RU2020103210A - Электронный умножитель - Google Patents
Электронный умножитель Download PDFInfo
- Publication number
- RU2020103210A RU2020103210A RU2020103210A RU2020103210A RU2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- secondary electron
- electron emission
- metal
- thickness
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
- H01J43/246—Microchannel plates [MCP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/24—Dynodes having potential gradient along their surfaces
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Claims (20)
1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая находится напротив нижней поверхности и испускает вторичный электрон в результате падения заряженной частицы, причем слой эмиссии вторичных электронов выполнен из первого изолирующего материала; и
слой сопротивления, проложенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов,
при этом слой сопротивления включает слой металла, в котором на поверхности формирования слоя двумерно расположено множество металлических частиц в смежном друг с другом состоянии с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала, причем металлические частицы выполнены из металлического материала, значение сопротивления которого обладает положительной температурной характеристикой, причем поверхность формирования слоя совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала, и
при этом слой металла имеет толщину, заданную на 5-40 ангстрем, причем толщина определяется средней толщиной множества металлических частиц по направлению укладки в стопку от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
2. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 5-15 ангстрем.
3. Электронный умножитель по п. 2, в котором
толщина слоя металла задана на 7-14 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-60%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
4. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 15-40 ангстрем.
5. Электронный умножитель по п. 4, в котором
толщина слоя металла задана на 18-37 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-70%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
6. Электронный умножитель по любому из пп. 1-5, дополнительно содержащий
нижележащий слой, обеспеченный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем нижележащий слой имеет поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов, и выполнен из второго изолирующего материала.
7. Электронный умножитель по любому из пп. 1-6, в котором
слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при температуре -60°C кратно 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C кратно 0,3 или более в сравнении со значением сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-129425 | 2017-06-30 | ||
JP2017129425A JP6395906B1 (ja) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 電子増倍体 |
PCT/JP2018/015084 WO2019003567A1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-04-10 | 電子増倍体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2020103210A true RU2020103210A (ru) | 2021-07-30 |
RU2020103210A3 RU2020103210A3 (ru) | 2021-07-30 |
RU2756689C2 RU2756689C2 (ru) | 2021-10-04 |
Family
ID=63668405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020103210A RU2756689C2 (ru) | 2017-06-30 | 2018-04-10 | Электронный умножитель |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11011358B2 (ru) |
EP (1) | EP3648140B1 (ru) |
JP (1) | JP6395906B1 (ru) |
CN (1) | CN110678956B (ru) |
RU (1) | RU2756689C2 (ru) |
WO (1) | WO2019003567A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6875217B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体 |
JP7307849B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-07-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
JP7176927B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-11-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス |
FR3091953B1 (fr) * | 2019-01-18 | 2021-01-29 | Univ Claude Bernard Lyon | Detecteur de particules elementaires |
JP7279378B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279376B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279374B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279373B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
JP7279375B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-23 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
CN114093743B (zh) * | 2021-11-25 | 2024-01-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种光敏传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3739216A (en) * | 1971-07-30 | 1973-06-12 | Zenith Radio Corp | Secondary electron multipliers with single layer cermet coatings |
GB2202367A (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-21 | Philips Electronic Associated | Channel plate electron multipliers |
EP0413482B1 (en) * | 1989-08-18 | 1997-03-12 | Galileo Electro-Optics Corp. | Thin-film continuous dynodes |
JP3116626B2 (ja) * | 1993-02-04 | 2000-12-11 | 株式会社神戸製鋼所 | 金属含有廃棄物用溶融炉のスラグ加熱装置 |
CN1048578C (zh) * | 1994-02-08 | 2000-01-19 | 上海华科电子显象有限公司 | 平板型x射线像增强器及其制造方法 |
RU2099809C1 (ru) * | 1996-02-28 | 1997-12-20 | Тузар Владимирович Кокаев | Способ изготовления микроканальной пластины |
JP2006522453A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | リットン・システムズ・インコーポレイテッド | マイクロチャネルプレートの接合方法 |
US7977878B2 (en) * | 2004-02-17 | 2011-07-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier and its manufacturing method |
CN101165842A (zh) * | 2006-10-16 | 2008-04-23 | 浜松光子学株式会社 | 光电倍增管 |
US8237129B2 (en) | 2008-06-20 | 2012-08-07 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
US8227965B2 (en) * | 2008-06-20 | 2012-07-24 | Arradiance, Inc. | Microchannel plate devices with tunable resistive films |
JP5452038B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-03-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍器及び電子検出器 |
US8212475B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-07-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube |
FR2964785B1 (fr) * | 2010-09-13 | 2013-08-16 | Photonis France | Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant. |
US8969823B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-03-03 | Uchicago Argonne, Llc | Microchannel plate detector and methods for their fabrication |
US9105379B2 (en) | 2011-01-21 | 2015-08-11 | Uchicago Argonne, Llc | Tunable resistance coatings |
EP2851932B1 (en) * | 2012-05-18 | 2017-12-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microchannel plate |
JP5981820B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチャンネルプレート、マイクロチャンネルプレートの製造方法、及びイメージインテンシファイア |
RU2547456C2 (ru) * | 2013-04-01 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Северо-Осетинский Государственный Университет Имени Коста Левановича Хетагурова" | Электронный умножитель |
JP6407767B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2018-10-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍体の製造方法、光電子増倍管、及び光電子増倍器 |
-
2017
- 2017-06-30 JP JP2017129425A patent/JP6395906B1/ja active Active
-
2018
- 2018-04-10 WO PCT/JP2018/015084 patent/WO2019003567A1/ja active Application Filing
- 2018-04-10 US US16/623,511 patent/US11011358B2/en active Active
- 2018-04-10 RU RU2020103210A patent/RU2756689C2/ru active
- 2018-04-10 CN CN201880035027.0A patent/CN110678956B/zh active Active
- 2018-04-10 EP EP18824979.1A patent/EP3648140B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110678956A (zh) | 2020-01-10 |
RU2756689C2 (ru) | 2021-10-04 |
RU2020103210A3 (ru) | 2021-07-30 |
US11011358B2 (en) | 2021-05-18 |
JP2019012658A (ja) | 2019-01-24 |
EP3648140A4 (en) | 2021-03-24 |
WO2019003567A1 (ja) | 2019-01-03 |
CN110678956B (zh) | 2022-03-01 |
EP3648140B1 (en) | 2023-11-22 |
EP3648140A1 (en) | 2020-05-06 |
US20210118655A1 (en) | 2021-04-22 |
JP6395906B1 (ja) | 2018-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2020103210A (ru) | Электронный умножитель | |
RU2020103415A (ru) | Электронный умножитель | |
US9227203B2 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
WO2012099658A3 (en) | Microchannel plate detector and methods for their fabrication | |
JP2014078699A5 (ru) | ||
JP2016028434A5 (ru) | ||
WO2018172621A3 (en) | Electrostatic actuator structure | |
JP2015135961A5 (ru) | ||
JP2017201685A5 (ru) | ||
JP2016039137A5 (ja) | 二次電池 | |
WO2018062836A3 (ko) | 천연 흑연 및 인조 흑연을 포함하는 다층 음극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 | |
US20180158640A1 (en) | Field emission apparatus | |
JP2015188064A5 (ja) | 半導体装置 | |
WO2011156676A3 (en) | Metallic materials with embedded luminescent particles | |
Popescu et al. | Influence of hole depletion and depolarizing field on the BaTiO 3/La 0.6 Sr 0.4 MnO 3 interface electronic structure revealed by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations | |
TW200635093A (en) | Battery and method of manufacturing the same | |
MY178501A (en) | Metal board, and substrate-type thin-film solar cell and top-emission-type organic el element using same | |
US20130032312A1 (en) | Vapor chamber capillary formation method and structure thereof | |
Qteish | Electronegativity scales and electronegativity-bond ionicity relations: a comparative study | |
JP2016184613A5 (ru) | ||
Ohta et al. | Impact of threading dislocations in GaN p–n diodes on forward I–V characteristics | |
JP2016105469A5 (ru) | ||
KR102312202B1 (ko) | 전계방출 장치 | |
US9698373B2 (en) | Photoelectric device comprising the barrier film layer | |
JPWO2020157554A5 (ja) | 半導体装置 |