RU2020103210A - Электронный умножитель - Google Patents

Электронный умножитель Download PDF

Info

Publication number
RU2020103210A
RU2020103210A RU2020103210A RU2020103210A RU2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A RU 2020103210 A RU2020103210 A RU 2020103210A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
secondary electron
electron emission
metal
thickness
Prior art date
Application number
RU2020103210A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2756689C2 (ru
RU2020103210A3 (ru
Inventor
Даити МАСУКО
Хадзиме НИСИМУРА
Ясумаса ХАМАНА
Хироюки Ватанабе
Original Assignee
Хамамацу Фотоникс К.К.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хамамацу Фотоникс К.К. filed Critical Хамамацу Фотоникс К.К.
Publication of RU2020103210A publication Critical patent/RU2020103210A/ru
Publication of RU2020103210A3 publication Critical patent/RU2020103210A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2756689C2 publication Critical patent/RU2756689C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246Microchannel plates [MCP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Claims (20)

1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая находится напротив нижней поверхности и испускает вторичный электрон в результате падения заряженной частицы, причем слой эмиссии вторичных электронов выполнен из первого изолирующего материала; и
слой сопротивления, проложенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов,
при этом слой сопротивления включает слой металла, в котором на поверхности формирования слоя двумерно расположено множество металлических частиц в смежном друг с другом состоянии с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала, причем металлические частицы выполнены из металлического материала, значение сопротивления которого обладает положительной температурной характеристикой, причем поверхность формирования слоя совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала, и
при этом слой металла имеет толщину, заданную на 5-40 ангстрем, причем толщина определяется средней толщиной множества металлических частиц по направлению укладки в стопку от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
2. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 5-15 ангстрем.
3. Электронный умножитель по п. 2, в котором
толщина слоя металла задана на 7-14 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-60%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
4. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 15-40 ангстрем.
5. Электронный умножитель по п. 4, в котором
толщина слоя металла задана на 18-37 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-70%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
6. Электронный умножитель по любому из пп. 1-5, дополнительно содержащий
нижележащий слой, обеспеченный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем нижележащий слой имеет поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов, и выполнен из второго изолирующего материала.
7. Электронный умножитель по любому из пп. 1-6, в котором
слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при температуре -60°C кратно 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C кратно 0,3 или более в сравнении со значением сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.
RU2020103210A 2017-06-30 2018-04-10 Электронный умножитель RU2756689C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-129425 2017-06-30
JP2017129425A JP6395906B1 (ja) 2017-06-30 2017-06-30 電子増倍体
PCT/JP2018/015084 WO2019003567A1 (ja) 2017-06-30 2018-04-10 電子増倍体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2020103210A true RU2020103210A (ru) 2021-07-30
RU2020103210A3 RU2020103210A3 (ru) 2021-07-30
RU2756689C2 RU2756689C2 (ru) 2021-10-04

Family

ID=63668405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020103210A RU2756689C2 (ru) 2017-06-30 2018-04-10 Электронный умножитель

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11011358B2 (ru)
EP (1) EP3648140B1 (ru)
JP (1) JP6395906B1 (ru)
CN (1) CN110678956B (ru)
RU (1) RU2756689C2 (ru)
WO (1) WO2019003567A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6875217B2 (ja) * 2017-06-30 2021-05-19 浜松ホトニクス株式会社 電子増倍体
JP7307849B2 (ja) * 2018-10-30 2023-07-12 浜松ホトニクス株式会社 Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス
JP7176927B2 (ja) * 2018-10-30 2022-11-22 浜松ホトニクス株式会社 Cemアセンブリおよび電子増倍デバイス
FR3091953B1 (fr) * 2019-01-18 2021-01-29 Univ Claude Bernard Lyon Detecteur de particules elementaires
JP7279378B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-23 株式会社三洋物産 遊技機
JP7279376B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-23 株式会社三洋物産 遊技機
JP7279374B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-23 株式会社三洋物産 遊技機
JP7279373B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-23 株式会社三洋物産 遊技機
JP7279375B2 (ja) * 2019-01-29 2023-05-23 株式会社三洋物産 遊技機
CN114093743B (zh) * 2021-11-25 2024-01-16 上海集成电路研发中心有限公司 一种光敏传感器及其制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3739216A (en) * 1971-07-30 1973-06-12 Zenith Radio Corp Secondary electron multipliers with single layer cermet coatings
GB2202367A (en) * 1987-03-18 1988-09-21 Philips Electronic Associated Channel plate electron multipliers
EP0413482B1 (en) * 1989-08-18 1997-03-12 Galileo Electro-Optics Corp. Thin-film continuous dynodes
JP3116626B2 (ja) * 1993-02-04 2000-12-11 株式会社神戸製鋼所 金属含有廃棄物用溶融炉のスラグ加熱装置
CN1048578C (zh) * 1994-02-08 2000-01-19 上海华科电子显象有限公司 平板型x射线像增强器及其制造方法
RU2099809C1 (ru) * 1996-02-28 1997-12-20 Тузар Владимирович Кокаев Способ изготовления микроканальной пластины
JP2006522453A (ja) * 2003-03-31 2006-09-28 リットン・システムズ・インコーポレイテッド マイクロチャネルプレートの接合方法
US7977878B2 (en) * 2004-02-17 2011-07-12 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier and its manufacturing method
CN101165842A (zh) * 2006-10-16 2008-04-23 浜松光子学株式会社 光电倍增管
US8237129B2 (en) 2008-06-20 2012-08-07 Arradiance, Inc. Microchannel plate devices with tunable resistive films
US8227965B2 (en) * 2008-06-20 2012-07-24 Arradiance, Inc. Microchannel plate devices with tunable resistive films
JP5452038B2 (ja) * 2009-03-06 2014-03-26 浜松ホトニクス株式会社 電子増倍器及び電子検出器
US8212475B2 (en) * 2009-04-02 2012-07-03 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube
FR2964785B1 (fr) * 2010-09-13 2013-08-16 Photonis France Dispositif multiplicateur d'électrons a couche de nanodiamant.
US8969823B2 (en) 2011-01-21 2015-03-03 Uchicago Argonne, Llc Microchannel plate detector and methods for their fabrication
US9105379B2 (en) 2011-01-21 2015-08-11 Uchicago Argonne, Llc Tunable resistance coatings
EP2851932B1 (en) * 2012-05-18 2017-12-20 Hamamatsu Photonics K.K. Microchannel plate
JP5981820B2 (ja) * 2012-09-25 2016-08-31 浜松ホトニクス株式会社 マイクロチャンネルプレート、マイクロチャンネルプレートの製造方法、及びイメージインテンシファイア
RU2547456C2 (ru) * 2013-04-01 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Северо-Осетинский Государственный Университет Имени Коста Левановича Хетагурова" Электронный умножитель
JP6407767B2 (ja) * 2015-03-03 2018-10-17 浜松ホトニクス株式会社 電子増倍体の製造方法、光電子増倍管、及び光電子増倍器

Also Published As

Publication number Publication date
CN110678956A (zh) 2020-01-10
RU2756689C2 (ru) 2021-10-04
RU2020103210A3 (ru) 2021-07-30
US11011358B2 (en) 2021-05-18
JP2019012658A (ja) 2019-01-24
EP3648140A4 (en) 2021-03-24
WO2019003567A1 (ja) 2019-01-03
CN110678956B (zh) 2022-03-01
EP3648140B1 (en) 2023-11-22
EP3648140A1 (en) 2020-05-06
US20210118655A1 (en) 2021-04-22
JP6395906B1 (ja) 2018-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2020103210A (ru) Электронный умножитель
RU2020103415A (ru) Электронный умножитель
US9227203B2 (en) Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
WO2012099658A3 (en) Microchannel plate detector and methods for their fabrication
JP2014078699A5 (ru)
JP2016028434A5 (ru)
WO2018172621A3 (en) Electrostatic actuator structure
JP2015135961A5 (ru)
JP2017201685A5 (ru)
JP2016039137A5 (ja) 二次電池
WO2018062836A3 (ko) 천연 흑연 및 인조 흑연을 포함하는 다층 음극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
US20180158640A1 (en) Field emission apparatus
JP2015188064A5 (ja) 半導体装置
WO2011156676A3 (en) Metallic materials with embedded luminescent particles
Popescu et al. Influence of hole depletion and depolarizing field on the BaTiO 3/La 0.6 Sr 0.4 MnO 3 interface electronic structure revealed by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations
TW200635093A (en) Battery and method of manufacturing the same
MY178501A (en) Metal board, and substrate-type thin-film solar cell and top-emission-type organic el element using same
US20130032312A1 (en) Vapor chamber capillary formation method and structure thereof
Qteish Electronegativity scales and electronegativity-bond ionicity relations: a comparative study
JP2016184613A5 (ru)
Ohta et al. Impact of threading dislocations in GaN p–n diodes on forward I–V characteristics
JP2016105469A5 (ru)
KR102312202B1 (ko) 전계방출 장치
US9698373B2 (en) Photoelectric device comprising the barrier film layer
JPWO2020157554A5 (ja) 半導体装置