RU2225660C2 - Силовой полупроводниковый модуль - Google Patents

Силовой полупроводниковый модуль Download PDF

Info

Publication number
RU2225660C2
RU2225660C2 RU99120099/28A RU99120099A RU2225660C2 RU 2225660 C2 RU2225660 C2 RU 2225660C2 RU 99120099/28 A RU99120099/28 A RU 99120099/28A RU 99120099 A RU99120099 A RU 99120099A RU 2225660 C2 RU2225660 C2 RU 2225660C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
contact
conductive layer
substrate
electrically conductive
Prior art date
Application number
RU99120099/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99120099A (ru
Inventor
Томас ЛАНГ (CH)
Томас ЛАНГ
Ханс-Рудольф ЦЕЛЛЕР (CH)
Ханс-Рудольф ЦЕЛЛЕР
Original Assignee
Абб Швайц Холдинг Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Абб Швайц Холдинг Аг filed Critical Абб Швайц Холдинг Аг
Publication of RU99120099A publication Critical patent/RU99120099A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2225660C2 publication Critical patent/RU2225660C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

Использование: в силовой электронике. Силовой полупроводниковый модуль содержит в корпусе подложку, по меньшей мере, две полупроводниковые микросхемы с двумя электродами каждая и по одному контактному поршню. Первые основные электроды находятся в электрическом контакте с подложкой, а вторые основные электроды - с контактным поршнем. Между первым основным электродом и подложкой и/или между вторым основным электродом и контактным поршнем предусмотрен электропроводящий слой, который содержит материал, образующий совместно с полупроводниковым материалом соединение или сплав, точка плавления которого находится ниже точки плавления полупроводникового материала. Техническим результатом изобретения является создание построенного из отдельных микросхем с небольшой поверхностью силового полупроводникового модуля, у которого короткое замыкание отдельной микросхемы не приводит к выходу из строя всего модуля. 4 з.п.ф-лы, 1 ил.

Description

Данное изобретение относится к области силовой электроники. Оно касается полупроводникового модуля большой мощности в соответствии с ограничительной частью первого пункта формулы изобретения, в частности, IGBT (insulated gate bipolar transistor = биполярный транзистор с изолированным затвором) модуля.
Оказалось, что, например, у тиристоров с нажимным контактом дефект приводит к короткому замыканию. При больших поверхностях интегральных схем это короткое замыкание устойчиво сохраняется в течение длительного времени. Если в этажерке из последовательно включенных тиристоров предусмотрены дублирующие тиристоры, то остальные исправные тиристоры во время фазы блокировки потребляют напряжение и этажерка остается в рабочем состоянии. Дефектные тиристоры могут быть заменены в будущем во время проведения плановых работ по техническому обслуживанию.
В тиристорном модуле находится полупроводник, т.е. Si (кремний), в механическом и электрическом контакте между двумя Мо (молибдена) пластинами. Si имеет точку плавления 1420oС, у Мо она находится выше, а межметаллическое соединение Si и Мо имеет еще более высокую точку плавления. Поэтому в случае неисправности первым локально плавится Si и при протекании тока образуется проводящий канал из расплавленного Si по всей толщине полупроводника. Эта дефектная зона может распространяться и/или перемещаться, но всегда затрагивается только небольшая часть поверхности микросхемы. В герметически закрытых корпусах расплавленный Si не окисляется, а реагирует с Мо, образуя порошок. Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет израсходован весь Si, и может длиться годы.
В противоположность тиристорным полупроводниковым конструктивным элементам IGBT микросхемы не изготовляются в виде устройств с большой поверхностью и в IGBT модулях обычно расположены отдельно одна рядом с другой несколько микросхем с небольшой поверхностью. Такого рода модуль известен, например, из ЕР 0499707 B1.
Теперь оказалось, что для IGBT модулей с нажимным контактом не могут ожидаться устойчивые короткие замыкания вышеописанного типа. Это, в первую очередь, происходит из-за ограниченной поверхности отдельных микросхем или же из-за небольшого объема кремния. Псевдостабильная фаза короткого замыкания продолжается в этом случае только несколько часов. К тому же корпуса часто сознательно не закрыты герметично, так что расплавленный кремний реагирует с кислородом и может образовываться изолирующий SiO2. Без стабильного пути короткого замыкания в неисправной микросхеме в наихудшем случае повреждения может происходить следующее. Если остальные микросхемы модуля, включающие управление, еще исправны, они во время фазы блокировки могут потреблять напряжение. Тогда ток ответвляется через неисправную микросхему и может в ней при напряжениях до напряжения пробоя исправных микросхем привести к плазме с очень высокой плотностью мощности. Вследствие этого разрушается весь модуль.
Задачей данного изобретения является, следовательно, создание построенного из отдельных микросхем с небольшой поверхностью силового полупроводникового модуля, у которого короткое замыкание отдельной микросхемы не приводит к выходу из строя всего модуля. Задача при конструктивном элементе вышеназванного типа решается за счет отличительных признаков первого пункта формулы изобретения.
Смысл изобретения состоит в том, что слой из подходящего материала, например Аg, приводится в непосредственный контакт с одним или обоими основными электродами кремниевого полупроводника. Материал этого слоя должен образовывать с Si эвтектику. В случае короткого замыкания вся многослойная структура (типа "сэндвича") разогревается и на контактной поверхности между названным слоем и кремнием с достижения точки плавления эвтектики начинает образовываться проводящий расплав. Эта зона затем может расширяться на всю толщину полупроводника и таким образом формировать металлический проводящий канал.
В соответствии с изобретением в случае повреждения возможно стабильное короткое замыкание за счет того, что образуется металлический проводящий канал между основными электродами соответствующей кремниевой полупроводниковой микросхемы. Этот канал ограничен частью поверхности микросхемы, однако потребляет полный номинальный ток и таким образом устраняет дальнейший разогрев остального кремния. Точка плавления металлического проводящего расплава в этом канале относительно соответствующего твердого, содержащего кремний и серебро соединения должна, следовательно, обязательно находиться ниже точки плавления чистого кремния.
Далее изобретение поясняется с помощью чертежа.
На чертеже показано поперечное сечение силового полупроводникового модуля в соответствии с изобретением. Изображение не выдержано в масштабе.
На чертеже показан в поперечном разрезе пример преимущественного исполнения силового полупроводникового модуля в соответствии с изобретением. В общем корпусе 1 размещено отдельно множество полупроводниковых микросхем 4 одна рядом с другой, причем на чертеже представлены только две отдельных микросхемы. Эти микросхемы электрически включены параллельно и рассчитанная на высокие токи активная поверхность полупроводника составляется таким образом из множества отдельных поверхностей. На чертеже не представлены обычно приделанные выводы затворов для управления полупроводниковым конструктивным элементом.
Полупроводниковые микросхемы 4 содержат по одному на нижней и верхней стороне металлизированному основному электроду 5, 6, которые находятся в электрическом контакте с металлическими контактными поверхностями. Микросхемы нанесены на проводящую подложку 2 и непосредственно над каждой микросхемой размещен контактный поршень 3. Между первым основным электродом 5 и подложкой 2 с одной стороны и между вторым основным электродом 6 и контактным поршнем 3 с другой стороны могут быть предусмотрены другие, не показанные на чертеже пленки или пластинки, которые по своему термическому расширению приведены в соответствие с кремнием. Последние изготовлены, например, из таких материалов, как Мо, Сu, или композитов Мо-Сu.
В первой форме исполнения достаточный электрический контакт производится исключительно путем нажима, который выполняется на торцевой поверхности корпуса 1. При этом контактные поршни 3 давят на второй основной электрод 6 и создают контакт таким образом с микросхемой 4. Эта форма исполнения обходится, следовательно, без припоя. Слой 7 в соответствии с изобретением располагается между одним из основных электродов 5, 6 и примыкающей металлической контактной поверхностью. Допустимо также наносить по одному слою 7 в соответствии с изобретением, примыкающему к обоим основным электродам. Слой 7 в соответствии с изобретением проще всего реализуется посредством пленки из соответствующего материала или наносится на основные электроды как паста и содержит преимущественно Аg (серебро). В общем толщину слоя 7 в соответствии с изобретением нужно выбирать больше половины толщины полупроводника. Тонкие слои металлизации не достаточны для сплошного образования проводящего канала.
Во второй, не использующей исключительно нажимной контакт форме исполнения между основными электродами 5, 6 и металлическими контактными поверхностями с целью создания замыкающего на массу соединения предусмотрены слои припоя. Слой припоя может контактировать, например, с первым основным электродом 5, 6, а дополнительный слой 7 в соответствии с изобретением с расположенным напротив основным электродом 6, 5. Далее слой припоя может контактировать также непосредственно со слоем 7 в соответствии с изобретением, причем противоположная сторона выборочно имеет нажимной контакт или спаяна. Весьма предпочтительна другая форма исполнения, у которой слой припоя и слой 7 в соответствии с изобретением идентичны. Припой содержит в этом случае, по меньшей мере, одну компоненту, которая совместно с кремнием образует эвтектику.
Для полупроводниковой кремниевой микросхемы в качестве партнера эвтектики предлагается серебро. Точка плавления сплава AgSi с 11% Аg (точка эвтектики) находится при 835oС и тем самым явно ниже точки плавления чистого Si. Эксперименты с Аg для репродуцируемых стабильных коротких замыканий проведены при токовой несущей нагрузке более номинального тока 1500 А на отдельную микросхему (поверхность микросхемы 12•12 мм) и продолжительности более 1000 ч. Однако допустимы также Аu, Сu, Мg или Al, Al из-за его способности к окислению - все же преимущественно в герметически закрытых корпусах. В дальнейшем, само собой разумеется, возможны также другие материалы, в частности, если выбирается другой полупроводниковый материал.
Партнер эвтектики не должен быть представлен в чистом виде, а может быть той же частью соединения или сплава, например, в виде содержащего серебро припоя. Точка плавления такого соединения преимущественно расположена ниже точки плавления эвтектики. Партнер эвтектики должен составлять, по меньшей мере, 10 процентов объема соединения или сплава.
При всех вышеизложенных формах исполнения в случае повреждения происходит следующее: в качестве первого события повреждения происходит короткое замыкание в отдельной микросхеме, после чего полный номинальный ток протекает через эту микросхему. Слоистая (типа "сэндвича") структура из полупроводниковой микросхемы 4, электродов 5, 6 и слоя 7 в соответствии с изобретением нагревается до тех пор, пока с достижения эвтектической точки образуется содержащий кремний расплав. Если слой в соответствии с изобретением имеет достаточную толщину, исходя из контактной поверхности, образуется проводящий канал из расплава через всю микросхему. Он проводит ток и препятствует тому, чтобы слоистая структура нагревалась до точки плавления чистого Si.
По типу и внутренней структуре сама полупроводниковая микросхема не рассматривалась в предыдущих объяснениях. Поскольку модуль в общей сложности представляет собой IGBT модуль, внутренняя структура соответственно является структурой IGBT или диодом, но изобретение может также применяться на других полупроводниковых конструктивных элементах с небольшой поверхностью.
Список условных обозначений
1. Корпус
2. Подложка
3. Контактный поршень
4. Полупроводниковая микросхема
5, 6. Основные электроды
7. Слой0

Claims (5)

1. Силовой полупроводниковый модуль, содержащий в корпусе (1) подложку (2), по меньшей мере, две полупроводниковые микросхемы (4) с двумя основными электродами (5, 6) каждая, причем полупроводниковые микросхемы (4) включены параллельно, и по одному контактному поршню (3) для каждой полупроводниковой микросхемы (4), при этом соответственно первые основные электроды (5) находятся в электрическом контакте с подложкой (2), а соответственно вторые основные электроды (6) находятся в электрическом контакте с контактным поршнем (3), между первым основным электродом (5) полупроводниковой микросхемы (4) и подложкой (2) и/или между вторым основным электродом (6) полупроводниковой микросхемы (4) и контактным поршнем (3) предусмотрен электропроводящий слой (7), отличающийся тем, что электропроводящий слой (7) содержит материал, который совместно с полупроводниковым материалом образует соединение или сплав, точка плавления которого находится ниже точки плавления полупроводникового материала, а толщина электропроводящего слоя (7), по меньшей мере, равна половине толщины полупроводниковой микросхемы (4).
2. Силовой полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковым материалом является кремний, а материал электропроводящего слоя (7) содержит Al, Au, Ag или Mg или соединение этих элементов.
3. Силовой полупроводниковый модуль по п.1 или 2, отличающийся тем, что электропроводящий слой (7) является пастой.
4. Силовой полупроводниковый модуль по п.1 или 2, отличающийся тем, что электропроводящий слой (7) является слоем припоя.
5. Силовой полупроводниковый модуль по п.3 или 4, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна компонента материала электропроводящего слоя (7) образует с полупроводниковым материалом эвтектику, причем доля, по меньшей мере, одной компоненты в электропроводящем слое (7) составляет, по меньшей мере, 10% материала электропроводящего слоя (7).
RU99120099/28A 1998-09-22 1999-09-21 Силовой полупроводниковый модуль RU2225660C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843309A DE19843309A1 (de) 1998-09-22 1998-09-22 Kurzschlussfestes IGBT Modul
DE19843309.3 1998-09-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99120099A RU99120099A (ru) 2001-07-27
RU2225660C2 true RU2225660C2 (ru) 2004-03-10

Family

ID=7881753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99120099/28A RU2225660C2 (ru) 1998-09-22 1999-09-21 Силовой полупроводниковый модуль

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6426561B1 (ru)
EP (1) EP0989611B1 (ru)
JP (1) JP2000106374A (ru)
CN (1) CN1217409C (ru)
CZ (1) CZ294300B6 (ru)
DE (2) DE19843309A1 (ru)
RU (1) RU2225660C2 (ru)
UA (1) UA57774C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2686443C1 (ru) * 2017-07-06 2019-04-25 Тойота Дзидося Кабусики Кайся Полупроводниковый модуль

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1246242A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-02 Abb Research Ltd. Kurzschlussfestes IGBT Modul
EP1263045A1 (en) 2001-06-01 2002-12-04 ABB Schweiz AG High power semiconductor module
EP1282170A1 (de) * 2001-07-30 2003-02-05 Abb Research Ltd. Kurzschlussfestes Leistungshalbleiterbauelement
EP1389802A1 (de) * 2002-08-16 2004-02-18 ABB Schweiz AG Schutzschicht für Leistungshalbleitermodul-Kontaktplättchen
EP1403923A1 (en) * 2002-09-27 2004-03-31 Abb Research Ltd. Press pack power semiconductor module
AT7382U1 (de) * 2003-03-11 2005-02-25 Plansee Ag Wärmesenke mit hoher wärmeleitfähigkeit
DE10323220B4 (de) * 2003-05-22 2014-07-17 Siemens Aktiengesellschaft Kurzschluss-Schaltung für einen Teilumrichter
US7193326B2 (en) * 2003-06-23 2007-03-20 Denso Corporation Mold type semiconductor device
DE102006006425B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102006006423B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren
US8120915B2 (en) 2008-08-18 2012-02-21 General Electric Company Integral heat sink with spiral manifolds
US7817422B2 (en) 2008-08-18 2010-10-19 General Electric Company Heat sink and cooling and packaging stack for press-packages
US8218320B2 (en) 2010-06-29 2012-07-10 General Electric Company Heat sinks with C-shaped manifolds and millichannel cooling
EP2528092A1 (en) 2011-05-27 2012-11-28 ABB Research Ltd. Semiconductor device
EP2673803B1 (en) 2011-02-08 2021-04-14 ABB Power Grids Switzerland AG Power semiconductor module and method to produce a power semiconductor module
EP2503595A1 (en) 2011-02-18 2012-09-26 ABB Research Ltd. Power semiconductor module and method of manufacturing a power semiconductor module
EP2490256A1 (en) 2011-02-21 2012-08-22 ABB Research Ltd. Electronic arrangement
EP2530711A1 (en) 2011-05-30 2012-12-05 ABB Research Ltd. Power semiconductor arrangement
EP2544229A1 (en) 2011-07-07 2013-01-09 ABB Research Ltd. Power semiconductor arrangement
EP2560203A1 (en) * 2011-08-17 2013-02-20 ABB Technology AG Power semiconductor arrangement
CN103890941B (zh) * 2011-10-21 2016-10-26 Abb技术有限公司 功率半导体模块和具有多个功率半导体模块的功率半导体模块组件
JP5894780B2 (ja) * 2011-12-13 2016-03-30 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法
EP2790217A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-15 ABB Technology AG Leistungshalbleitermodul
CN104183556B (zh) * 2013-05-23 2018-09-14 国家电网公司 一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件
EP2827366A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-21 ABB Technology AG Power semiconductor module
DE102014207174A1 (de) 2014-04-15 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Kurzschlussvorrichtung zum automatischen Kurzschließen eines Transistors und Verfahren zu einem solchen Kurzschließen
DE102014207928A1 (de) 2014-04-28 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungseinheit für einen Transistor und Verfahren zum Betreiben einer solchen
DE102014207927A1 (de) 2014-04-28 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Transistoranordnung für einen Spannverband und Spannverband mit zumindest einer solchen Transistoranordnung
DE102014107287A1 (de) 2014-05-23 2015-11-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Überbrückung eines elektrischen Energiespeichers
DE102015206531A1 (de) 2014-07-09 2016-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronikschaltung und Umrichter mit einer Leistungselektronikschaltung
CN104134648B (zh) * 2014-07-15 2017-02-22 株洲南车时代电气股份有限公司 功率半导体器件
DE102015103247A1 (de) 2015-03-05 2016-09-08 Ge Energy Power Conversion Technology Limited Schaltmodul mit Kurzschlussschutz und Leistungselektronikmodul mit diesem
JP6407422B2 (ja) * 2015-05-26 2018-10-17 三菱電機株式会社 圧接型半導体装置
JP6860510B2 (ja) 2015-06-22 2021-04-14 アーベーベー・シュバイツ・アーゲーＡＢＢ Ｓｃｈｗｅｉｚ ＡＧ パワー半導体モジュール用のばね要素
EP3306663A1 (en) * 2016-10-05 2018-04-11 ABB Schweiz AG Sic-on-si-based semiconductor module with short circuit failure mode
EP3352213B1 (en) 2017-01-23 2021-10-06 ABB Power Grids Switzerland AG Semiconductor power module comprising graphene
EP3566246B1 (en) 2017-02-01 2020-11-18 ABB Power Grids Switzerland AG Power semiconductor module with short circuit failure mode
WO2018141811A1 (en) * 2017-02-01 2018-08-09 Abb Schweiz Ag Power semiconductor device with active short circuit failure mode

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1949731A1 (de) * 1969-10-02 1971-04-15 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiterelement mit kombinierten Loet-Druckkontakten
DE2257078A1 (de) * 1972-11-21 1974-05-30 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
US3852805A (en) * 1973-06-18 1974-12-03 Gen Electric Heat-pipe cooled power semiconductor device assembly having integral semiconductor device evaporating surface unit
DE2825682C2 (de) * 1978-06-12 1984-09-20 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Halbleiterbauelement mit Isoliergehäuse
EP0499707B1 (de) * 1991-02-22 1996-04-03 Asea Brown Boveri Ag Abschaltbares Hochleistungs-Halbleiterbauelement
JP3256636B2 (ja) * 1994-09-15 2002-02-12 株式会社東芝 圧接型半導体装置
JP3588503B2 (ja) * 1995-06-20 2004-11-10 株式会社東芝 圧接型半導体装置
DE19530264A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
JPH09312357A (ja) * 1996-05-21 1997-12-02 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JPH10335579A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Toshiba Corp 大電力半導体モジュール装置
KR100219806B1 (ko) * 1997-05-27 1999-09-01 윤종용 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2686443C1 (ru) * 2017-07-06 2019-04-25 Тойота Дзидося Кабусики Кайся Полупроводниковый модуль

Also Published As

Publication number Publication date
CZ294300B6 (cs) 2004-11-10
EP0989611A3 (de) 2000-08-02
DE19843309A1 (de) 2000-03-23
DE59911223D1 (de) 2005-01-13
CN1217409C (zh) 2005-08-31
EP0989611A2 (de) 2000-03-29
UA57774C2 (ru) 2003-07-15
CN1248794A (zh) 2000-03-29
EP0989611B1 (de) 2004-12-08
CZ322999A3 (cs) 2000-04-12
US6426561B1 (en) 2002-07-30
JP2000106374A (ja) 2000-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2225660C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль
US9214617B2 (en) Electronic component module
US7679197B2 (en) Power semiconductor device and method for producing it
US7479691B2 (en) Power semiconductor module having surface-mountable flat external contacts and method for producing the same
EP0222203B1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP1403923A1 (en) Press pack power semiconductor module
RU2309482C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль
RU99120099A (ru) Силовой полупроводниковый модуль
KR20120095313A (ko) 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 모듈의 제조 방법
CA2670204C (en) Explosion-proof module structure for power components, particularly power semiconductor components, and production thereof
US9972596B2 (en) Chip assemblage, press pack cell and method for operating a press pack cell
JP6726112B2 (ja) 半導体装置および電力変換装置
US7737551B2 (en) Semiconductor power module with SiC power diodes and method for its production
US9620459B2 (en) Semiconductor arrangement, method for producing a semiconductor module, method for producing a semiconductor arrangement and method for operating a semiconductor arrangement
US4862239A (en) Power semiconductor component
US7705434B2 (en) Power semiconductor component having chip stack
JPH1079453A (ja) モールド型電子部品及びその製法
EP0305993A2 (en) Power semiconductor device having electrode structures
RU2314597C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль
WO2016062589A1 (en) Power semiconductor module with short-circuit failure mode
JP3240772U (ja) パワー半導体モジュール
CN115410879A (zh) 一种自恢复熔断结构和具有其的功率半导体芯片
WO2022222015A1 (en) Semiconductor package
RU2246778C2 (ru) Биполярный транзистор с изолированным электродом затвора
CZ36911U1 (cs) Výkonový modul pro polovodičový jistič

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20061212