RU2020103415A - Электронный умножитель - Google Patents
Электронный умножитель Download PDFInfo
- Publication number
- RU2020103415A RU2020103415A RU2020103415A RU2020103415A RU2020103415A RU 2020103415 A RU2020103415 A RU 2020103415A RU 2020103415 A RU2020103415 A RU 2020103415A RU 2020103415 A RU2020103415 A RU 2020103415A RU 2020103415 A RU2020103415 A RU 2020103415A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- insulating material
- electron emission
- secondary electron
- metal particles
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
- H01J43/246—Microchannel plates [MCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Claims (15)
1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая противоположна нижней поверхности и испускает вторичные электроны в результате падения заряженной частицы, причем слой эмиссии вторичных электронов выполнен из первого изолирующего материала; и
слой сопротивления, расположенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов,
при этом слой сопротивления включает слой металла, в котором на поверхности формирования слоя двумерно расположено множество металлических частиц в смежном друг с другом состоянии с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала, причем каждая из металлических частиц выполнена из металлического материала, значение сопротивления которого обладает положительной температурной характеристикой, причем поверхность формирования слоя совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала, и
слой металла, существующий между поверхностью формирования канала и поверхностью эмиссии вторичных электронов, образован только одним слоем.
2. Электронный умножитель по п. 1, дополнительно содержащий
нижележащий слой, предусмотренный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем нижележащий слой имеет поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов, и выполнен из второго изолирующего материала.
3. Электронный умножитель по п. 2, в котором первый изолирующий материал и второй изолирующий материал отличаются друг от друга.
4. Электронный умножитель по п. 2, в котором второй изолирующий материал является изолирующим материалом, идентичным первому изолирующему материалу.
5. Электронный умножитель по п. 2, в котором первым изолирующим материалом является MgO, а вторым изолирующим материалом является Al2O3 или SiO2.
6. Электронный умножитель по любому из пп. 2-5, в котором слой эмиссии вторичных электронов толще нижележащего слоя касательно толщины каждого слоя, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
7. Электронный умножитель по любому из пп. 2-5, в котором слой эмиссии вторичных электронов тоньше нижележащего слоя касательно толщины каждого слоя, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
8. Электронный умножитель по любому из пп. 1-7, в котором среди множества металлических частиц, составляющих слой металла, по меньшей мере один набор смежных друг с другом металлических частиц с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала удовлетворяет соотношению, при котором минимальное расстояние между упомянутым одним набором металлических частиц короче средней толщины металлических частиц, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
9. Электронный умножитель по любому из пп. 1-8, в котором слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при температуре -60°C является кратным 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C является кратным 0,3 или более значению сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-129419 | 2017-06-30 | ||
JP2017129419A JP6817160B2 (ja) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 電子増倍体 |
PCT/JP2018/015081 WO2019003566A1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-04-10 | 電子増倍体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2020103415A3 RU2020103415A3 (ru) | 2021-07-30 |
RU2020103415A true RU2020103415A (ru) | 2021-07-30 |
RU2756843C2 RU2756843C2 (ru) | 2021-10-06 |
Family
ID=64742112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020103415A RU2756843C2 (ru) | 2017-06-30 | 2018-04-10 | Электронный умножитель |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10727035B2 (ru) |
EP (1) | EP3648139B1 (ru) |
JP (1) | JP6817160B2 (ru) |
CN (1) | CN110678957B (ru) |
RU (1) | RU2756843C2 (ru) |
WO (1) | WO2019003566A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6875217B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体 |
JP7279377B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279378B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279375B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279373B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279374B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
CN112420477B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-09-06 | 北方夜视技术股份有限公司 | 高增益、低发光ald-mcp及其制备方法与应用 |
CN115692140B (zh) * | 2022-11-03 | 2023-10-17 | 北方夜视科技(南京)研究院有限公司 | 抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL294532A (ru) * | 1962-06-26 | |||
FR2580864B1 (fr) * | 1984-12-18 | 1987-05-22 | Thomson Csf | Couche barriere au bombardement ionique pour tube a vide |
JPH01186731A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 二次電子増倍器の製造方法 |
DE19506165A1 (de) * | 1995-02-22 | 1996-05-23 | Siemens Ag | Elektronenvervielfacher und Verfahren zu dessen Herstellung |
JPH11233060A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Fujitsu Ltd | 2次電子検出器及びこれを用いた電子ビーム装置 |
US6455987B1 (en) * | 1999-01-12 | 2002-09-24 | Bruker Analytical X-Ray Systems, Inc. | Electron multiplier and method of making same |
US8052884B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-11-08 | Arradiance, Inc. | Method of fabricating microchannel plate devices with multiple emissive layers |
RU2387042C2 (ru) * | 2008-04-29 | 2010-04-20 | ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" | Усилитель электронного потока |
JP2009289693A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 荷電粒子検出器 |
US8227965B2 (en) | 2008-06-20 | 2012-07-24 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
US8237129B2 (en) | 2008-06-20 | 2012-08-07 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
RU2009148557A (ru) * | 2009-12-18 | 2011-06-27 | Эдуард Михайлович Дробышевский (RU) | Вакуумный электронный умножитель для регистрации направленного движения ядерно-активных частиц |
US9105379B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-08-11 | Uchicago Argonne, Llc | Tunable resistance coatings |
US8969823B2 (en) * | 2011-01-21 | 2015-03-03 | Uchicago Argonne, Llc | Microchannel plate detector and methods for their fabrication |
JP5981820B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャンネルプレート、マイクロチャンネルプレートの製造方法、及びイメージインテンシファイア |
US9425030B2 (en) * | 2013-06-06 | 2016-08-23 | Burle Technologies, Inc. | Electrostatic suppression of ion feedback in a microchannel plate photomultiplier |
JP6474281B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2019-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体、光電子増倍管、及び光電子増倍器 |
-
2017
- 2017-06-30 JP JP2017129419A patent/JP6817160B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-10 EP EP18824702.7A patent/EP3648139B1/en active Active
- 2018-04-10 WO PCT/JP2018/015081 patent/WO2019003566A1/ja active Application Filing
- 2018-04-10 US US16/624,027 patent/US10727035B2/en active Active
- 2018-04-10 CN CN201880035055.2A patent/CN110678957B/zh active Active
- 2018-04-10 RU RU2020103415A patent/RU2756843C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110678957A (zh) | 2020-01-10 |
EP3648139A1 (en) | 2020-05-06 |
WO2019003566A1 (ja) | 2019-01-03 |
CN110678957B (zh) | 2022-04-01 |
RU2020103415A3 (ru) | 2021-07-30 |
EP3648139B1 (en) | 2023-12-06 |
US10727035B2 (en) | 2020-07-28 |
JP6817160B2 (ja) | 2021-01-20 |
RU2756843C2 (ru) | 2021-10-06 |
EP3648139A4 (en) | 2021-03-24 |
JP2019012657A (ja) | 2019-01-24 |
US20200176236A1 (en) | 2020-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2020103415A (ru) | Электронный умножитель | |
RU2020103210A (ru) | Электронный умножитель | |
JP2018037660A5 (ru) | ||
CN107863376B (zh) | 一种柔性显示基板、显示面板及显示装置 | |
JP2020523478A5 (ru) | ||
SG10201805238RA (en) | Semiconductor device | |
GB2567363A (en) | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices | |
JP2017028252A5 (ja) | トランジスタ | |
JP2016028434A5 (ru) | ||
TW201614779A (en) | Devices and methods related to metallization of ceramic substrates for shielding applications | |
MX2017016712A (es) | Sustrato proporcionado con una pila que tiene propiedades termicas. | |
EA201391498A1 (ru) | Многослойное электронное устройство | |
WO2011156676A3 (en) | Metallic materials with embedded luminescent particles | |
JP2019504489A5 (ja) | Dramデバイス、dramデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法 | |
MY178501A (en) | Metal board, and substrate-type thin-film solar cell and top-emission-type organic el element using same | |
JP2015537395A5 (ru) | ||
JP2015178682A5 (ru) | ||
CN109686862A (zh) | 显示面板 | |
RU2019119799A (ru) | Система для нанесения покрытия и изготовленные в ней изделия | |
JP2016046035A (ja) | 有機el素子封止膜の形成方法 | |
WO2014165247A3 (en) | Capacitors comprising pores in an aluminium substrate | |
WO2015164215A8 (en) | Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures | |
JP6474281B2 (ja) | 電子増倍体、光電子増倍管、及び光電子増倍器 | |
US10037871B2 (en) | Method of manufacturing electron multiplier body, photomultiplier tube, and photomultiplier | |
RU2020103211A (ru) | Электронный умножитель |