する工程と、複数の光学部材から構成される結像
光学系の光学設計に従い、各々の光学部材に照射される
光のフルエンスに応じて前記分類したフッ化物結晶材料
を配置して結像光学系を組み立てる工程とを含む波長18
5nm以下の真空紫外光リソグラフィー装置の製造方法」
を提供する。本発明において照射される光のフルエンス
に応じてフッ化物結晶材料を選択する際、好ましくは照
射される光のフルエンスが1mJ/cm2/p以上の光学部材と
して100mJ/cm2/pのArFエキシマレーザ照射時の透過
率低下量が10,000パルス照射後で0.2%/cm以下であるフ
ッ化物結晶材料、0.1mJ/cm2/p以上の光学部材として100
mJ/cm2/pのArFエキシマレーザ照射時の透過率低下量
が10,000パルス照射後で1.0%/cm以下であるフッ化物結
晶材料、0.1mJ/cm2/p未満の光学部材として100mJ/cm2/p
のArFエキシマレーザ照射時の透過率低下量が10,000
パルス照射後で3.0%/cm以下であるフッ化物結晶材料を
各々配置する。本発明はまた、上記方法により得られる
真空紫外光リソグラフィー装置を提供する。本発明はま
た、上記真空紫外光リソグラフィー装置の光学部材とし
て用いられるフッ化物結晶材料例えばフッ化カルシウム
結晶の検査方法として、フッ化物結晶材料にArFエキ
シマレーザを照射したときの透過率低下量により、真空
紫外光を照射したときの透過率低下量を予測することを
特徴とする検査方法を提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】光リソグラフィー用の光源とし
て、185nm以下の波長では、F2レーザ(157nm)、ArC
l(175nm)、Kr2(146nm)、Ar2(126nm)エキシマレー
ザや非線形光学効果を利用した固体レーザが考えられ
る。ここでは、F2レーザを例として実施例を説明する
が、本発明は他の波長の光源についても同様であり、F
2レーザだけに特定されるものではない。本発明者は、
フッ化カルシウム結晶におけるF2レーザに対する耐久
性とArFエキシマレーザに対する耐久性を鋭意研究し
た。その結果、以下の実施例で述べるような相関が得ら
れ、この相関を利用することによって煩雑なF2レーザ
の照射テストを行わずとも、耐久性の良好なフッ化カル
シウム結晶を判別できることがわかった。つまり、実施
例中の式(1)を用いることで、例えば、F2レーザのフル
エンス50mJ/cm2/pulseで0.5%/cmの透過率低下まで許容
できる場合、ArFエキシマレーザ100mJ/cm2/pulse照
射では0.04%/cm以下のものを選別すればよいことにな
る。現在、F2リソグラフィー装置においてもっともフ
ルエンスの大きい箇所では、10mJ/cm2/pulse程度と予想
されている。式(1)は、フルエンス5mJ/cm2/pulseで
の結果から導いたものであり、低フルエンスになると厳
密には成立しない。本発明においては、フルエンス1mJ/
cm2/pulse以上ではArFエキシマレーザ照射による透
過率変化が0.2%/cm以下、フルエンス0.1mJ/cm2/pulse以
上では透過率変化1.0%/cm以下、フルエンス0.1mJ/cm2/p
ulse未満では透過率変化3.0%/cm以下と分類することが
効果的であることを見いだした。もちろん、すべての光
学部材にArFエキシマレーザ100mJ/cm2/pulse照射時
の透過率変化が0.2%/cm以下のフッ化カルシウムを用い
ても耐久性は良好なものとなる。しかしながら、照射さ
れる光のフルエンスに応じて要求される透過率低下量を
定めることにより、フッ化カルシウムの選択を歩留まり
良く行うことができるという利点がある。
【0008】ここで、ArFエキシマレーザ照射時の透
過率低下量とは、ArFエキシマレーザの波長193nmに
おける透過率の低下量のことである。また、フッ化カル
シウム結晶にArFエキシマレーザを照射した場合と、
2レーザを照射した場合に生成するカラーセンターの
波長位置は類似しており、典型的なものは380nmと600nm
である。したがって,たとえばArFエキシマレーザを
照射したことによって生成する380nmの吸収ピーク面
積、または強度を比較することによっても、F2レーザ
照射時の透過率低下量を予測することが可能である。フ
ッ化物結晶材料は、10,000パルスの光照射により透過率
変化(透過率低下)の挙動がほぼ飽和しているため、本
発明においては10,000パルス照射後の透過率低下量を基
準とした。
【0009】ArFエキシマレーザに対するフッ化物結
晶の耐久性は、不純物濃度に大きく依存する。このた
め、本発明においてもArFエキシマレーザ照射による
透過率低下量の管理とともに、不純物濃度による材料の
選別を行うことが好ましい。耐久性の優れたフッ化物結
晶を製造するためには、粉末原料の段階から不純物の含
有量を厳しく抑え、管理することが好ましい。そして、
光学材料が使用される場所のフルエンスに応じて、あら
かじめ分類してある耐久性別に材料を振り分けること
で、不良率を減らし、コストアップを抑えることが可能
となる。不純物であるNa含有量と、ArFエキシマレ
ーザ耐久性との相関については特開平10-1310号公報に
記載がある。Naの分析手法として、放射化分析が揚げ
てあるが、あまり普及した方法ではない。一般的には、
原子吸光光度法が用いられるが、検出下限は0.1pp
m程度である。Na含有量が0.1ppm以下になる
と、ArFエキシマレーザ耐久性との相関がNa含有量
だけからは決まらないので、実際にレーザを照射する試
験が必要になる。図2は、反射屈折光学系を備えた投影
露光装置(光リソグラフィー装置)の全体構成を概略的
に示す図である。なお、図2において、投影光学系を構
成する反射屈折光学系8の光軸AXに平行にZ軸を、光
軸AXに垂直な面内において図2の紙面に平行にX軸
を、紙面に垂直にY軸を設定している。図示の投影露光
装置は、紫外領域の照明光を供給するための光源とし
て、F2レーザ(発振中心波長157.6nm)を備えている。
光源1から射出された光は、照明光学系2を介して、所
定のパターンが形成されたマスク3を均一に照明する。
【0010】なお、光源1から照明光学系2までの光路
には、必要に応じて光路を変更するための1つまたは複
数の折り曲げミラーが配置されている。また、照明光学
系2は、例えばフライアイレンズや内面反射型インテグ
レータからなり所定のサイズ・形状の面光源を形成する
オプティカルインテグレータや、マスク3上での照明領
域のサイズ・形状を規定するための視野絞り、この視野
絞りの像をマスク上へ投影する視野絞り結像光学系など
の光学系を有する。さらに、光源1と照明光学系2との
間の光路はケーシング(不図示)で密封されており、光
源1から照明光学系2中の最もマスク側の光学部材まで
の空間は、露光光の吸収率が低い不活性ガスで置換され
ている。
【0011】マスク3は、マスクホルダ4を介して、マ
スクステージ5上においてXY平面に平行に保持されて
いる。マスク3には転写すべきパターンが形成されてお
り、パターン領域全体のうちY方向に沿って長辺を有し
且つX方向に沿って短辺を有する矩形状(スリット状)
のパターン領域が照明される。マスクステージ5は、マ
スク面(すなわちXY平面)に沿って二次元的に移動可
能であり、その位置座標はマスク移動鏡6を用いた干渉
計7によって計測され且つ位置制御されるように構成さ
れている。
【0012】マスク3に形成されたパターンからの光
は、反射屈折型の投影光学系8を介して、感光性基板で
あるウエハ9上にマスクパターン像を形成する。ウエハ
9は、ウエハホルダ10を介して、ウエハステージ11
上においてXY平面に平行に保持されている。そして、
マスク3上での矩形状の照明領域に光学的に対応するよ
うに、ウエハ9上ではY方向に沿って長辺を有し且つX
方向に沿って短辺を有する矩形状の露光領域にパターン
像が形成される。ウエハステージ11は、ウエハ面(す
なわちXY平面)に沿って二次元的に移動可能であり、
その位置座標はウエハ移動鏡12を用いた干渉計13に
よって計測され且つ位置制御されるように構成されてい
る。また、図示の投影露光装置では、投影光学系8の内
部が機密状態を保つように構成され、投影光学系8の内
部の気体は不活性ガスで置換されている。さらに、照明
光学系2と投影光学系8との間の狭い光路には、マスク
3およびマスクステージ5などが配置されているが、マ
スク3およびマスクステージ5などを密封包囲するケー
シング(不図示)の内部に不活性ガスが充填されてい
る。
【0013】また、投影光学系8とウエハ9との間の狭
い光路には、ウエハ9およびウエハステージ11などを
密封包囲するケーシング(不図示)の内部に窒素やヘリ
ウムガスなどの不活性ガスが充填されている。このよう
に、光源1からウエハ9までの光路の全体に亘って、露
光光がほとんど吸収されることのない雰囲気が形成され
ている。上述したように、投影光学系8によって規定さ
れるマスク3上の視野領域(照明領域)およびウエハ9
上の投影領域(露光領域)は、X方向に沿って短辺を有
する矩形状である。したがって、駆動系および干渉計
(7、13)などを用いてマスク3およびウエハ9の位
置制御を行いながら、矩形状の露光領域および照明領域
の短辺方向すなわちX方向に沿ってマスクステージ5と
ウエハステージ11とを、ひいてはマスク3とウエハ9
との同期的に移動(走査)させることにより、ウエハ9上
には露光領域の長辺に等しい幅を有し且つウエハ9の走
査量(移動量)に応じた長さを有する領域に対してマス
クパターンが走査露光される。図2において、投影光学
系8を構成するすべての屈折光学部材(レンズ成分)に
はフッ化カルシウム結晶からなる光学材料を使用し、そ
のすべてあるいは一部の光学材料として、本発明の材料
を用いる。図3は、図2にかかる反射屈折光学系(投影
光学系8)のレンズ構成を示す図である。
【0014】図3の反射屈折光学系からなる投影光学系
8は、マスク3のパターンの一次像(中間像)Iを形成
するための第1結像光学系K1と、一次像Iからの光に
基づいてマスクパターンの二次像を縮小倍率で感光性基
板であるウエハ9上に形成するための第2結像光学系K
2とから構成されている。第1結像光学系K1は、マス
ク側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群G1
と、開口絞りSと、正の屈折力を有する第2レンズ群G
2とから構成されている。
【0015】第2結像光学系K2は、マスク側から順
に、ウエハ側に凹面を向けた表面反射面R1を有し且つ
中央に開口部を有する主鏡M1と、レンズ成分L2と、
そのウエハ側のレンズ面上に設けられ且つ中央に開口部
を有する反射面R2を備えた副鏡M2とから構成されて
いる。すなわち、別の観点によれば、副鏡M2とレンズ
成分L2とは裏面反射鏡を構成し、レンズ成分L2は裏
面反射鏡の屈折部を構成している。
【0016】なお、投影光学系8を構成するすべての光
学要素(G1、G2、M1、M2)は単一の光軸AXに
沿って配置されている。また、主鏡M1は一次像Iの形
成位置の近傍に配置され、副鏡M2はウエハ9に近接し
て配置されている。こうして、マスク3のパターンから
の光が、第1結像光学系K1を介して、マスクパターン
の一次像(中間像)Iを形成する。一次像Iからの光
は、主鏡M1の中央開口部およびレンズ成分L2を介し
て副鏡M2で反射され、副鏡M2で反射された光はレン
ズ成分L2を介して主鏡M1で反射される。主鏡M1で
反射された光は、レンズ成分L2および副鏡M2の中央
開口部を介してウエハ9面上にマスクパターンの二次像
を縮小倍率で形成する。
【0017】本発明において、結像光学系とは、照明光
学系及び/又は投影光学系を示す。本発明のArFエキ
シマレーザ照射による材料の選別は、結像光学系を構成
する全ての光学部材において実施されることが好ましい
が、少なくとも一部の部材の透過率低下量を管理するこ
とにより、光リソグラフィー装置としての耐久性が向上
する。
【0018】
【実施例】原料の不純物濃度の異なる3種類のフッ化カ
ルシウム結晶(A,B,C)から、φ30×10[mm]の
サンプルを2個ずつ切り出し、平行2平面を光学研磨し
た。まず、A,B,C一つずつをArFエキシマレーザ
に照射し、その透過率低下量を測定した。照射条件は、
フルエンス100mJ/cm2/パルス、繰り返し周波数100Hzで
ある。10,000パルス照射の前後で、Varian社製の分光光
度計Cary5を用い、193nmにおける透過率の変化量を測定
した。そして、もう一つずつのサンプルA,B,Cにつ
いて、F2レーザを照射した。フルエンスは、5mJ/cm2/
パルス、繰り返し周波数200Hzであり、1E6パルス照射前
後の157nmにおける透過率変化を測定した。各サンプル
の、2種類のレーザーによる透過率変化を表1に示し
た。
【0019】
【表1】
【0020】この結果から、ArFエキシマレーザ照射
による193nmにおける透過率低下量と、F2レーザ照射に
よる157nmにおける透過率低下量には、非常によい相関
があることがわかる。つまり、F2レーザ耐久性を判断
するにおいて、実際にF2レーザを照射せずとも、Ar
Fエキシマレーザを照射し、193nmにおける透過率低下
量を測定することで、判断が可能となる。また、各サン
プルのNa不純物量を原子吸光光度法により定量分析を
行った。その結果も表1に記載してあるが、F2レーザ
耐久性及びArFエキシマレーザ耐久性とよい相関があ
ることがわかる。また、ArFエキシマレーザ照射によ
る透過率低下量が0.2%/cm以下であるためには、Na不
純物量が0.1ppm以下であることが必要条件である
ことがわかる。ArFエキシマレーザのフルエンスに対
する影響は、特開平7-281001号公報の記載のように、透
過率低下量とフルエンスは線形の関係あり、F2レーザ
においても同様な関係にあることが推測される。そこ
で、これらの関係を考慮することにより、次の式によっ
てF2レーザを照射した時の157nmにおける透過率低下量
を予測することができる。
【0021】
【式1】
【0022】図1にArFエキシマレーザとF2レーザ
照射によって低下する透過率量の相関を示した。非常に
よい相関があることがわかる。
【0023】
【発明の効果】本発明によって、F2レーザ照射試験を
せずに耐久性の評価をすることが簡易的にできるように
なり、光学材料の品質保証が容易になり、結果として材
料コストを下げることになる。また、ArFエキシマレ
ーザ耐久性の優れた光学材料は、F2レーザ耐久性も優
れていることになり、材料の有効活用も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 F2レーザとArFエキシマレーザを照射し
たことによる透過率低下量の関係図
【図2】 本発明にかかる投影露光装置の全体構成を概
略的に示す図
【図3】 図3の投影露光装置における反射屈折光学系
(投影光学系)のレンズ構成を示す図
【符号の説明】
1 レーザ光源 2 照明光学系 3 マスク 4 マスクホルダ 5 マスクステージ 6、12 移動鏡 7、13 干渉計 8 投影光学系 9 ウエハ 10 ウエハホルダ 11 ウエハステージ AX 光軸 K1 第1結像光学系 K2 第2結像光学系 G1 第1レンズ群 G2 第2レンズ群 S 開口絞り M1 主鏡 M2 副鏡 L 中間像 Li 各レンズ成分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 516D

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のフッ化物結晶材料にArFエキシマ
    レーザを照射して透過率低下量を測定する工程と、前記
    測定結果に従って複数のフッ化物結晶材料を分類する工
    程と、複数の光学部材から構成される結像光学系の光学
    設計に従い、各々の光学部材に照射される光のフルエン
    スに応じて前記分類したフッ化物結晶材料を配置して結
    像光学系を組み立てる工程と、を含む波長185nm以下の
    真空紫外光リソグラフィー装置の製造方法。
  2. 【請求項2】複数のフッ化物結晶材料にArFエキシマ
    レーザを照射して透過率低下量を測定する工程と、前記
    測定結果に従って複数のフッ化物結晶材料を分類する工
    程と、照射される光のフルエンスが1mJ/cm2/p以上の光
    学部材として100mJ/cm2/pのArFエキシマレーザ照射
    時の透過率低下量が10,000パルス照射後で0.2%/cm以下
    であるフッ化物結晶材料、照射される光のフルエンスが
    0.1mJ/cm2/p以上の光学部材として100mJ/cm2/pのArF
    エキシマレーザ照射時の透過率低下量が10,000パルス照
    射後で1.0%/cm以下であるフッ化物結晶材料、照射され
    る光のフルエンスが0.1mJ/cm2/p未満の光学部材として1
    00mJ/cm2/pのArFエキシマレーザ照射時の透過率低下
    量が10,000パルス照射後で3.0%/cm以下であるフッ化物
    結晶材料を、各々配置して結像光学系を組み立てる工程
    と、を含む波長185nm以下の真空紫外光リソグラフィー
    装置の製造方法。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の光リソグ
    ラフィー装置の製造方法において、前記結像光学系に照
    射される光がF2レーザ(波長157nm)光であるこ
    とを特徴とする真空紫外光リソグラフィー装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】波長185nm以下の真空紫外光により所定の
    パターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、
    前記マスクのパターンの像を基板上に投影する投影光学
    系とからなる光リソグラフィー装置において、照明光学
    系及び/又は投影光学系の少なくとも一部に100mJ/cm2/
    pのArFエキシマレーザ照射時の透過率低下量が10,00
    0パルス照射後で0.2%/cm以下であるフッ化物結晶材料か
    らなる光学部材を用いたことを特徴とする真空紫外光リ
    ソグラフィー装置。
  5. 【請求項5】波長185nm以下の真空紫外光により所定の
    パターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、
    前記マスクのパターンの像を基板上に投影する投影光学
    系とを有する光リソグラフィー装置において、照明光学
    系及び/又は投影光学系の少なくとも一部に100mJ/cm2/
    pのArFエキシマレーザ照射時の透過率低下量が10,00
    0パルス照射後で0.2%/cm以下であり、且つNa不純物濃
    度が0.1ppm以下であるフッ化物結晶材料からなる光学部
    材を用いたことを特徴とする真空紫外光リソグラフィー
    装置。
  6. 【請求項6】波長185nm以下の真空紫外光により所定の
    パターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、
    前記マスクのパターンの像を基板上に投影する投影光学
    系とを有する光リソグラフィー装置において、照明光学
    系及び/又は投影光学系を構成する光学部材のうち、照
    射される光のフルエンスが1mJ/cm2/p以上の光学部材と
    して100mJ/cm2/pのArFエキシマレーザ照射時の透過
    率低下量が10,000パルス照射後で0.2%/cm以下であるフ
    ッ化物結晶材料、照射される光のフルエンスが0.1mJ/cm
    2/p以上の光学部材として100mJ/cm2/pのArFエキシマ
    レーザ照射時の透過率低下量が10,000パルス照射後で1.
    0%/cm以下であるフッ化物結晶材料、照射される光のフ
    ルエンスが0.1mJ/cm2/p未満の光学部材として100mJ/cm2
    /pのArFエキシマレーザ照射時の透過率低下量が10,0
    00パルス照射後で3.0%/cm以下であるフッ化物結晶材料
    を、各々用いたことを特徴とする真空紫外光リソグラフ
    ィー装置。
  7. 【請求項7】請求項4又は請求項5または請求項6に記
    載の真空紫外光リソグラフィー装置において、前記185n
    m以下の真空紫外光がF2レーザ(波長157nm)光で
    あることを特徴とする真空紫外光リソグラフィー装置。
  8. 【請求項8】請求項4又は請求項5または請求項6に記
    載の真空紫外光リソグラフィー装置において、前記フッ
    化物結晶材料がフッ化カルシウム結晶材料であることを
    特徴とする真空紫外光リソグラフィー装置。
  9. 【請求項9】波長185nm以下の真空紫外リソグラフィー
    装置の結像光学系に用いられるフッ化物結晶材料の検査
    方法において、フッ化物結晶材料にArFエキシマレー
    ザを照射したときの透過率低下量により、真空紫外光を
    照射したときの透過率低下量を予測することを特徴とす
    る、フッ化物結晶材料の検査方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2310829C2 (ru) * 2003-03-28 2007-11-20 Стелла Кемифа Корпорейшн Способ анализа примесей и центров окраски во фториде и способ получения ориентированного материала для выращивания монокристалла
JP2009281936A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Hitachi Chem Co Ltd 強誘電体フッ化物結晶のレーザー耐久性評価方法及び選別方法、並びに、強誘電体フッ化物結晶及び光学部品

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