RU2019124016A - Доступ к блокам памяти в банке памяти - Google Patents

Доступ к блокам памяти в банке памяти Download PDF

Info

Publication number
RU2019124016A
RU2019124016A RU2019124016A RU2019124016A RU2019124016A RU 2019124016 A RU2019124016 A RU 2019124016A RU 2019124016 A RU2019124016 A RU 2019124016A RU 2019124016 A RU2019124016 A RU 2019124016A RU 2019124016 A RU2019124016 A RU 2019124016A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
memory
bank
bank select
row
fluid
Prior art date
Application number
RU2019124016A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2019124016A3 (ru
RU2748727C2 (ru
Inventor
Боон Бинг НГ
Джамиль НУРАШЕКИН БИНТЕ
Original Assignee
Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П. filed Critical Хьюлетт-Паккард Дивелопмент Компани, Л.П.
Publication of RU2019124016A3 publication Critical patent/RU2019124016A3/ru
Publication of RU2019124016A publication Critical patent/RU2019124016A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2748727C2 publication Critical patent/RU2748727C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/0452—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits reducing demand in current or voltage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04541—Specific driving circuit
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/0458—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits controlling heads based on heating elements forming bubbles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
    • B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
    • B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
    • B41J2/04501—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits
    • B41J2/04581—Control methods or devices therefor, e.g. driver circuits, control circuits controlling heads based on piezoelectric elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
    • B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
    • B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
    • B41J2/17503—Ink cartridges
    • B41J2/17543—Cartridge presence detection or type identification
    • B41J2/17546—Cartridge presence detection or type identification electronically
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/17—Readable information on the head

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Memory System (AREA)

Claims (40)

1. Кристалл выброса текучего вещества, который содержит
множество сопел для того, чтобы выбрасывать капли текучего вещества;
банк памяти, имеющий множество блоков памяти, скомпонованных в форме матрицы, причем матрица имеет множество строк и множество столбцов; и
транзистор выбора банка, общий для множества блоков памяти, причем транзистор выбора банка служит для того, чтобы содействовать осуществлению доступа к блоку памяти из множества блоков памяти на основе сигнала выбора банка.
2. Кристалл выброса текучего вещества по п. 1, в котором каждый блок памяти из множества блоков памяти представляет собой блок памяти электрически программируемого постоянного запоминающего устройства (EM).
3. Кристалл выброса текучего вещества по п. 1, в котором банк памяти содержит второе множество блоков памяти, скомпонованных в форме второй матрицы, причем система содержит второй транзистор выбора банка, общий для второго множества блоков памяти, и при этом второй транзистор выбора банка служит для того, чтобы принимать сигнал выбора банка для того, чтобы содействовать осуществлению доступа к блоку памяти из второго множества блоков памяти на основе сигнала выбора банка.
4. Кристалл выброса текучего вещества по п. 1, в котором к блоку памяти из множества блоков памяти можно осуществлять доступ, когда сигнал выбора строки принимает строка, имеющая блок памяти, и сигнал выбора столбца принимает столбец, имеющий блок памяти, и транзистор выбора банка принимает сигнал выбора банка.
5. Картридж текучего вещества, содержащий:
резервуар текучего вещества для того, чтобы хранить текучее вещество;
кристалл выброса текучего вещества, подсоединенный к резервуару текучего вещества, причем кристалл выброса текучего вещества содержит:
множество сопел для того, чтобы выбрасывать капли текучего вещества;
множество банков электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (EM), причем каждый EM банк содержит:
множество EM блоков памяти, скомпонованных в форме матрицы, причем матрица имеет множество строк и столбцов; и
транзистор выбора банка, общий для множества EM блоков, причем транзистор выбора банка служит для того, чтобы принимать сигнал выбора банка для облегчения осуществления доступа к EM блоку памяти в EM банке.
6. Картридж текучего вещества по п. 5, в котором:
каждый EM блок памяти содержит транзистор с плавающим затвором, к которому можно осуществлять доступ для считывания и записи,
каждый EM банк содержит:
множество транзисторов выбора столбца, причем каждый транзистор выбора столбца соответствует EM блоку памяти из множества EM блоков памяти и служит для того, чтобы принимать сигнал выбора столбца; и
множество транзисторов выбора строки, причем каждый транзистор выбора строки соответствует строке матрицы и служит для того, чтобы принимать сигнал выбора строки, и
причем транзистор с плавающим затвором каждого EM блока памяти соединен с транзистором выбора столбца, соответствующим EM блоку памяти, и транзистором выбора строки, соответствующим строке, содержащей EM блок памяти.
7. Картридж текучего вещества по п. 6, причем транзистор выбора банка соединяют с каждым транзистором выбора строки из множества транзисторов выбора строки.
8. Картридж текучего вещества по п. 5, причем транзистор выбора банка расположен в окрестности множества EM блоков памяти.
9. Картридж текучего вещества по п. 5, причем каждый EM банк содержит:
второе множество EM блоков памяти, скомпонованных в форме второй матрицы; и
второй транзистор выбора банка, общий для каждого EM блока памяти из второго множества EM блоков памяти, и
при этом второй транзистор выбора банка служит для того, чтобы принимать сигнал выбора банка на своем выводе затвора.
10. Картридж текучего вещества по п. 5, который содержит идентификационную (ID) линию, соединенную с каждым EM блоком памяти из множества EM блоков памяти, для осуществления доступа к EM блоку памяти для по меньшей мере одного из считывания и записи.
11. Картридж текучего вещества по п. 5, который содержит регистр выбора банка для предоставления сигналов выбора банка на транзисторы выбора банка из множества EM банков.
12. Картридж текучего вещества по п. 6, который содержит регистр выбора строки для предоставления сигналов выбора строки на транзисторы выбора строки из множества EM банков и регистр выбора столбца для предоставления сигналов выбора столбца на транзисторы выбора столбца из множества EM банков.
13. Печатающий картридж, содержащий:
резервуар печатающего материала для того, чтобы хранить печатающий материал;
печатающую головку, подсоединенную к резервуару печатающего материала, причем печатающая головка содержит:
множество сопел для того, чтобы выбрасывать печатающий материал;
множество банков электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (EM), причем каждый EM банк из множества EM банков содержит:
первое множество EM блоков памяти, скомпонованных в форме строк и столбцов; и
первый транзистор выбора банка, соединенный с каждым EM блоком памяти из первого множества EM блоков памяти через транзистор выбора строки, и транзистор выбора столбца, соединенный с EM блоком памяти, причем первый транзистор выбора банка служит для того, чтобы содействовать осуществлению доступа к EM блоку памяти при приеме сигнала выбора банка.
14. Печатающий картридж по п. 13, который содержит идентификационную (ID) линию, соединенную с каждым EM блоком памяти из первого множества EM блоков памяти, чтобы осуществлять доступ к EM блоку памяти.
15. Печатающий картридж по п. 13, в котором каждый EM банк содержит:
второе множество EM блоков памяти, скомпонованных в форме строк и столбцов; и
второй транзистор выбора банка, соединенный с каждым EM блоком памяти из второго множества EM блоков памяти для того, чтобы содействовать осуществлению доступа к EM блоку памяти из второго множества EM блоков памяти, когда второй транзистор выбора банка принимает сигнал выбора банка.
RU2019124016A 2017-01-31 2017-01-31 Доступ к блокам памяти в банке памяти RU2748727C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2017/015830 WO2018143940A1 (en) 2017-01-31 2017-01-31 Accessing memory units in a memory bank

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2019124016A3 RU2019124016A3 (ru) 2021-03-02
RU2019124016A true RU2019124016A (ru) 2021-03-02
RU2748727C2 RU2748727C2 (ru) 2021-05-31

Family

ID=63040003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019124016A RU2748727C2 (ru) 2017-01-31 2017-01-31 Доступ к блокам памяти в банке памяти

Country Status (9)

Country Link
US (2) US10889122B2 (ru)
EP (2) EP3554844B1 (ru)
JP (1) JP6832441B2 (ru)
KR (1) KR102262682B1 (ru)
CN (2) CN112976813B (ru)
BR (1) BR112019015681B1 (ru)
CL (1) CL2019002147A1 (ru)
RU (1) RU2748727C2 (ru)
WO (1) WO2018143940A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018143940A1 (en) * 2017-01-31 2018-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Accessing memory units in a memory bank
US11500791B2 (en) * 2020-12-10 2022-11-15 Micron Technology, Inc. Status check using chip enable pin

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5881181A (ja) * 1981-11-06 1983-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 感熱記録ヘツド
JP2504743B2 (ja) 1985-03-18 1996-06-05 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2598081B2 (ja) 1988-05-16 1997-04-09 株式会社東芝 半導体メモリ
US5261050A (en) * 1990-07-27 1993-11-09 Eastman Kodak Company Apparatus for processing a digital image for window width, level and curve shape
KR930011662B1 (ko) * 1990-11-30 1993-12-16 현대전자산업 주식회사 카트리지를 이용한 lbp 시스팀
JP3375087B2 (ja) * 1991-10-21 2003-02-10 ローム株式会社 半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法
US5537576A (en) 1993-06-23 1996-07-16 Dsp Semiconductors Ltd. Expandable memory for a digital signal processor including mapped first and second memory banks forming a continuous and contiguous address space
US5483265A (en) * 1994-01-03 1996-01-09 Xerox Corporation Minimization of missing droplets in a thermal ink jet printer by drop volume control
KR0145225B1 (ko) * 1995-04-27 1998-08-17 김광호 블럭 단위로 스트레스 가능한 회로
US6022094A (en) 1995-09-27 2000-02-08 Lexmark International, Inc. Memory expansion circuit for ink jet print head identification circuit
US5870347A (en) * 1997-03-11 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Multi-bank memory input/output line selection
US6804250B2 (en) * 1998-02-24 2004-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Data communication system and node, and method of using the system and the node
EP0999522B1 (en) * 1998-11-06 2008-04-09 Canon Kabushiki Kaisha Image processing method, system and apparatus, and storage medium
AUPP702498A0 (en) * 1998-11-09 1998-12-03 Silverbrook Research Pty Ltd Image creation method and apparatus (ART77)
CN1277678C (zh) 1998-11-09 2006-10-04 西尔弗布鲁克研究有限公司 打印机集成电路
JP2000164736A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ及びその製造方法
IT1310098B1 (it) * 1999-07-12 2002-02-11 Olivetti Lexikon Spa Testina di stampa integrata.
US6459647B1 (en) 2000-02-08 2002-10-01 Alliance Semiconductor Split-bank architecture for high performance SDRAMs
US6585352B1 (en) * 2000-08-16 2003-07-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Compact high-performance, high-density ink jet printhead
JP2002100688A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体メモリの製造方法
US6543883B1 (en) * 2001-09-29 2003-04-08 Hewlett-Packard Company Fluid ejection device with drive circuitry proximate to heating element
US7311385B2 (en) 2003-11-12 2007-12-25 Lexmark International, Inc. Micro-fluid ejecting device having embedded memory device
KR100541819B1 (ko) * 2003-12-30 2006-01-10 삼성전자주식회사 스타트 프로그램 전압을 차등적으로 사용하는 불휘발성반도체 메모리 장치 및 그에 따른 프로그램 방법
US7278703B2 (en) * 2004-04-19 2007-10-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device with identification cells
US7497536B2 (en) * 2004-04-19 2009-03-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device
US7401875B2 (en) 2004-07-09 2008-07-22 Texas Instruments Incorporated Inkjet printhead incorporating a memory array
US7779198B2 (en) 2004-11-23 2010-08-17 Efficient Memory Technology Method and apparatus of multiple abbreviations of interleaved addressing of paged memories
US8443162B2 (en) 2005-01-21 2013-05-14 Qualcomm Incorporated Methods and apparatus for dynamically managing banked memory
TW200936391A (en) * 2007-12-10 2009-09-01 Du Pont Multicolor electronic devices and processes of forming the same by printing
US8120985B2 (en) 2008-03-12 2012-02-21 Qimonda Ag Multi-bank memory device method and apparatus
EP2263146B3 (en) 2008-03-14 2018-09-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Secure access to fluid cartridge memory
US8161356B2 (en) 2008-03-28 2012-04-17 Intel Corporation Systems, methods, and apparatuses to save memory self-refresh power
JP5261003B2 (ja) 2008-03-31 2013-08-14 ローム株式会社 半導体記憶装置
US7815273B2 (en) * 2008-04-01 2010-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device
KR20100116493A (ko) * 2009-04-22 2010-11-01 삼성전자주식회사 비트 라인 저항을 보상하는 가변 저항 메모리 장치
WO2013019186A1 (en) 2011-07-29 2013-02-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printer
CN103129185B (zh) 2011-12-05 2016-04-06 珠海天威技术开发有限公司 数据存储装置及其数据访问方法、成像设备
US9252149B2 (en) * 2012-04-30 2016-02-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Device including active floating gate region area that is smaller than channel area
WO2015108527A1 (en) 2014-01-17 2015-07-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Addressing an eprom on a printhead
JP6262355B2 (ja) 2014-01-31 2018-01-17 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． 消去可能ｐｒｏｍ用の３次元アドレス指定
TWI648220B (zh) 2014-02-28 2019-01-21 法商隆迪亞營運公司 用於製備改性二氧化矽之方法、改性二氧化矽及其用途，尤其用於增強聚合物
KR102225989B1 (ko) * 2014-03-04 2021-03-10 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
WO2015137960A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Eprom cell with modified floating gate
KR102159258B1 (ko) * 2014-04-04 2020-09-23 삼성전자 주식회사 메모리 장치 및 상기 메모리 장치의 동작 방법
CN204130178U (zh) 2014-06-11 2015-01-28 珠海艾派克微电子有限公司 一种芯片和墨盒
WO2016014082A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printhead with a number of memristor cells and a number of firing cells coupled to a shared fire line
US10014055B2 (en) 2014-07-30 2018-07-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Split memory bank
WO2018143940A1 (en) 2017-01-31 2018-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Accessing memory units in a memory bank

Also Published As

Publication number Publication date
EP3554844A1 (en) 2019-10-23
BR112019015681A2 (pt) 2020-04-07
US20190366727A1 (en) 2019-12-05
EP3554844A4 (en) 2020-07-15
CN112976813B (zh) 2022-10-04
JP6832441B2 (ja) 2021-02-24
CN110267817A (zh) 2019-09-20
CN112976813A (zh) 2021-06-18
WO2018143940A1 (en) 2018-08-09
US11370223B2 (en) 2022-06-28
BR112019015681B1 (pt) 2023-10-31
RU2019124016A3 (ru) 2021-03-02
RU2748727C2 (ru) 2021-05-31
KR20190102045A (ko) 2019-09-02
JP2020506479A (ja) 2020-02-27
US10889122B2 (en) 2021-01-12
EP4147874A1 (en) 2023-03-15
EP3554844B1 (en) 2023-03-22
CN110267817B (zh) 2021-01-29
CL2019002147A1 (es) 2019-11-22
KR102262682B1 (ko) 2021-06-08
US20210070057A1 (en) 2021-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10081178B2 (en) Addressing an EPROM
US11518177B2 (en) Disposing memory banks and select register
US11090926B2 (en) Decoders for memories of fluid ejection devices
KR960015578A (ko) 버스트 동작중에 리프레시 동작이 가능한 반도체 기억장치
US11969995B2 (en) Integrated circuits including memory cells
RU2019124016A (ru) Доступ к блокам памяти в банке памяти
US10403362B2 (en) Split memory bank
US10913265B2 (en) Data lines to fluid ejection devices
CN110428860A (zh) 一种rfid芯片上的存储器阵列结构