RU2309482C2 - Силовой полупроводниковый модуль - Google Patents

Силовой полупроводниковый модуль Download PDF

Info

Publication number
RU2309482C2
RU2309482C2 RU2002132829/28A RU2002132829A RU2309482C2 RU 2309482 C2 RU2309482 C2 RU 2309482C2 RU 2002132829/28 A RU2002132829/28 A RU 2002132829/28A RU 2002132829 A RU2002132829 A RU 2002132829A RU 2309482 C2 RU2309482 C2 RU 2309482C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
submodule
main
power semiconductor
main terminal
semiconductor module
Prior art date
Application number
RU2002132829/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2002132829A (ru
Inventor
Бо БИЙЛЕНГА (SE)
Бо БИЙЛЕНГА
Фабиан ЦВИК (CH)
Фабиан ЦВИК
Штефан ЛИНДЕР (CH)
Штефан ЛИНДЕР
Патрик ЭРНЕ (CH)
Патрик ЭРНЕ
Original Assignee
Абб Рисерч Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Абб Рисерч Лтд filed Critical Абб Рисерч Лтд
Publication of RU2002132829A publication Critical patent/RU2002132829A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2309482C2 publication Critical patent/RU2309482C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H05K7/14339—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for high voltage operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый модуль содержит два электрических главных вывода, расположенных на противолежащих, по существу параллельных главных поверхностях модуля, первый из которых выполнен в виде верхней закрывающей электропроводящей платы, электроизолирующий корпус, соединенный с верхней закрывающей платой и расположенный между обоими главными выводами силового полупроводникового модуля, по меньшей мере два субмодуля, которые содержат каждый два электрических главных вывода и каждый, по меньшей мере, один полупроводниковый чип с двумя главными электродами, электрически соединенными с главными выводами субмодуля. Субмодули расположены друг возле друга, нагружены усилием прижатия и одной из обеих главных поверхностей прижаты к верхней закрывающей электропроводящей плате. По меньшей мере, два субмодуля соединены электрически последовательно. Благодаря последовательному соединению расположенных рядом субмодулей достигается удвоение максимального запирающего напряжения модуля. В результате сокращается длина и стоимость пакета высоковольтного выключателя, так как при тех же запирающих напряжениях требуется меньше компонентов, в частности, модулей и охлаждающих элементов. 14 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Область техники
Изобретение касается области силовой электроники. Оно относится к силовому полупроводниковому модулю в соответствии с ограничительной частью п.1 формулы изобретения.
Уровень техники
В области больших мощностей силовые полупроводниковые модули изготавливаются техникой нажимных контактов. Такие силовые полупроводниковые модули находят применение в качестве мощных выключателей для высоких напряжений до 1000 кВ и силы тока до нескольких килоампер. Ввиду того, что биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в том виде, как он применяется в настоящее время в силовых полупроводниковых модулях, способен запирать лишь при напряжении около нескольких киловольт, то в одном мощном выключателе одновременно используется несколько силовых полупроводниковых модулей в виде, по меньшей мере, одного пакета с последовательным соединением. Пакет, содержащий до нескольких десятков силовых полупроводниковых модулей, спрессовывается при усилии до 100 кН.
Традиционный силовой полупроводниковый модуль, как он описан в ЕР 762496, содержит, как правило, несколько расположенных друг возле друга чипов, расположенных вместе с первым главным электродом на базовой плате. Вторые главные электроды чипов контактируют с множеством торцовых контактов. Базовая плата соединена с первым главным выводом, торцовые контакты соединены со вторым главным выводом. Главные выводы могут быть выполнены дискообразными и удерживаться вместе посредством фланцев. Торцовый контакт содержит, например, пружинные элементы, поджимающие отдельные чипы.
Отдельные чипы силовых полупроводниковых модулей объединены в несколько групп, образующих предварительно собранные блоки, так называемые субмодули. При этом чипы соединены между собой параллельно, например, биполярный транзистор с изолированным затвором и диодный чип расположены совместно в одном субмодуле.
Такой силовой полупроводниковый модуль описан в находящейся на стадии рассмотрения заявке на европейский патент №01810539.5 и схематически изображен на фиг.1. Эта фигура разделена на две равные части, причем на левой половине показана половина модуля в предварительно собранном виде и на правой половине - вторая половина этого модуля в окончательно собранном виде в составе пачки из трех модулей.
Модуль с тремя изображенными субмодулями 2 запрессован в базовую плату 12, обладающую высокой электро- и теплопроводностью, которая может представлять собой, например, охлаждаемую плату, омываемую охлаждающей жидкостью.
Уже в предварительном собранном виде субмодули 2, помещаемые сверху в изолированный корпус 5, подпружинены и запрессованы в верхнюю закрывающую плату 11, жестко связанную с изолированным корпусом. Подпружинивание обеспечивается пружинными элементами в отдельных субмодулях и передается на первые главные выводы 3. Вторые главные выводы 4 выступают внизу из изолированного корпуса 5 для обеспечения надежного контакта с базовой платой 12.
В собранном виде вторые главные выводы 4 субмодулей вдавливаются внутрь корпуса модуля прижимным усилием, воздействующим на базовую и верхнюю закрывающую платы. При этом происходит сжатие пружинных элементов, в результате чего на электроды чипов внутри субмодулей воздействует повышенное контактное усилие. В этом случае изолированный корпус не допускает слишком сильного сжатия пружинных элементов для предупреждения слишком большого контактного усилия.
Пакет из силовых полупроводниковых модулей может достигать в длину нескольких метров. Для обеспечения указанного выше прижатия по всей такой длине требуется осуществление дорогостоящих мер. Поэтому отмечается стремление повысить максимальное запирающее напряжение на единицу длины пакета с тем, чтобы можно было обойтись при заданном напряжении небольшим количеством силовых полупроводниковых модулей.
В результате повышения запирающего напряжения отдельных силовых полупроводниковых модулей становится возможным уменьшить высоту пакета и связанные с этим затраты. К сожалению, вряд ли возможно при сегодняшней технологии превысить указанное выше максимальное запирающее напряжение силовых чипов.
Из уровня техники известен полупроводниковый модуль, раскрытый в публикации WO 98/12748, в которой отдельные полупроводниковые чипы расположены в модуле. Чипы электрически соединены по одной из своих сторон главных электродов с охлаждающей платой. По другой стороне главных электродов чипы электрически изолированы от второй охлаждающей платы. Через электрическое соединение, выведенное наружу в виде электрического терминала, чипы соединены параллельно друг другу. Такой модуль должен обеспечивать эффективное двухстороннее охлаждение отдельных чипов. Чтобы повысить запирающее напряжение, потребовалась бы последовательное включение нескольких раскрытых в WO 98/12748 модулей, что привело бы к увеличению конструктивной высоты.
Краткое изложение сущности изобретения
Поэтому задачей настоящего изобретения является создание силового полупроводникового модуля указанного выше типа, обладающего более высоким запирающим напряжением на единицу монтажной высоты.
Согласно изобретению указанная задача решается посредством силового полупроводникового модуля, признаки которого указаны в п.1 формулы изобретения.
Силовой полупроводниковый модуль, согласно изобретению, содержит между двумя электрическими главными выводами, расположенными на противолежащих, преимущественно параллельных главных поверхностях модуля, по меньшей мере, два субмодуля. Субмодули имеют два электрических главных вывода, которые расположены каждый на одной из двух противолежащих, преимущественно параллельных главных поверхностях субмодулей. Субмодули содержат каждый, по меньшей мере, один чип с двумя главными электродами, соединенными электрически с главными выводами субмодуля. Субмодули расположены друг возле друга и прижаты к верхней закрывающей плате одной из обеих главных поверхностей. По меньшей мере, два субмодуля соединены между собой последовательно.
Благодаря последовательному соединению двух и более расположенных рядом субмодулей становится возможным увеличить по сравнению с традиционными силовыми полупроводниковыми модулями запирающее напряжение в два и более раза.
В результате снижаются длина и стоимость одного пакета, так как при одном и том же запирающем напряжении требуется меньше компонентов, в частности охлаждающих элементов.
Монтажная высота силового полупроводникового модуля увеличивается по сравнению с обычными силовыми полупроводниковыми модулями лишь незначительно. Однако такое дополнительное увеличение способствует механической прочности модуля, что особенно благоприятно при наличии длинных пакетов.
Кроме того, становится возможным применять при одинаковом или повышенном запирающем напряжении - по сравнению с обычными силовыми полупроводниковыми модулями - более эффективные чипы с пониженным запирающим напряжением. Ввиду того, что такие чипы с уменьшенным на половину запирающим напряжением вызывают вместе меньше потерь, чем отдельный чип с полным запирающим напряжением, то в традиционных пачках при тех же габаритах потери могут быть уменьшены благодаря силовым полупроводниковым модулям согласно изобретению.
В первом варианте выполнения силового полупроводникового модуля первый главный вывод, по меньшей мере, первого субмодуля электрически соединен с верхней закрывающей платой. Между вторым главным выводом, по меньшей мере, первого субмодуля и расположенной напротив верхней закрывающей платы главной поверхностью модуля расположен первый электроизоляционный слой, а между первым главным выводом, по меньшей мере, второго субмодуля и верхней закрывающей платой находится второй электроизоляционный слой. Второй главный вывод, по меньшей мере, второго субмодуля электрически соединен с вторым главным выводом модуля. Второй главный вывод, по меньшей мере, первого субмодуля электрически подключен к первому главному выводу, по меньшей мере, второго субмодуля через соединение.
Субмодули соединены электрически последовательно, в результате чего в силовом полупроводниковом модуле с полупроводниками "биполярные транзисторы с изолированным затвором" обеспечивается в два раза более высокое запирающее напряжение.
Во втором варианте выполнения силового полупроводникового модуля между первым главным выводом, по меньшей мере, первого субмодуля и противолежащей верхней закрывающей плате главной поверхностью модуля расположен первый электроизоляционный слой. Первый главный вывод, по меньшей мере, первого субмодуля электрически соединен через первое соединение с верхней закрывающей платой. Между вторым главным выводом, по меньшей мере, первого субмодуля и верхней закрывающей платой, а также между первым главным выводом, по меньшей мере, второго субмодуля и верхней закрывающей платой расположен второй электроизоляционный слой. Второй главный вывод, по меньшей мере, второго субмодуля электрически соединен со вторым главным выводом модуля. Второй главный вывод, по меньшей мере, первого субмодуля электрически соединен через второе соединение с первым главным выводом, по меньшей мере, второго субмодуля.
При одинаковой ориентации в модуле субмодули подключены встречно-последовательно. В результате с помощью полупроводников "биполярные транзисторы с изолированным затвором" создается отключаемый четырехквадрантный силовой полупроводниковый модуль, который применяется, например, в качестве выключателя переменного тока в матричных преобразователях тока.
Другие примеры осуществления изобретения и преимущества следуют из зависимых пунктов формулы изобретения.
Краткое описание чертежей
Ниже изобретение поясняется более подробно с помощью примеров его осуществления со ссылкой на чертежи, на которых:
фиг.1 - разрез по силовому полупроводниковому модулю из уровня техники в предварительно собранном состоянии (левая половина фигуры) и в окончательно собранном состоянии (правая половина фигуры);
фиг.2 - разрез по первому варианту выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению с двумя последовательно соединенными субмодулями;
фиг.3 - разрез по силовому полупроводниковому модулю на фиг.2 с двумя встречно-последовательно подключенными субмодулями;
фиг.4 - схема силового полупроводникового модуля на фиг.2;
фиг.5 - схема силового полупроводникового модуля на фиг.3;
фиг.6 - разрез по силовому полупроводниковому модулю на фиг.3 в сборке.
Позиции и их значения на чертежах приведены в их перечне. В принципе на фигурах одинаковые элементы обозначены одинаковыми позициями.
Способ осуществления изобретения
На фиг.2 и 3 представлены два варианта выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению. Модуль включает электропроводящую верхнюю закрывающую плату 11, электроизолированный корпус 5, жестко связанный с верхней закрывающей платой, и несколько субмодулей 21, 22.
Верхняя закрывающая плата 11 выполнена из металла с хорошей электро- и теплопроводимостью, например, из меди или алюминия. Она образует первый электрический главный вывод E21 модуля, который электрически соединен в пачке, например, с главным выводом располагающегося над ним модуля.
Корпус 5 выполнен из электроизоляционного, механически и термически нагружаемого материала, например эпокси. Корпус содержит боковые стенки, на которые приходится основная доля усилия прижатия, воздействующего в пакете на модуль, а также донную часть. Верхняя закрывающая плата и донная часть корпуса образуют две противолежащие, преимущественно параллельные главные поверхности модуля. В донной части корпуса выполнены отверстия 51, через которые из корпуса пропущен второй главный электрический вывод модуля С22.
Внутри модуля расположены друг возле друга два известных сами по себе силовых полупроводниковых модуля 21, 22. Как правило, субмодули содержат, как показано на фиг.1, несколько чипов, которые с первым главным электродом (анодом, эмиттером) расположены рядом на базовой плате и параллельно соединены. Вторые главные электроды (катод, коллектор) чипов контактируют с торцовыми контактами. Торцовые контакты соединены с одним первым главным выводом 3 субмодуля, базовая плата соединена с одним вторым главным выводом 4 субмодуля. Главные выводы субмодулей могут быть выполнены дискообразными и удерживаться вместе с помощью фланцев. Торцовый контакт содержит, например, пружинные элементы, поджимающие отдельные чипы. Другие (управляющие, затворные) выводы чипов для контактирования выведены из субмодуля сбоку или с одной из сторон главных выводов 3 или 4.
Оба субмодуля запрессованы между обеими главными поверхностями модуля, в частности, между верхней закрывающей платой 11 и не показанной, подведенной снизу к модулю базовой платой. Базовая плата, выполненная, например, в виде охлаждаемой платы, омываемой охлаждающей жидкостью, обладает хорошей электро- и теплопроводимостыо.
Модуль содержит расположенные сбоку выводы, выполненные из корпуса модуля, в зависимости от типа силовых полупроводниковых приборов это могут быть управляющие выводы G21, G22, а также выводы E21 и С21/Е22, связанные с соответствующими главными выводами субмодулей.
В первом варианте выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению, изображенном на фиг.2, первый субмодуль 21 примыкает своим первым главным выводом 3 первого субмодуля 21 непосредственно к верхней закрывающей плате 11 модуля и электрически соединен с ней. Вторым главным выводом 4 первого субмодуля 21 расположен первый субмодуль 21 на изолирующей несущей плате 6, состоящей в основном из слоя 61 из электроизоляционного и хорошо проводящего тепло материала. Изолирующая несущая плата 6 содержит преимущественно керамическую подложку с керамическим слоем, на который с обеих сторон нанесены медные слои. Медные слои обеспечивают надежные тепловые контакты и способствуют прочности платы.
Второй субмодуль 22 примыкает первым главным выводом 3 также к верхней закрывающей плате 11 модуля, но электрически изолирован от нее слоем 62 из электроизоляционного материала с высокой теплопроводностью. Вторым главным выводом 4 второго субмодуля 22 расположен второй субмодуль 22 в одном из отверстий 51 в донной части корпуса 5 таким образом, что второй главный вывод 4 образует при размещении модуля на базовой или охлаждаемой плате второй главный вывод С22 модуля или вместе с изолирующей несущей платой 6 - главную поверхность модуля, противолежащую верхней закрывающей плате 11.
Изолирующая несущая плата 6 и второй субмодуль 22 расположены в отверстиях с возможностью перемещения. Если модуль располагают на базовой или охлаждаемой плате и соответственно нагружают его усилием прижатия, то изолирующую несущую плату 6 и второй субмодуль 22 размещают внутри корпуса модуля и прижимают к верхней закрывающей плате 11. Диапазон движений ограничивается изолирующим корпусом, в частности, стенками. Для предупреждения выпадения изолирующей несущей платы 6 и субмодуля 22 из корпуса модуля, в случае расположения модуля не на базовой или охлаждаемой плате, в зоне отверстий предусмотрены предохранительные средства. Ими могут служить, например, упоры на корпусе, соответственно ограничивающие свободу движения изолирующей несущей платы и субмодуля.
Оба субмодуля изображенного на фиг.2 первого варианта выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению имеют электрическое последовательное соединение. Субмодули снабжены, например, одним или несколькими биполярными транзисторами с изолированным затвором и параллельно соединенным безынерционным диодом, в результате чего образуется схема подключения модуля, показанная на фиг.4.
Оба главных электрода субмодулей, которые соответствующим образом отделены от прилегающей главной поверхности модуля изоляционным слоем, и второй главный электрод 4 первого субмодуля 21, а также первый главный электрод 3 второго субмодуля 22 соединены электрически между собой.
На изолирующей несущей плате 6, между изоляционным слоем 61 и вторым главным выводом 4 первого субмодуля 21, расположен первый электропроводящий слой 71 межсоединений. При этом им является, например, упомянутый выше медный слой на керамической подложке или нанесенный на этот медный слой дополнительный металлический слой. Второй главный вывод 4 субмодуля 21 жестко связан со слоем 71 межсоединений, например, либо пайкой, либо с помощью низкотемпературного связывающего материала (LTB), либо нанесением слоя теплопроводящей пасты с последующим прижатием.
На противоположенной стороне, в зоне первого главного вывода 3 второго субмодуля 22, между изоляционным слоем 62 и первым главным выводом 3 второго субмодуля 22 расположен второй электропроводящий слой 72 межсоединений.
Оба слоя 71 и 72 межсоединений электрически соединены между собой посредством соединительного элемента 8. Соединительный элемент 8 выполнен аналогично, например, обоим субмодулям 21 и 22 и включает в себя базовую плату, а также один или несколько торцовых контактов с пружинными элементами. Таким образом обеспечивается возможность сжатия соединительного элемента 8, как и субмодулей, между соответствующими контактными поверхностями. Соединительный элемент 8, не содержащий, как правило, электронных элементов, может быть заменен обычным субмодулем с чипами или другими электронными элементами. Соединительный элемент 8 расположен или закреплен - аналогично первому субмодулю - на изолирующей несущей плате.
В краевой зоне изолирующей несущей платы 6 предусмотрены выступы 63, выполненные из электроизолирующего материала. Они, с одной стороны, взаимодействуют с упорами на участках 50 корпуса и, с другой стороны, препятствуют утечкам тока по поверхности или пробоям вдоль смежных участков корпуса. Кроме того, вместе с элементами 64 позиционирования, расположенными между первым субмодулем 21 и соединительным элементом 8, они обеспечивают правильное позиционирование субмодуля 21 и соединительного элемента 8 по отношению к изолирующей несущей плате 6 и остальной части модуля.
Со стороны эмиттера, т.е. в зоне первых главных выводов 3, на субмодулях 21 и 22 размещены управляющие выводы. Эти выводы соединены внутри субмодулей с соответствующими управляющими электродами чипов. Управляющие выводы G21 и G22 выведены из корпуса модуля с помощью соединительных проводов и могут контактировать вместе с выводом Е21 эмиттера первого субмодуля или с комбинированным выводом С21/Е22 с выводом коллектора первого субмодуля и с выводом эмиттера второго субмодуля, которые также с помощью соединительных проводов выведены из корпуса.
Во включенном состоянии ток протекает от второго главного вывода модуля, коллекторного вывода C22, через второй субмодуль по эмиттерному выводу Е22 второго субмодуля, второму слою 72 межсоединений, соединительному элементу 8, первому слою 71 межсоединений и коллекторному выводу C21 первого субмодуля 21, через первый субмодуль к первому главному выводу модуля, верхней закрывающей плате 11 или эмиттерному выводу E21 первого субмодуля.
В состоянии запирания половина величины запирающего тока протекает соответственно через один из обоих субмодулей.
Во втором варианте выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению, представленному на фиг.3, оба субмодуля электрически соединены встречно-последовательно. Т.е. первый субмодуль 21 соединен с верхней закрывающей платой 11 или первым главным выводом модуля через второй главный вывод 4 и первый главный вывод 3 первого субмодуля 21 соединен с первым главным выводом 3 второго субмодуля 22. В результате оснащения биполярным транзистором с изолированным затвором и параллельным безынерционным диодом снова достигается в модуле схема подключения, показанная на фиг.5.
В то время как второй субмодуль 22 сохраняется неизменным по своему расположению и электрическому подключению по отношению к первому варианту выполнения, первый субмодуль 21 во втором варианте выполнения, хотя и расположен одинаково, однако, электрически соединен с обратным полюсом.
Первый субмодуль 21, хотя и прилегает первым главным выводом 3 первого субмодуля 21 к верхней закрывающей плате 11 модуля, но соединен с ней при отсутствии электропроводности. Между первым главным выводом 3 первого субмодуля 21 и верхней закрывающей платой расположен изоляционный слой 62. Этот слой 62 удлинен и расположен между вторым субмодулем 22 и верхней закрывающей платой 11. Оба первых главных вывода 3 обоих субмодулей 21, 22 электрически соединены между собой через слой 72 межсоединений. При этом слой межсоединений расположен между главными выводами 3 и изоляционным слоем 62.
Первый субмодуль 21 своим вторым главным выводом 4 снова расположен на изолирующей несущей плате 6. Второй главный вывод 4 первого субмодуля 21 электрически соединен с верхней закрывающей платой 11 через слой 71 межсоединений, расположенный на изолирующей несущей плате 6, и соединительный элемент 8. В изображенном предпочтительном варианте выполнения соединительный элемент 8 проходит через центральное отверстие в изоляционном слое 62 и слое 72 межсоединений и подведен к верхней закрывающей плате 11.
Ввиду того, что оба субмодуля 21 и 22 имеют одинаковую монтажную высоту, слой 72 межсоединений в зоне первого главного вывода 3 второго субмодуля 22 выполнен с толщиной, превышающей толщину в зоне первого главного вывода 3 первого субмодуля 21 на толщину изолирующей несущей платы 6, при необходимости вместе с расположенным на ней слоем 71 межсоединений.
Следовательно, ток коллектора-эмиттера протекает соответственно от обоих главных выводов C21 и C22 модуля либо через соединительный элемент 8 по слою 71 межсоединений и второму главному выводу 4 первого субмодуля 21 и через первый субмодуль 21 к первому главному выводу 3 эмиттерных выводов E21, либо через второй субмодуль 22 к соответствующему эмиттерному выводу E22. Эмиттерные выводы E21 и Е22, соединенные электрически между собой слоем 72 межсоединений, выведены из корпуса модуля с помощью соединительных проводов для наружнего контактирования вместе с соответствующими управляющими выводами G21 и G22. Вместо обоих эмиттерных выводов из корпуса может быть выведен также только один.
Как показано на фиг.2 и 3, оба вывода обоих субмодулей, выведенные из корпуса, расположены соответственно с противоположных сторон модуля. В предпочтительном варианте выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению все выводы расположены со стороны модуля, в результате чего упрощается наружное контактирование модуля через эти выводы. Кроме того, соединительные провода внутри корпуса модуля расположены соответственно по одну сторону.
В особо предпочтительном варианте выполнения силового полупроводникового модуля согласно изобретению соединительные провода вместе со вторым слоем 72 межсоединений и верхней закрывающей платой 11 сформированы в верхнее закрывающее устройство 10 заливкой электроизолирующего материала. Предпочтительно, чтобы электроизолирующий материал обладал хорошей теплопроводностью, температурной стойкостью до 160°С, стойкостью к давлению до 30 бар, стойкостью к ползучести, способностью не образовывать раковины при разливке и иметь соответствующий меди коэффициент теплового расширения. Материалом с такими свойствами является, например, эпокси. При изготовлении верхнего закрывающего устройства 10 эпокси либо заливают в соответствующую форму с расположенными в ней электропроводящими элементами, либо наносят напылением.
Как отдельные элементы силового полупроводникового модуля согласно изобретению компонуются при сборке, показано на фиг.6.
В корпус с отверстиями 51 вставляется на первой монтажной операции изолирующая несущая плата 6. Она удерживается с помощью упоров на участках 50 корпуса в зоне отверстий 51. В краевой зоне изолирующей платы 6 расположены изолирующие затворы 63, которые, как видно из фигуры, взаимодействуют с соответствующими упорами на участках 50 корпуса.
На следующей монтажной операции субмодули 21 и 22, а также соединительный элемент 8 вводят в корпус. Первый субмодуль 21 и соединительный элемент 8 закрепляют на изолирующей несущей плате 6, а второй субмодуль 22 вставляют в предусмотренное для него отверстие 51. Второй субмодуль 22 также предохраняется от выпадения с помощью соответствующих упоров на участках 50 корпуса. Для точного позиционирования первого субмодуля 21 и соединительного элемента 8 на изолирующей несущей плате 6 на последней предусмотрены элементы 64 позиционирования. Изолирующие затворы 63 служат также для позиционирования.
В качестве альтернативы первый субмодуль 21 и соединительный элемент 8 устанавливают на изолирующей несущей плате 6 и при необходимости закрепляют перед тем, как изолирующую несущую плату помещают в корпус.
На следующей монтажной операции верхнее закрывающее устройство 10 устанавливают на корпус. Слои межсоединений и соединительные провода, встроенные в верхнее закрывающее устройство, благодаря точному позиционированию субмодулей 21, 22 соединяют с соответствующими контактными выводами субмодулей 21, 22. Благодаря усилию прижатия к крышке корпуса достигается необходимое контактное прижатие для контактных выводов субмодулей с нажимным контактированием. Для улучшения электрического и теплового перехода между поверхностями контактов нажимного действия может наносится соответствующая теплопроводящая паста.
Упомянутое последовательное или встречно-последовательное соединение чипов может также обеспечиваться соответствующим реверсированием (поворотом) субмодулей или расположенных в субмодуле чипов. Например, в результате реверсирования первого субмодуля (перевернутый субмодуль) в упомянутом выше первом варианте выполнения можно обеспечить встречно-последовательное соединение в соответствии со схемой на фиг.5. Таким образом можно получить простым поворотом соответствующего субмодуля вместе с корпусом выключатель с повышенным запирающим напряжением или упомянутый выше выключатель переменного тока.
В смысле изобретения общее понятие "последовательное соединение" означает также последовательное соединение двух компонентов с противоположной полярностью (встречно-последовательное соединение).

Claims (15)

1. Силовой полупроводниковый модуль, содержащий:
два электрических главных вывода, расположенных на противолежащих, по существу, параллельных главных поверхностях модуля, причем первый из обоих главных выводов выполнен в виде верхней закрывающей электропроводящей платы (11),
электроизолирующий корпус (5), соединенный с верхней закрывающей платой и расположенный между обоими главными выводами силового полупроводникового модуля,
по меньшей мере два субмодуля (21, 22), причем субмодули
содержат каждый два электрических главных вывода (3, 4), которые расположены на каждой одной из двух противолежащих, по существу, параллельных главных поверхностей субмоделей,
содержат каждый, по меньшей мере, один полупроводниковый чип с двумя главными электродами, электрически соединенными с главными выводами (3, 4) субмодуля, и
расположены друг возле друга, нагружены усилием прижатия и одной из обеих главных поверхностей прижаты к верхней закрывающей электропроводящей плате (11),
отличающийся тем, что, по меньшей мере, два субмодуля (21, 22) соединены электрически последовательно.
2. Силовой полупроводниковый модуль по п.1, отличающийся тем, что
последовательно включенные субмодули (21, 22) электрически соединены между собой через каждый один главный вывод (3, 4) и соединение (71, 72, 8), и тем, что
между теми главными выводами (3, 4) субмодулей (21, 22), которые посредством соединения (71, 72, 8) электрически соединены между собой, и соответствующей главной поверхностью модуля расположен электроизоляционный слой (61, 62).
3. Силовой полупроводниковый модуль по п.2, отличающийся тем, что
первый главный вывод (3, 4), по меньшей мере, первого субмодуля (21) электрически соединен с верхней электропроводящей закрывающей платой (11),
между вторым главным выводом (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и главной поверхностью модуля, противолежащей верхней закрывающей электропроводящей плате (11), расположен первый электроизоляционный слой (61),
между первым главным выводом (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) и верхней закрывающей электропроводящей платой (11) расположен второй электроизоляционный слой (62),
второй главный вывод (4), по меньшей мере, второго субмодуля (22) электрически соединен со вторым главным выводом модуля,
второй главный вывод (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) электрически подключен к первому главному выводу (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) через соединение (71, 72, 8).
4. Силовой полупроводниковый модуль по п.3, отличающийся тем, что соединение состоит из:
первого электропроводящего слоя (71) межсоединений, расположенного между вторым главным выводом (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и первым изоляционным слоем (61),
второго электропроводящего слоя (72) межсоединений, расположенного между первым главным выводом (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) и вторым изоляционным слоем (62),
соединительного элемента (8), электрически соединяющего первый слой (71) межсоединений со вторым слоем (72) межсоединений.
5. Силовой полупроводниковый модуль по п.2, отличающийся тем, что
между первым главным выводом (3, 4), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и главной поверхностью модуля, противолежащей верхней закрывающей электропроводящей плате (11), расположен первый электроизоляционный слой (61),
первый главный вывод (3, 4), по меньшей мере, первого субмодуля (21) электрически подключен к верхней закрывающей электропроводящей плате (11) через первое соединение (71, 8),
между вторым главным выводом (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и верхней закрывающей электропроводящей платой (11), а также между первым главным выводом (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) и верхней закрывающей платой (11) расположен второй электроизоляционный слой (62),
второй главный вывод (4), по меньшей мере, второго субмодуля (22) электрически соединен со вторым главным выводом модуля,
второй главный вывод (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) электрически подключен к первому главному выводу (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) через соединение (72).
6. Силовой полупроводниковый модуль по п.5, отличающийся тем, что
первое соединение состоит из:
первого электропроводящего слоя (71) межсоединений, расположенного между первым главным выводом (3, 4), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и первым изоляционным слоем (61),
соединительного элемента (8), электрически соединяющего первый слой (71) межсоединений с верхней закрывающей электропроводящей платой (11), и
второе соединение состоит из:
второго электропроводящего слоя (72) межсоединений, расположенного между вторым главным выводом (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и вторым изоляционным слоем (62), а также между первым главным выводом (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) и вторым изоляционным слоем (62).
7. Силовой полупроводниковый модуль по п.6, отличающийся тем, что
во втором слое (72) межсоединений и во втором изоляционном слое (61) выполнено отверстие,
соединительный элемент (8) для соединения первого слоя (71) межсоединений с верхней закрывающей электропроводящей платой (11) пропущен через отверстие.
8. Силовой полупроводниковый модуль по п.6, отличающийся тем, что
второй слой (72) межсоединений в зоне между первым главным выводом (3), по меньшей мере, второго субмодуля (22) и вторым изоляционным слоем (62) выполнен большей толщины, в частности превышающей сумму толщин первого изоляционного слоя (61) и первого слоя (71) межсоединений, чем на участке между вторым главным выводом (4, 3), по меньшей мере, первого субмодуля (21) и вторым изоляционным слоем (62).
9. Силовой полупроводниковый модуль по п.8, отличающийся тем, что
первый изоляционный слой (62) является частью изолирующей несущей платы (6),
в зоне главной поверхности модуля, противоположной верхней закрывающей электропроводящей плате (11), выполнено, по меньшей мере, одно отверстие (51) в корпусе (5),
изолирующая несущая плата (6) установлена в этом отверстии (51).
10. Силовой полупроводниковый модуль по п.5, отличающийся тем, что
первый изоляционный слой (62) является частью изолирующей несущей платы (6),
в зоне главной поверхности модуля, противоположной верхней закрывающей электропроводящей плате (11), выполнено, по меньшей мере, одно отверстие (51) в корпусе(5),
изолирующая несущая плата (6) установлена в этом отверстии (51).
11. Силовой полупроводниковый модуль по п.9, отличающийся тем, что
изолирующая несущая плата (6) расположена с возможностью перемещения, перпендикулярного верхней закрывающей электропроводящей плате (11).
12. Силовой полупроводниковый модуль по п.10, отличающийся тем, что
в зоне отверстия (51) предусмотрены средства для ограничения диапазона перемещений изолирующей несущей платы (6), в частности упоры, расположенные на корпусе (5) и/или на первом изоляционном слое (62).
13. Силовой полупроводниковый модуль по любому из пп.1-11, отличающийся тем, что
главные выводы (3, 4) и/или дополнительные выводы (G21, G22) субмодулей выведены из корпуса (5) модуля для контактирования с соединительными проводами.
14. Силовой полупроводниковый модуль по п.12, отличающийся тем, что
верхняя закрывающая электропроводящая плата (11), соединительные провода, расположенные между субмодулем и верхней закрывающей платой изоляционные слои (62) и расположенные между субмодулем и верхней закрывающей платой (11) слои (72) межсоединений выполнены в виде предварительно собранного верхнего закрывающего устройства (10).
15. Силовой полупроводниковый модуль по п.13, отличающийся тем, что
верхняя закрывающая электропроводящая плата (11), соединительные провода и расположенные между субмодулем и верхней закрывающей платой слои (72) межсоединений выполнены залитыми в электроизоляционном материале.
RU2002132829/28A 2001-12-06 2002-12-05 Силовой полупроводниковый модуль RU2309482C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01811188.0A EP1318547B1 (de) 2001-12-06 2001-12-06 Leistungshalbleiter-Modul
EP01811188.0 2001-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002132829A RU2002132829A (ru) 2004-06-10
RU2309482C2 true RU2309482C2 (ru) 2007-10-27

Family

ID=8184292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002132829/28A RU2309482C2 (ru) 2001-12-06 2002-12-05 Силовой полупроводниковый модуль

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6738258B2 (ru)
EP (1) EP1318547B1 (ru)
JP (1) JP4669650B2 (ru)
CN (1) CN100392856C (ru)
RU (1) RU2309482C2 (ru)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2855912B1 (fr) * 2003-06-04 2006-04-14 Alstom Cellule de commutation de puissance, et procede de fabrication de la cellule
CN1320651C (zh) * 2004-11-03 2007-06-06 北京中星微电子有限公司 一种具有多个内部功能块的芯片及其供电降噪的方法
US7190581B1 (en) 2005-01-11 2007-03-13 Midwest Research Institute Low thermal resistance power module assembly
DE102006008632B4 (de) * 2006-02-21 2007-11-15 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US8089150B2 (en) * 2006-11-14 2012-01-03 Rinehart Lawrence E Structurally robust power switching assembly
JP2008166485A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール
US8289714B2 (en) * 2008-01-04 2012-10-16 APlus Mobile Inc. Ruggedized computer and aspects thereof
DE102008012570B4 (de) * 2008-03-04 2014-02-13 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul-System, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
CA2718935C (en) 2008-03-20 2016-05-10 Abb Technology Ag A voltage source converter
US20100038774A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-18 General Electric Company Advanced and integrated cooling for press-packages
US8120915B2 (en) * 2008-08-18 2012-02-21 General Electric Company Integral heat sink with spiral manifolds
US7817422B2 (en) * 2008-08-18 2010-10-19 General Electric Company Heat sink and cooling and packaging stack for press-packages
US8331071B2 (en) * 2009-06-12 2012-12-11 Northern Power Systems Utility Scale, Inc. Interconnection switching system and method for connecting a distributed energy resource to an electrical power system
US8218320B2 (en) 2010-06-29 2012-07-10 General Electric Company Heat sinks with C-shaped manifolds and millichannel cooling
DE102011075515B4 (de) * 2011-05-09 2015-01-08 Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg Verbessertes Leistungshalbleiterbauelementmodul
US9095054B1 (en) * 2012-10-12 2015-07-28 Arkansas Power Electronics International, Inc. High temperature equalized electrical parasitic power packaging method for many paralleled semiconductor power devices
CN104465632A (zh) * 2014-07-21 2015-03-25 孙巍巍 一种新型tvs晶片封装方法
US9504186B2 (en) * 2014-11-14 2016-11-22 Caterpillar Inc. Heatpipe imbedded coldplate enhancing IGBT heat spreading
JP6301857B2 (ja) 2015-02-24 2018-03-28 株式会社東芝 半導体モジュール
EP3131377A1 (de) * 2015-08-14 2017-02-15 Siemens Aktiengesellschaft Phasenmodul für einen stromrichter
JP6765336B2 (ja) * 2017-04-06 2020-10-07 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置
DE112017007415B4 (de) * 2017-04-06 2023-01-12 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung desselben und Leistungswandlervorrichtung
CN107317464B (zh) * 2017-08-25 2020-04-28 青岛中加特变频电机有限公司 功率模块及变频器
WO2021005171A1 (en) 2019-07-09 2021-01-14 Abb Power Grids Switzerland Ag Power semiconductor module with integrated surge arrester
CN115516747A (zh) * 2020-06-12 2022-12-23 日立能源瑞士股份公司 一种包括具有可变电感的功率链路的单元
CN115662975A (zh) * 2022-10-27 2023-01-31 北京智慧能源研究院 一种功率芯片封装结构

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3183407A (en) * 1963-10-04 1965-05-11 Sony Corp Combined electrical element
DE7512573U (de) * 1975-04-19 1975-09-04 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichri Halbleitergleichrichteranordnung
US4853762A (en) * 1986-03-27 1989-08-01 International Rectifier Corporation Semi-conductor modules
US4965710A (en) * 1989-11-16 1990-10-23 International Rectifier Corporation Insulated gate bipolar transistor power module
US5031069A (en) * 1989-12-28 1991-07-09 Sundstrand Corporation Integration of ceramic capacitor
DE4418426B4 (de) * 1993-09-08 2007-08-02 Mitsubishi Denki K.K. Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls
JP3201187B2 (ja) * 1994-12-08 2001-08-20 富士電機株式会社 半導体装置
DE19530264A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP3448159B2 (ja) * 1996-06-20 2003-09-16 株式会社東芝 電力用半導体装置
WO1998012748A1 (fr) * 1996-09-18 1998-03-26 Hitachi, Ltd. Module a semiconducteur de jonction
DE19726534A1 (de) * 1997-06-23 1998-12-24 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul mit geschlossenen Submodulen
US6147869A (en) * 1997-11-24 2000-11-14 International Rectifier Corp. Adaptable planar module
GB9725960D0 (en) * 1997-12-08 1998-02-04 Westinghouse Brake & Signal Encapsulating semiconductor chips
JP2000049280A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JP4192396B2 (ja) * 2000-04-19 2008-12-10 株式会社デンソー 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4669650B2 (ja) 2011-04-13
US20030107875A1 (en) 2003-06-12
EP1318547A1 (de) 2003-06-11
JP2003197864A (ja) 2003-07-11
EP1318547B1 (de) 2013-04-17
US6738258B2 (en) 2004-05-18
CN1423330A (zh) 2003-06-11
CN100392856C (zh) 2008-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2309482C2 (ru) Силовой полупроводниковый модуль
US10283436B2 (en) Power electronics module with first and second coolers
US7608917B2 (en) Power semiconductor module
US7948069B2 (en) Surface mountable hermetically sealed package
CN100524737C (zh) 功率模块、相脚和三相变换器
US6054765A (en) Parallel dual switch module
EP1006578B1 (en) Semiconductor power module
US8237260B2 (en) Power semiconductor module with segmented base plate
US7880283B2 (en) High reliability power module
US7466020B2 (en) Power module
US12046584B2 (en) Semiconductor module
EP2673803B1 (en) Power semiconductor module and method to produce a power semiconductor module
US5982031A (en) Power semiconductor module with closed submodules
US20030122261A1 (en) Power semiconductor submodule, and a power semiconductor module
US5617293A (en) Bridge module
Wakeman et al. Electromechanical characteristics of a bondless pressure contact IGBT
CN110739294B (zh) 功率模块结构
US6982482B2 (en) Packaging of solid state devices
JP4287134B2 (ja) モジュールハウジング及び電力半導体モジュール
CN219040456U (zh) 功率半导体模块
JP5970790B2 (ja) 半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181206